CN116594256A - 改善电镀填孔能力的光学邻近修正方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种改善电镀填孔能力的光学邻近修正方法，提供设计版图，设计版图由多种类型的图形组成，图形包括一维线图形和二维图形；根据二维图形的目标关键尺寸和图形复杂度设置不同的切断段设计规则：判断二维图形的目标关键尺寸和图形复杂度是否符合目标值，若是，则减少第一至N段的切割段的长度至目标长度；利用不同的切割段设计规则根据二维图形的轮廓形成及迭代切割段，形成修正后版图，使得修正后版图的显影后图形与设计版图之间误差值小于或等于目标误差；检验修正后版图的准确性，若无错误则以修正后版图制作光罩。本发明的光学邻近修正方法对金属填充的能力提供了有效的帮助，且普遍适用于各个技术节点，提高了关键尺寸的精准度。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种改善电镀填孔能力的光学邻近修正方法。
背景技术
随着先进工艺技术节点的降低，对于金属层而言，不仅对1D(一维线图形)的要求提高，对2D(二维图形)线端结构关键尺寸(Line-end CD)精度的要求也越来越高。
当版图存在环境比较复杂的小尺寸2D图形时，传统方法是对设计版图做常规的分段处理，再正常修OPC，不会对特别的小尺寸线端结构做特殊分段，那么这样修正出的掩膜版曝光到晶圆上，2D线端结构关键尺寸可能无法满足精度要求，导致金属线条末端处填充铜失败。
为解决上述问题，需要提出一种新型的改善电镀填孔能力的光学邻近修正方法。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种改善电镀填孔能力的光学邻近修正方法，用于解决现有技术中对设计版图做常规的分段处理，再正常修OPC，不会对特别的小尺寸线端结构做特殊分段，那么这样修正出的掩膜版曝光到晶圆上，2D线端结构关键尺寸可能无法满足精度要求，导致金属线条末端处填充失败的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种改善电镀填孔能力的光学邻近修正方法，包括：
步骤一、提供设计版图，所述设计版图由多种类型的图形组成，所述图形包括一维线图形和二维图形；
步骤二、根据所述二维图形的目标关键尺寸和图形复杂度设置不同的切断段设计规则：判断所述二维图形的目标关键尺寸和图形复杂度是否符合目标值，若是，则减少第一至N段的所述切割段的长度至目标长度；
步骤三、利用不同的所述切割段设计规则根据所述二维图形的轮廓形成及迭代切割段，形成修正后版图，使得所述修正后版图的显影后图形与所述设计版图之间误差值小于或等于目标误差；
步骤四、检验所述修正后版图的准确性，若无错误则以所述修正后版图制作光罩。
优选地，步骤一中的所述图形用于定义金属层在衬底上的形成区域。
优选地，步骤一中的所述金属层的材料为铜。
优选地，步骤二中判断所述二维图形的所述目标关键尺寸是否小于或等于48纳米，以及所述二维图形是否至少存在5根以上平齐的线端结构，则减少第一至N段的所述切割段的长度至目标长度。
优选地，步骤二中减少第一至三段的所述切割段的长度至目标长度。
优选地，步骤二中的所述第一至三段的所述切割段的总长度为90至110纳米。
优选地，步骤二中减少第一至二段的所述切割端的长度至目标长度。
优选地，步骤二中的所述减少后的切割段长度不能太小，步骤三中形成修正后版图需要满足掩模版制造精度。
优选地，步骤二中的所述二维图形不影响所述一维线图形的关键尺寸。
如上所述，本发明的改善电镀填孔能力的光学邻近修正方法，具有以下有益效果：
本发明的光学邻近修正方法对金属填充的能力提供了有效的帮助，且普遍适用于各个技术节点，提高了关键尺寸的精准度。
附图说明
图1显示为本发明的工艺流程示意图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1，本发明提供一种改善电镀填孔能力的光学邻近修正方法，包括：
步骤一、提供设计版图，设计版图由多种类型的图形组成，图形包括一维线图形和二维图形；
在本发明的实施例中，步骤一中的图形用于定义金属层在衬底上的形成区域。
在本发明的实施例中，步骤一中的金属层的材料为铜，需要说明的是，金属层的材料也可以是其他类型，此处不作具体限定。
步骤二、根据二维图形的目标关键尺寸和图形复杂度设置不同的切断段设计规则：判断二维图形的目标关键尺寸和图形复杂度是否符合目标值，若是，则减少第一至N段的切割段的长度至目标长度；
在本发明的实施例中，步骤二中判断二维图形的目标关键尺寸是否小于或等于48纳米，以及二维图形是否至少存在5根以上平齐的线端结构(Line-end)，则减少第一至N段的切割段的长度至目标长度。
在本发明的实施例中，步骤二中减少第一至三段的切割段的长度至目标长度。
在本发明的实施例中，步骤二中的第一至三段的切割段的总长度为90至110纳米。
在本发明的实施例中，步骤二中减少第一至二段的切割端的长度至目标长度。
在本发明的实施例中，步骤二中减少后的切割段长度不能太小，即之后步骤三在形成的修正后版图需要满足掩模版制造精度。
在本发明的实施例中，步骤二中的二维图形不影响一维线图形的关键尺寸。
步骤三、利用不同的切割段设计规则根据二维图形的轮廓形成及迭代切割段，形成修正后版图，使得修正后版图的显影后图形与设计版图之间误差值小于或等于目标误差；
具体地，分别采用现有技术中的OPC修正和本发明中的OPC修正，两种方法都是对目标层进行常规地选边，对边进行切割分段(fragment)再经OPC修正形成掩膜版层，区别只在于对边的切分处理方式不同。在设计版图(Target)一致的前提下，当线端结构处的第一段、第二段、第三段切割段分别由45nm、45nm、40nm分别改为35nm、30nm、30nm时，经过仿真发现修正后版图的显影后图形关键尺寸会变化，当曝光到晶圆上，二维图形线端结构处显影后图形关键尺寸会差3nm左右，这对于高精度要求的低节点来说，会是一个很大的突破。
步骤四、检验修正后版图的准确性，若无错误则以修正后版图制作光罩。
需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
综上所述，本发明的光学邻近修正方法对金属填充的能力提供了有效的帮助，且普遍适用于各个技术节点，提高了关键尺寸的精准度。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (9)
1.一种改善电镀填孔能力的光学邻近修正方法，其特征在于，至少包括：
步骤一、提供设计版图，所述设计版图由多种类型的图形组成，所述图形包括一维线图形和二维图形；
步骤二、根据所述二维图形的目标关键尺寸和图形复杂度设置不同的切断段设计规则：判断所述二维图形的目标关键尺寸和图形复杂度是否符合目标值，若是，则减少第一至N段的所述切割段的长度至目标长度；
步骤三、利用不同的所述切割段设计规则根据所述二维图形的轮廓形成及迭代切割段，形成修正后版图，使得所述修正后版图的显影后图形与所述设计版图之间误差值小于或等于目标误差；
步骤四、检验所述修正后版图的准确性，若无错误则以所述修正后版图制作光罩。
2.根据权利要求1所述的改善电镀填孔能力的光学邻近修正方法，其特征在于：步骤一中的所述图形用于定义金属层在衬底上的形成区域。
3.根据权利要求2所述的改善电镀填孔能力的光学邻近修正方法，其特征在于：步骤一中的所述金属层的材料为铜。
4.根据权利要求1所述的改善电镀填孔能力的光学邻近修正方法，其特征在于：步骤二中判断所述二维图形的所述目标关键尺寸是否小于或等于48纳米，以及所述二维图形是否至少存在5根以上平齐的线端结构，则减少第一至N段的所述切割段的长度至目标长度。
5.根据权利要求1或4所述的改善电镀填孔能力的光学邻近修正方法，其特征在于：步骤二中减少第一至三段的所述切割段的长度至目标长度。
6.根据权利要求5所述的改善电镀填孔能力的光学邻近修正方法，其特征在于：步骤二中的所述第一至三段的所述切割段的总长度为90至110纳米。
7.根据权利要求1所述的改善电镀填孔能力的光学邻近修正方法，其特征在于：步骤二中减少第一至二段的所述切割端的长度至目标长度。
8.根据权利要求1所述的改善电镀填孔能力的光学邻近修正方法，其特征在于：步骤三中所述的修正后版图需要满足掩模版制造精度。
9.根据权利要求1所述的改善电镀填孔能力的光学邻近修正方法，其特征在于：步骤二中的所述二维图形不影响所述一维线图形的关键尺寸。
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