CN108132580A - 去除斜边凸起的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供的去除斜边凸起的方法，包括：输入初始目标图形；选择长度小于第一预设值的短边，所述短边与坐标轴平行或垂直；选择与短边相邻的边为斜边，所述斜边与所述短边成135°；收缩所述斜边，形成目标多边形，且所述目标多边形与所述短边共边；选择与所述目标多边形接触的边为扩展边，所述扩展边延伸并向内扩展第二预设值形成覆盖区域；将所述目标多边形与所述覆盖去除进行非逻辑运算，形成移除图形；将所述初始目标图形与所述移除图形进行非逻辑运算，得到处理后的图形。本发明中，在OPC之前对初始目标图形进行预处理，去除斜边上的凸起，能够减少斜边上凸起对OPC结果的影响，提高OPC结果的一致性。

Description

去除斜边凸起的方法
技术领域
本发明涉及半导体光刻技术领域，尤其涉及一种去除斜边凸起的方法。
背景技术
集成电路出版光学邻近效应修正(Optical Proximity Correction,,，OPC)过程中，版图结果的一致性一直是难点之一，相同或相近的目标图形经过大面积完整版图OPC处理后，经常出现OPC结果差异，导致这些差异的原因很多，图形边上的凸起(Jog)是其中一个重要的因素。
在记忆体集成电路产品中，重复性单元占据了版图大部分区域。这些重复性单元具有一样的设计图形，设计者希望通过掩模板在硅片上得到一样的图形结果。受到版图解析度等因素的影响，在产品出版处理过程中，重复性单元可能产生细微的差异，比如图形边的凸起，这些微小差异对OPC处理产生更多的影响，因为它改变了图形边的分段结果，并影响最终的OPC结果。为了避免这些凸起对OPC结果的影响，有必要在进行基于模型的OPC处理前进行预处理，减少图形边凸起对OPC结果的影响。
传统的OPC处理流程中，利用图形填充或者图形去除来消除图形中的小凸起，图1a为初始目标图形，存在一个小凸起，利用Mentor公司的DRC工具首先找到符合条件的小凸起Jog，如图1b所示，Jog与其邻边JA之间成90度角，根据Jog与相邻图形边的距离关系形成包含两条边的最小矩形JR，如图1c所示，初始目标图形去除多边型JR得到新的目标图形，结果如图1d。
当45度斜边上存在图形凸起(Jog)，利用传统的方法不能去除图形凸起，导致OPC处理中存在修正异常可能性，或者导致OPC后版图一致性变差。为了减少斜边上图形凸起对OPC结果的影响，有必要在OPC修正前去除图形凸起，提高OPC结果的准确性与一致性。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种去除斜边凸起的方法，减少斜边上凸起对OPC 结果的影响，提高OPC结果的一致性。
为了实现上述目的，本发明一种去除斜边凸起的方法，包括：
输入初始目标图形；
选择长度小于第一预设值的短边，所述短边与坐标轴平行或垂直；
选择与短边相邻的边为斜边，所述斜边与所述短边成135°；
收缩所述斜边，形成目标多边形，且所述目标多边形与所述短边共边；
选择与所述目标多边形接触的边为扩展边，所述扩展边延伸并向内扩展第二预设值形成覆盖区域；
将所述目标多边形与所述覆盖去除进行非逻辑运算，形成移除图形；
将所述初始目标图形与所述移除图形进行非逻辑运算，得到处理后的图形。
进一步的，将所述初始目标图形与所述移除图形进行非逻辑运算后还包括：进行内部距离运算，形成移除多边形；去除所述移除多边形。
进一步的，所述第二预设值小于所述第一预设值。
进一步的，所述第一预设值为2nm～6nm。
进一步的，所述第二预设值为2nm～6nm。
进一步的，所述斜边与坐标轴成45°角。
进一步的，收缩所述斜边的步骤为：所述斜边沿上下左右四个方向向初始目标图形内部进行收缩，形成多边形。
进一步的，所述目标多边形为菱形。
进一步的，所述扩展边位于所述目标多边形外部，并与所述短边成135°。
进一步的，所述扩展边延伸的长度为所述斜边的长度。
与现有技术相比，本发明的去除斜边凸起的方法具有以下有益效果：
通过本发明对45度斜边上的凸起进行预处理，不受凸起长度的限制，只要确定凸起的最大长度，就可以利用上述方法去除45度斜边上的图形边凸起。同时，如果45度斜边上存在多个凸起时，重复上述方法，就可以逐步去除凸起，消除凸起对OPC结果的影响，提高OPC结果的一致性。
附图说明
图1a～图1d为现有技术中去除凸起的步骤示意图；
图2为本发明去除斜边凸起的方法流程图；
图3a-图3l为本发明实施例一中去除斜边凸起的步骤示意图；
图4为本发明一实施例中的初始目标图形；
图5为本发明中去除斜边上凸起后的图形；
图6a～图6m为本发明实施例二中去除斜边凸边的步骤示意图。
具体实施方式
下面将结合示意图对本发明的去除斜边凸起的方法进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。
在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
本发明的核心思想在于，提供一种去除斜边凸起的方法，包括：输入初始目标图形；选择长度小于第一预设值的短边，所述短边与坐标轴平行或垂直；选择与短边相邻的边为斜边，所述斜边与所述短边成135°；收缩所述斜边，形成目标多边形，且所述目标多边形与所述短边共边；选择与所述目标多边形接触的边为扩展边，所述扩展边延伸并向内扩展第二预设值形成覆盖区域；将所述目标多边形与所述覆盖去除进行非逻辑运算，形成移除图形；将所述初始目标图形与所述移除图形进行非逻辑运算，得到处理后的图形。本发明中，在OPC 之前对初始目标图形进行预处理，去除斜边上的凸起，能够减少斜边上凸起对OPC结果的影响，提高OPC结果的一致性。
以下结合附图对本发明去除斜边凸起的方法进行具体说明。
实施例一
参考图2所示，本发明中去除斜边凸起的方法包括以下步骤：
执行步骤S1，参考图3a所示，输入初始目标图形；在OPC修正前的预处理过程中，假定未处理前的目标图形为PT0。
执行步骤S2，选择长度小于第一预设值的短边，所述短边与坐标轴平行或垂直，本实施例中，所述第一预设值为2nm～6nm，例如5nm。具体的，利用DRC 工具选出目标图形PT0中所有长度小于5nm的短边EJ，参考图3a所示。
执行步骤S3，参考图3b所示，选择与短边EJ相邻的边为斜边ES，所述斜边与所述短边成135°，所述斜边ES与坐标轴成45°角。
执行步骤S4，利用DRC工具的收缩(SHRINK)命令，收缩所述斜边ES，收缩距离为第一预设值，形成目标多边形，且所述目标多边形与所述短边EJ共边。收缩所述斜边的步骤为：所述斜边ES沿上、下、左、右四个方向向初始目标图形内部进行收缩，根据该命令只朝图形内部进行收缩的特性，收缩后分别形成多边形PS0和PS1，形成多边形，参考图3c、3d所示，其中，所述目标多边形为菱形。接着，选择与短边EJ有共边的多边形PS1，并选择PS1中与短边 EJ接触的图形边ES1，如图3e所示。
执行步骤S5，参考图3f所示，利用DRC工具的外部距离(EXTERNAL) 命令，在初始目标图形PT0中选择与所述目标多边形接触的边为扩展边EB1，所述扩展边EB1位于所述目标多边形外部，并与所述短边EJ成225°。参考图 3g所示，利用(EXPAND)命令操作所述扩展边EB1，沿图形边EB1方向延伸一定长度并向初始目标图形PT0内部扩展第二预设值形成覆盖区域PB1。其中，所述第二预设值小于等于所述第一预设值，所述第二预设值为2nm～6nm，例如， 5nm。所述扩展边延伸的长度为所述斜边ES的长度。
执行步骤S6，参考图3h所示，将所述目标多边形与所述覆盖去除进行非逻辑运算，形成移除图形PR1，PR1＝PS1–PB1。
执行步骤S7，参考图3i所示，将所述初始目标图形PT0与所述移除图形 PR1进行非逻辑运算，得到处理后的图形PTT，PTT＝PT0-PR1。
进一步的，将所述初始目标图形与所述移除图形进行非逻辑运算后还包括：利用DRC工具的内部距离(INTERNAL)命令，进行内部距离运算，形成移除多边形，该移除多边形为三角形PTR，参考图3j所示；对PTT和PTR进行非逻辑运算去除所述移除多边形PTR，得到最终目标图形PT1，PT1＝PTT-PTR。经过本方法去除凸起的图形如图3l所示。
参考图4所示，当45°斜边上存在凸起时，在初始目标图形相近并且周围环境一致的情况下，OPC结果存在明显的差异，这会导致最终硅片结果不一致的风险。通过本发明的方法对45°斜边凸起进行预处理后，消除了位于斜边上的凸起，用新的目标图形进行OPC修正，OPC结果的对称性得到明显改善，如图5所示。因此，去除45°斜边上的凸起能够提高OPC结果的一致性。
实施例二
与实施例一中不同的是，本实施例中斜边上存在两个凸起，去除凸起的方法包括如下步骤：
首先，执行步骤S1，如图6a所示，输入初始目标图形PTB0。
执行步骤S2，利用DRC工具选出初始目标图形PTB0中所有长度小于第一预设值的短边，第一预设值为2nm～6nm，例如，2nm，选择的短边为EJB1和 EJB2，这些短边与坐标轴成0度或90°。
执行步骤S3，如图6b所示，选择与短边EJB1和EJB2相邻的图形边ESB 为斜边，斜边ESB满足与短边EJB1和EJB2成135°，斜边ESB本身的长度小于300nm。
执行步骤S4，利用DRC工具的收缩(SHRINK)命令，将图形边ESB分别向上，下，左，右分别收缩2nm。根据该命令只朝图形内部进行收缩的特性，收缩后分别形成多边形PSB1和PSB2，如图6c，图6d所示。其中，该多边形为菱形。
接着，选择与短边EJB1有共边的目标多边形PSB1，并选择PSB1中与短边EJB1接触的图形边ESB1，如图6e所示；选择与短边EJB2有共边的目标多边形PSB2，并选择PSB2中与短边EJB2接触的图形边ESB2，如图6f所示。
执行步骤S5，利用DRC工具的外部距离(EXTERNAL)命令，在PTB0 中选择图形边EBB1为扩展边，EBB1与ESB1交叉，并且在图形外部成135度角，如图6g所示，在PTB0中选择图形边EBB2为扩展边，EBB2与ESB2交叉，并且在图形外部成135度角，如图6h所示；利用(EXPAND)命令往图形内部扩展EBB1，扩展距离为第二预设值，第二天预设值为2nm～6nm，例如，2nm，并沿线条方向延伸，延伸距离为斜边的长度，例如300nm，形成覆盖区域PBB1，如图6i所示，往图形内部扩张EBB2，扩展距离为第二预设值，第二天预设值为2nm～6nm，例如，2nm，并沿线条方向延伸，延伸距离为斜边的长度，例如 300nm，形成覆盖区域PBB2，如图6j所示；
执行步骤S6，对多边形PSB1和覆盖区域PBB1进行非逻辑运算得到多边形PRB1，PRB1＝PSB1–PBB1，如图6k所示；对多边形PSB2和覆盖区域PBB2 进行非逻辑运算得到多边形PRB2，PRB2＝PSB2–PBB2，如图6l所示。
执行步骤S7，将目标图形PTB0和多边形PRB1以及多边形PRB2进行非逻辑运算得到多边形PTB1，PTB1＝PTB0-PRB1-PRB2，如图6m所示。
经过上述处理后，新的目标图形PTB1图形边凸起数目由2个减少为1个。重复上述步骤，可以继续减少45度斜边上的图形边凸起，直到消除45度斜边上的图形边凸起。
综上所述，本发明提供一种去除斜边凸起的方法，包括：输入初始目标图形；选择长度小于第一预设值的短边，所述短边与坐标轴平行或垂直；选择与短边相邻的边为斜边，所述斜边与所述短边成135°；收缩所述斜边，形成目标多边形，且所述目标多边形与所述短边共边；选择与所述目标多边形接触的边为扩展边，所述扩展边延伸并向图形内部扩展第二预设值形成覆盖区域；将所述目标多边形与所述覆盖去除进行非逻辑运算，形成移除图形；将所述初始目标图形与所述移除图形进行非逻辑运算，得到处理后的图形。本发明中，在OPC 之前对初始目标图形进行预处理，去除斜边上的凸起，能够减少斜边上凸起对 OPC结果的影响，提高OPC结果的一致性。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种去除斜边凸起的方法，其特征在于，包括：
输入初始目标图形；
选择长度小于第一预设值的短边，所述短边与坐标轴平行或垂直；
选择与短边相邻的边为斜边，所述斜边与所述短边成135°；
收缩所述斜边，形成目标多边形，且所述目标多边形与所述短边共边；
选择与所述目标多边形接触的边为扩展边，所述扩展边延伸并向内扩展第二预设值形成覆盖区域；
将所述目标多边形与所述覆盖去除进行非逻辑运算，形成移除图形；
将所述初始目标图形与所述移除图形进行非逻辑运算，得到处理后的图形。
2.如权利要求1所述的去除斜边凸起的方法，其特征在于，将所述初始目标图形与所述移除图形进行非逻辑运算后还包括：进行内部距离运算，形成移除多边形；去除所述移除多边形。
3.如权利要求1所述的去除斜边凸起的方法，其特征在于，所述第二预设值小于所述第一预设值。
4.如权利要求1所述的去除斜边凸起的方法，其特征在于，所述第一预设值为2nm～6nm。
5.如权利要求1所述的去除斜边凸起的方法，其特征在于，所述第二预设值为2nm～6nm。
6.如权利要求1所述的去除斜边凸起的方法，其特征在于，所述斜边与坐标轴成45°角。
7.如权利要求1所述的去除斜边凸起的方法，其特征在于，收缩所述斜边的步骤为：所述斜边沿上下左右四个方向向初始目标图形内部进行收缩，形成多边形。
8.如权利要求1所述的去除斜边凸起的方法，其特征在于，所述目标多边形为菱形。
9.如权利要求1所述的去除斜边凸起的方法，其特征在于，所述扩展边位于所述目标多边形外部，并与所述短边成135°。
10.如权利要求1所述的去除斜边凸起的方法，其特征在于，所述扩展边延伸的长度为所述斜边的长度。
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