KR20050062567A

KR20050062567A - 마스크 패턴 보정방법

Info

Publication number: KR20050062567A
Application number: KR1020057005239A
Authority: KR
Inventors: 가즈히사 오가와
Original assignee: 소니 가부시끼 가이샤
Priority date: 2002-10-02
Filing date: 2003-09-30
Publication date: 2005-06-23
Also published as: JP3659242B2; CN1688932A; TW200416494A; DE10393430T5; WO2004031857A1; JP2004126236A; US20060014082A1

Abstract

패턴의 선폭보정 후에 생기는 미소 단차를 간단하게 해소시킬 수 있는 마스크 패턴 보정방법을 제공하는 것이다. 코너를 포함하는 패턴을 오버사이즈한 도형과 패턴 에지를 이동시키므로 형성된 가영역의 차분을 구하는 과정과, 차분 중 선폭보정한 도형과 접하는 에지(영역 지정용 에지)를 추출하는 공정과, 영역 지정용 에지를 한 변으로 하는 직사각형을 형성하는 공정과, 차분으로부터 직사각형을 삭제하고, 미소 단차를 매립하는 패턴을 얻는 공정을 가지는 마스크 패턴의 보정방법이다.

Description

마스크 패턴 보정방법{Method for correcting mask pattern}

본 발명은 리소그래피에 이용되는 마스크의 패턴을 보정하는 방법에 관한 것이다.

반도체 소자에 있어서의 미세화의 요구는 최근 점점 엄격하게 되며, 디자인룰(design rule)은 포토리소그래피(photolithography)의 노광 파장의 1/2이하에 이르고 있다. 디바이스의 한층 더 미세화에 대응할 수 있는 리소그래피(lithography) 기술로서 전자빔 리소그래피 기술이 주목되고 있다.

패턴의 미세화에 수반하여 마스크상의 패턴과 실제로 전사되는 패턴이 다르다고 하는 문제(근접효과)가 발생한다. 이와 같은 근접효과의 영향을 저감하기 위해, 마스크 패턴에 근접효과 보정이 실시된다. 근접효과 보정의 하나로서 선폭보정 처리가 있다.

선폭보정 처리는 각 배선의 선폭을 그 배선의 선폭과 그 배선과 인접배선과의 거리에 대응하여, 사전에 규정된 이동량만큼 증감시키는 마스크 패턴 데이터 처리이며, 널리 사용되고 있다. 구체적으로는 상기의 선폭과 거리의 2가지 조건에 적합하는 패턴 에지(이하 에지로 표시한다.)를 추출하고, 그 에지를 에지에 대하여 수직방향으로 규정량만 이동시키는 도형조작을 행한다. 선폭보정 처리의 전후의 에지는 서로 평행이 된다.

그렇지만, 상기한 바와 같이 배선과 배선간 거리에 근거하여 선폭보정을 행하면, 보정량과 동일한 정도의 단차를 가진 오목부 및 볼록부가 형성된다. 예를 들면, 도 1에 도시한 바와 같이 패턴 I의 90°코너를 거쳐서 인접하는 변에 보정량(a, b)가 서로 다른 경우에는 코너(둥글게 둘러싸인 부분)에 오목부(D)가 생성한다.

코너의 각도가 90°이외의 경우도 선폭보정에 의해서 코너부에 오목부 또는 볼록부가 생성한다. 예를 들면, 도 2에 도시된 바와 같이 패턴 II의 135°코너에서는 보정 패턴(C1, C2)의 사이(둥글게 둘러싸인 부분)에 45°의 각을 가지는 오목부(D)가 생성한다.

또, 예를 들면, 도 3에 도시된 바와 같이 패턴 III의 225°코너에서는 보정 패턴(C1, C2)의 사이(둥글게 둘러싸인 부분)에 45°의 각을 가지는 오목부(D)가 생성한다.

도 4에 도시한 바와 같이 패턴 IV의 135°코너를 거쳐서 인접하는 변의 한쪽에 보정 패턴(C)를 부가한 경우에는 코너(둥글게 둘러싸인 부분)에 볼록부(P)가 생성한다.

한편, 인접하는 배선이 평행하지 않은 경우에는 도 5a에 도시된 바와 같이 배선간 거리는 연속적으로 변화한다. 보정량은 최소 격자(grid)의 배수에 의해 이산적으로 정의되기 때문에, 보정 패턴의 보정량이 연속적으로 변화하는 경우라도, 실제로 마스크에 형성하는 패턴에서는 도 5a에 도시한 바와 같이 직사각형 패턴을 조립한 계단상의 보정 패턴이 작성된다. 즉, 선폭과 배선간 거리가 소정의 범위내에 있는 부분에 대하여 일률의 보정량이 적용된다.

이상과 같이 선폭보정 처리를 행하면, 패턴의 코너에서 오목부나 볼록부가 생성하거나, 경사방향으로 늘어나는 패턴으로 계층상의 보정 패턴이 생성하거나 한다. 이와 같은 오목부 또는 볼록부 및 단계상 패턴이 존재하면, 마스크 데이터의 도형수가 많게 되고, 마스크에 패턴을 묘화(描畵)하기 위한 데이터 전송시간이나 묘화 시간이 길어진다.

또, 선폭보정에 의해 생성하는 미세한 오목부, 볼록부 또는 계층상 패턴이 마스크의 결함검사에 있어서, 의사적으로 결함으로서 인식되는 문제도 있다. 이와 같이 의사 결함에 의해 결함검출의 소요 시간이 길어지거나, 결함검사가 정지하거나 하는 것이 있다.

오목부나 볼록부 등의 미소한 단차를 해소하는 방법으로서 패턴에 최대 보정량을 넘는 일정량의 확대(오버사이즈)를 행하고, 단차를 매립하고 나서 패턴에 축소(언더사이즈)를 행하는 방법이나 역으로, 언더사이즈를 행하고 나서 오버사이즈를 행하는 방법이 있다.

이와 같은 방법에 의하면, 단차의 매립은 가능하지만 코너를 거쳐서 인접하는 변에서 보정량이 서로 다른 경우(예를 들면, 도 1의 보정량(a, b) 참조)에 단차 매립후의 보정량이 변화하거나, 보정량의 변화에 의해 패턴의 외형(토폴로지(topology))이 변화하거나 하는 문제가 일어난다. 보정량이 변화하고, 근접효과의 보정에 영향이 생긴다.

또, 마스크 패턴의 작성이나 묘화를 단시간으로 행하기 위해서는 선폭보정 후의 패턴의 수정을 마스크 묘화 장치 등으로 구비되어 있는 바와 같은 범용의 도형 연산셀을 이용하여 행하는 것이 바람직하다.

도 1은 패턴의 선폭보정 후에 생기는 미소 단차를 나타내는 도면이다.

도 2는 패턴의 선폭보정 후에 생기는 미소 단차를 나타내는 도면이다.

도 3은 패턴의 선폭보정 후에 생기는 미소 단차를 나타내는 도면이다.

도 4는 패턴의 선포보정 후에 생기는 미소 단차를 나타내는 도면이다.

도 5a 및 도 5b는 종래예 및 본 발명의 실시 형태 5에 관련되는 마스크 패턴 보정방법의 공정을 나타내는 도면이다.

도 6a ~ 도 6c는 본 발명의 실시 형태 1에 관련되는 마스크 패턴 보정방법의 공정을 나타내는 도면이다.

도 7a ~ 도 7d는 본 발명의 실시 형태 1에 관련되는 마스크 패턴 보정방법의 공정을 나타내는 도면이다.

도 8a ~ 도 8c는 본 발명의 실시 형태 2에 관련되는 마스크 패턴 보정방법의 공정을 나타내는 도면이다.

도 9a ~ 도 9c는 본 발명의 실시 형태 2에 관련되는 마스크 패턴 보정방법의 공정을 나타내는 도면이다.

도 10은 본 발명의 실시 형태 2에 관련되는 마스크 패턴 보정방법의 공정을 나타내는 도면이다.

도 11a ~ 도 11c는 본 발명의 실시 형태 3과 관련되는 마스크 패턴 보정방법의 공정을 나타내는 도면이다.

도 12a ~ 도 12c는 본 발명의 실시 형태 3과 관련되는 마스크 패턴 보정방법의 공정을 나타내는 도면이다.

도 13a ~ 도 13c는 본 발명의 실시 형태 4에 관련되는 마스크 패턴 보정방법의 공정을 나타내는 도면이다.

도 14a ~ 도 14c는 본 발명의 실시 형태 4에 관련되는 마스크 패턴 보정방법의 공정을 나타내는 도면이다.

도 15a ~ 도 15d는 본 발명의 실시 형태 5에 관련되는 마스크 패턴 보정방법의 공정을 나타내는 도면이다.

도 16a ~ 도 16c는 본 발명의 실시 형태 5관계되는 마스크 패턴 보정방법의 공정을 나타내는 도면이다.

*도면 부호의 설명

Pl. 패턴 Cl, C2. 보정 패턴

D. 오목부 Tl, T2. 가영역

Pd. 분 e. 에지

R. 직사각형 영역 P2, P3. 패턴

e, 1. 에지 e2. 보정 패턴의 에지

T. 영역 P4. 패턴

C. 보정 패턴 P5, P6. 패턴

Rl, R2. 직사각형 영역 A. Rl와 R2의 AND 부분

C r. 직사각형의 보정 패턴 Ⅰ. 패턴

a, b. 보정량 ⅠⅠ,ⅠⅠⅠ,ⅠⅤ. 패턴

P. 볼록부

본 발명은 상기의 문제점에 감안하여 이루어진 것이며, 따라서 본 발명은 패턴의 선폭보정후에 생기는 미소 단차(微小段差)를 간단하게 해소될 수 있는 마스크 패턴 보정방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기의 목적을 달성하기 위해 본 발명의 마스크 패턴 보정방법은 제 1의 방향으로 늘어나는 제 1의 패턴과 제 2의 방향으로 늘어나는 제 2의 패턴이 소정의 각도(α°)를 이루며 접촉하는 코너를 포함하는 마스크 패턴의 보정방법이며, 상기 제 1의 패턴의 상기 제 1의 방향으로 늘어나는 패턴 에지의 하나이고 코너의 외측에 있는 제 1의 패턴 에지를 상기 제 1의 방향에서 수직인 제 3의 방향에 제 1의 보정량으로 평행이동시키고, 상기 제 1의 보정량으로 평행이동시키는 전후의 상기 제 1의 패턴 에지 사이에 상기 제 1의 패턴의 선폭을 증가시키는 제 1의 보정 패턴을 작성하는 공정과, 상기 제 2의 패턴의 상기 제 2의 방향으로 늘어나는 패턴 에지의 하나에서 코너의 외측에 있고, 상기 제 1의 패턴 에지와 접촉하는 제 2의 패턴 에지를 상기 제 2의 방향에서 수직인 제 4의 방향에 제 2의 보정량으로 평행이동시키고, 상기 제 2의 보정량으로 평행이동시키는 전후의 상기 제 2의 패턴 사이에 상기 제 2의 패턴의 선폭을 증가시키는 제 2의 보정 패턴을 작성하는 공정과, 상기 제 1의 패턴과 상기 제 2의 패턴을 맞춘 도형을 확대하여 확대도형을 작성하는 공정이며, 상기 제 1의 보정량과 상기 제 2의 보정량 중의 큰 쪽인 보정량과, 상기 제 1의 패턴의 상기 제 3의 방향으로의 이동량이 일치하고, 또한 상기 큰 쪽인 보정량과 상기 제 2의 패턴의 상기 제 4의 방향으로의 이동량이 일치하도록 상기 도형을 확대하는 공정과, 상기 제 1의 패턴 에지를 상기 제 3의 방향으로 상기 큰 쪽인 보정량으로 평행이동시키고, 상기 큰 쪽인 보정량으로 평행이동시키는 전후의 상기 제 1의 패턴 에지 사이에 제 1의 가영역을 작성하는 공정과, 상기 제 2의 패턴 에지를 상기 제 4의 방향으로 상기 큰 쪽인 보정량으로 평행이동시키고, 상기 큰 쪽인 보정량으로 평행이동시키는 전후의 상기 제 2의 패턴 에지 사이에 제 2의 가영역을 작성하는 공정과, 확대 도형으로부터 상기 제 1의 가영역과 상기 제 2의 가영역을 제외하여, 단차 매립용 패턴을 작성하는 공정과, 상기 단차 매립용 패턴의 전패턴 에지로부터 최외주 에지를 제외하고, 또한 상기 제 1의 보정 패턴의 패턴 에지와 상기 제 2의 보정 패턴의 패턴 에지를 제외하여, 영역 지정용 에지를 추출하는 공정과, 상기 영역 지정용 에지를 상기 영역 지정용 에지에 수직인 방향으로, 또한 상기 단차 매립용 패턴의 내측으로 향하여 상기 큰 쪽인 보정량으로 평행이동시키고, 상기 큰 쪽인 보정량으로 평행이동시키는 전후의 상기 영역 지정용 에지 사이에 삭제 영역을 작성하는 공정과, 상기 단차 매립용 패턴으로부터 상기 삭제 영역을 삭제하고, 상기 삭제 영역이 삭제된 상기 단차 매립용 패턴과 상기 제 1의 보정 패턴과 상기 제 2의 보정 패턴을 상기 제 1의 패턴과 상기 제 2의 패턴에 추가하는 공정을 가지는 것을 특징으로 한다.

상기의 본 발명의 마스크 패턴 보정방법은 매우 적합하게는, 상기 도형을 확대하는 공정은 상기 제 1 및／또는 상기 제 2의 패턴의 오버사이즈에 의해 행해진다.

또, 매우 적합하게는, 상기 제 1 및／또는 상기 제 2의 가영역을 작성하는 공정은 상기 제 1／또는 상기 제 2의 패턴의 오버사이즈에 의해 행해진다.

또, 매우 적합하게는, 상기 제 1의 가영역과 상기 제 2의 가영역의 제외는 상기 제 1의 가영역과 상기 제 2의 가영역의 언더사이즈에 의해 행해진다.

또, 매우 적합하게는, 상기 제 1의 보정 패턴과 상기 제 2의 보정 패턴의 보정량이 서로 다르다.

또, 매우 적합하게는, 상기 최외주 에지는 상기 제 1의 가영역의 에지 중 상기 제 1의 방향으로 연장한 선분의 일부 및 상기 제 2의 가영역의 에지 중 상기 제 2의 방향으로 연장한 선분의 일부이다.

또, 매우 적합하게는, 상기 큰 쪽의 보정량은 상기 제 1의 보정량 또는 상기 제 2의 보정량 중 어느 것의 최대 보정량이다.

또, 매우 적합하게는, 상기 소정의 각도(α°)는 90 ≤ α＜180으로 규정된다.

또, 상기의 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 마스크 패턴 보정방법은 제 1의 방향으로 늘어나는 제 1의 패턴과 제 2의 방향으로 늘어나는 제 2의 패턴이 소정의 각도α°를 이루어 접하는 코너를 포함한 마스크 패턴의 보정방법이며, 상기 제 1의 패턴의 상기 제 1의 방향으로 늘어나는 패턴 에지의 하나이고, 코너의 내측에 있는 제 1의 패턴 에지를 상기 제 1의 방향에서 수직인 제 3의 방향에 제 1의 보정량으로 평행이동시키고, 상기 제 1의 보정량으로 평행이동시키는 전후의 상기 제 1의 패턴 에지 사이에, 상기 제 1의 패턴의 선폭을 증가시키는 제 1의 보정 패턴을 작성하는 공정과, 상기 제 2의 패턴의 상기 제 2의 방향으로 늘어나는 패턴 에지의 하나에서 코너의 내측으로 있고, 상기 제 1의 패턴 에지와 접하는 제 2의 패턴 에지를, 상기 제 2의 방향에서 수직인 제4의 방향에 제 2의 보정량으로 평행이동시키고, 상기 제 2의 보정량으로 평행이동시키는 전후의 상기 제 2의 패턴 에지 사이에, 상기 제 2의 패턴의 선폭을 증가시키는 제 2의 보정 패턴을 작성하는 공정과, 상기 제 1의 보정 패턴의 패턴 에지와 상기 제 2의 보정 패턴의 패턴 에지로부터, 길이가 상기 제 1의 보정량과 상기 제 2의 보정량 중 큰 쪽인 보정량 이하이고, 일단(一端)의 각이 90°로 타단의 각이 450°－α°인 영역 지정용 에지를 추출하는 공정과, 상기 영역 지정용 에지를 한 변으로 하는 정방형을 상기 영역 지정용 에지가 포함되는 보정 패턴과 겹치지 않도록 작성하는 공정과, 상기 제 1의 보정 패턴의 패턴 에지와 상기 제 2의 보정 패턴의 패턴 에지로부터, 상기 정방형내에 있고 상기 정방형의 변과 겹치지 않는 부분의 상기 정방형내 에지를 추출하는 공정과, 상기 정방형의 다른 한 변이며 상기 영역 지정용 에지에 인접하는 변과, 상기 영역 지정용 에지와, 상기 정방형내 에지에서 둘러싸이는 삼각형 패턴과, 상기 제 1의 보정 패턴과 상기 제 2의 보정 패턴을 상기 제 1의 패턴과 상기 제 2의 패턴에 추가하는 공정을 가지는 것을 특징으로 한다.

상기의 본 발명의 마스크 패턴 보정방법은, 매우 적합하게는, 상기 제 1 및／또는 상기 제 2의 보정 패턴을 작성하는 공정은, 상기 제 1 및／또는 상기 제 2의 패턴의 오버사이즈에 의해 행해진다.

또, 매우 적합하게는, 상기 정방형을 작성하는 공정 전에, 상기 제 1의 보정 패턴 및／또는 상기 제 2의 보정 패턴을 언더사이즈 한다.

또, 매우 적합하게는, 상기 소정의 각도(α°)는 90≤α＜180으로 규정된다.

또, 상기의 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 마스크 패턴 보정방법은 제 1의 방향으로 늘어나는 제 1의 패턴과 제 2의 방향으로 늘어나는 제 2의 패턴이 소정의 각도(α°)를 이루어 접하는 코너를 포함한 마스크 패턴의 보정방법이며, 상기 제 1의 패턴의 상기 제 1의 방향으로 늘어나는 패턴 에지의 하나이며 코너의 외측에 있는 제 1의 패턴 에지를 상기 제 1의 방향에서 수직인 제 3의 방향에 소정의 보정량으로 평행이동시키고, 상기 소정의 보정량으로 평행이동시키는 전후의 상기 제 1의 패턴 에지 사이에, 상기 제 1의 패턴의 선폭을 증가시키는 보정 패턴을 작성하는 공정과, 상기 보정 패턴의 패턴 에지로부터, 길이가 상기 소정의 보정량 이하이고, 일단의 각이 90°이고 타단의 모퉁이가 α°＋90°인 영역 지정용 에지를 추출하는 공정과, 상기 영역 지정용 에지를 한 변으로 하는 정방형을 상기 보정 패턴과 겹치도록 작성하는 공정과, 상기 제 1의 패턴 에지를 제외한 상기 보정 패턴의 패턴 에지로부터, 상기 정방형의 변과 겹치는 상기 정방형상 에지를 추출하는 공정과, 상기 영역 지정용 에지와 상기 정방형상 에지를 두 변으로 하는 삼각형 패턴을 작성하는 공정과, 상기 보정 패턴으로부터 상기 삼각형 패턴을 삭제하고, 상기 삼각형 패턴이 삭제된 상기 보정 패턴을 상기 제 1의 패턴에 추가하는 공정을 가지는 것을 특성으로 한다.

상기의 본 발명의 마스크 패턴 보정방법은, 매우 적합하게는, 상기 보정 패턴을 작성하는 공정은, 상기 제 1의 패턴의 오버사이즈에 의해 행해진다.

또, 매우 적합하게는 상기 정방형을 작성하는 공정 전에, 상기 보정 패턴을 언더사이즈한다.

또, 상기의 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 마스크 패턴 보정 방법은 제 1의 방향으로 늘어나는 제 1의 패턴과 제 2의 방향으로 늘어나는 제 2의 패턴을 포함한 마스크 패턴의 보정방법이며, 상기 제 1의 패턴의 상기 제 1의 방향으로 늘어나는 패턴 에지의 하나이고, 상기 제 2의 패턴 측에 있는 제 1의 패턴 에지를 복수의 구간에 분할하는 공정과, 상기 분할된 각 구간을 상기 제 2의 패턴과의 거리에 따른 보정량으로, 상기 제 1의 방향에서 수직인 제 3의 방향으로 평행이동시키고, 상기 평행이동시키는 전후의 상기 각 구간의 사이에 상기 제 1의 패턴의 선폭을 증가시키는 보정 패턴을 작성하는 공정과, 상기 보정 패턴의 패턴 에지로부터, 상기 제 3의 방향으로 늘어나는 최대 보정량보다 짧은 복수의 제 1의 영역 지정용 에지를 추출하는 공정과, 상기 제 1의 영역 지정용 에지를 상기 제 1의 방향에서 상기 보정 패턴의 내측으로 향하고, 구간 길이의 최소치만 평행이동시키고, 상기 평행이동시키는 전후의 상기 제 1의 영역 지정용 에지 사이에, 제 1의 직사각형 영역을 작성하는 공정과, 상기 보정 패턴의 패턴 에지로부터, 상기 제 1의 방향으로 늘어나는 구간 길이의 최소치보다 짧은 복수의 제 2의 영역 지정용 에지를 추출하는 공정과, 상기 제 2의 영역 지정용 에지를 상기 제 3의 방향에서 상기 보정 패턴의 내측으로 향하고, 최대 보정량으로 평행이동시키고, 상기 평행이동시키는 전후의 상기 제 2의 영역 지정용 에지 사이에, 제 2의 구형 영역을 작성하는 공정과, 상기 제 1의 직사각형 영역과 상기 제 2의 직사각형 영역의 중복 부분을 상기 보정 패턴으로부터 삭제하는 공정과, 상기 제 2의 영역 지정용 에지가 없어질 때까지, 상기 제 1의 영역 지정용 에지의 추출, 상기 제 1의 직사각형 영역의 작성, 상기 제 2의 영역 지정용 에지의 추출 및 상기 제 2의 직사각형 영역의 작성을 되풀이하는 공정을 가지는 것을 특징으로 한다.

이것에 의해, 근접 효과를 저감하기 위해서 마스크 패턴의 선폭보정을 실시한 후, 패턴의 코너 등에서 발생하는 미소 단차나 계단 형상을 범용의 도형 연산 툴(tool)을 이용한 처리에 의해서 해소하는 것이 가능하게 된다. 본 발명의 마스크 패턴 보정방법에 의하면, 마스크 패턴에 생기는 미소 단차가 마스크의 결함검사에서 의사에러가 되는 것을 방지할 수 있다. 또, 미소 단차의 해소에 의해, 데이터 처리량을 삭감하고, 마스크 패턴의 묘화 등을 고속화하는 것이 가능해진다.

이하에, 본 발명의 마스크 패턴 보정방법의 실시의 형태에 대해서, 도면을 참조하여 설명한다. 본 발명의 마스크 패턴 보정방법은 작성된 마스크 패턴에 선폭보정을 실시한 후, 패턴의 코너등에 발생하는 미소 단차를 해소하는 공정을 가진다.

이하의 실시 형태 1 ~ 5에 있어서, 미소 단차의 해소 방법의 구체적인 예를 설명한다. 각 실시 형태에 있어서, 최대 보정량을 Max(bias)로 나타낸다. Max(bias)는 패턴 에지를 그 에지에 대하여 직각 방향으로 이동시키는 양(보정량)의 패턴내에서의 최대치이다. 또, 각 실시 형태에 있어서, 최종적인 보정 결과로서 바람직한 에지 길이의 하한치를 Min(edge)로 나타낸다.

(실시 형태 1)

본 실시 형태에서는 선폭보정에 의해, 패턴의 코너에서 보정 패턴간에 생성하는 오목부를 해소하는 방법을 설명한다. 도 6a는 본 실시 형태에 의해 오목부가 매립되는 패턴의 코너를 나타낸다. 도 6a의 패턴(Pl)은 도 2와 동일하게 135°의 코너(둥글게 둘러싸인 부분)를 포함하고, 135°의 코너의 양측의 보정 패턴(Cl, C2)의 보정량이 서로 다른 것으로 한다.

도 6a에 나타내는 오목부(D)를 매립하려면, 우선, 도 6b에 나타내는 바와 같이, 패턴 전체를 Max(bias)만큼 오버사이즈 한다. 다음에, 도 6c에 나타내는 바와 같이, 패턴 에지를 그 에지에 대해서 수직 방향으로 Max(bias)만큼 이동시킨다. 이것에 의해, 가영역(Tl, T2)이 형성된다. 도 6b에 나타내는 오버사이즈와 도 6c에 나타내는 패턴 에지의 이동 순서는 바꿔 넣어도 좋다.

다음에, 도 7a에 나타내는 바와 같이, 도 6b로 오버사이즈 된 패턴과 도 6c로 형성된 가영역(Tl, T2)의 합계와의 차분(Pd)을 구한다. 이 차분(Pd)으로부터, 오목부 매립용 패턴을 작성한다.

다음에, 도 7b에 나타내는 바와 같이, 차분(Pd)의 에지로부터, 도 6a에 나타내는 보정 패턴(Cl, C2)의 패턴 에지를 제외하고, 또한, 차분(Pd)의 최외주의 에지를 제외한다. 이것에 의해, 차분(Pd)의 에지 중, 도 7b에 굵은 선으로 나타내는 에지(e)가 추출된다.

다음에, 도 7c에 나타내는 바와 같이, 도 7b로 추출된 에지(e)를 에지(e)에 수직방향으로, 또한 차분(Pd)의 내측으로 향할 방향으로 Max(bias)만큼 이동시키고, 이동 전후의 에지(e)의 사이에 직사각형 영역(R)을 생성시킨다.

그 후, 도 7d에 나타내는 바와 같이, 선폭보정 후의 패턴(도 6a참조)과 차분(Pd)(도 7a참조)을 합한 것으로부터, 직사각형 영역(R)(도 7c참조)을 삭제한다.

이것에 의해, 코너의 양측의 보정량을 변경하지 않고 , 코너의 오목부가 매립된다. 따라서, 마스크 데이터를 묘화할 때등의 데이터 처리량이 저감하고, 처리가 고속화된다. 또, 마스크의 결함 검사에 있어서, 코너의 미소 단차가 의사 결함으로서 검출되는 것을 회피하는 것이 가능해진다.

(실시형태 2)

본 실시 형태는 실시 형태 1과 코너의 각도만큼 다르다. 도 8a는 본 실시 형태에 의해 오목부가 매립되는 패턴의 코너를 나타낸다. 도 8a의 패턴(P2)은 도 1과 동일하게 90°의 코너(둥글게 둘러싸인 부분)를 포함하고, 90°의 코너의 양측의 보정 패턴(Cl, C2)의 보정량이 서로 다른 것으로 한다.

도 8a에 나타내는 오목부(D)를 매립하려면, 우선, 도 8b에 나타내는 바와 같이, 패턴 전체를 Max(bias)만큼 오버사이즈 한다. 다음에, 도 8c에 나타내는 바와 같이, 전패턴 에지를 각 에지에 대하여 수직 방향으로, Max(bias)만큼 이동시키고,가영역(T1, T2)을 형성한다. 도 8b에 나타내는 오버사이즈와 도 8c에 나타내는 패턴 에지의 이동의 순서는 바꿔 넣어도 좋다.

다음에, 도 9a에 나타내는 바와 같이, 도 8b로 오버사이즈 된 패턴과 도 8c로 형성된 가영역(Tl, T2)의 합계와의 차분(Pd)을 구한다.

다음에, 도 9b에 나타내는 바와 같이, 차분(Pd)의 에지로부터, 도 8a에 나타내는 보정 패턴(Cl, C2)의 패턴 에지를 제외하고, 또한, 차분(Pd)의 최외주의 에지를 제외하여, 도 9b에 굵은 선으로 나타내는 에지(e)를 추출한다.

다음에, 도 9c에 나타내는 바와 같이, 도 9b로 추출된 에지(e)를, 에지(e)에 수직 방향으로, 또한 차분(Pd)의 내측으로 향할 방향으로 Max(bias)만큼 이동시키고, 이동 전후의 에지(e)의 사이에 직사각형 영역(R)을 생성시킨다.

그 후, 도 10에 나타내는 바와 같이, 선폭보정 후의 패턴(도 8a참조)과 차분(Pd)(도 9a참조)을 합한 것으로부터, 직사각형 영역(R)(도 9c참조)을 삭제한다.

(실시 형태 3)

본 실시 형태에서는 선폭보정에 의해, 패턴의 코너에서 보정 패턴간에 생성하는 오목부를 해소하는 방법을 설명한다. 도 11a는 본 실시 형태에 의해 오목부가 매립되는 패턴의 코너를 나타낸다.

실시 형태 1 및 2에서는 패턴의 코너가 180°미만인데 대하여, 본 실시 형태에서는 도 3과 동일하게 패턴의 코너가 225°이며, 180°를 넘고 있다. 이 경우, 135°의 코너의 내측에 보정 패턴이 형성된다고도 말할 수도 있다.

본 실시 형태에 있어서도, 코너의 양측의 보정 패턴(Cl, C2)의 보정량은 서로 다른 것으로 한다. 도 11a에 나타내는 바와 같이, 패턴(P3)의 코너가 180°를 넘고 있는 경우, 패턴의 코너(둥글게 둘러싸인 부분)에서 보정 패턴 끼리가 일부 겹친다.

도 11a에 나타내는 오목부(D)를 매립하려면, 우선, 도 11b에 나타내는 바와 같이, 길이가 Max(bias) 이하의 변이며, 양단의 내각이 90°와 315°인 에지(el)를 추출한다.

다음에, 도 11c에 나타내는 바와 같이, 도 11b로 추출된 에지(el)를 한 변으로 하는 정방형을 형성한다. 이 때, 보정 패턴간의 오목부(D)상에 정방형을 배치한다.

다음에, 도 12a에 나타내는 바와 같이, 도 11c로 형성된 정방형의 내부와 겹치고, 정방형의 변과 겹치지 않는 보정 패턴의 에지(e2)를 추출한다.

다음에, 도 12b에 나타내는 바와 같이, 에지(el)(도 11b참조)와 에지(e2)(도 12a참조)와 정방형(도 11c참조)의 한 변으로 둘러싸여지는 영역(T)을 매립한다.

이것에 의해, 도 12c에 나타내는 바와 같이, 코너의 양측의 보정량을 변경하지 않고, 코너의 오목부가 매립된다. 따라서, 마스크 데이터를 묘화할 때등의 데이터 처리량이 저감하고, 처리가 고속화된다. 또, 마스크의 결함 검사에 있어서, 코너의 미소 단차가 의사 결함으로서 검출되는 것을 회피하는 것이 가능해진다.

(실시 형태 4)

본 실시 형태에서는 선폭보정에 의해, 패턴의 코너에서 보정 패턴에 생성하는 볼록부를 해소하는 방법을 설명한다. 도 13a는 본 실시 형태에 의해 볼록부가 삭제되는 패턴의 코너를 나타낸다. 도 13a의 패턴(P4)은 도 4와 동일하게 135°의 코너를 포함하고, 135°의 코너(둥글게 둘러싸인 부분)의 외측에 보정 패턴(C)이 추가된 것이다.

도 13a에 나타내는 볼록부(P)를 삭제하려면 , 우선, 도 13b에 나타내는 바와 같이, 길이가 Max(bias) 이하의 변이며, 양단의 내각이 90°와 225°인 에지(el)를 추출한다.

다음에, 도 13c에 나타내는 바와 같이, 도 13b로 추출된 에지(el)를 한 변으로 하는 정방형을 형성한다. 이 때, 보정 패턴(C)과 겹치는 측에 정방형을 배치한다.

다음에, 도 14a에 나타내는 바와 같이, 도 13c로 형성된 정방형과 겹쳐지는 부분의 보정 패턴(C)의 에지(e2)를 추출한다.

다음에, 도 14b에 나타내는 바와 같이, 에지(el)와 에지(e2)를 2변으로 하는 삼각형의 영역(T)을 형성한다. 그 후, 도 14c에 나타내는 바와 같이, 보정 패턴(C)으로부터 영역(T)을 삭제한다.

이것에 의해, 선폭의 보정량을 변경하지 않고 , 코너의 볼록부가 삭제된다. 따라서, 마스크 데이터를 묘화할 때등의 데이터 처리량이 저감하고, 처리가 고속화된다. 또, 마스크의 결함 검사에 있어서, 코너의 미소 단차가 의사 결함으로서 검출되는 것을 회피하는 것이 가능해진다.

(실시 형태 5)

본 실시 형태에서는 선폭보정에 의해, 패턴 에지가 계단 형상이 되는 것을 해소하는 방법을 설명한다. 도 5a는 본 실시 형태에 의해 계단 형상 부분이 삭제되는 패턴을 나타낸다.

도 5a의 패턴(P5, P6)은 인접하는 배선이 평행이 아니고, 배선간 거리가 연속적으로 변화한다. 보정량은 최소 격자의 배수에 의해 이산적으로 정의되기 때문에, 도 5b에 나타내는 바와 같이, 보정량을 단계적으로 변경한 보정 패턴(C)이 작성된다. 보정량은 배선간 거리에 따라 변화한다.

도 5b에 나타내는 함몰 형상 부분(둥글게 둘러싸인 부분)을 삭제하려면 , 우선, 도 15a에 나타내는 바와 같이, 선폭보정 전의 패턴 에지와 수직으로, 길이가 Max(bias) 이하의 에지(el)를 추출한다. 이 정도로 추출되는 복수의 에지(el)를 도 15a에 굵은 선으로 나타낸다.

다음에, 도 15b에 나타내는 바와 같이, 도 15a로 추출된 에지(el)를 에지(el)에 대하여 수직 방향으로, 또한 보정 패턴(C)의 내측으로 향할 방향으로 Min(edge)만큼 이동시킨다. 이것에 의해, 이동 전후의 에지(el)의 사이에 직사각형 영역(Rl)을 형성한다. 보정 패턴이 계단 형상이 되고 있는 것으로부터, 복수의 직사각형 영역(Rl)이 형성된다.

한편, 도 15c에 나타내는 바와 같이, 선폭보정 전의 패턴 에지와 평행으로, 길이가 Min(edge)보다 짧은 에지(e2)를 추출한다. 이 정도로 추출되는 복수의 에지(e2)를 도 15c에 굵은 선으로 나타낸다.

다음에, 도 15d에 나타내는 바와 같이, 도 15c로 추출된 에지(e2)를 그 에지에 대하여 수직 방향으로, 또한 보정 패턴(C)의 내측으로 향할 방향으로 MaⅩ(bias)만큼 이동시킨다. 이것에 의해, 이동 전후의 에지(e2)의 사이에 직사각형 영역(R2)을 형성한다. 보정 패턴이 계단 형상이 되고 있는 것으로부터, 복수의 직사각형 영역(R2)이 형성된다. 직사각형 영역(Rl)과 직사각형 영역(R2)을 형성하는 순서는 바꿔 넣어도 좋다.

다음에, 도 16a에 나타내는 바와 같이, 직사각형 영역(Rl)과 직사각형 영역(R2)의 중복 부분(AND 부분)(A)을 구한다.

다음에, 도 16b에 나타내는 바와 같이, 직사각형 영역(Rl)과 직사각형 영역(R2)의 AND 부분(A)(도 16c참조)을 보정 패턴(C)으로부터 삭제한다.

그 후, 도 15a ~ 도 16b에 나타내는 공정을 계단 형상이 없어질 때까지 되풀이한다. 이것에 의해, 도 16c에 나타내는 바와 같이, 직사각형의 보정 패턴(Cr)을 얻을 수 있다.

상기의 본 실시 형태의 마스크 패턴 보정방법에 의하면, 경사 방향으로 늘어나는 패턴에 추가되는 보정 패턴에 있어서, 계단 형상이 되는 부분이 삭제된다. 따라서, 마스크 데이터를 묘화하는 상등의 데이터 처리량이 저감하고, 처리가 고속화된다. 또, 마스크의 결함 검사에 있어서, 코너의 미소 단차가 의사 결함으로서 검출되는 것을 회피하는 것이 가능해진다.

본 발명의 마스크 패턴 보정방법의 실시 형태는 상기의 설명으로 한정되지 않는다.

예를 들면, 코너의 내측과 외측의 양쪽 모두에 보정 패턴을 추가하고, 패턴의 선폭을 증가시키는 경우에, 상기의 실시 형태 중 다른 두 개를 조합하여 패턴의 보정을 실시하는 것도 가능하다.

그 외, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지의 변경이 가능하다.

본 발명의 마스크 패턴 보정방법에 의하면, 패턴의 선폭보정 후에 생기는 미소 단차를 간단하고 쉽게 해소하는 것이 가능해진다.

본 발명의 마스크 패턴 보정방법은 반도체 장치의 제조 공정에 있어서의 리소그래피에 이용되는 마스크의 패턴을 보정하는 마스크 패턴의 보정방법으로 적용 가능하다.

Claims

제 1의 방향으로 늘어나는 제 1의 패턴과 제 2의 방향으로 늘어나는 제 2의 패턴이 소정의 각도 α°를 이루어 접하는 코너를 포함한 마스크 패턴의 보정방법에 있어서,

상기 제 1의 패턴의 상기 제 1의 방향으로 늘어나는 패턴 에지의 하나이고, 코너의 외측에 있는 제 1의 패턴 에지를 상기 제 1의 방향에서 수직인 제 3의 방향에 제 1의 보정량으로 평행이동시키고, 상기 제 1의 보정량으로 평행이동시키는 전후의 상기 제 1의 패턴 에지 사이에, 상기 제 1의 패턴의 선폭을 증가시키는 제 1의 보정 패턴을 작성하는 공정과,

상기 제 2의 패턴의 상기 제 2의 방향으로 늘어나는 패턴 에지의 하나에서 코너의 외측에 있고, 상기 제 1의 패턴 에지와 접하는 제 2의 패턴 에지를 상기 제 2의 방향에서 수직인 제4의 방향에 제 2의 보정량으로 평행이동시키고, 상기 제 2의 보정량으로 평행이동시키는 전후의 상기 제 2의 패턴 에지 사이에, 상기 제 2의 패턴의 선폭을 증가시키는 제 2의 보정 패턴을 작성하는 공정과,

상기 제 1의 패턴과 상기 제 2의 패턴을 맞춘 도형을 확대하고 확대 도형을 작성하는 공정에 있어서, 상기 제 1의 보정량과 상기 제 2의 보정량 중 큰 쪽인 보정량과 상기 제 1의 패턴의 상기 제 3의 방향으로의 이동량이 일치하고, 또한 상기 큰 쪽인 보정량과 상기 제 2의 패턴의 상기 제 4의 방향으로의 이동량이 일치하도록 상기 도형을 확대하는 공정과,

상기 제 1의 패턴 에지를 상기 제 3의 방향으로 상기 큰 쪽인 보정량으로 평행이동시키고, 상기 큰 쪽인 보정량으로 평행이동시키는 전후의 상기 제 1의 패턴 에지 사이에 제 1의 가영역을 작성하는 공정과,

상기 제 2의 패턴 에지를 상기 제 4의 방향으로 상기 큰 쪽인 보정량으로 평행이동시키고, 상기 큰 쪽인 보정량으로 평행이동시키는 전후의 상기 제 2의 패턴 에지 사이에 제 2의 가영역을 작성하는 공정과,

확대 도형으로부터 상기 제 1의 가영역과 상기 제 2의 가영역을 제외하고, 단차 매립용 패턴을 작성하는 공정과,

상기 단차 매립용 패턴의 전패턴 에지로부터 최외주 에지를 제외하고, 또한 상기 제 1의 보정 패턴의 패턴 에지와 상기 제 2의 보정 패턴의 패턴 에지를 제외하여, 영역 지정용 에지를 추출하는 공정과,

상기 영역 지정용 에지를 상기 영역 지정용 에지에 수직인 방향으로, 또한 상기 단차 매립용 패턴의 내측으로 향해 상기 큰 쪽인 보정량으로 평행이동시키고, 상기 큰 쪽인 보정량으로 평행이동시키는 전후의 상기 영역 지정용 에지 사이에 삭제 영역을 작성하는 공정과,

상기 단차 매립용 패턴으로부터 상기 삭제 영역을 삭제하고, 상기 삭제 영역이 삭제된 상기 단차 매립용 패턴과 상기 제 1의 보정 패턴과 상기 제 2의 보정 패턴을 상기 제 1의 패턴과 상기 제 2의 패턴에 추가하는 공정을 가지는 것으로 구성된 것을 특징으로 하는 마스크 패턴 보정방법.
제 1항에 있어서,

상기 도형을 확대하는 공정은 상기 제 1 및／또는 상기 제 2의 패턴의 오버사이즈에 의해 행해지는 것으로 구성된 것을 특징으로 하는 마스크 패턴 보정방법.
제 1항에 있어서,

상기 제 1／또는 상기 제 2의 가영역을 작성하는 공정은 상기 제 1／또는 상기 제 2의 패턴의 오버사이즈에 의해 행해지는 것으로 구성된 것을 특징으로 하는 마스크 패턴 보정방법.
제 1항에 있어서,

상기 제 1의 가영역과 상기 제 2의 가영역의 제외는 상기 제 1의 가영역과 상기 제 2의 가영역의 언더사이즈에 의해 행해지는 것으로 구성된 것을 특징으로 하는 마스크 패턴 보정방법.
제 1항에 있어서,

상기 제 1의 보정 패턴과 상기 제 2의 보정 패턴의 보정량이 서로 다른 것으로 구성된 것을 특징으로 하는 마스크 패턴 보정방법.
제 1항에 있어서,

상기 최외주 에지는 상기 제 1의 가영역의 에지 중 상기 제 1의 방향으로 연장한 선분의 일부 및 상기 제 2의 가영역의 에지 중 상기 제 2의 방향으로 연장한 선분의 일부인 것으로 구성된 것을 특징으로 하는 마스크 패턴 보정방법.
제 1항에 있어서,

상기 큰 쪽의 보정량은 상기 제 1의 보정량 또는 상기 제 2의 보정량 중 어느 것의 최대 보정량인 것으로 구성된 것을 특징으로 하는 마스크 패턴 보정방법.
제 1항에 있어서,

상기 소정의 각도 α°는 90≤α＜180으로 규정되는 것으로 구성된 것을 특징으로 하는 마스크 패턴 보정방법.
제 1의 방향으로 늘어나는 제 1의 패턴과 제 2의 방향으로 늘어나는 제 2의 패턴이 소정의 각도 α°를 이루어 접하는 코너를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 마스크 패턴의 보정방법에 있어서,

상기 제 1의 패턴의 상기 제 1의 방향으로 늘어나는 패턴 에지의 하나이고 코너의 내측에 있는 제 1의 패턴 에지를 상기 제 1의 방향에서 수직인 제 3의 방향에 제 1의 보정량으로 평행이동시키고, 상기 제 1의 보정량으로 평행이동시키는 전후의 상기 제 1의 패턴 에지 사이에, 상기 제 1의 패턴의 선폭을 증가시키는 제 1의 보정 패턴을 작성하는 공정과,

상기 제 2의 패턴의 상기 제 2의 방향으로 늘어나는 패턴 에지의 하나에서 코너의 내측으로 있고, 상기 제 1의 패턴 에지와 접하는 제 2의 패턴 에지를 상기 제 2의 방향에서 수직인 제4의 방향에 제 2의 보정량으로 평행이동시키고, 상기 제 2의 보정량으로 평행이동시키는 전후의 상기 제 2의 패턴 에지 사이에, 상기 제 2의 패턴의 선폭을 증가시키는 제 2의 보정 패턴을 작성하는 공정과,

상기 제 1의 보정 패턴의 패턴 에지와 상기 제 2의 보정 패턴의 패턴 에지로부터, 길이가 상기 제 1의 보정량과 상기 제 2의 보정량 중 큰 쪽인 보정량 이하이고, 일단의 각이 90°이고 타단의 각이 450°－α°인 영역 지정용 에지를 추출하는 공정과,

상기 영역 지정용 에지를 한 변으로 하는 정방형을 상기 영역 지정용 에지가 포함되는 보정 패턴과 겹치지 않도록 작성하는 공정과,

상기 제 1의 보정 패턴의 패턴 에지와 상기 제 2의 보정 패턴의 패턴 에지로부터, 상기 정방형내에 있고 상기 정방형의 변과 겹치지 않는 부분의 상기 정방형내 에지를 추출하는 공정과,

상기 정방형의 다른 한 변이며 상기 영역 지정용 에지에 인접하는 변과 상기 영역 지정용 에지와 상기 정방형내 에지에서 둘러싸여지는 삼각형 패턴과 상기 제 1의 보정 패턴과 상기 제 2의 보정 패턴을 상기 제 1의 패턴과 상기 제 2의 패턴에 추가하는 공정을 가지는 것으로 구성된 것을 특징으로 하는 마스크 패턴 보정방법.
제 9항에 있어서,

상기 제 1 및／또는 상기 제 2의 보정 패턴을 작성하는 공정은 상기 제 1 및／또는 상기 제 2의 패턴의 오버사이즈에 의해 행해지는 것으로 구성된 것을 특징으로 하는 마스크 패턴 보정방법.
제 9항에 있어서,

상기 정방형을 작성하는 공정 전에, 상기 제 1의 보정 패턴 및／또는 상기 제 2의 보정 패턴을 언더사이즈 하는 것으로 구성된 것을 특징으로 하는 마스크 패턴 보정방법.
제 9항에 있어서,

상기 제 1의 보정 패턴과 상기 제 2의 보정 패턴의 보정량이 서로 다른 것으로 구성된 것을 특징으로 하는 마스크 패턴 보정방법.
제 9항에 있어서,

상기 큰 쪽의 보정량은 상기 제 1의 보정량 또는 상기 제 2의 보정량 중 어느 것의 최대 보정량인 것으로 구성된 것을 특징으로 하는 마스크 패턴 보정방법.
제 9항에 있어서,

상기 소정의 각도 α°는 90≤α＜180으로 규정되는 것으로 구성된 것을 특징으로 하는 마스크 패턴 보정방법.
제 1의 방향으로 늘어나는 제 1의 패턴과 제 2의 방향으로 늘어나는 제 2의 패턴이 소정의 각도 α°를 이루어 접하는 코너를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 마스크 패턴의 보정방법에 있어서,

상기 제 1의 패턴의 상기 제 1의 방향으로 늘어나는 패턴 에지의 하나이고 코너의 외측에 있는 제 1의 패턴 에지를 상기 제 1의 방향에서 수직인 제 3의 방향에 소정의 보정량으로 평행이동시키고, 상기 소정의 보정량으로 평행이동시키는 전후의 상기 제 1의 패턴 에지 사이에, 상기 제 1패턴의 선폭을 증가시키는 보정 패턴을 작성하는 공정과,

상기 보정 패턴의 패턴 에지로부터, 길이가 상기 소정의 보정량 이하이며, 일단의 각이 90°이고 타단의 각이 α°+ 90°인 영역 지정용 에지를 추출하는 공정과,

상기 영역 지정용 에지를 한 변으로 하는 정방형을 상기 보정 패턴과 겹치도록 에지를 제외한 상기 보정 패턴의 패턴 에지로부터, 상기 정방형의 변과 겹치는 상기 정방형상 에지를 추출하는 공정과,

상기 영역 지정용 에지와 상기 정방형상 에지를 두 변으로 하는 삼각형 패턴을 작성하는 공정과,

상기 보정 패턴으로부터 상기 삼각형 패턴을 삭제하고, 상기 삼각형 패턴이 삭제된 상기 보정 패턴을 상기 제 1의 패턴에 추가하는 공정을 가지는 것으로 구성된 것을 특징으로 하는 마스크 패턴 보정방법.
제 15항에 있어서,

상기 보정 패턴을 작성하는 공정은 상기 제 1의 패턴의 오버사이즈에 의해 행해지는 것으로 구성된 것을 특징으로 하는 마스크 패턴 보정방법.
제 15항에 있어서,

상기 정방형을 작성하는 공정 전에, 상기 보정 패턴을 언더사이즈 하는 것으로 구성된 것을 특징으로 하는 마스크 패턴 보정방법.
제 15항에 있어서,

상기 소정의 각도 α°는 90≤α＜180으로 규정되는 것으로 구성된 것을 특징으로 하는 마스크 패턴 보정방법.
제 1의 방향으로 늘어나는 제 1의 패턴과 제 2의 방향으로 늘어나는 제 2의 패턴을 포함한 마스크 패턴의 보정방법에 있어서,

상기 제 1의 패턴의 상기 제 1의 방향으로 늘어나는 패턴 에지의 하나이고, 상기 제 2의 패턴 측에 있는 제 1의 패턴 에지를 복수의 구간으로 분할하는 공정과,

상기 분할된 각 구간을 상기 제 2의 패턴과의 거리에 따른 보정량으로, 상기 제 1의 방향에서 수직인 제 3의 방향에 평행이동시키고, 상기 평행이동시키는 전후의 상기 각 구간의 사이에 상기 제 1의 패턴의 선폭을 증가시키는 보정 패턴을 작성하는 공정과,

상기 보정 패턴의 패턴 에지로부터, 상기 제 3의 방향으로 늘어나는 최대 보정량보다 짧은 복수의 제 1의 영역 지정용 에지를 추출하는 공정과,

상기 제 1의 영역 지정용 에지를 상기 제 1의 방향으로 상기 보정 패턴의 내측으로 향하고, 구간 길이의 최소치만큼 평행이동시키고, 상기 평행이동시키는 전후의 상기 제 1의 영역 지정용 에지 사이에, 제 1의 직사각형 영역을 작성하는 공정과,

상기 보정 패턴의 패턴 에지로부터, 상기 제 1의 방향으로 늘어나는 구간 길이의 최소치보다 짧은 복수의 제 2의 영역 지정용 에지를 추출하는 공정과,

상기 제 2의 영역 지정용 에지를 상기 제 3의 방향으로 상기 보정 패턴의 내측으로 향하고, 최대 보정량으로 평행이동시키고, 상기 평행이동시키는 전후의 상기 제 2의 영역 지정용 에지 사이에, 제 2의 직사각형 영역을 작성하는 공정과,

상기 제 1의 직사각형 영역과 상기 제 2의 직사각형 영역의 중복 부분을 상기 보정 패턴으로부터 삭제하는 공정과,

상기 제 2의 영역 지정용 에지가 없어질 때까지, 상기 제 1의 영역 지정용 에지의 추출, 상기 제 1의 직사각형 영역의 작성, 상기 제 2의 영역 지정용 에지의 추출 및 상기 제 2의 직사각형 영역의 작성을 되풀이하는 공정을 가지는 마스크 패턴 보정방법.