WO2004031857A1 - マスクパターン補正方法 - Google Patents

マスクパターン補正方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2004031857A1
WO2004031857A1 PCT/JP2003/012493 JP0312493W WO2004031857A1 WO 2004031857 A1 WO2004031857 A1 WO 2004031857A1 JP 0312493 W JP0312493 W JP 0312493W WO 2004031857 A1 WO2004031857 A1 WO 2004031857A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
pattern
correction
edge
area
correction amount
Prior art date
Application number
PCT/JP2003/012493
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Kazuhisa Ogawa
Original Assignee
Sony Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corporation filed Critical Sony Corporation
Priority to DE10393430T priority Critical patent/DE10393430T5/de
Priority to US10/529,385 priority patent/US20060014082A1/en
Publication of WO2004031857A1 publication Critical patent/WO2004031857A1/ja

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/72—Repair or correction of mask defects
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes

Definitions

  • the present invention relates to a method for correcting a pattern of a mask used for lithography.
  • Electron beam lithography technology is attracting attention as a lithography technology that can respond to further miniaturization of devices.
  • the proximity correction is performed on the mask pattern.
  • One of the proximity effect corrections is a line width correction process.
  • the line width correction process is a mask pattern data process that increases or decreases the line width of each wiring by a predetermined shift amount according to the line width of the wiring and the distance between the wiring and an adjacent wiring. It is used. Specifically, a pattern edge (hereinafter, also referred to as an edge) that meets the above two conditions of the line width and the distance is extracted, and the edge is shifted by a specified amount in the vertical direction with respect to the edge. Perform the operation.
  • the edges before and after the line width correction processing are parallel to each other.
  • a concave portion and a convex portion having a step substantially equal to the correction amount are formed.
  • the correction amounts a and b are adjacent to each other through the 90 ° corner of pattern I. If it is different from the above, a concave part D is formed at the corner (the part drawn by a circle).
  • the corner angle is 90.
  • a concave portion or a convex portion is generated at the corner by the line width correction.
  • a concave portion D having a 45 ° angle is generated between the correction patterns C1 and C2 (circled portion). .
  • a concave portion D having a 45 ° angle is formed between the correction patterns C1 and C2 (circled portion).
  • a concave portion and a convex portion are generated at a corner of the pattern, or a stepwise correction pattern is generated with a pattern extending in an oblique direction.
  • a concave or convex / stepped pattern exists, the number of patterns of the mask data increases, and the data transfer time and drawing time for drawing the pattern on the mask become longer.
  • the present invention has been made in view of the above-described problems, and it is therefore an object of the present invention to provide a mask pattern correction method that can easily eliminate a minute step that occurs after pattern line width correction. I do.
  • a method of correcting a mask pattern according to the present invention is directed to a corner where a first pattern extending in a first direction contacts a second pattern extending in a second direction at a predetermined angle or °.
  • a method of correcting a mask pattern wherein one of the pattern edges extending in the first direction of the first pattern and the first pattern edge outside a corner is perpendicular to the first direction.
  • the third direction in parallel with the first correction amount, and between the first pattern edges before and after the parallel movement in the third correction amount, increasing the line width of the first pattern.
  • the turn edge is translated in a fourth direction perpendicular to the second direction by a second correction amount, and between the second pattern edges before and after the parallel translation by the second correction amount, Creating a second correction pattern for increasing the line width of the pattern; and enlarging a figure combining the first pattern and the second pattern to create an enlarged figure.
  • the amount of movement of the first pattern in the third direction is equal to the larger one of the second correction amount and the second correction amount.
  • the step of enlarging the figure is performed by oversizing the first and / or second patterns. It is.
  • the step of creating the first and / or the second temporary area is performed by oversizing the first and / or the second pattern.
  • the exclusion of the temporary area and the second temporary area is performed based on the undersize of the first temporary area and the second temporary area.
  • the correction amounts of the first correction pattern and the second correction pattern are different from each other.
  • the outermost edge is a part of a line extending in the first direction in the edge of the first temporary area and the second edge of the edge in the second temporary area. It is a part of the line extended in the direction of 2.
  • the larger correction amount is a maximum correction amount of either the first correction amount or the second correction amount.
  • the predetermined angle is defined by 90 ⁇ 180.
  • the first pattern extending in the first direction and the second pattern extending in the second direction have a predetermined angle.
  • the first pattern is translated in a third direction perpendicular to the first direction by a first correction amount, and between the first pattern edges before and after the parallel movement by the first correction amount.
  • the second pattern edge is moved in parallel in a fourth direction perpendicular to the second direction by a second correction amount, and between the second pattern edges before and after the parallel movement is performed by the second correction amount.
  • the second pattern Create a second correction pattern that increases the line width of the And, from the pattern edge of the first correction pattern and the pattern edge of the second correction pattern, the length is equal to or less than the correction amount that is the larger of the first correction amount and the second correction amount. Yes, 90 ° at one end and 450 ° at the other end — or.
  • the side adjacent to the edge for area designation, the edge for area designation, a triangular pattern surrounded by an edge in the square, the first correction pattern and the second correction pattern are And a step of adding to the first pattern and the second pattern.
  • the step of creating the first and / or the second correction pattern is performed by oversizing the first and / or the second pattern. Be done.
  • the first correction pattern and the first correction pattern or the second correction pattern are undersized.
  • the correction amounts of the first correction pattern and the second correction pattern are different from each other.
  • the larger correction amount is a maximum correction amount of either the first correction amount or the second correction amount.
  • a mask pattern correcting method is characterized in that a first pattern extending in a first direction and a second pattern extending in a second direction are in contact with each other at a predetermined angle.
  • the step of creating the correction pattern is performed by oversizing the first pattern.
  • the correction pattern is undersized before the step of forming the square.
  • a mask pattern correction method is a method for correcting a mask pattern including a first pattern extending in a first direction and a second pattern extending in a second direction. Dividing the first pattern wedge, which is one of the pattern wedges extending in the first direction of the first pattern, on the side of the second pattern into a plurality of sections; Each of the divided sections is translated in a third direction perpendicular to the first direction by a correction amount corresponding to the distance from the second pattern.
  • FIG. 1 is a diagram showing a small step that occurs after line width correction of a pattern.
  • FIG. 2 is a diagram showing a small step generated after the line width correction of the pattern.
  • FIG. 3 is a diagram showing a small step that occurs after the line width of the pattern is corrected.
  • FIG. 4 is a view showing a minute step generated after the line width of the pattern is corrected.
  • 5A and 5B are views showing steps of a mask pattern correcting method according to a conventional example and a fifth embodiment of the present invention.
  • 6A to 6C are diagrams illustrating steps of a mask pattern correction method according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 7A to 7D are views showing steps of a mask pattern correction method according to the first embodiment of the present invention.
  • FIGS. 8A to 8C are diagrams illustrating steps of a mask pattern correction method according to the second embodiment of the present invention.
  • FIGS. 9A to 9C are diagrams illustrating steps of a mask pattern correction method according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a diagram showing steps of a mask pattern correcting method according to Embodiment 2 of the present invention.
  • FIGS. 11A to 11C are diagrams showing steps of a mask pattern correction method according to Embodiment 3 of the present invention.
  • FIGS. 12A to 12C are diagrams showing steps of a mask pattern correction method according to the third embodiment of the present invention.
  • FIGS. 13 to 13C are diagrams showing steps of a mask pattern correcting method according to the fourth embodiment of the present invention.
  • FIGS. 14A to 14C are diagrams showing steps of a mask pattern correction method according to the fourth embodiment of the present invention.
  • FIGS. 15E to 15D are diagrams showing steps of a mask pattern correction method according to the fifth embodiment of the present invention.
  • FIGS. 168 to 16C are diagrams showing steps of a mask pattern correction method according to the fifth embodiment of the present invention.
  • the mask pattern correction method according to the present invention includes After the line width correction is performed, there is a step of eliminating a minute step generated at a pattern corner or the like.
  • the maximum correction amount is expressed as Max (bias).
  • Max (bias) is the maximum value in the pattern of the amount by which the pattern edge is shifted in the direction perpendicular to the edge (correction amount).
  • Min (edge) is the lower limit of the edge length desired as the final correction result.
  • FIG. 6A shows a corner of a pattern in which a concave portion is buried according to the present embodiment.
  • the pattern P1 in Fig. 6A occupies a 135 ° corner (the part surrounded by a circle) as in Fig. 2, and the capture patterns C l and C on both sides of the 135 ° corner.
  • the two correction amounts are different from each other.
  • the entire pattern is oversized by Max (bias).
  • the pattern edge is shifted by Max (bias) in a direction perpendicular to the edge.
  • temporary regions T 1 and T 2 are formed.
  • the order of the oversize shown in FIG. 6B and the shift of the pattern edge shown in FIG. 6C may be interchanged.
  • a difference Pd between the pattern oversized in FIG. 6B and the sum of the temporary areas T1 and T2 formed in FIG. 6C is determined. From the difference Pd, a recess embedding pattern is created.
  • the pattern edges of the correction patterns C1 and C2 shown in FIG. 6A are excluded from the edge of the difference Pd, and the outermost edge of the difference Pd is further removed. exclude. As a result, the edge e indicated by the thick line in FIG. 7B is extracted from the edges of the difference Pd.
  • the edge e extracted in Fig. 7B is Is shifted by Max (bias) in the direction toward the inside of the difference Pd, and a rectangular area R is generated between the edges e before and after the shift.
  • FIG. 8A shows a corner of a pattern in which a concave portion is buried according to the present embodiment.
  • the pattern P2 in FIG. 8A is 90 as in FIG.
  • the correction amounts of the correction patterns C 1 and C 2 on both sides of the 90 ° corner are different from each other.
  • the pattern edges of the correction patterns C1 and C2 shown in FIG. 8A are excluded from the edges of the difference Pd, and the outermost edge of the difference Pd is also excluded. Then, the edge e indicated by the thick line in FIG. 9B is extracted.
  • the edge e extracted in FIG.9B is shifted by Max (bias) in a direction perpendicular to the edge e and inward of the difference Pd, and the shift is performed.
  • Previous A rectangular area R is generated between subsequent edges e.
  • the rectangular area R (see Fig. 9C) is deleted from the combination of the pattern after line width correction (see Fig. 8A) and the difference Pd (see Fig. 9A). Yes
  • This allows the recess at the corner to be buried without changing the correction amount on both sides of the corner. Therefore, the amount of data processing when drawing the mask data is reduced, and the processing speed is increased.
  • it is possible to prevent a minute step at a corner from being detected as a pseudo defect in a mask defect inspection.
  • FIG. 11A shows a corner of a pattern in which a concave portion is embedded according to the present embodiment.
  • the corners of the pattern are less than 180 °, whereas in the present embodiment, the corners of the pattern are 225 °, as in FIG. 3, and exceed 180 °. . In this case, it can be said that a correction pattern is formed inside the 135 ° corner.
  • the correction amounts of the correction patterns C1 and C2 on both sides of the corner are different from each other. As shown in FIG. 11A, when the corner of the pattern P3 exceeds 180 °, the correction patterns partially overlap each other at the corner of the pattern (the portion surrounded by a circle).
  • a square is formed with the edge e1 extracted in FIG. 11B as one side. At this time, a square is arranged on the concave portion D between the correction patterns.
  • an edge e2 of a correction pattern that overlaps with the inside of the square formed in FIG. 11C and does not overlap with the sides of the square is extracted.
  • FIG. 12B a region T surrounded by an edge e 1 (see FIG. 11B), an edge e 2 (see FIG. 12A), and one side of a square (see FIG. 11C).
  • FIG. 12C the concave portion of the corner is buried without changing the amount of correction on both sides of the corner. Therefore, the amount of data processing when drawing mask data is reduced, and the processing speed is increased. Further, in the defect inspection of the mask, it is possible to prevent a minute step at a corner from being detected as a pseudo defect.
  • FIG. 13A shows a corner of a pattern in which a convex portion is cut by the present embodiment.
  • the pattern P4 in Fig. 13A has a 135 ° corner, as in Fig. 4, and a correction pattern C has been added outside the 135 ° corner (circled part). Things.
  • the length is less than Max (bias) and the inner angles at both ends are 90 ° and 2 25 Extract the edge e 1 that is °.
  • FIG. 13C a square having the edge e1 extracted in FIG. 13B as one side is formed. At this time, a square is arranged on the side overlapping the correction pattern C. Next, as shown in FIG. 14A, an edge e2 of the correction pattern C in a portion overlapping the square formed in FIG. 13C is extracted.
  • a triangular area T having two sides of the edge e1 and the edge e2 is formed. Then, as shown in Fig. 14C, the area T Remove.
  • the convex portion of the corner is cut without changing the correction amount of the line width. Therefore, the amount of data processing when drawing mask data and the like is reduced, and the processing speed is increased. Further, in the defect inspection of the mask, it is possible to prevent the minute step at the corner from being detected as a pseudo defect.
  • FIG. 5A shows a pattern in which the step-shaped portion is deleted according to the present embodiment.
  • the adjacent wirings are not parallel, and the distance between the wirings changes continuously. Since the correction amount can be discretely defined by a multiple of the minimum Darid, a correction pattern C in which the correction amount is changed stepwise is created as shown in FIG. 5B. The correction amount changes according to the distance between the wirings.
  • the length is Max (bias ) Extract the following edge e1.
  • a plurality of edges e1 extracted in this step are shown by thick lines in FIG. 15A.
  • the edge e1 extracted in Fig. 15A is min (edge) in the direction perpendicular to the edge e1 and toward the inside of the correction pattern C. Shift.
  • a rectangular area R1 is formed between the edges e1 before and after the shift. Since the correction pattern has a step shape, a plurality of rectangular regions R1 are formed.
  • an edge e2 which is parallel to the pattern edge before the line width correction and whose length is shorter than Min (edge) is extracted.
  • a plurality of edges e 2 extracted in this step are shown by thick lines in FIG. 15C.
  • an overlapping portion (AND portion) A of the rectangular region R1 and the rectangular region R2 is obtained.
  • a rectangular correction pattern Cr is obtained as shown in FIG. 16C.
  • a step-shaped portion is deleted from a correction pattern added to a pattern extending in an oblique direction. Therefore, the amount of data processing when drawing mask data and the like is reduced, and the processing speed is increased. Also, in the mask defect inspection, it is possible to prevent a minute step at a corner from being detected as a pseudo defect.
  • Embodiments of the mask pattern correction method of the present invention are not limited to the above description. For example, when adding a correction pattern both inside and outside the corner to increase the line width of the pattern, it is also possible to correct the pattern by combining two different embodiments described above. It is.
  • the method of correcting a mask pattern according to the present invention comprises:
  • the present invention is applicable to a mask pattern correction method for correcting a mask pattern used for a mask.

Abstract

パターンの線幅補正後に生じる微小段差を、簡易に解消できるマスクパターン補正方法を提供する。コーナーを含むパターンをオーバーサイズした図形と、パターンエッジをシフトさせて形成された仮領域との差分を求める工程と、差分のうち、線幅補正した図形と接しないエッジ（領域指定用エッジ）を抽出する工程と、領域指定用エッジを１辺とする矩形を形成する工程と、差分から矩形を削除し、微小段差を埋め込むパターンを得る工程とを有するマスクパターンの補正方法とする。

Description

明細書 マスクパターン補正方法 技術分野
本発明は、 リソグラフィに用いられるマスクのパターンを補正する方法に関す る。 背景技術
半導体デバイスにおける微細化の要求は近年ますます厳しくなつており、 デザ ィ ンルールはフォ トリソグラフィの露光波長の 1ノ 2以下に達している。 デバイ スのさらなる微細化に対応できるリソグラフィ技術として、 電子ビームリソグラ フィ技術が注目されている。
パターンの微細化に伴い、 マスク上のパターンと実際に転写されるパターンが 異なるという問題 （近接効果） が発生する。 このような近接効果の影響を低減す るため、 マスクパターンに近接効果捕正が施される。 近接効果補正の一つとして 、 線幅補正処理がある。
線幅補正処理は各配線の線幅を、 その配線の線幅とその配線と隣接配線との距 離に応じて、 事前に規定されたシフト量だけ増減させるマスクパターンデータ処 理であり、 広く使われている。 具体的には、 上記の線幅と距離の二つの条件に適 合するパターンエッジ （以下、 エッジとも表す。 ） を抽出し、 そのエッジをエツ ジに対して垂直方向に規定量だけシフトさせる図形操作を行う。 線幅補正処理の 前後のエッジは、 互いに平行となる。
しかしながら、 上記のように線幅と配線間距離とに基づいて線幅補正を行うと 、 補正量と同程度の段差をもった凹部ゃ凸部が形成される。 例えば、 図 1に示す ように、 パターン Iの 9 0 ° コーナーを介して隣接する辺で補正量 a、 bが互い に異なる場合には、 コーナ一 （丸で画んだ部分） に凹部 Dが生成する。
コーナ一の角度が 9 0。 以外の場合も、 線幅補正によってコーナー部に凹部ま たは凸部が生成する。 例えば、 図 2に示すように、 パターン I Iの 1 3 5 ° コーナ 一では、 補正パターン C l、 C 2の間 （丸で囲んだ部分） に 4 5 ° の角をもつ凹 部 Dが生成する。
また、 例えば、 図 3に示すように、 パターン I I Iの 2 2 5 ° コーナ一では、 補 正パターン C 1、 C 2の間 （丸で囲んだ部分） に 4 5 ° の角をもつ凹部 Dが生成 する。
図 4に示すように、 パターン IVの 1 3 5 ° コーナーを介して隣接する辺の一方 に補正パターン Cを加えた場合には、 コーナー （丸で囲んだ部分） に凸部 Pが生 成する。
一方、 隣接する配線が平行でない場合には、 図 5 Aに示すように、 配線間距離 は連続的に変化する。 補正量は最小グリ ッ ドの倍数により離散的に定義されるた め、 補正パターンの補正量が連続的に変化する場合であっても、 実際にマスクに 形成するパターンでは、 図 5 Bに示すように、 矩形パターンを組み合わせた階段 状の補正パターンが作成される。 すなわち、 線幅と配線間距離が所定の範囲内に ある部分に対して、 一律の補正量が適用される。
以上のように、 線幅補正処理を行うと、 パターンのコーナーで凹部ゃ凸部が生 成したり、 斜め方向に延びるパターンで階段状の補正パターンが生成したりする 。 このような凹部または凸部ゃ階段状パターンが存在すると、 マスクデータの図 形数が多くなり、 マスクにパターンを描画するためのデータ転送時間や描画時間 が長くなる。
また、 線幅補正により生成する微細な凹部、 凸部または階段状パターンが、 マ スクの欠陥検査において、 擬似的に欠陥として認識される問題もある。 このよう な擬似欠陥により、 欠陥検出の所要時間が長くなつたり、 欠陥検査が停止したり することがある。 凹部ゃ凸部などの微小な段差を解消する方法として、 パターンに最大補正量を 超える一定量の拡大 （オーバ一サイズ） を行って、 段差を埋め込んでから、 パタ ーンに縮小 （アンダーサイズ） を行う方法や、 逆に、 アンダーサイズを行ってか らォ一バーサイズを行う方法がある。
このような方法によれば、 段差の埋め込みは可能であるが、 コーナ一を介して 隣接する辺で補正量が互いに異なる場合 （例えば、 図 1 'の補正量 a、 b参照。 ） に、 段差埋め込み後の補正量が変化したり、 補正量の変化によってパターンの外 形 （ トポロジー） が変化したりする問題が起こる。 補正量が変化すると、 近接効 果の補正に影響が生じる。
また、 マスクパターンの作成や描画を短時間で行うためには、 線幅補正後のパ ターンの修正を、 マスク描画装置などに備えられているような汎用の図形演算ッ ールを用いて行えることが望ましい。 発明の開示
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、 したがって本発明は、 パ タ一ンの線幅補正後に生じる微小段差を、 簡易に解消できるマスクパターン補正 方法を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するため、 本発明のマスクパターン補正方法は、 第 1の方向 に延びる第 1のパターンと、 第 2の方向に延びる第 2のパターンが所定の角度 or ° をなして接するコーナーを舍むマスクパターンの補正方法であって、 前記第 1 のパターンの前記第 1の方向に延びるパターンェツジの一つでありコーナーの外 側にある第 1のパターンェッジを、 前記第 1 の方向に垂直な第 3の方向に第 1 の 捕正量で平行移動させ、 前記第 1の補正量で平行移動させる前後の前記第 1のパ ターンエツジ間に、 前記第 1のパターンの線幅を増加させる第 1の補正パターン を作成する工程と、 前記第 2のパターンの前記第 2の方向に延びるパターンェッ ジの一つでコーナーの外側にあり、 前記第 1のパターンェッジと接する第 2のパ ターンエツジを、 前記第 2の方向に垂直な第 4の方向に第 2の補正量で平行移動 させ、 前記第 2の補正量で平行移動させる前後の前記第 2のパターンェッジ間に 、 前記第 2のパターンの線幅を増加させる第 2の補正パターンを作成する工程と 、 前記第 1のパターンと前記第 2のパターンを合わせた図形を拡大して拡大図形 を作成する工程であって、 前記第 1の補正量と前記第 2の補正量のうちの大きい 方である補正量と、 前記第 1のパターンの前記第 3の方向への移動量が一致し、 かつ前記大きいほうである補正量と前記第 2のパターンの前記第 4の方向への移 動量が一致するように、 前記図形を拡大する工程と、 前記第 1のパターンエッジ を前記第 3の方向に前記大きいほうである補正量で平行移動させ、 前記大きいほ うである補正量で平行移動させる前後の前記第 1のパターンエッジ間に第 1の仮 領域を作成する工程と、 前記第 2のパターンェ 'ンジを前記第 4の方向に前記大き いほうである補正量で平行移動させ、 前記大きいほうである補正量で平行移動さ せる前後の前記第 2のパターンエッジ間に第 2の仮領域を作成する工程と、 拡大 図形から前記第 1の仮領域と前記第 2の仮領域を除外し、 段差埋め込み用パター ンを作成する工程と、 前記段差埋め込み用パターンの全パターンェッジから最外 周エッジを除外し、 さらに前記第 1の補正パターンのパターンエッジと前記第 2 の補正パターンのパターンェッジを除外して、 領域指定用ェッジを抽出する工程 と、 前記領域指定用エッジを前記領域指定用エッジに垂直な方向に、 かつ前記段 差埋め込み用パターンの内側に向かって前記大きいほうである補正量で平行移動 させ、 前記大きいほうである補正量で平行移動させる前後の前記領域指定用ェッ ジ間に削除領域を作成する工程と、 前記段差埋め込み用パターンから前記削除領 域を削除し、 前記削除領域が削除された前記段差埋め込み用パターンと、 前記第 1 の補正パターンと前記第 2の補正パターンを前記第 1のパターンと前記第 2の パターンに追加する工程とを有することを特徴とする。
上記の本発明のマスクパターン補正方法は、 好適には、 前記図形を拡大するェ 程は、 前記第 1およびノまたは前記第 2のパターンのオーバーサイズにより行わ れる。
また、 好適には、 前記第 1およびノまたは前記第 2の仮領域を作成する工程は 、 前記第 1および/または前記第 2のパターンのオーバーサイズにより行われる また、 好適には、 前記第 1の仮領域と前記第 2の仮領域の除外は、 前記第 1の 仮領域と前記第 2の仮領域のアンダ一サイズにより行われる。
また、 好適には、 前記第 1の補正パターンと前記第 2の補正パターンの補正量 が互いに異なる。
また、 好適には、 前記最外周ヱッジは、 前記第 1の仮領域のヱ 'ンジのうち前記 第 1の方向へ延長した線分の一部および前記第 2の仮領域のヱッジのうち前記第 2の方向へ延長した線分の一部である。
また、 好適には、 前記大きいほうの補正量は、 前記第 1の補正量または前記第 2の補正量のうちいずれかの最大補正量である。
また、 好適には、 前記所定の角度 ° は、 9 0≤ く 1 8 0で規定される。 また、 上記の目的を達成するため、 本発明のマスクパターン補正方法は、 第 1 の方向に延びる第 1のパターンと、 第 2の方向に延びる第 2のパターンが所定の 角度 。 をなして接するコーナーを舍むマスクパターンの補正方法であって、 前 記第 1 のパターンの前記第 1の方向に延びるパターンェ 'ンジの一つでありコーナ 一の内側にある第 1のパターンェッジを、 前記第 1の方向に垂直な第 3の方向に 第 1の補正量で平行移動させ、 前記第 1の補正量で平行移動させる前後の前記第 1 のパターンェッジ間に、 前記第 1 のパターンの線幅を増加させる第 1の補正パ ターンを作成する工程と、 前記第 2のパターンの前記第 2の方向に延びるパター ンェッジの一つでコーナーの内側にあり、 前記第 1のパターンェッジと接する第 2のパターンェッジを、 前記第 2の方向に垂直な第 4の方向に第 2の補正量で平 行移動させ、 前記第 2の補正量で平行移動させる前後の前記第 2のパターンェッ ジ間に、 前記第 2のパターンの線幅を増加させる第 2の補正パターンを作成する 工程と、 前記第 1の補正パターンのパターンヱッジと前記第 2の補正パターンの パターンヱッジから、 長さが前記第 1の補正量と前記第 2の補正量のうちの大き い方である補正量以下であり、 一端の角が 9 0 ° で他端の角が 4 5 0 ° — or。 で ある領域指定用エッジを抽出する工程と、 前記領域指定用ヱッジを一辺とする正 方形を、 前記領域指定用ェッジが舍まれる補正パターンと重ならないように作成 する工程と、 前記第 1の補正パターンのパターンェッジと前記第 2の補正パター ンのパターンヱッジから、 前記正方形内であって前記正方形の辺と重ならない部 分の前記正方形内ヱ 'ンジを抽出する工程と、 前記正方形の他の一辺であって前記 領域指定用エッジに隣接する辺と、 前記領域指定用エッジと、 前記正方形内エツ ジで囲まれる三角形パターンと、 前記第 1の補正パターンと前記第 2の補正パタ ーンを前記第 1のパターンと前記第 2のパターンに追加する工程とを有すること を特徴とする。
上記の本発明のマスクパターン補正方法は、 好適には、 前記第 1およびノまた は前記第 2の補正パターンを作成する工程は、 前記第 1および/または前記第 2 のパターンのオーバーサイズにより行われる。
また、 好適には、 前記正方形を作成する工程の前に、 前記第 1の補正パターン およびノまたは前記第 2の補正パターンをアンダーサイズする。
また、 好適には、 前記第 1の補正パターンと前記第 2の補正パターンの補正量 が互いに異なる。
また、 好適には、 前記大きいほうの補正量は、 前記第 1 の補正量または前記第 2の補正量のうちいずれかの最大補正量である。
また、 好適には、 前記所定の角度 or ° は、 9 0≤ < 1 8 0で規定される。 また、 上記の目的を達成するため、 本発明のマスクパターン補正方法は、 第 1 の方向に延びる第 1のパターンと、 第 2の方向に延びる第 2のパターンが所定の 角度 ° をなして接するコーナ一を舍むマスクパターンの補正方法であって、 前 記第 1 のパターンの前記第 1の方向に延びるパターンェッジの一つでありコーナ 一の外側にある第 1のパターンェッジを、 前記第 1の方向に垂直な第 3の方向に 所定の補正量で平行移動させ、 前記所定の補正量で平行移動させる前後の前記第 1のパターンェッジ間に、 前記第 1のパターンの線幅を増加させる補正パターン を作成する工程と、 前記補正パターンのパターンエッジから、 長さが前記所定の 補正量以下であり、 一端の角が 9 0 ° で他端の角が 。 + 9 0 ° である領域指定 用エッジを抽出する工程と、 前記領域指定用エッジを一辺とする正方形を、 前記 補正パターンと重なるように作成する工程と、 前記第 1のパターンエッジを除く 前記補正パターンのパターンエッジから、 前記正方形の辺と重なる前記正方形上 ェッジを抽出する工程と、 前記領域指定用ヱッジと前記正方形上ヱッジをニ辺と する三角形パターンを作成する工程と、 前記補正パターンから前記三角形パタ一 ンを削除し、 前記三角形パターンが削除された前記補正パターンを前記第 1のパ ターンに追加する工程とを有することを特徴とする。
上記の本発明のマスクパターン補正方法は、 好適には、 前記補正パターンを作 成する工程は、 前記第 1のパターンのオーバーサイズにより行われる。
また、 好適には、 前記正方形を作成する工程の前に、 前記補正パターンをアン ダーサイズする。
また、 好適には、 前記所定の角度 o ° は、 9 0≤ < 1 8 0で規定される。 また、 上記の目的を達成するため、 本発明のマスクパターン補正方法は、 第 1 の方向に延びる第 1のパターンと、 第 2の方向に延びる第 2のパターンを含むマ スクパターンの補正方法であって、 前記第 1 のパターンの前記第 1 の方向に延び るパターンェッジの一つであり、 前記第 2のパターン側にある第 1のパターンェ ッジを複数の区間に分割する工程と、 前記分割された各区間を、 前記第 2のパタ ーンとの距離に応じた補正量で、 前記第 1の方向に垂直な第 3の方向に平行移動 させ、 前記平行移動させる前後の前記各区間の間に前記第 1のパターンの線幅を 増加させる補正パターンを作成する工程と、 前記補正パターンのパターンエッジ から、 前記第 3の方向に延びる最大補正量より短い複数の第 1の領域指定用ェッ ジを抽出する工程と、 前記第 1の領域指定用: ンジを、 前記第 1の方 ]¾に前記補 正パターンの内側に向かって、 区間長さの最小値だけ平行移動させ、 前記平行移 動させる前後の前記第 1の領域指定用ヱ 'ンジ間に、 第 1の矩形領域を作成するェ 程と、 前記補正パターンのパターンヱ 'ンジから、 前記第 1 の方向に延びる区間長 さの最小値より短い複数の第 2の領域指定用ェッジを抽出する工程と、 前記第 2 の領域指定用ェッジを、 前記第 3の方向に前記補正パターンの内側に向かって、 最大補正量で平行移動させ、 前記平行移動させる前後の前記第 2の領域指定用ェ ッジ間に、 第 2の矩形領域を作成する工程と、 前記第 1 の矩形領域と前記第 2の 矩形領域の重なり部分を、 前記補正パターンから削除する工程と、 前記第 2の領 域指定用エッジが無くなるまで、 前記第 1の領域指定用エッジの抽出、 前記第 1 の矩形領域の作成、 前記第 2の領域指定用ェッジの抽出および前記第 2の矩形領 域の作成を繰り返す工程とを有することを特徴とする。
これにより、 近接効果を低減するためにマスクパターンの線幅補正を行つた後 、 パターンのコーナーなどで発生する微小段差や階段形状を、 汎用の図形演算ッ ールを用いた処理によって解消することが可能となる。 本発明のマスクパターン 補正方法によれば、 マスクパターンに生じる微小段差が、 マスクの欠陥検査で擬 似エラーとなるのを防止できる。 また、 微小段差の解消により、 データ処理量を 削減して、 マスクパターンの描画などを高速化することが可能となる。 図面の簡単な説明
図 1はパターンの線幅補正後に生じる微小段差を示す図である。
図 2はパターンの線幅補正後に生じる微小段差を示す図である。
図 3はパターンの線幅補正後に生じる微小段差を示す図である。
図 4はパタ一ンの線幅補正後に生じる微小段差を示す図である。
図 5 Aおよび図 5 Bは従来例および本発明の実施形態 5に係るマスクパターン 補正方法の工程を示す図である。 図 6 A〜図 6 Cは本発明の実施形態 1に係るマスクパターン補正方法の工程を 示す図である。
図 7 A〜図 7 Dは本発明の実施形態 1に係るマスクパターン補正方法の工程を 示す図である。
図 8 A〜図 8 Cは本発明の実施形態 2に係るマスクパターン補正方法の工程を 示す図である。
図 9 A〜図 9 Cは本発明の実施形態 2に係るマスクパターン補正方法の工程を 示す図である。
図 1 0は本発明の実施形態 2に係るマスクパターン補正方法の工程を示す図で あ 。
図 1 1 A〜図 1 1 Cは本発明の実施形態 3に係るマスクパターン補正方法のェ 程を示す図である。
図 1 2 A〜図 1 2 Cは本発明の実施形態 3に係るマスクパターン補正方法のェ 程を示す図である。
図 1 3八〜図1 3 Cは本発明の実施形態 4に係るマスクパターン補正方法のェ 程を示す図である。
図 1 4 A〜図 1 4 Cは本発明の実施形態 4に係るマスクパターン補正方法のェ 程を示す図である。
図 1 5八〜図1 5 Dは本発明の実施形態 5に係るマスクパターン補正方法のェ 程を示す図である。
図 1 6八〜図1 6 Cは本発明の実施形態 5に係るマスクパターン補正方法のェ 程を示す図である。 発明を実施するための最良の形態
以下に、 本発明のマスクパターン補正方法の実施の形態について、 図面を参照 して説明する。 本発明のマスクパターン補正方法は、 作成されたマスクパターン に線幅補正を行った後、 パターンのコーナ一等に発生する微小段差を解消するェ 程を有する。
以下の実施形態 1〜 5において、 微小段差の解消方法の具体例を説明する。 各 実施形態において、 最大補正量を Max (bias)と表す。 Max (bias)はパターンエッジ をそのエッジに対して直角方向にシフ トさせる量 （補正量） のパターン内での最 大値である。 また、 各実施形態において、 最終的な補正結果として望まれるエツ ジ長の下限値を Min (edge)と表す。
(実施形態 1 )
本実施形態では線幅補正により、 パターンのコーナ一で補正パターン間に生成 する凹部を解消する方法を説明する。 図 6 Aは本実施形態により凹部が埋め込ま れるパターンのコーナ一を示す。 図 6 Aのパターン P 1は図 2と同様に 1 3 5 ° のコーナ一 （丸で囲まれた部分） を舍み、 1 3 5 ° のコーナーの両側の捕正パタ ーン C l、 C 2の補正量が互いに異なるものとする。
図 6 Aに示す凹部 Dを埋め込むには、 まず、 図 6 Bに示すように、 パターン全 体を Max (bias)だけオーバーサイズする。 次に、 図 6 Cに示すように、 パターン エッジをそのエッジに対して垂直方向に、 Max (bias)だけシフ トさせる。 これに より、 仮領域 T 1、 T 2が形成される。 図 6 Bに示すオーバ一サイズと、 図 6 C に示すパターンェッジのシフ トの順序は入れ替えてもよい。
次に、 図 7 Aに示すように、 図 6 Bでォ一バーサイズされたパターンと、 図 6 Cで形成された仮領域 T 1、 T 2の合計との差分 P dを求める。 この差分 P dから 、 凹部埋め込み用パターンを作成する。
次に、 図 7 Bに示すように、 差分 P dのエッジから、 図 6 Aに示す捕正パター ン C l、 C 2のパターンエッジを除外し、 さらに、 差分 P dの最外周のエッジを 除外する。 これにより、 差分 P dのエッジのうち、 図 7 Bに太線で示すヱッジ e が抽出される。
次に、 図 7 Cに示すように、 図 7 Bで抽出されたエッジ eを、 エッジ eに垂直 方向に、 かつ差分 P dの内側に向かう方向に Max(bias)だけシフ トさせ、 シフ ト前 後のェッジ eの間に矩形領域 Rを生成させる。
その後、 図 7 Dに示すように、 線幅補正後のパターン （図 6 A参照） と差分 P d (図 7 A参照） とを合わせたものから、 矩形領域 R (図 7 C参照） を削除する これにより、 コーナーの両側の補正量を変更せずに、 コーナーの凹部が埋め込 まれる。 したがって、 マスクデータを描画する際などのデータ処理量が低減し、 処理が高速化される。 また、 マスクの欠陥検査において、 コーナーの微小段差が 擬似欠陥として検出されるのを画避することが可能となる。
(実施形態 2 )
本実施形態は実施形態 1 とコーナーの角度のみ異なる。 図 8 Aは本実施形態に より凹部が埋め込まれるパターンのコーナーを示す。 図 8 Aのパターン P 2は図 1と同様に 9 0 。 のコーナー （丸で囲まれた部分） を舍み、 9 0 ° のコーナーの 両側の補正パターン C 1、 C 2の補正量が互いに異なるものとする。
図 8 Aに示す凹部 Dを埋め込むには、 まず、 図 8 Bに示すように、 パターン全 体を Max (bias)だけオーバ一サイズする。 次に、 図 8 Cに示すように、 全パター ンエッジを各エッジに対して垂直方向に、 Max (bias)だけシフ トさせ、 仮領域 T 1、 T 2を形成する。 図 8 Bに示すオーバ一サイズと、 図 8 Cに示すパターンェ ッジのシフ トの順序は入れ替えてもよい。
次に、 図 9 Aに示すように、 図 8 Bでオーバ一サイズされたパターンと、 図 8 Cで形成された仮領域 T 1、 T 2の合計との差分 P dを求める。
次に、 図 9 Bに示すように、 差分 P dのエッジから、 図 8 Aに示す補正パター ン C l、 C 2のパターンエッジを除外し、 さらに、 差分 P dの最外周のエッジを 除外して、 図 9 Bに太線で示すエッジ eを抽出する。
次に、 図 9 Cに示すように、 図 9 Bで抽出されたエッジ eを、 エッジ eに垂直 方向に、 かつ差分 P dの内側に向かう方向に Max (bias)だけシフ トさせ、 シフ ト前 後のエツジ eの間に矩形領域 Rを生成させる。
その後、 図 1 0に示すように、 線幅補正後のパターン （図 8 A参照） と差分 P d (図 9 A参照） とを合わせたものから、 矩形領域 R (図 9 C参照） を削除する これにより、 コーナーの両側の補正量を変更せずに、 コーナ一の凹部が埋め込 まれる。 したがって、 マスクデータを描画する際などのデータ処理量が低減し、 処理が高速化される。 また、 マスクの欠陥検査において、 コーナーの微小段差が 擬似欠陥として検出されるのを回避することが可能となる。
(実施形態 3 )
本実施形態では線幅補正により、 パターンのコーナ一で補正パタ一ン藺に生成 する凹部を解消する方法を説明する。 図 1 1 Aは本実施形態により凹部が埋め込 まれるパターンのコーナーを示す。
実施形態 1および 2では、 パターンのコーナーが 1 8 0 ° 未満であるのに対し 、 本実施形態では図 3と同様にパターンのコーナーが 2 2 5 ° であり、 1 8 0 ° を超えている。 この場合、 1 3 5 ° のコーナーの内側に補正パターンが形成され るとも言える。
本実施形態においても、 コーナーの両側の補正パターン C 1、 C 2の補正量は 互いに異なるものとする。 図 1 1 Aに示すように、 パターン P 3のコーナーが 1 8 0 ° を超えている場合、 パターンのコーナ一 （丸で囲まれた部分） で補正パタ ーン同士が一部重なる。
図 1 1 Aに示す凹部 Dを埋め込むには、 まず、 図 1 1 Bに示すように、 長さが Max (bias)以下の辺であって、 両端の内角が 9 0 ° と 3 1 5 ° であるエッジ e 1 を抽出する。
次に、 図 1 1 Cに示すように、 図 1 1 Bで抽出されたェッジ e 1を一辺とする 正方形を形成する。 このとき、 補正パターン間の凹部 D上に正方形を配置する。 次に、 図 1 2 Aに示すように、 図 1 1 Cで形成された正方形の内部と重なり、 正方形の辺と重ならない補正パターンのェッジ e 2を抽出する。
次に、 図 1 2 Bに示すように、 エッジ e 1 (図 1 1 B参照） とエツジ e 2 (図 1 2 A参照） と正方形 （図 1 1 C参照） の一辺とで囲まれる領域 Tを埋め込む。 これにより、 図 1 2 Cに示すように、 コーナーの両側の捕正量を変更せずに、 コーナーの凹部が埋め込まれる。 したがって、 マスクデータを描画する際などの データ処理量が低減し、 処理が高速化される。 また、 マスクの欠陥検査において 、 コーナーの微小段差が擬似欠陥として検出されるのを回避することが可能とな る。
(実施形態 4 )
本実施形態では線幅補正により、 パターンのコーナ一で補正パターンに生成す る凸部を解消する方法を説明する。 図 1 3 Aは本実施形態により凸部が削られる パターンのコーナ一を示す。 図 1 3 Aのパターン P 4は図 4と同様に 1 3 5 ° の コーナ一を舍み、 1 3 5 ° のコーナー （丸で囲まれた部分） の外側に補正パター ン Cが追加されたものである。
図 1 3 Aに示す凸部 Pを削るには、 まず、 図 1 3 Bに示すように、 長さが Max ( bias)以下の辺であって、 両端の内角が 9 0 ° と 2 2 5 ° であるェッジ e 1を抽 出する。
次に、 図 1 3 Cに示すように、 図 1 3 Bで抽出されたエッジ e 1を一辺とする 正方形を形成する。 このとき、 補正パターン Cと重なる側に正方形を配置する。 次に、 図 1 4 Aに示すように、 図 1 3 Cで形成された正方形に重なる部分の補 正パターン Cのエッジ e 2を抽出する。
次に、 図 1 4 Bに示すように、 エッジ e 1とエッジ e 2を 2辺とする三角形の 領域 Tを形成する。 その後、 図 1 4 Cに示すように、 捕正パターン Cから領域 T を削除する。
これにより、 線幅の補正量を変更せずに、 コーナーの凸部が削られる。 したが つて、 マスクデータを描画する際などのデータ処理量が低減し、 処理が高速化さ れる。 また、 マスクの欠陥検査において、 コーナーの微小段差が擬似欠陥として 検出されるのを回避することが可能となる。
(実施形態 5 )
本実施形態では線幅補正により、 パターンエッジが階段形状となるのを解消す る方法を説明する。 図 5 Aは本実施形態により階段形状部分が削除されるパタ一 ンを示す。
図 5 Aのパターン P 5、 P 6は、 膦接する配線が平行でなく、 配線間距離が連 続的に変化する。 補正量は最小ダリ ッ ドの倍数により離散的に定義きれるため、 図 5 Bに示すように、 補正量を段階的に変更した補正パターン Cが作成される。 補正量は配線間距離に応じて変化する。
図 5 Bに示す階段形状部分 （丸で囲まれた部分） を削除するには、 まず、 図 1 5 Aに示すように、 線幅補正前のパターンエッジと垂直で、 長さが Max(bias)以 下のエッジ e 1を抽出する。 この工程で抽出される複数のエッジ e 1を、 図 1 5 Aに太線で示す。
次に、 図 1 5 Bに示すように、 図 1 5 Aで抽出されたェッジ e 1を、 エツジ e 1に対して垂直方向に、 かつ補正パターン Cの内側に向かう方向に Min (edge)だ けシフトさせる。 これにより、 シフ ト前後のヱッジ e 1の間に矩形領域 R 1を形 成する。 補正パターンが階段形状となっていることから、 複数の矩形領域 R 1が 形成される。
一方、 図1 5 Cに示すように、 線幅補正前のパターンエッジと平行で、 長さが Min (edge)より短いエッジ e 2を抽出する。 この工程で抽出される複数のエッジ e 2を、 図 1 5 Cに太線で示す。
次に、 図 1 5 Dに示すように、 図 1 5 Cで抽出されたエッジ e 2を、 そのエツ ジに対して垂直方向に、 かつ補正パターン Cの内側に向かう方向に Max (bias)だ けシフ トさせる。 これにより、 シフト前後のエッジ e 2の間に矩形領域 R 2を形 成する。 補正パターンが階段形状となっていることから、 複数の矩形領域 R 2が 形成される。 矩形領域 R 1 と矩形領域 R 2を形成する順序は、 入れ替えてもよい
次に、 図 1 6 Aに示すように、 矩形領域 R 1と矩形領域 R 2の重なり部分 （A N D部分） Aを求める。
次に、 図 1 6 Bに示すように、 矩形領域 R 1と矩形領域 R 2の A N D部分 A ( 図 1 6 C参照） を補正パターン Cから削除する。
その後、 図 1 5 A〜図 1 6 Bに示す工程を、 階段形状がなくなるまで繰り返す 。 これにより、 図 1 6 Cに示すように、 矩形の補正パターン C rが得られる。 上記の本実施形態のマスクパターン補正方法によれば、 斜め方向に延びるパタ ーンに追加される補正パターンにおいて、 階段形状となる部分が削除される。 し たがって、 マスクデータを描画する際などのデータ処理量が低減し、 処理が高速 化される。 また、 マスクの欠陥検査において、 コーナーの微小段差が擬似欠陥と して検出されるのを回避することが可能となる。
本発明のマスクパターン補正方法の実施形態は、 上記の説明に限定されない。 例えば、 コーナーの内側と外側の両方に補正パターンを追加して、 パターンの線 幅を増加させる場合に、 上記の実施形態のうちの異なる 2つを組み合わせてパタ ーンの補正を行うことも可能である。
その他、 本発明の要旨を逸脱しない範囲で、 種々の変更が可能である。
本発明のマスクパターン補正方法によれば、 パターンの線幅補正後に生じる微 小段差を、 簡易に解消することが可能となる。
産業上の利用可能性
本発明のマスクパターン補正方法は、 半導体装置の製造工程におけるリソグラ フィに用いられるマスクのパターンを補正するマスクパターンの補正方法に適用 可能である。

Claims

請求の範画
1 . 第 1の方向に延びる第 1のパターンと、 第 2の方向に延びる第 2のパター ンが所定の角度 。 をなして接するコーナーを含むマスクパターンの補正方法で めつ L、
前記第 1 のパターンの前記第 1の方向に延びるパターンェッジの一つであ りコーナーの外側にある第 1のパターンェッジを、 前記第 1の方向に垂直な第 3 の方向に第 1 の補正量で平行移動させ、 前記第 1 の補正量で平行移動させる前後 の前記第 1のパターンェッジ間に、 前.記第 1のパターンの線幅を増加させる第 1 の補正パターンを作成する工程と、
前記第 2のパターンの前記第 2の方向に延びるパターンェッジの一つでコ ーナ一の外側にあり、 前記第 1のパターンェッジと接する第 2のパターンェッジ を、 前記第 2の方向に垂直な第 4の方向に第 2の補正量で平行移動させ、 前記第 2の補正量で平行移動させる前後の前記第 2のパターンェッジ間に、 前記第 2の パターンの線幅を増加させる第 2の補正パターンを作成する工程と、
前記第 1のパターンと前記第 2のパターンを合わせた図形を拡大して拡大 図形を作成する工程であって、 前記第 1の補正量と前記第 2の補正量のうちの大 きい方である補正量と、 前記第 1のパターンの前記第 3の方向への移動量が一致 し、 かつ前記大きいほうである補正量と前記第 2のパターンの前記第 4の方向へ の移動量が一致するように、 前記図形を拡大する工程と、
前記第 1のパターンェ 'ンジを前記第 3の方向に前記大きいほうである補正 量で平行移動させ、 前記大きいほうである補正量で平行移動させる前後の前記第 1のパターンェッジ間に第 1の仮領域を作成する工程と、
前記第 2のパターンェ 'ンジを前記第 4の方向に前記大きいほうである補正 量で平行移動させ、 前記大きいほうである補正量で平行移動させる前後の前記第 2のバタ一ンヱッジ間に第 2の仮領域を作成する工程と、
拡大図形から前記第 1 の仮領域と前記第 2の仮領域を除外し、 段差埋め込 み用パターンを作成する工程と、
前記段差埋め込み用パターンの全パターンェッジから最外周ェッジを除外 し、 さらに前記第 1 の補正パターンのパターンェ 'ンジと前記第 2の補正パターン のパターンェッジを除外して、 領域指定用ェ 'ンジを抽出する工程と、
前記領域指定用ヱッジを前記領域指定用ヱ 'ンジに垂直な方向に、 かつ前記 段差埋め込み用パターンの内側に向かって前記大きいほうである補正量で平行移 動させ、 前記大きいほうである補正量で平行移動させる前後の前記領域指定用ェ ッジ間に削除領域を作成する工程と、 .
前記段差埋め込み用パターンから前記削除領域を削除し、 前記削除領域が 削除された前記段差埋め込み用パターンと、 前記第 1の補正パターンと前記第 2 の補正パターンを前記第 1のパターンと前記第 2のパターンに追加する工程とを 有する
マスクパターン補正方法。
2 . 前記図形を拡大する工程は、 前記第 1およびノまたは前記第 2のパターン のオーバ一サイズにより行われる
請求項 1に記載のマスクパターン補正方法。
3 . 前記第 1およびノまたは前記第 2の仮領域を作成する工程は、 前記第 1お よびノまたは前記第 2のパターンのオーバーサイズにより行われる
請求項 1に記載のマスクパターン補正方法。
4 . 前記第 1の仮領域と前記第 2の仮領域の除外は、 前記第 1の仮領域と前記 第 2の仮領域のアンダーサイズにより行われる
請求項 1に記載のマスクパターン補正方法。
5 . 前記第 1の補正パターンと前記第 2の補正パターンの補正量が互いに異な る
請求項 1に記載のマスクパターン補正方法。
6 . 前記最外周ヱ 'ン ジは、 前記第 1の仮領域のヱッジのうち前記第 1の方向へ 延長した線分の一部および前記第 2の仮領域の：!： 'ンジのうち前記第 2の方向へ延 長した線分の一部である
請求項 1に記載のマスクパターン補正方法。
7 . 前記大きいほうの補正量は、 前記第 1の補正量または前記第 2の補正量の うちいずれかの最大補正量である
請求項 1に記載のマスクパターン補正方法。
8 . 前記所定の角度 。 は、 9 0≤ く 1 8 0で規定される
請求項 1に記載のマスクパターン補正方法。
9 . 第 1の方向に延びる第 1のパターンと、 第 2の方向に延びる第 2のパター ンが所定の角度な。 をなして接するコーナーを舍むマスクパターンの補正方法で あつ 、
前記第 1のパターンの前記第 1の方向に延びるパターンェ 'ンジの一つであ りコーナーの内側にある第 1のパターンェッジを、 前記第 1の方向に垂直な第 3 の方向に第 1の補正量で平行移動させ、 前記第 1の補正量で平行移動させる前後 の前記第 1のパターンェッジ間に、 前記第 1のパターンの線幅を増加させる第 1 の補正パターンを作成する工程と、
前記第 2のパターンの前記第 2の方向に延びるパターンェッジの一つでコ —ナ一の内側にあり、 前記第 1のパターンェツジと接する第 2のパターンェッジ を、 前記第 2の方向に垂直な第 4の方向に第 2の補正量で平行移動させ、 前記第 2の補正量で平行移動させる前後の前記第 2のパターンヱッジ間に、 前記第 2の パターンの線幅を増加させる第 2の補正パターンを作成する工程と、
前記第 1 の補正パターンのパターンエツジと前記第 2の捕正パターンのパ ターンエッジから、 長さが前記第 1の補正量と前記第 2の補正量のうちの大きい 方である補正量以下であり、 一端の角が 9 0 ° で他端の角が 4 5 0 ° — α ° であ る領域指定用ヱッジを抽出する工程と、
前記領域指定用ヱ 'ンジを一辺とする正方形を、 前記領域指定用ェッジが舍 まれる補正パターンと重ならないように作成する工程と、
前記第 1 の補正パターンのパターンェッジと前記第 2の捕正パターンのパ ターンエッジから、 前記正方形内であつて前記正方形の辺と重ならない部分の前 記正方形内ェッジを抽出する工程と、
前記正方形の他の一辺であって前記領域指定用ヱッジに隣接する辺と、 前 記領域指定用ヱ 'ンジと、 前記正方形内エッジで囲まれる三角形パターンと、 前記 第 1 の補正パターンと前記第 2の補正パターンを前記第 1 のパターンと前記第 2 のパターンに追加する工程とを有する
マスクパターン補正方法。
1 0 . 前記第 1および/または前記第 2の補正パターンを作成する工程は、 前記 第 1およびノまたは前記第 2のパターンのオーバ一サイズにより行われる
請求項 9に記載のマスクパターン補正方法。
1 1 . 前記正方形を作成する工程の前に、 前記第 1の補正パターンおよび/また は前記第 2の補正パターンをァンダーサイズする
請求項 9に記載のマスクパターン補正方法。
1 2 . 前記第 1 の補正パターンと前記第 2の補正パターンの補正量が互いに異な る
請求項 9に記載のマスクパターン補正方法。 ，
1 3 . 前記大きいほうの補正量は、 前記第 1の補正量または前記第 2の補正量の うちいずれかの最大補正量である
請求項 9に記載のマスクパターン補正方法。
1 4 . 前記所定の角度 。 は、 9 0≤ or < 1 8 0で規定される
請求項 9に記載のマスクパターン補正方法。
1 5 . 第 1の方向に延びる第 1のパターンと、 第 2の方向に延びる第 2のパター ンが所定の角度ぼ。 をなして接するコーナ一を含むマスクパターンの補正方法で
¾>つ 、 前記第 1のパターンの前記第 1の方向に延びるパターンェッジの一つであ りコーナーの外側にある第 1のパターンェッジを、 前記第 1の方向に垂直な第 3 の方向に所定の補正量で平行移動させ、 前記所定の補正量で平行移動させる前後 の前記第 1のパターンェッジ間に、 前記第 1のパターンの線幅を増加させる補正 パターンを作成する工程と、
前記補正パターンのパターンェ 'ンジから、 長さが前記所定の補正量以下で あり、 一端の角が 9 0 ° で他端の角が or ° + 9 0 ° である領域指定用ヱッジを抽 出する工程と、
前記領域指定用ヱッジを一辺とする正方形を、 前記補正パターンと重なる ように作成する工程と、
前記第 1のパターンェッジを除く前記補正パターンのパターンェッジから 、 前記正方形の辺と重なる前記正方形上ヱッジを抽出する工程と、
前記領域指定用ェッジと前記正方形上ヱッジを二辺とする三角形パターン を作成する工程と、
前記補正パターンから前記三角形パターンを削除し、 前記三角形パターン が削除された前記補正パターンを前記第 1のパターンに追加する工程とを有する マスクパターン補正方法。
1 6 . 前記補正パターンを作成する工程は、 前記第 1 のパターンのオーバ一サイ ズにより行われる
請求項 1 5に記載のマスクパターン捕正方法。
1 7 . 前記正方形を作成する工程の前に、 前記補正パターンをアンダーサイズす る
請求項 1 5に記載のマスクパターン補正方法。
1 8 . 前記所定の角度 o ° は、 9 0≤ < 1 8 0で規定される
請求項 1 5に記載のマスクパターン補正方法。
1 9 . 第 1の方向に延びる第 1のパターンと、 第 2の方向に延びる第 2のパター ンを舍むマスクパターンの補正方法であって、
前記第 1のパターンの前記第 1の方向に延びるパターンェ 'ンジの一つ.であ り、 前記第 2のパターン側にある第 1のパターンェ 'ンジを複数の区間に分割する 工程と、
前記分割された各区間を、 前記第 2のパターンとの距離に応じた補正量で 、 前記第 1の方向に垂直な第 3の方向に平行移動させ、 前記平行移動させる前後 の前記各区間の間に前記第 1のパターンの線幅を増加させる補正パターンを作成 する工程と、
前記補正パターンのパターンェ ジから、 前記第 3の方向に延びる最大補 正量より短い複数の第 1の領域指定用:！：ッジを抽出する工程と、
前記第 1の領域指定用ヱッジを、 前記第 1の方向に前記補正パターンの内 側に向かって、 区間長さの最小値だけ平行移動させ、 前記平行移動させる前後の 前記第 1 の領域指定用ェツジ間に、 第 1の矩形領域を作成する工程と、
前記補正パターンのパターンエッジから、 前記第 1 の方向に延びる区間長 さの最小値より短い複数の第 2の領域指定用ェッジを抽出する工程と、
前記第 2の領域指定用ヱ 'ンジを、 前記第 3の方向に前記補正パターンの内 側に向かって、 最大補正量で平行移動させ、 前記平行移動させる前後の前記第 2 の領域指定用ェ 'ンジ間に、 第 2の矩形領域を作成する工程と、
前記第 1の矩形領域と前記第 2の矩形領域の重なり部分を、 前記補正バタ ーンから削除する工程と、
前記第 2の領域指定用:! ッジが無くなるまで、 前記第 1の領域指定用ェッ ジの抽出、 前記第 1の矩形領域の作成、 前記第 2の領域指定用エッジの抽出およ び前記第 2の矩形領域の作成を繰り返す工程とを有する
マスクパターン補正方法。
PCT/JP2003/012493 2002-10-02 2003-09-30 マスクパターン補正方法 WO2004031857A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10393430T DE10393430T5 (de) 2002-10-02 2003-09-30 Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters
US10/529,385 US20060014082A1 (en) 2002-10-02 2003-09-30 Method of correcting mask pattern

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002-290372 2002-10-02
JP2002290372A JP3659242B2 (ja) 2002-10-02 2002-10-02 マスクパターン補正方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2004031857A1 true WO2004031857A1 (ja) 2004-04-15

Family

ID=32063768

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2003/012493 WO2004031857A1 (ja) 2002-10-02 2003-09-30 マスクパターン補正方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20060014082A1 (ja)
JP (1) JP3659242B2 (ja)
KR (1) KR20050062567A (ja)
CN (1) CN1688932A (ja)
DE (1) DE10393430T5 (ja)
TW (1) TW200416494A (ja)
WO (1) WO2004031857A1 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4242796B2 (ja) * 2004-03-12 2009-03-25 パナソニック株式会社 画像認識方法及び画像認識装置
KR100822584B1 (ko) * 2005-09-16 2008-04-15 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 배선 형성 시스템 및 그 방법
JP2007286427A (ja) * 2006-04-18 2007-11-01 Sony Corp マスクパターン生成方法
KR100732772B1 (ko) * 2006-04-25 2007-06-27 주식회사 하이닉스반도체 마스크 레이아웃 형성 방법 및 이에 따른 레이아웃
US7683351B2 (en) * 2006-12-01 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2009210707A (ja) * 2008-03-03 2009-09-17 Nec Electronics Corp フォトマスク及びその設計方法と設計プログラム
CN103235486A (zh) * 2013-01-30 2013-08-07 常州同泰光电有限公司 一种校正曝光图形的方法
CN103941550B (zh) * 2014-03-24 2015-11-25 上海华力微电子有限公司 一种智能化选择性目标尺寸调整方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020007481A1 (en) * 2000-07-05 2002-01-17 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Apparatus and method of correcting layout pattern data, method of manufacturing semiconductor devices and recording medium
US20020026624A1 (en) * 2000-08-30 2002-02-28 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Correction of layout pattern data during semiconductor patterning process
EP1199651A2 (en) * 2000-10-18 2002-04-24 Sony Corporation Method for mask data verification and computer readable record medium recording the verification program

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020007481A1 (en) * 2000-07-05 2002-01-17 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Apparatus and method of correcting layout pattern data, method of manufacturing semiconductor devices and recording medium
US20020026624A1 (en) * 2000-08-30 2002-02-28 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Correction of layout pattern data during semiconductor patterning process
EP1199651A2 (en) * 2000-10-18 2002-04-24 Sony Corporation Method for mask data verification and computer readable record medium recording the verification program

Also Published As

Publication number Publication date
US20060014082A1 (en) 2006-01-19
KR20050062567A (ko) 2005-06-23
JP2004126236A (ja) 2004-04-22
TW200416494A (en) 2004-09-01
DE10393430T5 (de) 2005-09-15
JP3659242B2 (ja) 2005-06-15
CN1688932A (zh) 2005-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5341399B2 (ja) パターン検証方法、パターン検証装置、プログラム、及び半導体装置の製造方法
US6536015B2 (en) Apparatus and method of correcting layout pattern data, method of manufacturing semiconductor devices and recording medium
JP4510118B2 (ja) 光近接効果補正方法と装置、光近接効果検証方法と装置、露光用マスクの製造方法、更に光近接効果補正プログラムと光近接効果検証プログラム
US20060105249A1 (en) Exposure mask and method of manufacturing the same
JP4819540B2 (ja) 回路パターンデータ補正方法及び半導体装置の製造方法
JP2009282319A (ja) パターン検証方法、パターン検証システム、パターン検証プログラム、マスク製造方法、および半導体装置の製造方法
JP4568228B2 (ja) 半導体集積回路の自動設計方法、半導体集積回路の自動設計システム及び半導体集積回路
WO2004031857A1 (ja) マスクパターン補正方法
US7569842B2 (en) Method for correcting electron beam exposure data
US20050257188A1 (en) Pattern correcting method, mask making method, method of manufacturing semiconductor device, pattern correction system, and computer-readable recording medium having pattern correction program recorded therein
TWI603217B (zh) 積體電路之製造方法
JP4481731B2 (ja) 自動設計方法及び半導体集積回路
JP5082902B2 (ja) フォトマスクの製造方法、フォトマスク製造装置及びフォトマスク
CN113741139B (zh) 用于光学邻近修正的重定位方法
CN100592494C (zh) 修正接触孔金属覆盖层布图设计的方法
KR100815953B1 (ko) 오프 그리드 방지를 위한 ｏｐｃ 처리방법
JP5200602B2 (ja) 露光用データ作成方法及びフォトマスク製造方法
JP2007292983A (ja) 半導体レイアウトパタン検証装置及びマスクパタン生成装置
JP5061422B2 (ja) パターン補正方法及びパターン補正装置
JP3470369B2 (ja) 半導体装置の回路パターン設計方法及び直接描画装置
JP2006179816A (ja) 半導体集積回路の自動設計方法
Rieger et al. Anticipating and controlling mask costs within EDA physical design
JP5630149B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP4181205B2 (ja) 光近接効果補正方法
JP4074329B2 (ja) 光近接効果補正方法

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): CN DE KR US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020057005239

Country of ref document: KR

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2006014082

Country of ref document: US

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10529385

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 20038236222

Country of ref document: CN

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020057005239

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 10529385

Country of ref document: US