JP3659242B2 - マスクパターン補正方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、リソグラフィに用いられるマスクのパターンを補正する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスにおける微細化の要求は近年ますます厳しくなっており、デザインルールはフォトリソグラフィの露光波長の１／２以下に達している。デバイスのさらなる微細化に対応できるリソグラフィ技術として、電子ビームリソグラフィ技術が注目されている。
【０００３】
パターンの微細化に伴い、マスク上のパターンと実際に転写されるパターンが異なるという問題（近接効果）が発生する。このような近接効果の影響を低減するため、マスクパターンに近接効果補正が施される。近接効果補正の一つとして、線幅補正処理がある。
【０００４】
線幅補正処理は各配線の線幅を、その配線の線幅とその配線と隣接配線との距離に応じて、事前に規定されたシフト量だけ増減させるマスクパターンデータ処理であり、広く使われている。具体的には、上記の線幅と距離の二つの条件に適合するパターンエッジ（以下、エッジとも表す。）を抽出し、そのエッジをエッジに対して垂直方向に規定量だけシフトさせる図形操作を行う。線幅補正処理の前後のエッジは、互いに平行となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のように線幅と配線間距離とに基づいて線幅補正を行うと、補正量と同程度の段差をもった凹部や凸部が形成される。例えば、図１３に示すように、パターンＩの９０°コーナーを介して隣接する辺で補正量ａ、ｂが互いに異なる場合には、コーナー（丸で囲んだ部分）に凹部Ｄが生成する。
【０００６】
コーナーの角度が９０°以外の場合も、線幅補正によってコーナー部に凹部または凸部が生成する。例えば、図１４に示すように、パターンIIの１３５°コーナーでは、補正パターンＣ１、Ｃ２の間（丸で囲んだ部分）に４５°の角をもつ凹部Ｄが生成する。
【０００７】
また、例えば、図１５に示すように、パターンIIIの２２５°コーナーでは、補正パターンＣ１、Ｃ２の間（丸で囲んだ部分）に４５°の角をもつ凹部Ｄが生成する。
図１６に示すように、パターンIVの１３５°コーナーを介して隣接する辺の一方に補正パターンＣを加えた場合には、コーナー（丸で囲んだ部分）に凸部Ｐが生成する。
【０００８】
一方、隣接する配線が平行でない場合には、図１０（ａ）に示すように、配線間距離は連続的に変化する。補正量は最小グリッドの倍数により離散的に定義されるため、補正パターンの補正量が連続的に変化する場合であっても、実際にマスクに形成するパターンでは、図１０（ｂ）に示すように、矩形パターンを組み合わせた階段状の補正パターンが作成される。すなわち、線幅と配線間距離が所定の範囲内にある部分に対して、一律の補正量が適用される。
【０００９】
以上のように、線幅補正処理を行うと、パターンのコーナーで凹部や凸部が生成したり、斜め方向に延びるパターンで階段状の補正パターンが生成したりする。このような凹部または凸部や階段状パターンが存在すると、マスクデータの図形数が多くなり、マスクにパターンを描画するためのデータ転送時間や描画時間が長くなる。
【００１０】
また、線幅補正により生成する微細な凹部、凸部または階段状パターンが、マスクの欠陥検査において、擬似的に欠陥として認識される問題もある。このような擬似欠陥により、欠陥検出の所要時間が長くなったり、欠陥検査が停止したりすることがある。
【００１１】
凹部や凸部などの微小な段差を解消する方法として、パターンに最大補正量を超える一定量の拡大（オーバーサイズ）を行って、段差を埋め込んでから、パターンに縮小（アンダーサイズ）を行う方法や、逆に、アンダーサイズを行ってからオーバーサイズを行う方法がある。
【００１２】
このような方法によれば、段差の埋め込みは可能であるが、コーナーを介して隣接する辺で補正量が互いに異なる場合（例えば、図１３の補正量ａ、ｂ参照。）に、段差埋め込み後の補正量が変化したり、補正量の変化によってパターンの外形（トポロジー）が変化したりする問題が起こる。補正量が変化すると、近接効果の補正に影響が生じる。
【００１３】
また、マスクパターンの作成や描画を短時間で行うためには、線幅補正後のパターンの修正を、マスク描画装置などに備えられているような汎用の図形演算ツールを用いて行えることが望ましい。
【００１４】
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、したがって本発明は、パターンの線幅補正後に生じる微小段差を、簡易に解消できるマスクパターン補正方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明のマスクパターン補正方法は、第１の方向に延びる第１のパターンと、第２の方向に延びる第２のパターンが所定の角度α°（９０≦α＜１８０）をなして接するコーナーを含むマスクパターンの補正方法であって、第１のパターンの第１の方向に延びるパターンエッジの一つでありコーナーの外側にある第１のパターンエッジを、第１の方向に垂直な第３の方向に第１の補正量で平行移動させ、第１の補正量で平行移動させる前後の第１のパターンエッジ間に、第１のパターンの線幅を増加させる第１の補正パターンを作成する工程と、第２のパターンの第２の方向に延びるパターンエッジの一つでコーナーの外側にあり、第１のパターンエッジと接する第２のパターンエッジを、第２の方向に垂直な第４の方向に第２の補正量で平行移動させ、第２の補正量で平行移動させる前後の第２のパターンエッジ間に、第２のパターンの線幅を増加させる第２の補正パターンを作成する工程と、第１のパターンと第２のパターンを合わせた図形を拡大して拡大図形を作成する工程であって、第１の補正量と第２の補正量のうちの大きい方である最大補正量と、第１のパターンの第３の方向への移動量が一致し、かつ最大補正量と第２のパターンの第４の方向への移動量が一致するように、図形を拡大する工程と、第１のパターンエッジを第３の方向に最大補正量で平行移動させ、最大補正量で平行移動させる前後の第１のパターンエッジ間に第１の仮領域を作成する工程と、第２のパターンエッジを第４の方向に最大補正量で平行移動させ、最大補正量で平行移動させる前後の第２のパターンエッジ間に第２の仮領域を作成する工程と、拡大図形から第１の仮領域と第２の仮領域を除外し、段差埋め込み用パターンを作成する工程と、段差埋め込み用パターンの全パターンエッジから最外周エッジを除外し、さらに第１の補正パターンのパターンエッジと第２の補正パターンのパターンエッジを除外して、領域指定用エッジを抽出する工程と、領域指定用エッジを領域指定用エッジに垂直な方向に、かつ段差埋め込み用パターンの内側に向かって最大補正量で平行移動させ、最大補正量で平行移動させる前後の領域指定用エッジ間に削除領域を作成する工程と、段差埋め込み用パターンから削除領域を削除し、削除領域が削除された段差埋め込み用パターンと、第１の補正パターンと第２の補正パターンを第１のパターンと第２のパターンに追加する工程とを有することを特徴とする。
【００１６】
また、上記の目的を達成するため、本発明のマスクパターン補正方法は、第１の方向に延びる第１のパターンと、第２の方向に延びる第２のパターンが所定の角度α°（９０≦α＜１８０）をなして接するコーナーを含むマスクパターンの補正方法であって、第１のパターンの第１の方向に延びるパターンエッジの一つでありコーナーの内側にある第１のパターンエッジを、第１の方向に垂直な第３の方向に第１の補正量で平行移動させ、第１の補正量で平行移動させる前後の第１のパターンエッジ間に、第１のパターンの線幅を増加させる第１の補正パターンを作成する工程と、第２のパターンの第２の方向に延びるパターンエッジの一つでコーナーの内側にあり、第１のパターンエッジと接する第２のパターンエッジを、第２の方向に垂直な第４の方向に第２の補正量で平行移動させ、第２の補正量で平行移動させる前後の第２のパターンエッジ間に、第２のパターンの線幅を増加させる第２の補正パターンを作成する工程と、第１の補正パターンのパターンエッジと第２の補正パターンのパターンエッジから、長さが第１の補正量と第２の補正量のうちの大きい方である最大補正量以下であり、一端の角が９０°で他端の角が４５０°−α°である領域指定用エッジを抽出する工程と、領域指定用エッジを一辺とする正方形を、領域指定用エッジが含まれる補正パターンと重ならないように作成する工程と、第１の補正パターンのパターンエッジと第２の補正パターンのパターンエッジから、正方形内であって正方形の辺と重ならない部分の正方形内エッジを抽出する工程と、正方形の他の一辺であって領域指定用エッジに隣接する辺と、領域指定用エッジと、正方形内エッジで囲まれる三角形パターンと、第１の補正パターンと第２の補正パターンを第１のパターンと第２のパターンに追加する工程とを有することを特徴とする。
【００１７】
また、上記の目的を達成するため、本発明のマスクパターン補正方法は、第１の方向に延びる第１のパターンと、第２の方向に延びる第２のパターンが所定の角度α°（９０≦α＜１８０）をなして接するコーナーを含むマスクパターンの補正方法であって、第１のパターンの第１の方向に延びるパターンエッジの一つでありコーナーの外側にある第１のパターンエッジを、第１の方向に垂直な第３の方向に所定の補正量で平行移動させ、所定の補正量で平行移動させる前後の第１のパターンエッジ間に、第１のパターンの線幅を増加させる補正パターンを作成する工程と、補正パターンのパターンエッジから、長さが所定の補正量以下であり、一端の角が９０°で他端の角がα°＋９０°である領域指定用エッジを抽出する工程と、領域指定用エッジを一辺とする正方形を、補正パターンと重なるように作成する工程と、第１のパターンエッジを除く補正パターンのパターンエッジから、正方形の辺と重なる正方形上エッジを抽出する工程と、領域指定用エッジと正方形上エッジを二辺とする三角形パターンを作成する工程と、補正パターンから三角形パターンを削除し、三角形パターンが削除された補正パターンを第１のパターンに追加する工程とを有することを特徴とする。
【００１８】
また、上記の目的を達成するため、本発明のマスクパターン補正方法は、第１の方向に延びる第１のパターンと、第２の方向に延びる第２のパターンを含むマスクパターンの補正方法であって、第１のパターンの第１の方向に延びるパターンエッジの一つであり、第２のパターン側にある第１のパターンエッジを複数の区間に分割する工程と、分割された各区間を、第２のパターンとの距離に応じた補正量で、第１の方向に垂直な第３の方向に平行移動させ、平行移動させる前後の各区間の間に第１のパターンの線幅を増加させる補正パターンを作成する工程と、補正パターンのパターンエッジから、第３の方向に延びる最大補正量より短い複数の第１の領域指定用エッジを抽出する工程と、第１の領域指定用エッジを、第１の方向に補正パターンの内側に向かって、最終的な補正結果として望まれる区間長さの最小値で平行移動させ、平行移動させる前後の第１の領域指定用エッジ間に、第１の矩形領域を作成する工程と、補正パターンのパターンエッジから、第１の方向に延びる最終的な補正結果として望まれる区間長さの最小値より短い複数の第２の領域指定用エッジを抽出する工程と、第２の領域指定用エッジを、第３の方向に補正パターンの内側に向かって、最大補正量で平行移動させ、平行移動させる前後の第２の領域指定用エッジ間に、第２の矩形領域を作成する工程と、第１の矩形領域と第２の矩形領域の重なり部分を、補正パターンから削除する工程と、第２の領域指定用エッジが無くなるまで、第１の領域指定用エッジの抽出、第１の矩形領域の作成、第２の領域指定用エッジの抽出および第２の矩形領域の作成を繰り返す工程とを有することを特徴とする。
【００１９】
これにより、近接効果を低減するためにマスクパターンの線幅補正を行った後、パターンのコーナーなどで発生する微小段差や階段形状を、汎用の図形演算ツールを用いた処理によって解消することが可能となる。本発明のマスクパターン補正方法によれば、マスクパターンに生じる微小段差が、マスクの欠陥検査で擬似エラーとなるのを防止できる。また、微小段差の解消により、データ処理量を削減して、マスクパターンの描画などを高速化することが可能となる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明のマスクパターン補正方法の実施の形態について、図面を参照して説明する。本発明のマスクパターン補正方法は、作成されたマスクパターンに線幅補正を行った後、パターンのコーナー等に発生する微小段差を解消する工程を有する。
【００２１】
以下の実施形態１〜５において、微小段差の解消方法の具体例を説明する。各実施形態において、最大補正量をMax(bias)と表す。Max(bias)はパターンエッジをそのエッジに対して直角方向にシフトさせる量（補正量）のパターン内での最大値である。また、各実施形態において、最終的な補正結果として望まれるエッジ長の下限値をMin(edge)と表す。
【００２２】
（実施形態１）
本実施形態では線幅補正により、パターンのコーナーで補正パターン間に生成する凹部を解消する方法を説明する。図１（ａ）は本実施形態により凹部が埋め込まれるパターンのコーナーを示す。図１（ａ）のパターンＰ１は図１４と同様に１３５°のコーナー（丸で囲まれた部分）を含み、１３５°のコーナーの両側の補正パターンＣ１、Ｃ２の補正量が互いに異なるものとする。
【００２３】
図１（ａ）に示す凹部Ｄを埋め込むには、まず、図１（ｂ）に示すように、パターン全体をMax(bias)だけオーバーサイズする。次に、図１（ｃ）に示すように、パターンエッジをそのエッジに対して垂直方向に、Max(bias)だけシフトさせる。これにより、仮領域Ｔ１、Ｔ２が形成される。図１（ｂ）に示すオーバーサイズと、図１（ｃ）に示すパターンエッジのシフトの順序は入れ替えてもよい。
【００２４】
次に、図２（ｄ）に示すように、図１（ｂ）でオーバーサイズされたパターンと、図１（ｃ）で形成された仮領域Ｔ１、Ｔ２の合計との差分Ｐdを求める。この差分Ｐdから、凹部埋め込み用パターンを作成する。
【００２５】
次に、図２（ｅ）に示すように、差分Ｐdのエッジから、図１（ａ）に示す補正パターンＣ１、Ｃ２のパターンエッジを除外し、さらに、差分Ｐdの最外周のエッジを除外する。これにより、差分Ｐdのエッジのうち、図２（ｅ）に太線で示すエッジｅが抽出される。
【００２６】
次に、図２（ｆ）に示すように、図２（ｅ）で抽出されたエッジｅを、エッジｅに垂直方向に、かつ差分Ｐdの内側に向かう方向にMax(bias)だけシフトさせ、シフト前後のエッジｅの間に矩形領域Ｒを生成させる。
その後、図２（ｇ）に示すように、線幅補正後のパターン（図１（ａ）参照）と差分Ｐd（図２（ｄ）参照）とを合わせたものから、矩形領域Ｒ（図２（ｆ）参照）を削除する。
【００２７】
これにより、コーナーの両側の補正量を変更せずに、コーナーの凹部が埋め込まれる。したがって、マスクデータを描画する際などのデータ処理量が低減し、処理が高速化される。また、マスクの欠陥検査において、コーナーの微小段差が擬似欠陥として検出されるのを回避することが可能となる。
【００２８】
（実施形態２）
本実施形態は実施形態１とコーナーの角度のみ異なる。図３（ａ）は本実施形態により凹部が埋め込まれるパターンのコーナーを示す。図３（ａ）のパターンＰ２は図１３と同様に９０°のコーナー（丸で囲まれた部分）を含み、９０°のコーナーの両側の補正パターンＣ１、Ｃ２の補正量が互いに異なるものとする。
【００２９】
図３（ａ）に示す凹部Ｄを埋め込むには、まず、図３（ｂ）に示すように、パターン全体をMax(bias)だけオーバーサイズする。次に、図３（ｃ）に示すように、全パターンエッジを各エッジに対して垂直方向に、Max(bias)だけシフトさせ、仮領域Ｔ１、Ｔ２を形成する。図３（ｂ）に示すオーバーサイズと、図３（ｃ）に示すパターンエッジのシフトの順序は入れ替えてもよい。
【００３０】
次に、図４（ｄ）に示すように、図３（ｂ）でオーバーサイズされたパターンと、図３（ｃ）で形成された仮領域Ｔ１、Ｔ２の合計との差分Ｐdを求める。
次に、図４（ｅ）に示すように、差分Ｐdのエッジから、図３（ａ）に示す補正パターンＣ１、Ｃ２のパターンエッジを除外し、さらに、差分Ｐdの最外周のエッジを除外して、図４（ｅ）に太線で示すエッジｅを抽出する。
【００３１】
次に、図４（ｆ）に示すように、図４（ｅ）で抽出されたエッジｅを、エッジｅに垂直方向に、かつ差分Ｐdの内側に向かう方向にMax(bias)だけシフトさせ、シフト前後のエッジｅの間に矩形領域Ｒを生成させる。
その後、図５（ｇ）に示すように、線幅補正後のパターン（図３（ａ）参照）と差分Ｐd（図４（ｄ）参照）とを合わせたものから、矩形領域Ｒ（図４（ｆ）参照）を削除する。
【００３２】
これにより、コーナーの両側の補正量を変更せずに、コーナーの凹部が埋め込まれる。したがって、マスクデータを描画する際などのデータ処理量が低減し、処理が高速化される。また、マスクの欠陥検査において、コーナーの微小段差が擬似欠陥として検出されるのを回避することが可能となる。
【００３３】
（実施形態３）
本実施形態では線幅補正により、パターンのコーナーで補正パターン間に生成する凹部を解消する方法を説明する。図６（ａ）は本実施形態により凹部が埋め込まれるパターンのコーナーを示す。
【００３４】
実施形態１および２では、パターンのコーナーが１８０°未満であるのに対し、本実施形態では図１５と同様にパターンのコーナーが２２５°であり、１８０°を超えている。この場合、１３５°のコーナーの内側に補正パターンが形成されるとも言える。
【００３５】
本実施形態においても、コーナーの両側の補正パターンＣ１、Ｃ２の補正量は互いに異なるものとする。図６（ａ）に示すように、パターンＰ３のコーナーが１８０°を超えている場合、パターンのコーナー（丸で囲まれた部分）で補正パターン同士が一部重なる。
【００３６】
図６（ａ）に示す凹部Ｄを埋め込むには、まず、図６（ｂ）に示すように、長さがMax(bias)以下の辺であって、両端の内角が９０°と３１５°であるエッジｅ１を抽出する。
次に、図６（ｃ）に示すように、図６（ｂ）で抽出されたエッジｅ１を一辺とする正方形を形成する。このとき、補正パターン間の凹部Ｄ上に正方形を配置する。
【００３７】
次に、図７（ｄ）に示すように、図６（ｃ）で形成された正方形の内部と重なり、正方形の辺と重ならない補正パターンのエッジｅ２を抽出する。
次に、図７（ｅ）に示すように、エッジｅ１（図６（ｂ）参照）とエッジｅ２（図７（ｄ）参照）と正方形（図６（ｃ）参照）の一辺とで囲まれる領域Ｔを埋め込む。
【００３８】
これにより、図７（ｆ）に示すように、コーナーの両側の補正量を変更せずに、コーナーの凹部が埋め込まれる。したがって、マスクデータを描画する際などのデータ処理量が低減し、処理が高速化される。また、マスクの欠陥検査において、コーナーの微小段差が擬似欠陥として検出されるのを回避することが可能となる。
【００３９】
（実施形態４）
本実施形態では線幅補正により、パターンのコーナーで補正パターンに生成する凸部を解消する方法を説明する。図８（ａ）は本実施形態により凸部が削られるパターンのコーナーを示す。図８（ａ）のパターンＰ４は図１６と同様に１３５°のコーナーを含み、１３５°のコーナー（丸で囲まれた部分）の外側に補正パターンＣが追加されたものである。
【００４０】
図８（ａ）に示す凸部Ｐを削るには、まず、図８（ｂ）に示すように、長さがMax(bias)以下の辺であって、両端の内角が９０°と２２５°であるエッジｅ１を抽出する。
次に、図８（ｃ）に示すように、図８（ｂ）で抽出されたエッジｅ１を一辺とする正方形を形成する。このとき、補正パターンＣと重なる側に正方形を配置する。
【００４１】
次に、図９（ｄ）に示すように、図８（ｃ）で形成された正方形に重なる部分の補正パターンＣのエッジｅ２を抽出する。
次に、図９（ｅ）に示すように、エッジｅ１とエッジｅ２を２辺とする三角形の領域Ｔを形成する。その後、図９（ｆ）に示すように、補正パターンＣから領域Ｔを削除する。
【００４２】
これにより、線幅の補正量を変更せずに、コーナーの凸部が削られる。したがって、マスクデータを描画する際などのデータ処理量が低減し、処理が高速化される。また、マスクの欠陥検査において、コーナーの微小段差が擬似欠陥として検出されるのを回避することが可能となる。
【００４３】
（実施形態５）
本実施形態では線幅補正により、パターンエッジが階段形状となるのを解消する方法を説明する。図１０（ａ）は本実施形態により階段形状部分が削除されるパターンを示す。
【００４４】
図１０（ａ）のパターンＰ５、Ｐ６は、隣接する配線が平行でなく、配線間距離が連続的に変化する。補正量は最小グリッドの倍数により離散的に定義されるため、図１０（ｂ）に示すように、補正量を段階的に変更した補正パターンＣが作成される。補正量は配線間距離に応じて変化する。
【００４５】
図１０（ｂ）に示す階段形状部分（丸で囲まれた部分）を削除するには、まず、図１１（ｃ）に示すように、線幅補正前のパターンエッジと垂直で、長さがMax(bias)以下のエッジｅ１を抽出する。この工程で抽出される複数のエッジｅ１を、図１１（ｃ）に太線で示す。
【００４６】
次に、図１１（ｄ）に示すように、図１１（ｃ）で抽出されたエッジｅ１を、エッジｅ１に対して垂直方向に、かつ補正パターンＣの内側に向かう方向にMin(edge)だけシフトさせる。これにより、シフト前後のエッジｅ１の間に矩形領域Ｒ１を形成する。補正パターンが階段形状となっていることから、複数の矩形領域Ｒ１が形成される。
【００４７】
一方、図１１（ｅ）に示すように、線幅補正前のパターンエッジと平行で、長さがMin(edge)より短いエッジｅ２を抽出する。この工程で抽出される複数のエッジｅ２を、図１１（ｅ）に太線で示す。
【００４８】
次に、図１１（ｆ）に示すように、図１１（ｅ）で抽出されたエッジｅ２を、そのエッジに対して垂直方向に、かつ補正パターンＣの内側に向かう方向にMax(bias)だけシフトさせる。これにより、シフト前後のエッジｅ２の間に矩形領域Ｒ２を形成する。補正パターンが階段形状となっていることから、複数の矩形領域Ｒ２が形成される。矩形領域Ｒ１と矩形領域Ｒ２を形成する順序は、入れ替えてもよい。
【００４９】
次に、図１２（ｇ）に示すように、矩形領域Ｒ１と矩形領域Ｒ２の重なり部分（ＡＮＤ部分）Ａを求める。
次に、図１２（ｈ）に示すように、矩形領域Ｒ１と矩形領域Ｒ２のＡＮＤ部分Ａ（図１２（ｇ）参照）を補正パターンＣから削除する。
その後、図１１（ｃ）〜図１２（ｈ）に示す工程を、階段形状がなくなるまで繰り返す。これにより、図１２（ｉ）に示すように、矩形の補正パターンＣｒが得られる。
【００５０】
上記の本実施形態のマスクパターン補正方法によれば、斜め方向に延びるパターンに追加される補正パターンにおいて、階段形状となる部分が削除される。したがって、マスクデータを描画する際などのデータ処理量が低減し、処理が高速化される。また、マスクの欠陥検査において、コーナーの微小段差が擬似欠陥として検出されるのを回避することが可能となる。
【００５１】
本発明のマスクパターン補正方法の実施形態は、上記の説明に限定されない。例えば、コーナーの内側と外側の両方に補正パターンを追加して、パターンの線幅を増加させる場合に、上記の実施形態のうちの異なる２つを組み合わせてパターンの補正を行うことも可能である。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【００５２】
【発明の効果】
本発明のマスクパターン補正方法によれば、パターンの線幅補正後に生じる微小段差を、簡易に解消することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施形態１に係るマスクパターン補正方法の工程を示す図である。
【図２】図２（ｄ）〜（ｇ）は本発明の実施形態１に係るマスクパターン補正方法の工程を示す図である。
【図３】図３（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施形態２に係るマスクパターン補正方法の工程を示す図である。
【図４】図４（ｄ）〜（ｆ）は本発明の実施形態２に係るマスクパターン補正方法の工程を示す図である。
【図５】図５（ｇ）は本発明の実施形態２に係るマスクパターン補正方法の工程を示す図である。
【図６】図６（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施形態３に係るマスクパターン補正方法の工程を示す図である。
【図７】図７（ｄ）〜（ｆ）は本発明の実施形態３に係るマスクパターン補正方法の工程を示す図である。
【図８】図８（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施形態４に係るマスクパターン補正方法の工程を示す図である。
【図９】図９（ｄ）〜（ｆ）は本発明の実施形態４に係るマスクパターン補正方法の工程を示す図である。
【図１０】図１０（ａ）および（ｂ）は本発明の実施形態５に係るマスクパターン補正方法の工程を示す図である。
【図１１】図１１（ｃ）〜（ｆ）は本発明の実施形態５に係るマスクパターン補正方法の工程を示す図である。
【図１２】図１２（ｇ）〜（ｉ）は本発明の実施形態５に係るマスクパターン補正方法の工程を示す図である。
【図１３】図１３はパターンの線幅補正後に生じる微小段差を示す図である。
【図１４】図１４はパターンの線幅補正後に生じる微小段差を示す図である。
【図１５】図１５はパターンの線幅補正後に生じる微小段差を示す図である。
【図１６】図１６はパターンの線幅補正後に生じる微小段差を示す図である。
【符号の説明】
Ｐ１…パターン、Ｃ１、Ｃ２…補正パターン、Ｄ…凹部、Ｔ１、Ｔ２…仮領域、Ｐd…分、ｅ…エッジ、Ｒ…矩形領域、Ｐ２、Ｐ３…パターン、ｅ１…エッジ、ｅ２…補正パターンのエッジ、Ｔ…領域、Ｐ４…パターン、Ｃ…補正パターン、Ｐ５、Ｐ６…パターン、Ｒ１、Ｒ２…矩形領域、Ａ…Ｒ１とＲ２のＡＮＤ部分、Ｃｒ…矩形の補正パターン、Ｉ…パターン、ａ、ｂ…補正量、II、III、IV…パターン、Ｐ…凸部
【発明の属する技術分野】
本発明は、リソグラフィに用いられるマスクのパターンを補正する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスにおける微細化の要求は近年ますます厳しくなっており、デザインルールはフォトリソグラフィの露光波長の１／２以下に達している。デバイスのさらなる微細化に対応できるリソグラフィ技術として、電子ビームリソグラフィ技術が注目されている。
【０００３】
パターンの微細化に伴い、マスク上のパターンと実際に転写されるパターンが異なるという問題（近接効果）が発生する。このような近接効果の影響を低減するため、マスクパターンに近接効果補正が施される。近接効果補正の一つとして、線幅補正処理がある。
【０００４】
線幅補正処理は各配線の線幅を、その配線の線幅とその配線と隣接配線との距離に応じて、事前に規定されたシフト量だけ増減させるマスクパターンデータ処理であり、広く使われている。具体的には、上記の線幅と距離の二つの条件に適合するパターンエッジ（以下、エッジとも表す。）を抽出し、そのエッジをエッジに対して垂直方向に規定量だけシフトさせる図形操作を行う。線幅補正処理の前後のエッジは、互いに平行となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のように線幅と配線間距離とに基づいて線幅補正を行うと、補正量と同程度の段差をもった凹部や凸部が形成される。例えば、図１３に示すように、パターンＩの９０°コーナーを介して隣接する辺で補正量ａ、ｂが互いに異なる場合には、コーナー（丸で囲んだ部分）に凹部Ｄが生成する。
【０００６】
コーナーの角度が９０°以外の場合も、線幅補正によってコーナー部に凹部または凸部が生成する。例えば、図１４に示すように、パターンIIの１３５°コーナーでは、補正パターンＣ１、Ｃ２の間（丸で囲んだ部分）に４５°の角をもつ凹部Ｄが生成する。
【０００７】
また、例えば、図１５に示すように、パターンIIIの２２５°コーナーでは、補正パターンＣ１、Ｃ２の間（丸で囲んだ部分）に４５°の角をもつ凹部Ｄが生成する。
図１６に示すように、パターンIVの１３５°コーナーを介して隣接する辺の一方に補正パターンＣを加えた場合には、コーナー（丸で囲んだ部分）に凸部Ｐが生成する。
【０００８】
一方、隣接する配線が平行でない場合には、図１０（ａ）に示すように、配線間距離は連続的に変化する。補正量は最小グリッドの倍数により離散的に定義されるため、補正パターンの補正量が連続的に変化する場合であっても、実際にマスクに形成するパターンでは、図１０（ｂ）に示すように、矩形パターンを組み合わせた階段状の補正パターンが作成される。すなわち、線幅と配線間距離が所定の範囲内にある部分に対して、一律の補正量が適用される。
【０００９】
以上のように、線幅補正処理を行うと、パターンのコーナーで凹部や凸部が生成したり、斜め方向に延びるパターンで階段状の補正パターンが生成したりする。このような凹部または凸部や階段状パターンが存在すると、マスクデータの図形数が多くなり、マスクにパターンを描画するためのデータ転送時間や描画時間が長くなる。
【００１０】
また、線幅補正により生成する微細な凹部、凸部または階段状パターンが、マスクの欠陥検査において、擬似的に欠陥として認識される問題もある。このような擬似欠陥により、欠陥検出の所要時間が長くなったり、欠陥検査が停止したりすることがある。
【００１１】
凹部や凸部などの微小な段差を解消する方法として、パターンに最大補正量を超える一定量の拡大（オーバーサイズ）を行って、段差を埋め込んでから、パターンに縮小（アンダーサイズ）を行う方法や、逆に、アンダーサイズを行ってからオーバーサイズを行う方法がある。
【００１２】
このような方法によれば、段差の埋め込みは可能であるが、コーナーを介して隣接する辺で補正量が互いに異なる場合（例えば、図１３の補正量ａ、ｂ参照。）に、段差埋め込み後の補正量が変化したり、補正量の変化によってパターンの外形（トポロジー）が変化したりする問題が起こる。補正量が変化すると、近接効果の補正に影響が生じる。
【００１３】
また、マスクパターンの作成や描画を短時間で行うためには、線幅補正後のパターンの修正を、マスク描画装置などに備えられているような汎用の図形演算ツールを用いて行えることが望ましい。
【００１４】
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、したがって本発明は、パターンの線幅補正後に生じる微小段差を、簡易に解消できるマスクパターン補正方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明のマスクパターン補正方法は、第１の方向に延びる第１のパターンと、第２の方向に延びる第２のパターンが所定の角度α°（９０≦α＜１８０）をなして接するコーナーを含むマスクパターンの補正方法であって、第１のパターンの第１の方向に延びるパターンエッジの一つでありコーナーの外側にある第１のパターンエッジを、第１の方向に垂直な第３の方向に第１の補正量で平行移動させ、第１の補正量で平行移動させる前後の第１のパターンエッジ間に、第１のパターンの線幅を増加させる第１の補正パターンを作成する工程と、第２のパターンの第２の方向に延びるパターンエッジの一つでコーナーの外側にあり、第１のパターンエッジと接する第２のパターンエッジを、第２の方向に垂直な第４の方向に第２の補正量で平行移動させ、第２の補正量で平行移動させる前後の第２のパターンエッジ間に、第２のパターンの線幅を増加させる第２の補正パターンを作成する工程と、第１のパターンと第２のパターンを合わせた図形を拡大して拡大図形を作成する工程であって、第１の補正量と第２の補正量のうちの大きい方である最大補正量と、第１のパターンの第３の方向への移動量が一致し、かつ最大補正量と第２のパターンの第４の方向への移動量が一致するように、図形を拡大する工程と、第１のパターンエッジを第３の方向に最大補正量で平行移動させ、最大補正量で平行移動させる前後の第１のパターンエッジ間に第１の仮領域を作成する工程と、第２のパターンエッジを第４の方向に最大補正量で平行移動させ、最大補正量で平行移動させる前後の第２のパターンエッジ間に第２の仮領域を作成する工程と、拡大図形から第１の仮領域と第２の仮領域を除外し、段差埋め込み用パターンを作成する工程と、段差埋め込み用パターンの全パターンエッジから最外周エッジを除外し、さらに第１の補正パターンのパターンエッジと第２の補正パターンのパターンエッジを除外して、領域指定用エッジを抽出する工程と、領域指定用エッジを領域指定用エッジに垂直な方向に、かつ段差埋め込み用パターンの内側に向かって最大補正量で平行移動させ、最大補正量で平行移動させる前後の領域指定用エッジ間に削除領域を作成する工程と、段差埋め込み用パターンから削除領域を削除し、削除領域が削除された段差埋め込み用パターンと、第１の補正パターンと第２の補正パターンを第１のパターンと第２のパターンに追加する工程とを有することを特徴とする。
【００１６】
また、上記の目的を達成するため、本発明のマスクパターン補正方法は、第１の方向に延びる第１のパターンと、第２の方向に延びる第２のパターンが所定の角度α°（９０≦α＜１８０）をなして接するコーナーを含むマスクパターンの補正方法であって、第１のパターンの第１の方向に延びるパターンエッジの一つでありコーナーの内側にある第１のパターンエッジを、第１の方向に垂直な第３の方向に第１の補正量で平行移動させ、第１の補正量で平行移動させる前後の第１のパターンエッジ間に、第１のパターンの線幅を増加させる第１の補正パターンを作成する工程と、第２のパターンの第２の方向に延びるパターンエッジの一つでコーナーの内側にあり、第１のパターンエッジと接する第２のパターンエッジを、第２の方向に垂直な第４の方向に第２の補正量で平行移動させ、第２の補正量で平行移動させる前後の第２のパターンエッジ間に、第２のパターンの線幅を増加させる第２の補正パターンを作成する工程と、第１の補正パターンのパターンエッジと第２の補正パターンのパターンエッジから、長さが第１の補正量と第２の補正量のうちの大きい方である最大補正量以下であり、一端の角が９０°で他端の角が４５０°−α°である領域指定用エッジを抽出する工程と、領域指定用エッジを一辺とする正方形を、領域指定用エッジが含まれる補正パターンと重ならないように作成する工程と、第１の補正パターンのパターンエッジと第２の補正パターンのパターンエッジから、正方形内であって正方形の辺と重ならない部分の正方形内エッジを抽出する工程と、正方形の他の一辺であって領域指定用エッジに隣接する辺と、領域指定用エッジと、正方形内エッジで囲まれる三角形パターンと、第１の補正パターンと第２の補正パターンを第１のパターンと第２のパターンに追加する工程とを有することを特徴とする。
【００１７】
また、上記の目的を達成するため、本発明のマスクパターン補正方法は、第１の方向に延びる第１のパターンと、第２の方向に延びる第２のパターンが所定の角度α°（９０≦α＜１８０）をなして接するコーナーを含むマスクパターンの補正方法であって、第１のパターンの第１の方向に延びるパターンエッジの一つでありコーナーの外側にある第１のパターンエッジを、第１の方向に垂直な第３の方向に所定の補正量で平行移動させ、所定の補正量で平行移動させる前後の第１のパターンエッジ間に、第１のパターンの線幅を増加させる補正パターンを作成する工程と、補正パターンのパターンエッジから、長さが所定の補正量以下であり、一端の角が９０°で他端の角がα°＋９０°である領域指定用エッジを抽出する工程と、領域指定用エッジを一辺とする正方形を、補正パターンと重なるように作成する工程と、第１のパターンエッジを除く補正パターンのパターンエッジから、正方形の辺と重なる正方形上エッジを抽出する工程と、領域指定用エッジと正方形上エッジを二辺とする三角形パターンを作成する工程と、補正パターンから三角形パターンを削除し、三角形パターンが削除された補正パターンを第１のパターンに追加する工程とを有することを特徴とする。
【００１８】
また、上記の目的を達成するため、本発明のマスクパターン補正方法は、第１の方向に延びる第１のパターンと、第２の方向に延びる第２のパターンを含むマスクパターンの補正方法であって、第１のパターンの第１の方向に延びるパターンエッジの一つであり、第２のパターン側にある第１のパターンエッジを複数の区間に分割する工程と、分割された各区間を、第２のパターンとの距離に応じた補正量で、第１の方向に垂直な第３の方向に平行移動させ、平行移動させる前後の各区間の間に第１のパターンの線幅を増加させる補正パターンを作成する工程と、補正パターンのパターンエッジから、第３の方向に延びる最大補正量より短い複数の第１の領域指定用エッジを抽出する工程と、第１の領域指定用エッジを、第１の方向に補正パターンの内側に向かって、最終的な補正結果として望まれる区間長さの最小値で平行移動させ、平行移動させる前後の第１の領域指定用エッジ間に、第１の矩形領域を作成する工程と、補正パターンのパターンエッジから、第１の方向に延びる最終的な補正結果として望まれる区間長さの最小値より短い複数の第２の領域指定用エッジを抽出する工程と、第２の領域指定用エッジを、第３の方向に補正パターンの内側に向かって、最大補正量で平行移動させ、平行移動させる前後の第２の領域指定用エッジ間に、第２の矩形領域を作成する工程と、第１の矩形領域と第２の矩形領域の重なり部分を、補正パターンから削除する工程と、第２の領域指定用エッジが無くなるまで、第１の領域指定用エッジの抽出、第１の矩形領域の作成、第２の領域指定用エッジの抽出および第２の矩形領域の作成を繰り返す工程とを有することを特徴とする。
【００１９】
これにより、近接効果を低減するためにマスクパターンの線幅補正を行った後、パターンのコーナーなどで発生する微小段差や階段形状を、汎用の図形演算ツールを用いた処理によって解消することが可能となる。本発明のマスクパターン補正方法によれば、マスクパターンに生じる微小段差が、マスクの欠陥検査で擬似エラーとなるのを防止できる。また、微小段差の解消により、データ処理量を削減して、マスクパターンの描画などを高速化することが可能となる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明のマスクパターン補正方法の実施の形態について、図面を参照して説明する。本発明のマスクパターン補正方法は、作成されたマスクパターンに線幅補正を行った後、パターンのコーナー等に発生する微小段差を解消する工程を有する。
【００２１】
以下の実施形態１〜５において、微小段差の解消方法の具体例を説明する。各実施形態において、最大補正量をMax(bias)と表す。Max(bias)はパターンエッジをそのエッジに対して直角方向にシフトさせる量（補正量）のパターン内での最大値である。また、各実施形態において、最終的な補正結果として望まれるエッジ長の下限値をMin(edge)と表す。
【００２２】
（実施形態１）
本実施形態では線幅補正により、パターンのコーナーで補正パターン間に生成する凹部を解消する方法を説明する。図１（ａ）は本実施形態により凹部が埋め込まれるパターンのコーナーを示す。図１（ａ）のパターンＰ１は図１４と同様に１３５°のコーナー（丸で囲まれた部分）を含み、１３５°のコーナーの両側の補正パターンＣ１、Ｃ２の補正量が互いに異なるものとする。
【００２３】
図１（ａ）に示す凹部Ｄを埋め込むには、まず、図１（ｂ）に示すように、パターン全体をMax(bias)だけオーバーサイズする。次に、図１（ｃ）に示すように、パターンエッジをそのエッジに対して垂直方向に、Max(bias)だけシフトさせる。これにより、仮領域Ｔ１、Ｔ２が形成される。図１（ｂ）に示すオーバーサイズと、図１（ｃ）に示すパターンエッジのシフトの順序は入れ替えてもよい。
【００２４】
次に、図２（ｄ）に示すように、図１（ｂ）でオーバーサイズされたパターンと、図１（ｃ）で形成された仮領域Ｔ１、Ｔ２の合計との差分Ｐdを求める。この差分Ｐdから、凹部埋め込み用パターンを作成する。
【００２５】
次に、図２（ｅ）に示すように、差分Ｐdのエッジから、図１（ａ）に示す補正パターンＣ１、Ｃ２のパターンエッジを除外し、さらに、差分Ｐdの最外周のエッジを除外する。これにより、差分Ｐdのエッジのうち、図２（ｅ）に太線で示すエッジｅが抽出される。
【００２６】
次に、図２（ｆ）に示すように、図２（ｅ）で抽出されたエッジｅを、エッジｅに垂直方向に、かつ差分Ｐdの内側に向かう方向にMax(bias)だけシフトさせ、シフト前後のエッジｅの間に矩形領域Ｒを生成させる。
その後、図２（ｇ）に示すように、線幅補正後のパターン（図１（ａ）参照）と差分Ｐd（図２（ｄ）参照）とを合わせたものから、矩形領域Ｒ（図２（ｆ）参照）を削除する。
【００２７】
これにより、コーナーの両側の補正量を変更せずに、コーナーの凹部が埋め込まれる。したがって、マスクデータを描画する際などのデータ処理量が低減し、処理が高速化される。また、マスクの欠陥検査において、コーナーの微小段差が擬似欠陥として検出されるのを回避することが可能となる。
【００２８】
（実施形態２）
本実施形態は実施形態１とコーナーの角度のみ異なる。図３（ａ）は本実施形態により凹部が埋め込まれるパターンのコーナーを示す。図３（ａ）のパターンＰ２は図１３と同様に９０°のコーナー（丸で囲まれた部分）を含み、９０°のコーナーの両側の補正パターンＣ１、Ｃ２の補正量が互いに異なるものとする。
【００２９】
図３（ａ）に示す凹部Ｄを埋め込むには、まず、図３（ｂ）に示すように、パターン全体をMax(bias)だけオーバーサイズする。次に、図３（ｃ）に示すように、全パターンエッジを各エッジに対して垂直方向に、Max(bias)だけシフトさせ、仮領域Ｔ１、Ｔ２を形成する。図３（ｂ）に示すオーバーサイズと、図３（ｃ）に示すパターンエッジのシフトの順序は入れ替えてもよい。
【００３０】
次に、図４（ｄ）に示すように、図３（ｂ）でオーバーサイズされたパターンと、図３（ｃ）で形成された仮領域Ｔ１、Ｔ２の合計との差分Ｐdを求める。
次に、図４（ｅ）に示すように、差分Ｐdのエッジから、図３（ａ）に示す補正パターンＣ１、Ｃ２のパターンエッジを除外し、さらに、差分Ｐdの最外周のエッジを除外して、図４（ｅ）に太線で示すエッジｅを抽出する。
【００３１】
次に、図４（ｆ）に示すように、図４（ｅ）で抽出されたエッジｅを、エッジｅに垂直方向に、かつ差分Ｐdの内側に向かう方向にMax(bias)だけシフトさせ、シフト前後のエッジｅの間に矩形領域Ｒを生成させる。
その後、図５（ｇ）に示すように、線幅補正後のパターン（図３（ａ）参照）と差分Ｐd（図４（ｄ）参照）とを合わせたものから、矩形領域Ｒ（図４（ｆ）参照）を削除する。
【００３２】
これにより、コーナーの両側の補正量を変更せずに、コーナーの凹部が埋め込まれる。したがって、マスクデータを描画する際などのデータ処理量が低減し、処理が高速化される。また、マスクの欠陥検査において、コーナーの微小段差が擬似欠陥として検出されるのを回避することが可能となる。
【００３３】
（実施形態３）
本実施形態では線幅補正により、パターンのコーナーで補正パターン間に生成する凹部を解消する方法を説明する。図６（ａ）は本実施形態により凹部が埋め込まれるパターンのコーナーを示す。
【００３４】
実施形態１および２では、パターンのコーナーが１８０°未満であるのに対し、本実施形態では図１５と同様にパターンのコーナーが２２５°であり、１８０°を超えている。この場合、１３５°のコーナーの内側に補正パターンが形成されるとも言える。
【００３５】
本実施形態においても、コーナーの両側の補正パターンＣ１、Ｃ２の補正量は互いに異なるものとする。図６（ａ）に示すように、パターンＰ３のコーナーが１８０°を超えている場合、パターンのコーナー（丸で囲まれた部分）で補正パターン同士が一部重なる。
【００３６】
図６（ａ）に示す凹部Ｄを埋め込むには、まず、図６（ｂ）に示すように、長さがMax(bias)以下の辺であって、両端の内角が９０°と３１５°であるエッジｅ１を抽出する。
次に、図６（ｃ）に示すように、図６（ｂ）で抽出されたエッジｅ１を一辺とする正方形を形成する。このとき、補正パターン間の凹部Ｄ上に正方形を配置する。
【００３７】
次に、図７（ｄ）に示すように、図６（ｃ）で形成された正方形の内部と重なり、正方形の辺と重ならない補正パターンのエッジｅ２を抽出する。
次に、図７（ｅ）に示すように、エッジｅ１（図６（ｂ）参照）とエッジｅ２（図７（ｄ）参照）と正方形（図６（ｃ）参照）の一辺とで囲まれる領域Ｔを埋め込む。
【００３８】
これにより、図７（ｆ）に示すように、コーナーの両側の補正量を変更せずに、コーナーの凹部が埋め込まれる。したがって、マスクデータを描画する際などのデータ処理量が低減し、処理が高速化される。また、マスクの欠陥検査において、コーナーの微小段差が擬似欠陥として検出されるのを回避することが可能となる。
【００３９】
（実施形態４）
本実施形態では線幅補正により、パターンのコーナーで補正パターンに生成する凸部を解消する方法を説明する。図８（ａ）は本実施形態により凸部が削られるパターンのコーナーを示す。図８（ａ）のパターンＰ４は図１６と同様に１３５°のコーナーを含み、１３５°のコーナー（丸で囲まれた部分）の外側に補正パターンＣが追加されたものである。
【００４０】
図８（ａ）に示す凸部Ｐを削るには、まず、図８（ｂ）に示すように、長さがMax(bias)以下の辺であって、両端の内角が９０°と２２５°であるエッジｅ１を抽出する。
次に、図８（ｃ）に示すように、図８（ｂ）で抽出されたエッジｅ１を一辺とする正方形を形成する。このとき、補正パターンＣと重なる側に正方形を配置する。
【００４１】
次に、図９（ｄ）に示すように、図８（ｃ）で形成された正方形に重なる部分の補正パターンＣのエッジｅ２を抽出する。
次に、図９（ｅ）に示すように、エッジｅ１とエッジｅ２を２辺とする三角形の領域Ｔを形成する。その後、図９（ｆ）に示すように、補正パターンＣから領域Ｔを削除する。
【００４２】
これにより、線幅の補正量を変更せずに、コーナーの凸部が削られる。したがって、マスクデータを描画する際などのデータ処理量が低減し、処理が高速化される。また、マスクの欠陥検査において、コーナーの微小段差が擬似欠陥として検出されるのを回避することが可能となる。
【００４３】
（実施形態５）
本実施形態では線幅補正により、パターンエッジが階段形状となるのを解消する方法を説明する。図１０（ａ）は本実施形態により階段形状部分が削除されるパターンを示す。
【００４４】
図１０（ａ）のパターンＰ５、Ｐ６は、隣接する配線が平行でなく、配線間距離が連続的に変化する。補正量は最小グリッドの倍数により離散的に定義されるため、図１０（ｂ）に示すように、補正量を段階的に変更した補正パターンＣが作成される。補正量は配線間距離に応じて変化する。
【００４５】
図１０（ｂ）に示す階段形状部分（丸で囲まれた部分）を削除するには、まず、図１１（ｃ）に示すように、線幅補正前のパターンエッジと垂直で、長さがMax(bias)以下のエッジｅ１を抽出する。この工程で抽出される複数のエッジｅ１を、図１１（ｃ）に太線で示す。
【００４６】
次に、図１１（ｄ）に示すように、図１１（ｃ）で抽出されたエッジｅ１を、エッジｅ１に対して垂直方向に、かつ補正パターンＣの内側に向かう方向にMin(edge)だけシフトさせる。これにより、シフト前後のエッジｅ１の間に矩形領域Ｒ１を形成する。補正パターンが階段形状となっていることから、複数の矩形領域Ｒ１が形成される。
【００４７】
一方、図１１（ｅ）に示すように、線幅補正前のパターンエッジと平行で、長さがMin(edge)より短いエッジｅ２を抽出する。この工程で抽出される複数のエッジｅ２を、図１１（ｅ）に太線で示す。
【００４８】
次に、図１１（ｆ）に示すように、図１１（ｅ）で抽出されたエッジｅ２を、そのエッジに対して垂直方向に、かつ補正パターンＣの内側に向かう方向にMax(bias)だけシフトさせる。これにより、シフト前後のエッジｅ２の間に矩形領域Ｒ２を形成する。補正パターンが階段形状となっていることから、複数の矩形領域Ｒ２が形成される。矩形領域Ｒ１と矩形領域Ｒ２を形成する順序は、入れ替えてもよい。
【００４９】
次に、図１２（ｇ）に示すように、矩形領域Ｒ１と矩形領域Ｒ２の重なり部分（ＡＮＤ部分）Ａを求める。
次に、図１２（ｈ）に示すように、矩形領域Ｒ１と矩形領域Ｒ２のＡＮＤ部分Ａ（図１２（ｇ）参照）を補正パターンＣから削除する。
その後、図１１（ｃ）〜図１２（ｈ）に示す工程を、階段形状がなくなるまで繰り返す。これにより、図１２（ｉ）に示すように、矩形の補正パターンＣｒが得られる。
【００５０】
上記の本実施形態のマスクパターン補正方法によれば、斜め方向に延びるパターンに追加される補正パターンにおいて、階段形状となる部分が削除される。したがって、マスクデータを描画する際などのデータ処理量が低減し、処理が高速化される。また、マスクの欠陥検査において、コーナーの微小段差が擬似欠陥として検出されるのを回避することが可能となる。
【００５１】
本発明のマスクパターン補正方法の実施形態は、上記の説明に限定されない。例えば、コーナーの内側と外側の両方に補正パターンを追加して、パターンの線幅を増加させる場合に、上記の実施形態のうちの異なる２つを組み合わせてパターンの補正を行うことも可能である。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【００５２】
【発明の効果】
本発明のマスクパターン補正方法によれば、パターンの線幅補正後に生じる微小段差を、簡易に解消することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施形態１に係るマスクパターン補正方法の工程を示す図である。
【図２】図２（ｄ）〜（ｇ）は本発明の実施形態１に係るマスクパターン補正方法の工程を示す図である。
【図３】図３（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施形態２に係るマスクパターン補正方法の工程を示す図である。
【図４】図４（ｄ）〜（ｆ）は本発明の実施形態２に係るマスクパターン補正方法の工程を示す図である。
【図５】図５（ｇ）は本発明の実施形態２に係るマスクパターン補正方法の工程を示す図である。
【図６】図６（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施形態３に係るマスクパターン補正方法の工程を示す図である。
【図７】図７（ｄ）〜（ｆ）は本発明の実施形態３に係るマスクパターン補正方法の工程を示す図である。
【図８】図８（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施形態４に係るマスクパターン補正方法の工程を示す図である。
【図９】図９（ｄ）〜（ｆ）は本発明の実施形態４に係るマスクパターン補正方法の工程を示す図である。
【図１０】図１０（ａ）および（ｂ）は本発明の実施形態５に係るマスクパターン補正方法の工程を示す図である。
【図１１】図１１（ｃ）〜（ｆ）は本発明の実施形態５に係るマスクパターン補正方法の工程を示す図である。
【図１２】図１２（ｇ）〜（ｉ）は本発明の実施形態５に係るマスクパターン補正方法の工程を示す図である。
【図１３】図１３はパターンの線幅補正後に生じる微小段差を示す図である。
【図１４】図１４はパターンの線幅補正後に生じる微小段差を示す図である。
【図１５】図１５はパターンの線幅補正後に生じる微小段差を示す図である。
【図１６】図１６はパターンの線幅補正後に生じる微小段差を示す図である。
【符号の説明】
Ｐ１…パターン、Ｃ１、Ｃ２…補正パターン、Ｄ…凹部、Ｔ１、Ｔ２…仮領域、Ｐd…分、ｅ…エッジ、Ｒ…矩形領域、Ｐ２、Ｐ３…パターン、ｅ１…エッジ、ｅ２…補正パターンのエッジ、Ｔ…領域、Ｐ４…パターン、Ｃ…補正パターン、Ｐ５、Ｐ６…パターン、Ｒ１、Ｒ２…矩形領域、Ａ…Ｒ１とＲ２のＡＮＤ部分、Ｃｒ…矩形の補正パターン、Ｉ…パターン、ａ、ｂ…補正量、II、III、IV…パターン、Ｐ…凸部
Claims (4)
- 第１の方向に延びる第１のパターンと、第２の方向に延びる第２のパターンが所定の角度α°（９０≦α＜１８０）をなして接するコーナーを含むマスクパターンの補正方法であって、
第１のパターンの第１の方向に延びるパターンエッジの一つでありコーナーの外側にある第１のパターンエッジを、第１の方向に垂直な第３の方向に第１の補正量で平行移動させ、第１の補正量で平行移動させる前後の第１のパターンエッジ間に、第１のパターンの線幅を増加させる第１の補正パターンを作成する工程と、
第２のパターンの第２の方向に延びるパターンエッジの一つでコーナーの外側にあり、第１のパターンエッジと接する第２のパターンエッジを、第２の方向に垂直な第４の方向に第２の補正量で平行移動させ、第２の補正量で平行移動させる前後の第２のパターンエッジ間に、第２のパターンの線幅を増加させる第２の補正パターンを作成する工程と、
第１のパターンと第２のパターンを合わせた図形を拡大して拡大図形を作成する工程であって、第１の補正量と第２の補正量のうちの大きい方である最大補正量と、第１のパターンの第３の方向への移動量が一致し、かつ最大補正量と第２のパターンの第４の方向への移動量が一致するように、図形を拡大する工程と、
第１のパターンエッジを第３の方向に最大補正量で平行移動させ、最大補正量で平行移動させる前後の第１のパターンエッジ間に第１の仮領域を作成する工程と、
第２のパターンエッジを第４の方向に最大補正量で平行移動させ、最大補正量で平行移動させる前後の第２のパターンエッジ間に第２の仮領域を作成する工程と、
拡大図形から第１の仮領域と第２の仮領域を除外し、段差埋め込み用パターンを作成する工程と、
段差埋め込み用パターンの全パターンエッジから最外周エッジを除外し、さらに第１の補正パターンのパターンエッジと第２の補正パターンのパターンエッジを除外して、領域指定用エッジを抽出する工程と、
領域指定用エッジを領域指定用エッジに垂直な方向に、かつ段差埋め込み用パターンの内側に向かって最大補正量で平行移動させ、最大補正量で平行移動させる前後の領域指定用エッジ間に削除領域を作成する工程と、
段差埋め込み用パターンから削除領域を削除し、削除領域が削除された段差埋め込み用パターンと、第１の補正パターンと第２の補正パターンを第１のパターンと第２のパターンに追加する工程とを有する
マスクパターン補正方法。 - 第１の方向に延びる第１のパターンと、第２の方向に延びる第２のパターンが所定の角度α°（９０≦α＜１８０）をなして接するコーナーを含むマスクパターンの補正方法であって、
第１のパターンの第１の方向に延びるパターンエッジの一つでありコーナーの内側にある第１のパターンエッジを、第１の方向に垂直な第３の方向に第１の補正量で平行移動させ、第１の補正量で平行移動させる前後の第１のパターンエッジ間に、第１のパターンの線幅を増加させる第１の補正パターンを作成する工程と、
第２のパターンの第２の方向に延びるパターンエッジの一つでコーナーの内側にあり、第１のパターンエッジと接する第２のパターンエッジを、第２の方向に垂直な第４の方向に第２の補正量で平行移動させ、第２の補正量で平行移動させる前後の第２のパターンエッジ間に、第２のパターンの線幅を増加させる第２の補正パターンを作成する工程と、
第１の補正パターンのパターンエッジと第２の補正パターンのパターンエッジから、長さが第１の補正量と第２の補正量のうちの大きい方である最大補正量以下であり、一端の角が９０°で他端の角が４５０°−α°である領域指定用エッジを抽出する工程と、
領域指定用エッジを一辺とする正方形を、領域指定用エッジが含まれる補正パターンと重ならないように作成する工程と、
第１の補正パターンのパターンエッジと第２の補正パターンのパターンエッジから、正方形内であって正方形の辺と重ならない部分の正方形内エッジを抽出する工程と、
正方形の他の一辺であって領域指定用エッジに隣接する辺と、領域指定用エッジと、正方形内エッジで囲まれる三角形パターンと、第１の補正パターンと第２の補正パターンを第１のパターンと第２のパターンに追加する工程とを有する
マスクパターン補正方法。 - 第１の方向に延びる第１のパターンと、第２の方向に延びる第２のパターンが所定の角度α°（９０≦α＜１８０）をなして接するコーナーを含むマスクパターンの補正方法であって、
第１のパターンの第１の方向に延びるパターンエッジの一つでありコーナーの外側にある第１のパターンエッジを、第１の方向に垂直な第３の方向に所定の補正量で平行移動させ、所定の補正量で平行移動させる前後の第１のパターンエッジ間に、第１のパターンの線幅を増加させる補正パターンを作成する工程と、
補正パターンのパターンエッジから、長さが所定の補正量以下であり、一端の角が９０°で他端の角がα°＋９０°である領域指定用エッジを抽出する工程と、
領域指定用エッジを一辺とする正方形を、補正パターンと重なるように作成する工程と、
第１のパターンエッジを除く補正パターンのパターンエッジから、正方形の辺と重なる正方形上エッジを抽出する工程と、
領域指定用エッジと正方形上エッジを二辺とする三角形パターンを作成する工程と、
補正パターンから三角形パターンを削除し、三角形パターンが削除された補正パターンを第１のパターンに追加する工程とを有する
マスクパターン補正方法。 - 第１の方向に延びる第１のパターンと、第２の方向に延びる第２のパターンを含むマスクパターンの補正方法であって、
第１のパターンの第１の方向に延びるパターンエッジの一つであり、第２のパターン側にある第１のパターンエッジを複数の区間に分割する工程と、
分割された各区間を、第２のパターンとの距離に応じた補正量で、第１の方向に垂直な第３の方向に平行移動させ、平行移動させる前後の各区間の間に第１のパターンの線幅を増加させる補正パターンを作成する工程と、
補正パターンのパターンエッジから、第３の方向に延びる最大補正量より短い複数の第１の領域指定用エッジを抽出する工程と、
第１の領域指定用エッジを、第１の方向に補正パターンの内側に向かって、最終的な補正結果として望まれる区間長さの最小値だけ平行移動させ、平行移動させる前後の第１の領域指定用エッジ間に、第１の矩形領域を作成する工程と、
補正パターンのパターンエッジから、第１の方向に延びる最終的な補正結果として望まれる区間長さの最小値より短い複数の第２の領域指定用エッジを抽出する工程と、
第２の領域指定用エッジを、第３の方向に補正パターンの内側に向かって、最大補正量で平行移動させ、平行移動させる前後の第２の領域指定用エッジ間に、第２の矩形領域を作成する工程と、
第１の矩形領域と第２の矩形領域の重なり部分を、補正パターンから削除する工程と、
第２の領域指定用エッジが無くなるまで、第１の領域指定用エッジの抽出、第１の矩形領域の作成、第２の領域指定用エッジの抽出および第２の矩形領域の作成を繰り返す工程とを有する
マスクパターン補正方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002290372A JP3659242B2 (ja) | 2002-10-02 | 2002-10-02 | マスクパターン補正方法 |
| CNA038236222A CN1688932A (zh) | 2002-10-02 | 2003-09-30 | 掩模图形修正法 |
| DE10393430T DE10393430T5 (de) | 2002-10-02 | 2003-09-30 | Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters |
| US10/529,385 US20060014082A1 (en) | 2002-10-02 | 2003-09-30 | Method of correcting mask pattern |
| KR1020057005239A KR20050062567A (ko) | 2002-10-02 | 2003-09-30 | 마스크 패턴 보정방법 |
| PCT/JP2003/012493 WO2004031857A1 (ja) | 2002-10-02 | 2003-09-30 | マスクパターン補正方法 |
| TW092127333A TW200416494A (en) | 2002-10-02 | 2003-10-02 | Mask pattern correcting method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002290372A JP3659242B2 (ja) | 2002-10-02 | 2002-10-02 | マスクパターン補正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004126236A JP2004126236A (ja) | 2004-04-22 |
| JP3659242B2 true JP3659242B2 (ja) | 2005-06-15 |
Family
ID=32063768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002290372A Expired - Fee Related JP3659242B2 (ja) | 2002-10-02 | 2002-10-02 | マスクパターン補正方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20060014082A1 (ja) |
| JP (1) | JP3659242B2 (ja) |
| KR (1) | KR20050062567A (ja) |
| CN (1) | CN1688932A (ja) |
| DE (1) | DE10393430T5 (ja) |
| TW (1) | TW200416494A (ja) |
| WO (1) | WO2004031857A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4242796B2 (ja) * | 2004-03-12 | 2009-03-25 | パナソニック株式会社 | 画像認識方法及び画像認識装置 |
| KR100822584B1 (ko) * | 2005-09-16 | 2008-04-15 | 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 | 배선 형성 시스템 및 그 방법 |
| JP2007286427A (ja) * | 2006-04-18 | 2007-11-01 | Sony Corp | マスクパターン生成方法 |
| KR100732772B1 (ko) * | 2006-04-25 | 2007-06-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 마스크 레이아웃 형성 방법 및 이에 따른 레이아웃 |
| US7683351B2 (en) * | 2006-12-01 | 2010-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2009210707A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Nec Electronics Corp | フォトマスク及びその設計方法と設計プログラム |
| CN103235486A (zh) * | 2013-01-30 | 2013-08-07 | 常州同泰光电有限公司 | 一种校正曝光图形的方法 |
| CN103941550B (zh) * | 2014-03-24 | 2015-11-25 | 上海华力微电子有限公司 | 一种智能化选择性目标尺寸调整方法 |
| CN113223936B (zh) * | 2021-03-30 | 2024-05-03 | 江苏师范大学 | 一种InP基纳米周期结构的制备方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002083757A (ja) * | 2000-07-05 | 2002-03-22 | Mitsubishi Electric Corp | レイアウトパターンデータ補正装置、補正方法及び半導体装置の製造方法並びに記録媒体 |
| JP2002072441A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-03-12 | Mitsubishi Electric Corp | レイアウトパターンデータ補正装置及び方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法並びにレイアウトパターンデータ補正プログラムを記録した媒体 |
| JP2002122978A (ja) * | 2000-10-18 | 2002-04-26 | Sony Corp | マスクデータの検証方法および検証プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
-
2002
- 2002-10-02 JP JP2002290372A patent/JP3659242B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-09-30 DE DE10393430T patent/DE10393430T5/de not_active Withdrawn
- 2003-09-30 KR KR1020057005239A patent/KR20050062567A/ko not_active Application Discontinuation
- 2003-09-30 WO PCT/JP2003/012493 patent/WO2004031857A1/ja active Application Filing
- 2003-09-30 US US10/529,385 patent/US20060014082A1/en not_active Abandoned
- 2003-09-30 CN CNA038236222A patent/CN1688932A/zh active Pending
- 2003-10-02 TW TW092127333A patent/TW200416494A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1688932A (zh) | 2005-10-26 |
| TW200416494A (en) | 2004-09-01 |
| DE10393430T5 (de) | 2005-09-15 |
| WO2004031857A1 (ja) | 2004-04-15 |
| KR20050062567A (ko) | 2005-06-23 |
| JP2004126236A (ja) | 2004-04-22 |
| US20060014082A1 (en) | 2006-01-19 |
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| A621 | Written request for application examination |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050307 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |