TW200416494A - Mask pattern correcting method - Google Patents
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Description
200416494 玖、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明有關於補正使用於微影之光罩之圖案之方法。 【先前技術】 半導體元件之微細化之要求近年越發嚴格,設計規則已 達到光微影之曝光波長之1/2以下。電子束微影技術以作為 可對應元件更進一步之微細化之微影技術而受到注目。 伴隨圖案之微細化,發生光罩上之圖案與實際上轉印之 圖案不同的問題(近接效應)。為了減低此種近接效應之影 響,近接效應補正係施加於光罩圖案上。線寬補正處理為 近接效應補正之一。 … ^、咏見補止慝理係使各配線之線寬,按照該配線之線寬2 該配線與鄰接配線之距離,僅增減事前規定之偏移量之3 罩圖案資料處理,並廣泛受到採用。具體而言,進行抽: 適合上述線寬及距離2個條件之圖案邊緣(以下亦表示為走 緣)’使該邊緣對於邊_#直方向僅偏移規定量之圖形杏 作。線寬補正處理前後之邊緣係互相平行。 ’ 然而,若根據如上述之線寬及配線間距離而進行線寬相 正’將形成具有與補正量同程度之階差之凹部或凸部。命 如· ^圖1所示,於經由圖案I之9〇。角部而鄰接之邊,若 補^量a、b互異時,於角部(圓形所圍起之部分)形成凹部D。 #之角度相。以外之情況,由於線寬補正,亦於角部 部或凸部。例如:如圖2所示’於圖案Π之135。角部, 補正圖案C 1、C2之間f圓拟%问士 間(回形所圍起之部分)形成具有45。角之
O:\87\87366.DOC 200416494 凹部D。 所不,於圖案瓜之225。角 c 1、C2之間(圓开彡所R 補正圖案 如04所 之部分)形成具有45。角之凹部 圖4所不,於經由圖 添加補正圖荦C日丰角#而鄰接之邊之—方 另方角部(圓形所圍起之部分)形成凸部P。 另一方面,鄰接之配線不平行之情況, 線間距離連續變化。τ θ 所不,配 化m由於補正量係藉由最小 離散定義,故即使補正图安々、去τ曰 口數而 南圖案之補正夏為連續變化之情況, 如圖5 B所示,於實ji双花;士 , w成於先罩之圖案將做成組合矩形圖 案之階梯狀之補正圖案。亦即, 特m… ψ兀即#於線見及配線間距離在 特疋犯圍内之部分係適用一樣之補正量。 如以上所述,若進行線寬補正處理,於圖案之角部將形 成凹«凸部’或者於斜向延伸之圖案形成階梯狀之補正 圖案。若存在此種凹部、凸部、或階梯狀圖帛,光罩資料 之圖开ν數.艾夕’為了於光罩描晝圖案之資料傳輸時間或描 晝時間變長。 又’光罩之缺陷檢查時,亦有因線寬補正所形成之微細 之凹部、凸部、或階梯狀圖案將疑似被作為缺陷而辨識之 問題。由於此種疑似缺陷,缺陷檢出之所需時間變長,或 者缺陷檢查將停止。 解除凹部或凸部等微小階差之方法有於圖案進行超過最 大補正里之一疋1之放大(過大· Oversize),將階差埋入 後,再於圖案進行縮小之方法,或者相反地,進行過小 (Undersize)後再進行過大之方法。 O:\87\87366 DOC -6 - 200416494 根據此種方法可將階差埋入,然而,於經由角部而鄰接 之邊之補正量互異之情況(例如:參考圖丨之補正量a、匕), 將造成階差埋入後之補正量變化,或者因補正量之變化所 引起之圖案之外型(拓樸)變化的問題。若補正量變化,對於 近接效應之補正將造成影響。 以使用 進行線 又,為了在短時間進行光罩圖案之作成或描晝 如光罩描畫裝置等所具備之泛用之圖形運算工具 寬補正後之圖案修正為佳。 【發明内容】 本發明係、有幾於上述問題點所實現者,故本發明之目的 為提供可簡單解除圖案之線寬補正後所產生之微小階差之 光罩圖案補正方法。 為了達成上述目的,本發明之光罩圖案補正方法,並 徵在於:包含延伸於第一方向之第一圖案與延伸於第:方 向之第一圖案形成特定之角度(1。而相接之角部者丨且具 有:使前述第—圖案之延伸於前述第-方向之圖案邊綾:: 個並位於角部外側之第一圖案邊緣,朝垂直於前述第 :之第三方向以第一補正量平行移動,於以前述 正 -平行移動前後之前述第一圖案邊緣間,使 之線寬增加之做成第一補正圖案之工序;使前述圖: =伸於前述第二方向之圖案邊緣之u@,並與前述 邊緣相接之第二圖案邊緣,朝垂直於前述第二方向之; ::以第二補正量平行移動,於以前述第二補正量付 後之前述第二圖案邊緣間,使前述第二圖荦之線:
O:\87\87366 DOC -7- 增:之:成第二補正圖案之工序;放大合併前述第一圖案 及則述第二圖案之圖形而做成放大圖形之工序,前述第一 補正量與前述第二補正量中之大者之補正量,與前述第;; 圖案之朝前述第三方向之移動量一致,並且前述大者之補 正量與前述第二圖案之朝前述帛日方向之移動量一致,而 擴大㈣圖形之工序;使前述第一圖案邊緣朝前述第三方 向以别述大者之補正量平行移動,於以前述大者之補正量 平行移動前後之前述第一圖案邊緣間做成第一暫時區域之 工序,使W述第二圖案邊緣朝前述第四方向以前述大者之 f正量平行移動,於以前述大者之補正量平行移動前後之 别述:二圖案邊緣間做成第二暫時區域之工序;由擴大圖 形將前述第-暫時區域及前述第二暫時區域除外,做成階 差埋入用圖案之工序;由前述階差埋入用圖案之全圖案邊 緣將最外周邊緣除外,並進一步將前述第一補正圖案之圖 案邊緣及前述第二補正圖案之圖案邊緣除外,抽出區域指 定用邊緣之工序;使前述區域指定用邊緣朝與前述區域指 定:邊緣垂直之方向’並且向前述階差埋入用圖案之内側 以前述大者之補正量平行移動,於以前述大者之補正量平 行移動前後之前述區域指U邊緣間做成削除區域之工 序丄及由前述階差埋入用圖案削除前述削除區域,追加削 除月=削除區域之前述階差埋入用圖案及前述第一補正圖 案與月’J述第一補正圖案’於前述第一圖案及前述第二圖案 之工序。 /、 上述本發明之光罩圖案補正方法之放大前述圖形之工序
O:\87\87366.DOC 適合藉由前述第一及/或前述第二圖案之過大而進行。 2,做成前述第一及/或前述第二暫時區域之工序適合藉 由前述第一及/或前述第二圖案之過大而進行。 曰 一又,刚述第一暫時區域及前述第二暫時區域之除外適合 稭由W述第-暫時區域及前述第二暫時區域之過小 行。 又’丽述第一補正圖案及前述第二補正圖案之補正量係 適合互異。 :’前述最外周邊緣適合為前述第一暫時區域之邊緣中 朝前述第-方向延長之線段之—部分及前述第二暫時區域 之邊緣中朝前述第二方向延長之線段之一部分。 一又’别述大者之補正量適合為前述第—補正量或前述第 一補正量中任一者之最大補正量。 又,刖述特定之角度α。適合規定為90^α<180。 又,為了達成上述目#,本發明之光罩圖案補正方法, 其特徵在於:包含延伸於第—方向之第-圖案與延伸於第 二方向之第二圖案形成特定之角度α。而相接之角部者;且 具有:使前述第一圖案之延伸於前述第一方向之圖案邊緣 之1個並位於角部内側之Ρ圖案邊緣,朝垂直於前述第一 方向之弟三方向以第一補正量平行移動,於以前述第一補 正量平行移動前後之前述第—圖案邊緣間,使前述第—圖 案之線寬增加之做成第一補正圖案之工序;使前述第二圖 案之延伸於前述第二方向之圖案邊緣之⑽並位於角部内 側’與前述第-圖案邊緣相接之第二圖案邊緣,朝垂直於
O:\87\87366 DOC -9- 刚述第二方向之第四方向以第二補正量平行移動,於以十 述第:補正量平行移動前後之前述第二圖案邊緣間,使: 述:二圖案之線寬增加之做成第二補正圖案之工序;由: 述弟-補正圖案之圖案邊緣及前述第二補正圖案之圖案邊 緣,抽出長度為前述第一補二 ,、 ^ 補止里及刖述弟二補正量中 者t補正量以下,—端之角為90°且另—端之角為45〇i。 一、 緣序;做成以前述區域指定用邊緣為 ^ 方$而不與包含前述區域指定用邊緣之補正圖案 且之工序,由胃述第一補〖圖案之圖案邊緣及前述第二 ==案邊緣,為前述正方形内且不與前述: $之部分之前述正方形内邊緣之卫序;及追加 方形之另外-邊且鄰接於前述區域指定用邊緣之 ^ 用邊緣、刖述正方形内邊緣所包圍之三 二=:、及前述第一補正圖案與前述第二補正圖案,於 刖述弟-圖案及前述第=圖案之工序。 月之光罩圖案補正方法之做成前述第-及/或 =二補正圖案之工序適合藉由前述第-及/或前述第 一圖案之過大而進行。 id 成Μ述正方形之卫序之前,適合將前述 正圖案及/或前述第二補正圖案過小。 又’ 4述第一補正圖案及前 適合互異。 口茶及引述弟-補正圖案之補正量係 -補正θ: #之補正置適合為前述第-補正量或前述第 一補正s中任—者之最大補正量。
O:\87\87366 DOC -10- 200416494 又,前述特定之角度α。適合規定為9〇“<18〇。 又’為了達成上述目的,.蘇 复牲5^ X月之光罩圖案補正方法, ”寺欲在於·包含延伸於第一 -古a ^ 句之弟一圖案與延伸於第 一方向之苐二圖案形成特定 、弟 目士· 月度α而相接之角部者;且 :Η•使則述弟一圖案之延伸於前述第-方向之圖幸邊緣 =個並位於角部外側之第一圖案邊緣,朝垂直於前;= 之補:::方向以特定之補正量平行移動,於以前述特定 平行移動前後之前述第—圖㈣_,使㈣第 。案之線見增加之做成補正圖案之工序;由前述補正圖 案之圖案邊緣’抽出長度為前述特定之補正量以下,一端 之角為90。且另-端之角為“列。之區域指w邊緣之工 f;做成以前述區域指定用邊緣為—邊之正方形而與包含 前述補正圖案重疊之玉序’·由除去前述第_圖案邊緣之前 述補正圖案之圖案邊緣,抽出與前述正方形之邊重疊之前 述正方形上邊緣之J1序;及做成以前述區域指定用邊緣及 刖述正方形上邊緣為二邊之三角形圖案之工序;由前述補 正圖案削除前述三角形圖案,追加削除前述三角形圖案之 前述補正圖案於前述第一圖案之工序。 上述本發明之光罩圖案補正方法之做成前述補正圖案之 工序適合藉由前述第一圖案之過大而進行。 又,於做成前述正方形之工序之前,適合將前述補正圖 案過小。 又’前述特定之角度α。適合規定為9〇$α<180。 又’為了達成上述目的,本發明之光罩圖案補正方法, O:\87\87366.DOC -11- 200416494 ,、特敛在於·包含延伸於第一方 一 -古a μ-门 內之第一圖案與延伸於第 ^ , 韦 刀割前述第一圖案之延伸 於前述第一方向之圖案邊緣之丨個, 口茶之L伸 之莖阅安真从★ 並位於刖述第二圖案側 之苐一圖案邊緣為複數區間之工 外’使刖述分割之各區間 以按照與前述第二圖案之距離 斤 離之補正夏,朝垂直於前述第 一方向之第三方向平行移動, 久「„ ㈣於則达平行移動前後之前述 。區間之間,使前述第一圖案 ^ — 尺見^日加之做成補正圖案 之工序;由前述補正圖案之圖宰 楚一+ 口系遺緣,抽出比延伸於前述 ^二方=之最大補正量短之複數第—區域指定用邊緣之工 使料第-區域指定用邊緣朝向前述第一方向之前述 :圖案:内側,僅平行移動區間長度之最小值,於前述 千㈣動前後之前述第一區域指定用邊緣間,做成第一矩 幵^區域之工序;由前述補 — ®案之圖案邊緣,抽出比延伸 二』l弟方向之區間長度之最小值短之複數第二區域指 定用邊緣之工序;使前述第二區域指定用邊緣朝向前述第 二:向之前述補正圖案之内側,以最大補正量平行移動, 於前述平行移動前後之前述第二區域指定用邊緣間,做成 第:矩形區域之工序;將前述第一矩形區域及前述第二矩 :區域之重疊部分由前述補正圖案削除之工序;及至前述 第一區域指定用邊緣沒有為止,重複前述第一區域指定用 f緣之抽出、前述第一矩形區域之做成、前述第二區域指 疋^邊緣之抽出、及前述第二矩形區域之做成之工序。 /猎此,為了減低近接效應而進行光罩圖案之線寬補正 後,可糟由使用泛用之圖形運算工具之處理,解除圖案之
O:\87\87366.DOC -12- 200416494 角口P等所發生之微小階差或階梯形狀。根據本發明之光罩 圖案補正方法,可防止產生於光罩圖案之微小階差成 罩之缺陷檢查中之疑似誤差。又,藉由解除微小誤差,可 削減資料處理量,達成光罩圖案之描晝等之高速化。 【實施方式】 ~ 以下苓考圖式,說明關於本發明之光罩圖案補正方法之 實施型態。本發明之光罩圖案補正方法具有於做成之光罩 圖案進行線寬補正後,解除發生於圖案之角部等之微小階 差之工序。 於以下實施型態丨〜5說明微小階差之解除方法之具體 例m型g中’最大補正量表示為Max(bias)。如⑻㈣ 係使圖案邊緣㈣於其邊緣之直角方向偏移之量(補正量) 之於圖案内之最大值。X ’各實施型態中,最終補正結果 所期望之邊緣長之下限值表示為Min(edge)。 (實施型態1) 本只施型恶中說明藉由線寬補正,解除於圖案之角部之 補正圖案間所形成之凹部之方法。圖6A係表示藉由本實施 型態,凹部被埋入之圖案之角部。圖6A之圖案Pl係與圖2 相同,包含135。之角部(圓形所圍起之部分),135。之角部之 兩側的補正圖案Cl、C2之補正量為互異。 將圖6A所示之凹部D埋入時,首先,如圖6B所示,將圖 案全體僅過大Max(bias)。其次,如圖6C所示,使圖案邊緣 朝對於其邊緣之垂直方向,僅偏移Max(bias)。藉此,形成 暫時區域ΤΙ、T2。將圖6B所示之過大及圖6C所示之圖案邊 O:\87\87366.DOC -13 - 200416494 緣之偏移之順序改換亦可。 人如圖7 A所示,求取於圖6B被過大之圖案與於圖6C 所形成之暫時區域T1、丁2之合計之差分pd。由此差分⑼做 成凹部埋入用圖案。 其次,如圖7B所示,由差分Pd之邊緣,將圖6八所示之補 正圖案Cl、C2之圖案邊緣除外,並進一步將差分pd之最外 周之邊緣除外。藉此,抽出差分Pd之邊緣中,圖7B中之粗 線所示之邊緣e。 其次,如圖7C所示,使於圖7B所抽出之邊緣e朝垂直於邊 緣e之方向,並且向差分Pd之内側之方向僅偏移Ma<bias), 於偏移前後之邊緣e間形成矩形區域r。 其後,如圖7D所示,由合併線寬補正後之圖案(參考圖6句 及差分Pd(參考圖7A)中,削除矩形區域汉(參考圖7〇)。 藉此,不變更角部兩側之補正量,即可埋入角部之凹部。 故,減低描晝光罩資料之際等之資料處理量,處理將高速 化。又,光罩之缺陷檢查時,可避免角部之微小階差作為 疑似缺陷而被檢出。 (實施型態2) 本實施型態僅角部之角度與實施型態丨相異。圖8八係表示 藉由本實施型態、’凹部被埋入之圖帛之角部。圖8A之圖案 P2係與圖丨相同,包含90。之角部(圓形所圍起之部分),列。 之角部之兩側之補正圖案C1、C2之補正量為互異。 將圖8A所示之凹部D埋入時,首先,如圖8β所示,將圖 案全體僅過大MaX(bias)。其次,如圖8C所示,使全圖案邊
O:\87\87366 DOC -14- 200416494 緣朝對於各邊緣之垂直方向,僅偏移Max(bias),形成暫時 區域Tl、T2。改換圖8B所示之過大及圖8C所示圖案邊緣之 偏移之順序亦可。 其次,如圖9A所示,求取於圖8B被過大之圖案與於圖8C 所形成之暫時區域丁丨、丁2之合計之差分pd。 其次,如圖9B所示,由差分Pd之邊緣,將圖从所示之補 正圖案Cl、C2之圖案邊緣除外,並進一步將差分pd之最外 周之邊緣除外,抽出圖9B中之粗線所示之邊緣e。 其次,如圖9C所示,使於圖9B所抽出之邊緣e朝垂直於邊 緣e之方向,並且向差分Pd之内側之方向僅偏移Max(bias), 於偏移前後之邊緣e間形成矩形區域r。 其後,如圖10所示,由合併線寬補正後之圖案(參考圖8A) 及差分Pd(參考圖9A)中,削除矩形區域叫參考圖9C)e 藉此,不變更角部兩側之補正量,即可埋入角部之凹部。 故,減低描晝光罩資料之際#之資料處理量,處理將高速 化。又,光罩之缺陷檢查時,可避免角部之微小階差作為 疑似缺陷而被檢出。 (實施型態3) 本實施型態中說明藉由綠宫# τ ^ Λ 稽田線見補正,解除於圖案之角部之 補正圖案間所形成之凹部夕 乂凹°卩之方法。圖11Α係表示藉由本實施 型態’凹部被埋入之圖案之角部。 實施型態1及2中,圖幸之a 口茶之角部未滿1 80。,相對地,本實 施型態中係與圖3相同 圖案之角部為225。,超過180。。此 時,可說於1 3 5 之角部之内側形成補正圖案
0 \87\87366 DOC -15- 200416494 於本實施型態,角部之兩側之補正圖案C 1、C2之補正量 為互異。如圖11A所示,圖案P3之角部超過180。之情況,於 圖案之角部(圓形所圍起之部分),補正圖案之間將一部分重 疊。 將圖11A所示之凹部D埋入時,首先,如圖11B所示,抽 出長度為Max(bias)以下之邊,兩端之内角為9〇。及315。之邊 緣e 1。 其次,如圖lie所示,形成以圖11B中所抽出之邊緣“為 一邊之正方形。此時,於補正圖案間之凹部配置正方形。 其次,如圖12A所示,抽出與圖uc中所形成之正方形之 内°卩重豐,與正方形之邊不重疊之補正圖案之邊緣e2。 其夂,如圖UB所示,將邊緣㈠(參考UB)、邊緣a(參考 圖12A)、及正方形(參考圖11C)之一邊所包圍之區域丁埋入。 猎此,如圖12C所示,不變更角部兩側之補正量,即可埋 入角口P之凹。故,減低描畫光罩資料之際等之資料處理 量,處理將高速化。又,光罩之缺陷檢查時,可避免角部 之微小階差作為疑似缺陷而被檢出。 (實施型態4) 本實施型態中說明藉由線寬補正,解除於圖案之角部之 ,正圖案所形成之凸部之方法。圖ΐ3Α係表示藉由本實施型 怨’凸部被削除之圖案之角部。圖13Α之圖案Ρ4係與圖4相 同’包含135。之角部,並於135。之角部(圓形所圍起之部分) 之外側追加補正圖案c。 削除圖1 3 Α所示之凸部ρ時 首先,如圖13B所示,抽出
O:\87\87366.DOC -16 - 200416494 長度為Max(bias)以 下之邊,兩端之内角為90。及225。之邊緣 一其次,如®13C所示,形成以圖13B中所抽出之邊緣61為 一邊之正方形。此時,於與補正圖案C重疊之側配置正方形。 田其次’如1114A所示’抽出與圖13C中所形成之正方形重 豐部分之補正圖案C之邊緣e2。 其次,如圖14B所示 角形之區域T。其後, 域丁。 ’形成以邊緣el及邊緣e2為二邊之二 如圖14C所示,由補正圖案c削除區 藉此,無須變更線寬之補正量,即可削除角部之凸部。 故’減低描畫光罩資料之際等之資料處理量,處理將高速 化。又,光罩之缺陷檢查時,可避免角部之微小階差作為 疑似缺陷而被檢出。 (實施型態5) 本貝轭型悲中係說明藉由線寬補正,解除圖案邊緣成為 階梯形狀之方法。圖5A係表示藉由本實施型態,階梯形狀 部分被削除之圖案。 圖5A之圖案p5、P6之鄰接配線不平行,配線間距離連續 變化。由於補正量係藉由最小袼子之倍數而離散定義,故 如圖5B所示,做成補正量階段性變更之補正圖案c。補正 里係按照配線間距離而變化。 削除圖5B所示之階梯形狀部分(圓形所圍起之部分)時, 首先,如圖15A所示,抽出與線寬補正前之圖案邊緣垂直, 長度為MaX(bias)以下之邊緣el。此工序中所抽出之複數邊
O:\87\87366.DOC 17 200416494 緣e 1係於圖1 5 A以粗線表示。 其次,如圖15B所示,使圖15A所抽出之邊緣“朝對於邊 緣el之垂直方向,並且向補正圖案c之内側之方向僅偏移 Mm(edge)。藉此,於偏移前後之邊緣el間形成矩形區域 R1。由於補正圖案成為階梯形狀,故形成複數矩形區域尺卜 另一方面,如圖15C所示,抽出與線寬補正前之圖案邊緣 平行,並且長度比Min(edge)短之邊緣e2。此工序中所抽出 之複數邊緣e2係於圖15C以粗線表示。 其次,如圖15D所示,使圖15C中所抽出之邊緣。,朝對 於該邊緣之垂i方向’並且向補正圖案c之内側之方向僅移 動MaX(bias)。藉此,於偏移前後之邊緣^間,形成矩形區 域R2。由於補正圖案成為階梯形狀,故形成複數矩形區域 R2。改換形成矩形區域R1及矩形區域R2之順序亦可。 其次,如圖16A所示,求取矩形區域^及矩形區域们之 重疊部分(AND部分)A。 其次,如圖16B所示,由補正圖案削除矩形區域ri及矩 形區域R2之AND部分A(參考圖16C)。 其後,重複圖15A〜16B所示之工序至階梯形狀沒有為 止。藉此,如圖16C所示,獲得矩形之補正圖案Cr。 根據上述本實施型態之光罩圖案補正方法,於追加於斜 向延伸之圖案之補正圖案’成為階梯形狀之部分被削除。 故,描晝光罩資料之際等之資料處理量減低,處理將高速 化。又,於光罩之缺陷檢查時,可避免角部之微小階差作 為疑似缺陷而被檢出。
O:\87\87366 DOC -18- _本如明之光罩圖案補正方法之實施型態並未限定於上述 兄月例如·於角部之内側及外側之兩方追加補正圖案, 使圖案之線寬增加之情況,亦可組合上述實施型態中之相 異2者而進行圖案之補正。 匕外在不逸脫本發明之要旨之範圍内,可進行各種變 更。 . 々根據本务明之光罩圖案補正方法,可簡單解除圖案之線 : I補正後所產生之微小階差。 【產業上之利用可能性】 _ ,本电明之光罩圖案補正方法可適用於補正半導體農置之 製程中之微影所使用之光罩之圖案的光罩圖案之補正方 法。 【圖式簡單說明】 圖1為圖案之線寬補正後所產生之微小階差之示意圖。 圖2為圖案之線寬補正後所產生之微小階差之示意圖。 圖3為圖案之線寬補正後所產生之微小階差之示意圖。 圖4為圖案之線寬補正後所產生之微小階差之示意圖。· 圖5 A及圖5B係表示先前例及本發明之實施型態5之光罩 圖案補正方法之工序圖。 圖6A〜6C係表示本發明之實施型態工之光罩圖案補正方、 法之工序圖。 圖7A〜7D係表示本發明之實施型態)之光罩圖案補正方 法之工序圖。 圖8A〜8C係表示本發明之實施型態2之光罩圖案補正方
0 \87\87366 DOC -19- 200416494 法之工序圖。 圖9A〜9C係表示本發明之實施型態2之光罩圖案 法之工序圖。 圖1 〇係表示本發明之實施型態2之光罩圖案補正 工序圖。 圖11A〜11 C係表示本發明之實施型態3之光罩圖 方法之工序圖。 圖12A〜12C係表示本發明之實施型態3之光罩圖 方法之工序圖。 圖13 A〜1 3 C係表示本發明之實施型態4之光罩圖 方法之工序圖。 圖14A〜14C係表示本發明之實施型態4之光罩圖 方法之工序圖。 圖15A〜15D係表示本發明之實施型態5之光罩圖 方法之工序圖。 圖16A〜16C係表示本發明之實施型態5之光罩圖 方法之工序圖。 【圖式代表符號說明】 P1 圖案 Cl、C2 補正圖案 D 凹部 ΤΙ、T2 暫時區域 Pd 差分 e 邊緣
〇'\87\87366.DOC 補正方 方法之 案補正 案補正 案補正 案補正 案補正 案補正 -20- 200416494 R 矩形區域 P2、P3 圖案 el 邊緣 e2 補正圖案之邊緣 T 區域 P4 圖案 C 補正圖案 P5、P6 圖案 R1、R2 矩形區域 A R1及R2之AND部分(重疊部分) Cr 矩形之補正圖案 I 圖案 a、b 補正量 Π、n、IV 圖案 P 凸部
O:\87\87366.DOC 3.DOC -21 -
Claims (1)
- 拾、申請專利範圍: L -種光罩圖案補正方法,其係包含延伸於第 —圖案與延伸於第二 D之第 以相接之角部者;且具有弟—圖案形成特定之角度 使前述第一圖案之延伸於前述第一方 之1個並位於角部外側之第-圖案邊緣,朝垂直:!、二 第-方向之第三方向以第一補正量平行移動 弟一補正量平行移動前後之前述第-圖案邊緣間,:= 乐一□案之線見增加之做成第—補正圖案之 :前述第二圖案之延伸於前述第二方向之緣 之1個並位於角部外側’與前述第-圖案邊緣相 —圖案邊緣,朝垂直於前述第二 弟 々巧ι弟四方向膂一 千::動,於以前述第二補正量平行移動前後之 =第:圖案邊緣間,使前述第二圖案之線寬增加之做 成弟一補正圖案之工序; = 并前述第一圖案及前述第二圖案之 而做成放大圖形之工序,前述 正量中之大者…曰ρ 補正里與河述第二補 之大者之補正置,與兩述第-圖案之朝前述第: 方向之移動量一致,並且前述大者之補正量與前述^ 圖案之朝前述第四方向之移動量— 之工序; 里致而擴大前述圖形 使前述第一圖幸邊绫如益+、 補正…逑第三方向以前述大者之 之;第仃移動’於以前述大者之補正量平行移動前後 之則述第一圖案邊緣間做成第—暫時區域之工序,· O:\87\87366 DOC 200416494 使前述第二圖案邊緣朝前述第四方向以前述大者之 補正夏平行移動’於以前述大者之補正量平行移動前後 之前述第二圖案邊緣間做成第二暫時區域之工序; 由擴大圖形將前述第一暫時區域及前述第二暫時區 域除外,做成階差埋入用圖案之工序; 由前述階差埋入用圖案之全圖案邊緣將最外周邊緣 除外’亚進一步將前述第一補正圖案之圖案邊緣及前述 第二補正圖案之圖案邊緣除外,抽出區域指定用 工序; 使前述區域指定用邊緣朝與前述區域指定用邊緣垂 直之方向’並且向前述階差埋入用圖案之内側以前述大 :之補正量平行移動’於以前述大者之補正量平行移動 前後^前述區域指^用邊緣間做成削除區域之工序.及 ^前述階差埋入用圖案削除前述削除區域,追力削 除則述削除區域之前述階差埋人用圖案及前述第 正圖案與前述第二補正圖案,於前述第—圖案及前述第 一圖案之工序。 2·:申請專利範圍第1項之光罩圖案補正方法,其中放大 别述圖形之工序藉由前贫裳 大而進行。 p及/或河述第二圖案之過 3.!申請專利範圍第1項之光罩圖案補正方法,其中做成 -述第-及/或前述第二暫時區域之工序…::成 及/或第二圖案之過大而進行。 彳錯“述弟- 4·如申請專利範圍第丨項之光罩圖案補正方法,其中前述 O:\87\87366 DOC 200416494 弟一暫時區域及前述第二暫時區域之除外藉由前 -暫時區域及前述第二暫時區域之過小而進行。 5.如申請專利範圍第1項之光罩圖案補正方法,其中前、 第一補正圖案及前述第二補正圖案之補正量係互異則攻 6·如申請專利範圍第1項之光罩圖案補正方法,…' 最外周邊緣為前述第-暫時區域之邊緣中朝前述Z 方岐長之線段之一部分及前述第二暫時區域 中朝W述第二方向延長之線段之_部分。 緣 7. 如申請專·圍第W之光罩圖案補正方法,其 大者:補正量為前述第一補正量或前述第二二 任一者之最大補正量。 中 8. 如:請專利範圍第!項之光罩圖案補正方法,其 特定之角度α。規定為90^α<18〇。 ⑺述 9· -種光單圖案補正方法,其係包含延伸於第— 一圖案與延伸於第- 之第 H 弟二圖案形成特定之角片 α而相接之角部者;且具有: 角度 之:前述第一圖案之延伸於前述第一方向之圖 :位於角部内側之第一圖案邊緣 第一方向夕笙^ 且%則逑 第一 。以第一補正量平行移動,於以前辻 二一補:量平行移動前後之前述第-圖案邊緣間,二 圖案之線寬增加之做成第—補正圖案之工岸 使刖述第二圖案之延伸於前述第; , 之1個並位於角部之内側 :°之圖案邊緣 第二圖案邊緣,朝垂直於前述第二二之圖第案邊緣相接之 之第四方向以第 〇 \87\87366 DOC 200416494 二補正量平行移動,於以前 之前述第二圖案邊緣間,使&補正量平行移動前後 做成第_、、 則述第二圖案之線寬增加之 做成弟一補正圖案之工序; < 由則述第-補正圖案之圖案邊緣 案之圖案邊緣,抽出長度為前 補正圖 τ θ , ⑴述弟一補正量及前述第- 補正I中之大者之補正量 硿夕&去 乂下,—端之角為90。且另— 為450。一α。之區域指定用邊緣之工序; 做成以前述區域指定用邊緣 包含前述區域指定用邊緣之、s 方形而不與 疋用違緣之補正圖案重疊之工序; 由前述第一補正圖案之圖宰 , 索夕岡安、皇 口茶逯緣及則述弟二補正圖 -、θ案邊緣,抽出為前述正方形内且^ j ^ Η且不與則述正方形 之邊重豐之部分之前述正方形内邊緣之工序;及 追加前述正方形之另外_邊 用邊緣之邊、前述區域指定用邊缘Μ區域指定 疋用邊緣、别述正方形内邊緣 匕之二角形圖案、及前述第—補正圖案與前述第二 ίο. 11. 12. 補正圖案’於前述第一圖案及前述第二圖案之工序。 如申請專利範圍第9項之光軍圖案補正方法,其中做 前述第-及/或前述第二補正圖案之工序藉由前述第一 及/或前述第二圖案之過大而進行。 如:請專利範圍第9項之光罩圖案補正方法,其中於做 f别述正方形之工序之前,將前述第-補正圖案及/或 前述第二補正圖案過小。 ,申請專利範圍第9項之光罩圖案補正方法,其中前述 第補正圖案及前述第二補正圖案之補正量係互異。 O:\87\87366 DOC -4- 13.200416494 14. 15. 如申凊專利範圍第9項之 ^貝之先罩圖案補正方 大者之補正量為前试楚 其中前述 任一者之最大補正量。 ^以二補正量中 如申請專利範圍第9項之光罩圖案補正方法 特定之角度α。規定為9〇“<ΐδ〇。 ,、中前述 一種光罩圖案補正方法, ,、係包含延伸於第__, 一圖案與延伸於第、 方向之第 。 方向之第二圖案形成特定+么 α而相接之角部者;且具有· 、 之角度 使刖述第一圖案之延伸於前述第一方 之1個並位於角部外側 ^之圖案邊緣 第-方向之第:方1苐—圖案邊緣,朝垂直於前述 叶-桩- 特定之補正量平行移動,於以前 述特定之補正量平行移 、, 助於以别 間,使前述第一圖宰 圖案邊緣 序; 案之線見增加之做成補正圖案之工 由前述補正圖案之圖案邊緣, 補正量以下,—端之“。λ。 長度為則述特定之 之巴❹… 且另一端之角為《。+ 9〇。 之區域私疋用邊緣之工序; 做成以前述區域指定 人乂、+、、士 γ ^ 咬〈止方形而與包 3刖述補正圖案重疊之工序· 由除去如述第—EJ ^ 圖案邊緣之前述補正圖幸 緣,抽出與前述正⑼之、“田& ΰ案之圖案邊 工序; ^邊重^之別述正方形上邊緣之 做成以前述區域扣^ 一.軎 & _ 用邊緣及前述正方形上邊緣為 一邊之二角形圖案之工序;及 O:\87\87366.DOC 16. 一由前述補正圖案削除前述三角形圖案,追加削除前述 二角形圖案之前述補正圖案於前述第一圖案之工序。 17. 18. 專利範圍第15,之光罩圖案補正方法’其令做成 引”正圖案之工序藉由前述第一圖案之過大而進行。 如二請專利範圍第15項之光罩圖案補正方法,其中於做 成前述正方形之工序之前’將前述補正圖案過小。 如申請專利範圍第15項之光罩圖案補正方法,其中前述 特定之角度α。規定為180。 1 9·種光罩圖案補正方法,其係包含延伸於第—方向之第 圖案與延伸於第二方向之第二圖案者;且具有·· 分割前述第一圖案之延伸於前述第一方向之圖案邊 、、彖之1個,亚位於前述第二圖案側之第_圖案邊緣為 數區間之工序; 使岫述分割之各區間以因應與前述第二圖案之距離 之補正量,朝垂直於前述第一方向之第三方向平行移 動,於前述平行移動前後之前述各區間之間,使前述第 一圖案之線寬增加之做成補正圖案之工序; 由前述補正圖案之圖案邊緣,抽出比延伸於前述第三 方向之最大補正量短之複數第一區域指定用邊緣之工 序; 使前述第一區域指定用邊緣朝向前述第一方向之前 述補正圖案之内側,平行移動區間長度之最小值,於前 述平行移動前後之前述第一區域指定用邊緣間,做成第 一矩形區域之工序; O:\87\87366.DOC -6- 由前述補正圖案之圖案邊緣,抽出比延伸於前述 向之區間長度之最小值短之複數第二區域卜 緣之工序; 9疋用邊 使别述第二區域指定用邊緣朝向前 述補正FI奋 $ —万向之前 一 内側’以最大補正量平行移動,於m 仃移動前後之前述第二、c 形區域之工序; …用邊緣間’做成第二矩 將g述苐一矩形區域及前 — 、 八;二 疋弟一矩形區域之重最部 刀由則述補正圖案削除之工序;及 旦邛 至則述第二區域指定用邊、主 , V, ^ 緣…除為止,重複前述第一 ^域指定用邊緣之抽出、前 Κ弟 述第-卩Α β + 呔苐一矩形區域之做成、前 做成之工序。 出、及前述第二矩形區域之 O:\87\87366.DOC
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002290372A JP3659242B2 (ja) | 2002-10-02 | 2002-10-02 | マスクパターン補正方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200416494A true TW200416494A (en) | 2004-09-01 |
Family
ID=32063768
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW092127333A TW200416494A (en) | 2002-10-02 | 2003-10-02 | Mask pattern correcting method |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060014082A1 (zh) |
JP (1) | JP3659242B2 (zh) |
KR (1) | KR20050062567A (zh) |
CN (1) | CN1688932A (zh) |
DE (1) | DE10393430T5 (zh) |
TW (1) | TW200416494A (zh) |
WO (1) | WO2004031857A1 (zh) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4242796B2 (ja) * | 2004-03-12 | 2009-03-25 | パナソニック株式会社 | 画像認識方法及び画像認識装置 |
KR100822584B1 (ko) * | 2005-09-16 | 2008-04-15 | 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 | 배선 형성 시스템 및 그 방법 |
JP2007286427A (ja) * | 2006-04-18 | 2007-11-01 | Sony Corp | マスクパターン生成方法 |
KR100732772B1 (ko) * | 2006-04-25 | 2007-06-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 마스크 레이아웃 형성 방법 및 이에 따른 레이아웃 |
US7683351B2 (en) * | 2006-12-01 | 2010-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2009210707A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Nec Electronics Corp | フォトマスク及びその設計方法と設計プログラム |
CN103235486A (zh) * | 2013-01-30 | 2013-08-07 | 常州同泰光电有限公司 | 一种校正曝光图形的方法 |
CN103941550B (zh) * | 2014-03-24 | 2015-11-25 | 上海华力微电子有限公司 | 一种智能化选择性目标尺寸调整方法 |
CN113223936B (zh) * | 2021-03-30 | 2024-05-03 | 江苏师范大学 | 一种InP基纳米周期结构的制备方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002083757A (ja) * | 2000-07-05 | 2002-03-22 | Mitsubishi Electric Corp | レイアウトパターンデータ補正装置、補正方法及び半導体装置の製造方法並びに記録媒体 |
JP2002072441A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-03-12 | Mitsubishi Electric Corp | レイアウトパターンデータ補正装置及び方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法並びにレイアウトパターンデータ補正プログラムを記録した媒体 |
JP2002122978A (ja) * | 2000-10-18 | 2002-04-26 | Sony Corp | マスクデータの検証方法および検証プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
-
2002
- 2002-10-02 JP JP2002290372A patent/JP3659242B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-09-30 DE DE10393430T patent/DE10393430T5/de not_active Withdrawn
- 2003-09-30 KR KR1020057005239A patent/KR20050062567A/ko not_active Application Discontinuation
- 2003-09-30 WO PCT/JP2003/012493 patent/WO2004031857A1/ja active Application Filing
- 2003-09-30 US US10/529,385 patent/US20060014082A1/en not_active Abandoned
- 2003-09-30 CN CNA038236222A patent/CN1688932A/zh active Pending
- 2003-10-02 TW TW092127333A patent/TW200416494A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3659242B2 (ja) | 2005-06-15 |
CN1688932A (zh) | 2005-10-26 |
DE10393430T5 (de) | 2005-09-15 |
WO2004031857A1 (ja) | 2004-04-15 |
KR20050062567A (ko) | 2005-06-23 |
JP2004126236A (ja) | 2004-04-22 |
US20060014082A1 (en) | 2006-01-19 |
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