CN110515267B - 版图修正方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种版图修正方法，包括：获取原始版图，原始版图中包括至少两个目标图案，目标图案中包括有第一图形和第二图形，第一图形为条形结构，第一图形和第二图形连接，目标图案的第一图形的一侧或两侧设置有另一目标图案的第二图形，并且，目标图案的第二图形与另一目标图案的第二图形间隔设置；在目标图案第一图形靠近第二图形的侧边上添加至少一个修正图形，或者，在另一目标图案中与目标图案第一图形所紧邻的边缘处，挖除至少一个图形。采用本发明提供的版图修正方法修正完成后，所制作出的掩膜版可以增加曝光的工艺窗口，有效地避免了断线或粘连等工艺缺陷，从而确保了最终形成在基底上的实际图案不会失真。

Description

版图修正方法

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种版图修正方法。

背景技术

在半导体器件的制造过程中，通常会基于掩膜版对半导体基底进行曝 光处理，从而将掩膜版上的图案转移到半导体基底上，以便后续通过对半 导体基底执行显影、刻蚀等步骤。

但是相关技术中，掩膜版上一般包括有多个目标图案，每个目标图案 具体包括两个图形，例如参考图1中的目标图案A，包括有第一图形A1 和第二图形A2，所述第一图形A1为长条形，以及，所述第一图形A1与 第二图形A2连接，并且，第二图形A2与第一图形A1两者的宽度相差较 大。与此同时，所述目标图案A的第一图形A1的一侧相邻设置有另一目 标图案B，并且，相邻目标图案之间的间距较小，例如图1中目标图案A 的第一图形A1与相邻的另一目标图案B的第二图形B2相距较近。

则在此基础上，基于所述掩膜版上的图案对半导体基底进行曝光时， 由于每个目标图案的第一图形的宽度较小，且与第二图形的宽度相差较大， 则光线在第二图形与第一图形的连接处极易发生光学邻近效应(Optical Proximity Effect，OPE)而导致的光能分配不均的问题，从而造成最终在基 底上形成的实际图案中的第一图形与第二图形的连接处出现断线现象；同 时，由于目标图案A的第一图形A1与另一目标图案B的第二图形B2相距较近，则会导致最终形成在半导体基底上的实际图案中第一图形A1与 第二图形B2黏连在一起，从而使得最终形成在半导体基底上的实际图形严 重失真。

因此，亟需一种合适的版图修正方法来对原始版图进行修正，补偿失 真图形的光强，以便基于修正后的版图曝光后可以有效避免断线或粘连等 工艺问题，同时改善目标图案的工艺窗口。

发明内容

本发明的目的在于提供一种版图修正方法，以制造出可以补偿失真图 形的掩膜版。

为实现上述目的，本发明提供了一种版图修正方法，所述方法包括：

获取原始版图，所述原始版图中包括至少两个目标图案，所述目标图 案中包括有第一图形和第二图形，第一图形为条形结构，所述第一图形和 所述第二图形连接，所述目标图案的第一图形的一侧或两侧设置有另一目 标图案的第二图形，并且，所述目标图案的第二图形与所述另一目标图案 的第二图形间隔设置；

在所述目标图案第一图形靠近第二图形的侧边上添加至少一个修正图 形，以增加所述目标图案中第一图形靠近所述第二图形部分的宽度尺寸， 或者，在所述另一目标图案中与所述目标图案第一图形所紧邻的边缘处， 挖除至少一个图形，以增加所述另一目标图案与所述目标图案之间的间距。

可选的，所述第一图形与所述第二图形的连接处位于所述第二图形的 边缘部位，或者，位于所述第二图形的非边缘部位。

可选的，将所述第一图形远离所述第二图形一侧的边长的延伸方向定 义为第一方向，以及，所述第二图形在第一方向上的宽度尺寸与所述第一 图形在第一方向上的宽度尺寸之比小于等于10，大于等于5。

可选的，将所述第一图形远离所述第二图形一侧的边长的延伸方向定 义为第一方向，将所述第一图形侧边的延伸方向定义为第二方向；

以及，在所述目标图案第一图形靠近第二图形的侧边上添加至少一个 修正图形的方法包括：

以所述目标图案的第一图形和第二图形的连接处为起点，沿着所述第 二方向，在所述目标图案的第一图形的侧边上依次添加修正图形一、修正 图形二...修正图形n，直至所述修正图形n与所述另一目标图案的第二图形 之间的距离小于第一阈值，第一阈值介于30nm-70nm之间。

其中，所述修正图形一、修正图形二......修正图形n在第一方向上的宽 度尺寸逐渐递减，所述修正图形一在第二方向上的宽度尺寸大于等于所述 目标图案的第二图形与所述另一目标图案的第二图形间距的二分之一。

可选的，将所述第一图形远离所述第二图形一侧的边长的延伸方向定 义为第一方向，将所述第一图形侧边的延伸方向定义为第二方向；

并且，所述另一目标图案的第二图形具有与所述目标图案的第一图形 紧邻的凸角，所述凸角的尖角面对所述目标图案的第一图形与第二图形的 连接处；

以及，在所述另一目标图案中与所述目标图案第一图形所紧邻的边缘 处，挖除至少一个图形的方法包括：以所述凸角为起点，沿所述第二方向， 在所述另一目标图案中与所述目标图案第一图形所紧邻的边缘处，依次挖 除图形一、图形二......图形n，以增加所述另一目标图案与所述目标图案的 第一图形之间的间距；

其中，所述图形一、图形二......图形n在第一方向上的宽度尺寸依次减 小。

可选的，所述图形一、图形二......图形n在第二方向上的宽度尺寸之和 大于等于所述第二图形在第二方向上的宽度尺寸。

可选的，所述修正图形一和所述图形一在第一方向上的宽度尺寸小于 等于所述第二图形在第一方向上的宽度尺寸的五分之一。

可选的，所述至少一个修正图形和所述至少一个图形为矩形。

可选的，所述第一图形在所述第一方向上的宽度尺寸介于所述原始版 图中最小线宽的1-2倍之间。

可选的，所述至少一个修正图形不与另一目标图案重叠。

综上所述，本发明提供的版图修正方法，会先提供包括至少两个目标 图案的原始版图，并且，目标图案中包括有第二图形和条形结构的第一图 形，且第一图形和第二图形连接。并且，本发明中会在所述目标图案的第 一图形靠近所述第二图形的侧边上添加至少一个修正图形，用来增加目标 图案中第一图形靠近第二图形部分的宽度尺寸，如此可以缩短所述第一图形和所述第二图形两者宽度尺寸之间差距，则当基于所述目标图案执行曝光工艺时，可有效避免在所述第一图形和所述第二图形的连接处由于发生 光的衍射或光的干涉现象而造成的光能分布不均的问题，防止最终形成在 基底上的实际图案中的第一图形与第二图形的连接处出现断线的现象，从 而确保了最终形成在基底上的实际图案不会失真。

进一步地，原始版图中的目标图案的第一图形的一侧或两侧会设置有 另一目标图案，并且，所述目标图案的第二图形与所述另一目标图案间隔 设置，所述另一目标图案的第二图形还具有与所述目标图案的第一图形紧 邻的凸角。基于此，本发明中还会以所述另一目标图案的凸角为起点，在 所述另一目标图案的与所述第一图形紧邻的边缘处，依次挖除图形一、图 形二......图形n，来增加所述另一目标图案与所述第一图形之间的间距，如此，当执行曝光工艺时，可有效避免在所述另一目标图案和所述目标图案 的第一图形的黏连在一起，确保了最终形成在基底上的实际图案不会失真。

附图说明

图1为本发明提供的一种原始版图的结构示意图；

图2为本发明一实施例提供的一种版图修正方法的流程示意图；

图3为本发明一实施例提供的在图1版图中添加了修正图形后的版图 结构示意图；

图4为本发明一实施例提供的另一种原始版图的结构示意图；

图5为本发明一实施例提供的在图4版图中添加了修正图形后的版图 结构示意图；

图6为本发明一实施例提供的一种版图结构示意图；

图7为本发明一实施例提供的另一种版图结构示意图；

图8为在图6的另一目标图案的第二图形中挖除了图形后版图结构的 示意图；

图9为在图7的另一目标图案的第二图形中挖除了图形后版图结构的 示意图；

图10为在图3的另一目标图案的第二图形中挖除了图形后版图结构的 示意图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明提出的版图修正方法作进一步详 细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需 说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方 便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

图2为本发明一实施例提供的一种版图修正方法的流程示意图，如图 2所示，所述方法可以包括：

步骤100、获取原始版图。

所述原始版图中可以包括有至少两个目标图案，所述目标图案中包括 有第一图形和第二图形，第一图形可以为条形结构，所述第一图形和所述 第二图形连接，所述目标图案的第一图形的一侧或两侧可以设置有另一目 标图案的第二图形，并且，所述目标图案的第二图形与所述另一目标图案 的第二图形间隔设置。

具体的，所述原始版图例如可以如图1所示，包括两个目标图案，分 别为目标图案A和另一目标图案B。其中，所述目标图案A第一图形A1 的一侧设置有所述另一目标图案B的第二图形B2，且所述目标图案A的第二图形A2与所述第二图形B2间隔设置，并且，第二图形B2与所述第 二图形A2之间的距离可以介于150～200nm之间。

进一步地，所述第一图形的形状例如可以为条状矩形，以及，所述第 一图形的短边可以与所述第二图形重叠连接。并且，所述第一图形与所述 第二图形的连接处可以位于所述第二图形的边缘部位(例如参考图1中另一目标图案B中的第一图形B1和第二图形B2)，也可以位于所述第二图 形的非边缘部位(例如参考图1中目标图案A中的第一图形A1和第二图 形A2)。

以及，可以将所述第一图形远离所述第二图形一侧的边长的延伸方向 确定为第一方向(例如图1中的方向M)，将所述第一图形侧边的延伸方 向确定为第二方向(例如图1中的方向N)。则在本实施例中，所述第一 图形在所述第一方向上的宽度尺寸具体介于所述原始版图中最小线宽的 1-2倍之间，其中，所述原始版图的最小线宽一般介于35～40nm之间(例 如可以为38nm)，以及，所述第二图形在第一方向上的宽度尺寸与所述第一图形在第一方向上的宽度尺寸之比应介于5～10之间，即，两者宽度尺寸 相差较大。

此外，需要说明的是，在本实施例中，所述原始版图中也可以只包括 一个目标图案，例如可以只包括图1所示的目标图案A或另一目标图案B。

步骤200、在所述目标图案第一图形靠近第二图形的侧边上添加至少 一个修正图形，以增加所述目标图案中第一图形靠近所述第二图形部分的 宽度尺寸，或者，在所述另一目标图案中与所述目标图案第一图形所紧邻 的边缘处，挖除至少一个图形，以增加所述另一目标图案与所述目标图案第一图形之间的间距。

其中，在所述目标图案中添加至少一个修正图形的方法可以为：以所 述目标图案的第一图形和第二图形的连接处为起点，沿第二方向，在所述 目标图案的第一图形的侧边上依次添加修正图形一、修正图形二...修正图 形n，直至所述修正图形n与所述另一目标图案的第二图形之间的距离小 于第一阈值，第一阈值介于30nm-70nm之间。

其中，所述修正图形一、修正图形二......修正图形n在第一方向上的宽 度尺寸逐渐递减，并且所述修正图形一在第二方向上的宽度尺寸应大于等 于所述目标图案的第二图形与所述另一目标图案的第二图形间距的二分之 一。以及，所述修正图形一在第一方向上的宽度尺寸应小于等于所述第二 图形在第一方向上的宽度尺寸的五分之一，所述修正图形不与所述另一目 标图案相互重叠。

进一步地，需要说明的是，基于所述第一图形与所述第二图形连接处 在所述第二图形中位置的不同，上述步骤200中添加至少一个修正图形的 具体方法也会不同。

具体的，若所述目标图案的第一图形与第二图形的连接处位于所述第 二图形的非边缘处，所述至少一个修正图形应添加至所述目标图案第一图 形的两条侧边或者一条侧边上。

示例的，参考图1，所述目标图案A的第一图形A1与第二图形A2的 连接处位于所述第二图形A2的非边缘处。基于此，图3为本发明一实施例提供的一种在图1目标图案的第一图形的两条侧边添加修正图形后的版图 结构示意图，如图3所示，以所述目标图案A的第一图形A1和第二图形 A2的连接处为起点，沿第二方向N，在所述第一图形A1的两条侧边上分别添加了修正图形一C1、修正图形二C2、修正图形C3。并且进一步参考 图3可知，所述修正图形一C1、修正图形二C2、修正图形C3在第一方向 M上的宽度尺寸逐渐递减，以及，所述修正图形一C1在第二方向N上的 宽度尺寸大于所述第二图形A2和第一图形B1间距I的二分之一，以及， 所述修正图形一C1、修正图形二C2、修正图形C3均未与另一目标图案B 重叠。

进一步地，若所述目标图案中的第一图形与所述第二图形的连接处位 于所述第二图形的边缘处，则所述至少一个修正图形应仅添加至所述目标 图案第一图形的其中一条侧边上，所述其中一条侧边可以为所述第一图形 中与所述第二图形所形成的夹角不为180°的侧边。

示例的，图4为本发明一实施例提供的另一种原始版图结构示意图， 如图4所示，目标图案A中第一图形A1与第二图形A2的连接处位于第一 图形A1边缘处，以及，所述第一图形A1包括有侧边a和侧边b，所述侧 边a与所述第二图形A2所形成的夹角为180°，所述侧边b与所述第二图 形A2所形成的夹角为90°或者270°(即非180°)。基于此，图5为本发明一实施例提供的一种在图4所示的目标图案第一图形侧边添加了修正 图形后的版图结构示意图，如图5所示，以所述目标图案A的第一图形A1 和第二图形A2的连接处为起点，沿第二方向N，仅在所述第一图形A1的 侧边b上分别添加修正图形一C1、修正图形二C2、修正图形C3。

如上所述，目标图案A的第一图形A1靠近所述第二图形A2的侧边添 加了至少一个修正图形后，增加了所述第一图形A1的工艺窗口，同时还增 加第一图形A1在第一方向上的宽度尺寸，减小了所述第一图形A1和所述 第二图形A2两者的宽度差值，则当基于所述目标图案A执行曝光操作时， 不易在所述第一图形A1与第二图形A2的连接处发生由于光的干涉或衍射 效应而产生的光能分布不均的问题，改善了曝光操作的工艺窗口，从而保 证了最终形成在半导体基底上的图案不会失真。并且，由于修正图形一、 修正图形二......修正图形n在第一方向上的宽度尺寸逐渐递减，以及，修正 图形一在第二方向上的宽度尺寸大于等于所述目标图案的第二图形与所述 另一目标图案的第二图形间距的二分之一，则可以确定所述修正图形一在第一方向和第二方向上的宽度尺寸均较大。基于此，当在目标图案第一图 形A1与第二图形A2的连接处添加了修正图形一后，能够使得所述第一图 形A1与第二图形A2的连接处光能分布更均匀，可以更好地改善在所述第 一图形A1与第二图形A2的连接处发生OPC效应，进一步确保了最终形 成在半导体基底上的图案不会失真。

进一步地，需要说明的是，上述的在目标图案A的第一图形A1的侧 边依次添加修正图形的方法过程中，是当修正图形n与另一目标图案B之 间的距离小于第一阈值时，停止添加修正图形的。也即是，上述的添加修 正图形的方法主要是针对第一图形侧边设置有其他目标图案的目标图案 (例如图1中的目标图案A)而言的。

但是，所述原始版图中必然包括有某一目标图案，其第一图形的侧边 未设置有其他目标图案，例如图1所示的另一目标图案B，所述另一目标 图案B的第一图形B1的侧边并未设置有其他目标图案。然而，该另一目 标图案B的第一图形B1与第二图形B2的宽度尺寸也相差较大，也会引起 OPC效应，则本实施例中也需要在该另一目标图案B的第一图形B1靠近 第二图形B2的侧边上添加至少一个修正图形，来增加第一图形B1靠近第 二图形B2的宽度尺寸，改善OPC效应。

此时，针对第一图形侧边未设置有其他目标图案的另一目标图案B而 言，在对其添加至少一个修正图形以增加所述第一图形B1靠近第二图形 B2处的宽度尺寸的方法可以为：以所述另一目标图案B中第一图形B1与 第二图形B2的连接处为起点，沿着第二方向，在所述第一图形B1的侧边 依次添加修正图形一、修正图形二......修正图形n，直至所述修正图形n与 所述另一目标图案B1的第二图形B2之间的间距大于等于第二阈值，所述 第二阈值介于100～150nm之间。

其中，需要说明的是，当所述另一目标图案B中的第一图形B1与第 二图形B2的连接处位于所述第二图形B2的边缘时，具体是在所述第一图 形B1的其中一条侧边上添加修正图形(例如可以参考附图3)，而若所述 另一目标图案B中的第一图形B1与第二图形B2的连接处位于所述第二图 形B2的非边缘时，具体是在所述第一图形B1的两条侧边上添加修正图形 (例如可以参考附图5)。

如上所述，通过在所述目标图案A第一矩形A1的侧边添加至少一个 修正图形，来增大所述目标图案A的第一图形A1靠近第二图形A2处的宽 度尺寸，缩短第一图形A1和第二图形A2两者在第一方向上的宽度尺寸之 间的差距，以及通过在另一目标图案B的第一图形B1的侧边添加至少一 个修正图形，来缩短第一图形B1和第二图形B2两者在第一方向上的宽度 尺寸之间的差距，如此，可以使得所述版图中的任一目标图案中的第一图 形和第二图形在第一方向上的宽度尺寸之间的差距均较小，则基于所述版 图中的任一目标图案执行曝光操作时，可以避免光线在第一图形和第二图 形的连接处由于发生光的干涉或者光的衍射效应而造成的光能分布不均的问题，从而确保了最终在基底上形成的实际图案中的第一图形和第二图形 的连接处不会出现断线现象，改善光学邻近效应。

进一步地，需要说明的是，所述另一目标图案B的第二图形B1与所 述目标图案A的第一图形A1之间的距离相对较短，此时，在基于所述目 标图案A和另一目标图案B执行曝光操作时，所述第二图形B2与第一图 形A1易黏连，则会导致曝光操作的准确性降低，还会使得最终形成在半导 体基底上的图案发生失真。

基于此，本实施例中的修正方法中还包括有：在所述另一目标图案中 与所述目标图案第一图形所紧邻的边缘处挖除至少一个图形，以增加所述 另一目标图案与所述目标图案的第一图形之间的间距。

具体的，另一目标图案B的第二图形B2具有与所述目标图案A的第 一图形A1紧邻的凸角L(参考图3)，并且，所述凸角L的尖角面对所述 目标图案中第一图形A1与第二图形A2的连接处。基于此，在所述另一目标图案中挖除至少一个图形的方法可以为：以所述凸角为起点，沿着第二 方向M，在所述另一目标图案中与所述目标图案第一图形所紧邻的边缘处， 依次挖除图形一、图形二......图形n，其中，所述图形一、图形二......图形n 在第一方向上的宽度尺寸依次减小，并且，所述图形一在第一方向M上的 宽度尺寸小于等于所述第二图形在第一方向上的宽度尺寸的五分之一。

其中，需要说明的是，所述图形一、图形二......图形n在第二方向上的 宽度之和应大于等于所述第二图形在第二方向的宽度尺寸。

具体的，当所述目标图案中的第一图形A1仅与所述另一目标图案B 的第二图形B2紧邻，而未与另一目标图案B的第一图形B1紧邻时，例如 可以参考图6和图7所示，在所述另一目标图案中挖除至少一个图形的方 法具体为：以所述凸角为起点，沿着第二方向M，在所述另一目标图案第 二图形B2的边缘处，依次挖除图形一、图形二......图形n，此时，所述图 形一、图形二......图形n在第二方向上的宽度之和应等于所述第二图形在第 二方向的宽度尺寸。

示例的，图8为在图6中另一目标图案的第二图形B2中挖除了图形后 版图结构的示意图，图9为在图7中另一目标图案的第二图形B2中挖除了 图形后版图结构的示意图，如图8和图9所示，均以所述凸角L为起点， 沿着第二方向N在所述另一目标图案B的第二图形B2的边缘处依次挖除 了图形一、图形二、图形三、图形四，并且，参考图8和图9可知，所述图形一、图形二、图形三、图形四在第二方向N上的宽度尺寸之和k与所 述另一目标图案B的第二图形B2在第二方向N上的宽度尺寸相等。

以及，当所述目标图案中的第一图形A1与所述另一目标图案B的第 二图形B2和第一图形B1均紧邻时，例如可以参考图3所示，则在所述另 一目标图案中挖除至少一个图形的方法具体为：以所述凸角为起点，沿着 第二方向M，在所述另一目标图案的紧邻于第一图形A1的第二图形B2和 第一图形B1的边缘处，依次挖除图形一、图形二......图形n。此时，所述 图形一、图形二......图形n在第二方向上的宽度之和应大于所述第二图形在 第二方向的宽度尺寸。

示例的，图10为在图3中另一目标图案的第二图形B2中挖除了图形 后版图结构的示意图，如图10所示，以所述凸角L为起点，沿着第二方向 N在所述另一目标图案B的紧邻于第一图形A1的第二图形B2和第一图形 B1的边缘处，依次挖除了图形一、图形二、图形三、图形四、图形五，并 且，参考图10可知，所述图形一、图形二、图形三、图形四、图形五在第 二方向N上的宽度尺寸之和h，大于所述另一目标图案B的第二图形B2在第二方向N上的宽度尺寸。

则由上所述，本实施例中，通过在以所述凸点为起点，沿着第二方向， 在所述另一目标图案B中挖除了至少一个图形，使得所述另一目标图案B 的凸角L与所述修正图形之间的间距变大，同时使得所述另一目标图案B 与所述第一图形A1的侧边的间距也变大(具体可以对比图6和图8、图7 和图9、图3和图10)。如此，当基于所述目标图案和另一目标图案执行 曝光操作时，可以避免所述目标图案与所述另一目标图案发生黏连，确保 了所述曝光操作的正确执行，从而确保了最终形成在半导体基底上的图案 与版图图案一致，改善了光学邻近效应。

此外，需要说明的是，上述的图形一可以与修正图形一的形状尺寸相 同，上述图形二可以与修正图形二的形状尺寸相同......图形n可以与修正图 形n的形状尺寸相同，以及，所述修正图形一、修正图形二......修正图形n， 以及，所述图形一、图形二......图形n例如可以为矩形。

还需要说明的是，上述的对所述版图的修正操作均是在计算机上执行 的，以及，本实施例中，具体可以是基于bias或if循环语句来执行。

综上所述，本发明提供的版图修正方法，会先提供包括至少两个目标 图案的原始版图，并且，目标图案中包括有第二图形和条形结构的第一图 形，且第一图形和第二图形连接。并且，本发明中会在所述目标图案的第 一图形靠近所述第二图形的侧边上添加至少一个修正图形，用来增加目标 图案中第一图形靠近第二图形部分的宽度尺寸，如此可以缩短所述第一图形和所述第二图形两者宽度尺寸之间差距，则当基于所述目标图案执行曝光工艺时，可有效避免在所述第一图形和所述第二图形的连接处由于发生 光学邻近效应而造成的光能分布不均的问题，防止最终形成在基底上的实 际图案中的第一图形与第二图形的连接处出现断线的现象，从而确保了最 终形成在基底上的实际图案不会失真。

进一步地，原始版图中的目标图案的第一图形的一侧或两侧会设置有 另一目标图案，并且，所述目标图案的第二图形与所述另一目标图案间隔 设置，所述另一目标图案的第二图形还具有与所述目标图案的第一图形紧 邻的凸角。基于此，本发明中还会以所述另一目标图案的凸角为起点，在 所述另一目标图案的与所述第一图形紧邻的边缘处，依次挖除图形一、图形二......图形n，来增加所述另一目标图案与所述第一图形之间的间距，如 此，当执行曝光工艺时，可有效避免在所述另一目标图案和所述目标图案 的第一图形的黏连在一起，确保了最终形成在基底上的实际图案不会失真。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的 都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即 可。对于实施例公开的系统而言，由于与实施例公开的方法相对应，所以 描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何 限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修 饰，均属于权利要求书的保护范围。

Claims (8)

1.一种版图修正方法，其特征在于，所述方法包括：

获取原始版图，所述原始版图中包括至少两个目标图案，所述目标图案中包括有第一图形和第二图形，第一图形为条形结构，所述第一图形和所述第二图形连接，所述目标图案的第一图形的一侧或两侧设置有另一目标图案的第二图形，并且，所述目标图案的第二图形与所述另一目标图案的第二图形间隔设置；将所述第一图形远离与其连接的所述第二图形一侧的边长的延伸方向定义为第一方向，将所述第一图形侧边的延伸方向定义为第二方向；

在所述目标图案第一图形靠近第二图形的侧边上添加至少一个修正图形，以增加所述目标图案中第一图形靠近所述第二图形部分的宽度尺寸；在所述目标图案第一图形靠近第二图形的侧边上添加至少一个修正图形的方法包括：以所述目标图案的第一图形和第二图形的连接处为起点，沿着所述第二方向，在所述目标图案的第一图形的侧边上依次添加修正图形一、修正图形二...修正图形n，直至所述修正图形n与所述另一目标图案的第二图形之间的距离小于第一阈值，第一阈值介于30nm-70nm之间；

其中，所述修正图形一、修正图形二......修正图形n在第一方向上的宽度尺寸逐渐递减，所述修正图形一在第二方向上的宽度尺寸大于等于所述目标图案的第二图形与所述另一目标图案的第二图形间距的二分之一。

2.如权利要求1所述的版图修正方法，其特征在于，所述第一图形与所述第二图形的连接处位于所述第二图形的边缘部位，或者，位于所述第二图形的非边缘部位。

3.如权利要求1所述的版图修正方法，其特征在于，所述第二图形在第一方向上的宽度尺寸与所述第一图形在第一方向上的宽度尺寸之比小于等于10，大于等于5。

4.如权利要求1所述的版图修正方法，其特征在于，所述图形一、图形二......图形n在第二方向上的宽度尺寸之和大于等于所述第二图形在第二方向上的宽度尺寸。

5.如权利要求1所述的版图修正方法，其特征在于，所述修正图形一和所述图形一在第一方向上的宽度尺寸小于等于所述第二图形在第一方向上的宽度尺寸的五分之一。

6.如权利要求1所述的版图修正方法，其特征在于，所述至少一个修正图形和所述至少一个图形为矩形。

7.如权利要求3所述的版图修正方法，其特征在于，所述第一图形在所述第一方向上的宽度尺寸介于所述原始版图中最小线宽的1-2倍之间。

8.如权利要求1所述的版图修正方法，其特征在于，所述至少一个修正图形不与另一目标图案重叠。