CN101241301A - 光掩模图案的校正方法 - Google Patents

Abstract

一种光掩模图案的校正方法，此校正方法是根据布局图案的间距与线宽来决定一个布局条件，使用此布局条件来决定布局图案中哪些范围使用哪一种光学邻近效应修正法，并利用一预设规格与修正图案进行比对。此外，针对特殊的布局图案，则利用改良规则式光学邻近效应修正表以修正特殊的布局图案。如此一来，不仅可增加修正的精确性，亦加快了修正的速度。

Description

光掩模图案的校正方法

技术领域

本发明涉及一种光掩模图案(photomask pattern)的校正方法，尤其涉及一种混合式的光掩模图案的校正方法。

背景技术

在集成电路(Integrated Circuit，IC)蓬勃发展的今日，元件缩小化与集成化是必然的趋势，也是各界积极发展的重要课题，而在整个半导体工艺中，光刻可以说是最举足轻重的步骤之一，因此光掩模图案转移(transfer)至晶片(wafer)上的精确性，便占有非常重要的地位。若图案的转移不正确，则会影响芯片上的关键尺寸(Critical Dimension，CD)的容忍度(tolerance)，降低曝光的解析度。

而随着集成度(integration)的逐渐提高，元件尺寸逐渐缩小，元件与元件之间的距离也必须缩小，因此造成在光刻步骤中，图案转移有可能产生偏差，也就是所谓的光学邻近效应(Optical Proximity Effect，OPE)。而形成光学邻近效应的因素是当光束透过光掩模上的图案投影在芯片上时，一方面由于光束会产生散射现象而使得光束被扩大；另一方面，光束会透过芯片表面的光致抗蚀剂层再经由芯片的半导体基底反射回来，产生干涉的现象，因此会重复曝光，而改变在光致抗蚀剂层上实际的曝光量。

光学邻近效应修正法(Optical Proximity Correction，OPC)的目的就是用以消除因邻近效应所造成的关键尺寸偏差现象。现有方法为将欲曝光在芯片的半导体基底上的原始图案，减小或增大原始图案的线宽来做修正，以使密集(dense)图案区与隔离(isolation)图案区曝光出来的图案的线宽保持相同。图1绘示为现有混合式光学邻近效应修正法的流程图。请参照图1，现有方法为混合式(hybrid)光学邻近效应修正法，首先接收一个布局档案，此布局档案是用来描述IC布局图案(layout pattern)的几何形状，亦即待转移的原始图案(步骤101)。接着利用布尔(Boolean)逻辑运算来将布局档案转换至适当格式(步骤103)，之后，使用混合式光学邻近效应修正法来对布局图案进行修正的动作(步骤105)，换言之，就是选择模拟式(model-based)光学邻近效应修正法(步骤107)或是基准式(rule-based)光学邻近效应修正法(步骤109)来对布局图案进行修正，最后修正完成(步骤111)后，便能将修正的布局图案送至光掩模厂进行后续处理。

在现有方法中，通常根据布局图案的节距(pitch)来决定所使用的修正法，而同一个布局区域仅会使用一种光学邻近效应修正法来进行修正。因此，当布局图案呈现非对称布局时，若使用模拟式光学邻近效应修正法则在隔离图案区将会浪费时间进行修正动作，而若使用基准式光学邻近效应修正法则在密集图案区将无法获得与原始图案相近的结果。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的是提供一种光掩模图案的校正方法，利用混合式光学邻近效应修正法，并且采用改良规则式光学邻近效应修正表，倘若出现特殊布局图案，亦能够精确且快速修正布局图案。

本发明的再一目的是提供一种光掩模图案的校正方法，先利用模拟式光学邻近修正法，若修正结果不佳，便再使用基准式光学邻近修正法，以加快修正的速度。

本发明的又一目的是提供一种光掩模图案的校正方法，先利用基准式光学邻近修正法，若修正结果不佳，便再使用模拟式光学邻近修正法，以增加修正的精确性。

本发明提出一种光掩模图案的校正方法，此校正方法首先接收一个布局档案，且此布局档案对应于一个布局图案；接着根据布局图案的布局条件，选择一种光学邻近修正法，以修正布局图案；若选择第一光学邻近修正法修正布局图案，则产生第一修正图案，然后便将第一修正图案与预设规格进行比对，若第一修正图案不符合预设规格，则利用第二光学邻近修正法修正布局图案，以产生第二修正图案。

依照本发明的优选实施例所述光掩模图案的校正方法，其中还包括若第二修正图案不符合预设规格，则将根据改良规则式光学邻近修正表来修正布局图案，且此改良规则式光学邻近修正表具有多组特殊布局条件的修正规则。

依照本发明的优选实施例所述光掩模图案的校正方法，其中若第一光学邻近修正法为模拟式光学邻近修正法，则第二光学邻近修正法为基准式光学邻近修正法。

依照本发明的优选实施例所述光掩模图案的校正方法，其中若第二光学邻近修正法为模拟式光学邻近修正法，则第一光学邻近修正法为基准式光学邻近修正法。

依照本发明的优选实施例所述光掩模图案的校正方法，其中在根据布局图案的布局条件，选择一种光学邻近修正法以修正布局图案的步骤中，还包括使用混合式光学修正法来选择第一光学邻近修正法或第二光学邻近修正法。

本发明提出再一种光掩模图案的校正方法，首先接收一个布局档案，且此布局档案对应于一个布局图案；接着根据布局图案的布局条件，利用模拟式光学邻近修正法修正布局图案，并产生第一修正图案；接着将第一修正图案与预设规格进行比对，若第一修正图案不符合预设规格，则使用基准式光学邻近修正法，以产生第二修正图案。

依照本发明的优选实施例所述光掩模图案的校正方法，其中若第二修正图案亦不符合预设规格，则将根据改良规则式光学邻近修正表来修正布局图案，且此改良规则式光学邻近修正表具有多组特殊布局条件的修正规则。

本发明提出又一种光掩模图案的校正方法，首先接收一个布局档案，且此布局档案对应于一个布局图案；接着根据布局图案的布局条件，利用基准式光学邻近修正法修正布局图案，并产生第二修正图案；然后对第二修正图案与预设规格进行比对，若第二修正图案不符合预设规格，则使用模拟式光学邻近修正法修正布局图案，以产生第一修正图案。

依照本发明的优选实施例所述光掩模图案的校正方法，其中若第一修正图案不符合预设规格，则将根据改良规则式光学邻近修正表来修正布局图案，且此改良规则式光学邻近修正表具有多组特殊布局条件的修正规则。

依照本发明的优选实施例所述光掩模图案的校正方法，上述三种校正方法中接收布局档案的步骤还包括对布局图案进行布尔逻辑运算，以转换布局图案的档案格式。

依照本发明的优选实施例所述光掩模图案的校正方法，上述三种校正方法中在布局图案的布局条件中还包括有布局宽度与布局间距等条件。

本发明因根据布局图案的间距(space)与线宽(width)来决定一个布局条件(layout condition)，并根据此布局条件决定使用基准式光学邻近效应修正法或模拟式光学邻近效应修正法来进行布局图案的修正，且利用一预设规格与修正图案进行比对。另外，本发明使用一种改良规则式光学邻近效应修正表，来对特殊图案进行修正动作，尤其是针对非对称的布局图案以及在模拟式光学邻近效应修正法中光掩模错误增强系数(Mask ErrorEnhance Factor，MEEF)较大的特殊区域。

为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合附图，作详细说明如下。

附图说明

图1绘示为现有混合式光学邻近效应修正法的流程图；

图2A是依照本发明一实施例所绘示的混合式光学邻近效应修正法的流程图；

图2B是依照本发明另一实施例所绘示的混合式光学邻近效应修正法的流程图；

图2C是依照本发明另一实施例所绘示的混合式光学邻近效应修正法的流程图；

图3是依照本发明另一实施例所绘示的基准式光学邻近效应修正法示意图；

图4是依照本发明另一实施例所绘示的模拟式光学邻近效应修正法的流程图；

图5是依照本发明一实施例所绘示的模拟式光学邻近效应修正法的曲线拟合示意图；

图6是依照本发明一实施例所绘示的模拟式光学邻近效应修正法误差示意图；

图7是依照本发明一实施例所绘示的非对称布局图案示意图。

主要元件符号说明

101～111：现有混合式光学邻近效应修正法的各步骤

201～215：本发明一实施例所绘示的混合式光学邻近效应修正法的各步骤

221～235：本发明另一实施例所绘示的混合式光学邻近效应修正法的各步骤

241～265：本发明另一实施例所绘示的混合式光学邻近效应修正法的各步骤

401～409：本发明另一实施例所绘示的模拟式光学邻近效应修正法的步骤

310、320：布局图案

311、S：布局间距

313、W：布局宽度

330：修正图案

340：基准表

701：分界线

703、705：临界处

具体实施方式

由于元件尺寸越来越小，因此在进行光刻步骤时，布局图案的转移可能会产生偏差，例如直角部分被钝化，图案的尾端收缩，以及线宽的减小或增大等，因此本发明根据布局图案的节距来决定使用哪一种光学邻近效应修正法。为了使本发明的内容更为明了，以下特举实施例作为本发明确实能够据以实施的范例。

图2A是依照本发明一实施例所绘示的混合式光学邻近效应修正法的流程图。请参照图2A，首先接收一个布局档案(步骤201)，此布局档案是用来描述IC布局图案的几何形状，亦即待转移的原始图案。接着利用布尔逻辑运算来将布局档案转换至适当格式(步骤203)。之后，再使用模拟式光学邻近效应修正法(步骤205)对布局图案进行修正动作。模拟式光学邻近效应修正法即根据布局图案的布局条件与实验结果，利用曲线拟合(curvefitting)方法获得一个数学方程式，再使用此方程式来对应修正布局图案，以产生较正确的图形转移。在步骤205中，即利用模拟式光学邻近效应修正法产生第一修正图案。

然后，将第一修正图案与预设规格进行比对(步骤207)，此预设规格依照不同工艺规格(如90nm、45nm等)，客户需求与产品种类(如模拟电路或数字电路)而定，其中，当然也包括显影后所能容忍的误差值等。比对完成后，若符合预设规格则修正完成(步骤215)；反之，便会自动切换至基准式光学邻近效应修正法，根据布局图案的布局条件，例如布局宽度与布局间距等条件，至基准表的相对应的位置读取其修正基准量来进行修正动作，产生一个第二修正图案。

接着，再将第二修正图案与预设规格进行比对的动作，来检查第二修正图案是否符合预设规格(步骤211)，若符合规格则修正完成(步骤215)；反之，若仍不符合预设规格，则采用改良规则式光学邻近效应修正表(步骤213)，根据此修正表来修正特殊的布局图案。

值得一提的是，步骤213是为了特殊的布局图案所产生，当模拟式光学邻近效应修正法无法正确修正，且改用基准式光学邻近效应修正法亦无法正确修正时，则使用改良规则式光学邻近效应修正表来进行布局图案的修正。改良规则式光学邻近效应修正表则具有多组特殊条件的修正规则，可经由实验而得或是经验数据所形成。换言之，也就是针对特殊布局条件下的修正规则，所谓特殊布局条件则例如非对称的布局图案，或是位于密集图案区及隔离图案区中间的临界处。在模拟式光学邻近效应修正法中也有一些特殊的布局条件，会产生较大的偏差值，上述所提及的状况都可将之列为特殊布局条件，并将个别修正的规则储存于改良规则式光学邻近效应修正表中，作为图形修正之用。

而在本发明另一实施例中，改良规则式光学邻近效应修正表亦具有记录与储存功能，当遇到特殊的布局条件时，即将其最佳的修正规则记录下来，作为往后的修正参考数据。当然，改良规则式光学邻近效应修正表也可通过人工增添修订的方式加以修改。当执行的测试图案(test pattern)或是实验数据愈多，则此修正表的数据亦随之越为完整，且囊括了更多特殊条件，日后不管遇到何种布局图案皆能够精确地修正。最后修正完成(步骤215)之后，便能将修正的布局图案送至光掩模厂进行后续处理。

图2B是依照本发明另一实施例所绘示的混合式光学邻近效应修正法的流程图。图2B与图2A之间主要的差别在于先执行基准式光学邻近效应修正法，若无法正确修正布局图案，再利用模拟式光学邻近效应修正法来修正布局图案。请参照图2B，首先接收一个布局档案(步骤221)，接着利用布尔逻辑运算来将布局档案转换至适当格式(步骤223)。之后，利用基准式光学邻近效应修正法(步骤225)，根据布局图案的布局条件，至基准表的相对应的位置读取其修正基准量来进行修正动作，产生一个第二修正图案。然后再将第二修正图案与预设规格进行比对(步骤227)，比对完成后，若符合预设规格则修正完成(步骤235)；反之，则自动切换至模拟式光学邻近效应修正法(步骤229)对布局图案进行修正动作，以产生一个第一修正图案。接着，再将第一修正图案与预设规格进行比对的动作，来检查第一修正图案是否符合预设规格(步骤231)，若符合规格则修正完成(步骤235)；反之，若仍不符合预设规格，则采用改良规则式光学邻近效应修正表(步骤233)，根据此修正表来修正特殊的布局图案。其中步骤233与步骤213的动作相同或相似，故不在此赘述。

图2C是依照本发明另一实施例所绘示的混合式光学邻近效应修正法的流程图。请参照图2C，本实施例为结合了上述两个实施例，利用布局条件来决定欲使用何种修正法，步骤241～243与前述实施例步骤201～203与步骤221～223相同或相似，故在此不赘述。之后，使用混合式光学邻近效应修正法来对布局图案进行修正的动作(步骤245)，步骤245是根据布局图案的布局条件(布局间距与布局宽度，即布局中的space与width)，选择第一光学邻近修正法或第二光学邻近修正法，来修正布局图案。在本实施例中，第一光学邻近修正法与第二光学邻近修正法可分别为模拟式光学邻近效应修正法与基准式光学邻近效应修正法。步骤245即为混合式修正法的判断条件，也就是在一布局图案的修正程序中，可包括多种修正法，并依照不同的布局条件选择最适合的修正方法。

在本实施例中，步骤245即根据布局条件，选择使用模拟式光学邻近效应修正法或基准式光学邻近效应修正法来修正布局图案。而布局宽度(布局图案的宽度或称为线宽)与布局间距(图案之间的疏密度)则对应于布局图案的节距(pitch)。换言之，利用节距与布局宽度亦可作为选择使用模拟式光学邻近效应修正法或基准式光学邻近效应修正法的依据。若使用模拟式光学邻近效应修正法则进入步骤247，而使用基准式光学邻近效应修正法则进入步骤257来对布局图案进行修正。

请继续参照图2C，步骤245可设定一分界值，然后根据布局图案的节距来选择所采用的修正法，若节距在分界值以下属于密集图案区，则适合使用模拟式光学邻近效应修正法(步骤247)。因为在密集图案区中，其周遭环境容易影响修正结果，使用模拟式光学邻近效应修正法能够获得较精确的修正。若节距在分界值以上则属于隔离图案区，适合使用基准式光学邻近效应修正法(步骤257)，因布局图案中的布局间距与布局宽度较宽松，因此使用基准式光学邻近效应修正法能够在较短时间内得到较佳的修正，若使用模拟式光学邻近效应修正法反而延长修正时间。

在本发明另一实施例中，在步骤245中，若布局图案的布局条件属于特殊布局条件，亦可直接利用改良规则式邻近效应修正表(步骤255)加以修正。

在本实施例中，若根据布局条件，在步骤245时选择模拟式光学邻近效应修正法(步骤247)对布局图案进行修正动作，则根据布局图案的布局条件，利用曲线拟合方法获得一个数学方程式，再使用此方程式来修正布局图案，以产生一个第一修正图案。并判断曲线拟合的值若与实际数据相差太多，便自动切换至基准式光学邻近效应修正法。而步骤247～255与前述实施例步骤205～213相同或相似，故在此不赘述。

另外，根据布局条件，若在步骤245时选择基准式光学邻近效应修正法(步骤257)对布局图案进行修正动作，则根据布局图案的布局条件至基准表的相对应的位置读取其修正基准量来进行修正动作。而步骤257～263及步骤255与前述实施例步骤225～233相同或相似，故在此不赘述。最后修正完成(步骤265)后，便将修正的布局图案送至光掩模厂进行后续处理。因此，本实施例为分别针对不同布局条件的布局图案使用适合其图案的光学邻近效应修正法来修正图案，而处于布局条件临界处的图案，若基准式及模拟式光学邻近效应修正法皆不适用，则将被视为特殊图案，利用改良规则式光学邻近效应修正表来进行修正动作。

为了更明确的表达上述概念，以下再以简单图式说明，图3是依照本发明另一实施例所绘示的基准式光学邻近效应修正法示意图。请参照图3，基准式光学邻近效应修正法是根据所欲修正的布局图案310的布局宽度313及布局间距311，利用数据库中已获得的修正基准量来做修正。此修正方法乃是根据实验结果并依照布局宽度W及布局间距S交叉产生一个基准表340，基准表340中具有不同布局宽度及布局间距所对应的修正基准量，此修正基准量可由实验结果获得，之后，便可根据布局图案310中的布局宽度313与布局间距311来读取基准表340中相对位置上的修正基准量，依照此修正基准量来进行缩小或增加布局图案310上的布局宽度，如布局图案320所示，最后获得一修正图案330。

另外，图4是依照本发明另一实施例所绘示的模拟式光学邻近效应修正法的流程图。请参照图4，当工艺的元件越来越小后，布局图案缩小且更复杂，而布局图案周遭的环境可能会影响曝光结果，若继续使用基准式光学邻近效应修正法则可能会造成很大的误差，因此采用模拟式光学邻近效应修正法，利用之前曝光的结果进行一连串复杂的修正计算后，进而产生一个数学方程式，并利用此数学方程式来修正布局图案。

请继续参照图4，首先输入一个布局图案(步骤401)，接着根据实验结果所得到的数学方程式去模拟出一个修正图案的轮廓线，并且将此轮廓线与布局图案的形状做比对(步骤403)，然后判断比对后结果是否符合预设规格(步骤405)，若比对之后符合预设规格，则便修正此布局图案(步骤409)；反之，则调整修正的布局图案的形状(步骤407)，并再一次模拟出一个修正图案的轮廓线，并与布局图案的形状做比对(步骤403)。一般来说，步骤403至步骤407会重复执行4至8次以便获得较佳的轮廓线。

为了获得上述实施例的数学方程式，可利用曲线拟合的方式来计算。图5是依照本发明一实施例所绘示的模拟式光学邻近效应修正法的曲线拟合示意图。请参照图5，空心圆点为真正的实验数据，而实线为进行一连串复杂的修正计算后，将实验数据通过数学方式所产生的数学方程式，通常会把曲线拟合的数据拟合成接近实验数据，如此一来，此数学方程式才能被此模拟式光学邻近效应修正法采用。另外，并不是全部的曲线拟合的值均接近实验数据，在运算过程中还是可能有误差产生，例如大约在布局间距550nm(纳米)地方之后的实验数据与曲线拟合便有很大的出入，因此可观查到模拟式光学邻近效应修正法比较适合用于密集图案区。

此外，图6是依照本发明一实施例所绘示的模拟式光学邻近效应修正法误差示意图。请参照图6，假设其错误容忍度为±3nm，意即修正图案的布局宽度只允许增加或缩小3nm，而光掩模错误增强系数(Mask ErrorEnhance Factor，MEEF)若为3.3，其误差值便为9.9nm(3×3.3)。也就是说，若利用MEFF为3.3的修正数据来修正布局图案时，则被修正的布局图案在显影至晶片上后，会产生9.9nm的误差值，超出±3nm的范围，因此，若使用模拟式光学邻近效应修正法，在一些光掩模错误增强系数较大的修正点会造成很大的误差。

另外，若单独使用基准式光学邻近效应修正法，在遇到非对称布局图案时较无法精确的修正布局图案，而对于2D(dimension)布局图案，在修正上的精确度也有待改善。因此，本发明除了结合模拟式光学邻近效应修正法与基准式光学邻近效应修正法之外，还提出利用改良规则式光学邻近效应修正表来修正特殊的布局图案，像是非对称布局图案。

图7是依照本发明一实施例所绘示的非对称布局图案示意图。请参照图7，右方中间有一分界线701，根据布局宽度及布局间距来判断密集图案区与隔离图案区，而在布局条件701上方的布局间距大于下方的布局间距，因此分界线701上方图案区可将之归于隔离图案区，使用基准式光学邻近效应修正法；而分界线701下方图案则归于密集图案区，因此使用模拟式光学邻近效应修正法。但位于分界线701临界处703的修正结果并不佳，则此处被视为特殊布局图案，因此便使用改良规则式光学邻近效应修正表来修正。另外，左方临界处705亦被视为特殊布局图案，亦可使用改良规则式光学邻近效应修正表来修正。

值得一提的是，在本发明中校正过的特殊布局图案的布局条件与其所对应的修正规则，皆会储存于数据库中的改良规则式光学邻近效应修正表，当日后遇到拥有相似或相同的布局条件的布局图案，便可依照数据库中的修正表来进行校正。

综上所述，本发明的光掩模图案的校正方法至少具有下列优点：

1.在密集图案区使用模拟式光学邻近效应修正法，而在隔离图案区使用基准式光学邻近效应修正法，结合两种修正法，可提高修正精确度及增加修正的速度。

2.当出现特殊布局图案，且上述两种修正法亦无法有精确的修正结果，便使用改良规则式光学邻近效应修正表来修正，当执行的测试图案越多，则日后在布局图案修正上便能够应用于更广泛的范围。

虽然本发明已以优选实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的前提下，可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。

Claims (16)

1. 一种光掩模图案的校正方法，该校正方法包括下列步骤：

接收布局档案，该布局档案对应于布局图案；

根据该布局图案的布局条件，选择第一光学邻近修正法及第二光学邻近修正法其中之一，以修正该布局图案；

若选择该第一光学邻近修正法修正该布局图案，则产生第一修正图案；以及

比对该第一修正图案与一预设规格，若该第一修正图案不符合该预设规格，则利用该第二光学邻近修正法修正该布局图案，以产生第二修正图案。

2. 如权利要求1所述的光掩模图案的修正方法，其中还包括下列步骤：

若该第二修正图案不符合该预设规格，则根据改良规则式光学邻近修正表，修正该布局图案，该改良规则式光学邻近修正表具有多组特殊布局条件的修正规则。

3. 如权利要求1所述的光掩模图案的修正方法，其中接收该布局档案的步骤还包括：

对该布局图案进行布尔逻辑运算，以转换该布局图案的档案格式。

4. 如权利要求1所述的光掩模图案的修正方法，其中该第一光学邻近修正法为模拟式光学邻近修正法，该第二光学邻近修正法为基准式光学邻近修正法。

5. 如权利要求1所述的光掩模图案的修正方法，其中该第二光学邻近修正法为模拟式光学邻近修正法，该第一光学邻近修正法为基准式光学邻近修正法。

6. 如权利要求1所述的光掩模图案的修正方法，其中在该布局图案的布局条件包括布局宽度与布局间距。

7. 如权利要求1所述的光掩模图案的修正方法，其中在根据该布局图案的布局条件，选择该第一光学邻近修正法及该第二光学邻近修正法其中之一，以修正该布局图案的步骤中，包括使用混合式光学修正法，以选择该第一光学邻近修正法及该第二光学邻近修正法其中之一。

8. 如权利要求1所述的光掩模图案的修正方法，其中在根据该布局图案的布局条件，选择该第一光学邻近修正法及该第二光学邻近修正法其中之一，以修正该布局图案的步骤中，包括根据该布局图案的布局条件，选择改良规则式光学邻近修正表，修正该布局图案。

9. 一种光掩模图案的校正方法，该方法包括下列步骤：

接收布局档案，该布局档案对应于布局图案；

根据该布局图案的布局条件，利用模拟式光学邻近修正法修正该布局图案，并产生第一修正图案；以及

比对该第一修正图案与预设规格，若该第一修正图案不符合该预设规格，则使用基准式光学邻近修正法，以产生第二修正图案。

10. 如权利要求9所述的光掩模图案的修正方法，其中还包括下列步骤：

若该第二修正图案不符合该预设规格，则根据改良规则式光学邻近修正表，修正该布局图案，该改良规则式光学邻近修正表具有多组特殊布局条件的修正规则。

11. 如权利要求9所述的光掩模图案的修正方法，其中接收该布局档案的步骤还包括：

对该布局图案进行布尔逻辑运算，以转换该布局图案的档案格式。

12. 如权利要求9所述的光掩模图案的修正方法，其中在布局图案的布局条件包括布局宽度与布局间距。

13. 一种光掩模图案的校正方法，该方法包括下列步骤：

接收布局档案，该布局档案对应于布局图案；

根据该布局图案的布局条件，利用基准式光学邻近修正法修正该布局图案，并产生第二修正图案；以及

比对该第二修正图案与预设规格，若该第二修正图案不符合该预设规格，则使用模拟式光学邻近修正法修正该布局图案，以产生第一修正图案。

14. 如权利要求13所述的光掩模图案的修正方法，其中还包括下列步骤：

若该第一修正图案不符合该预设规格，则根据改良规则式光学邻近修正表，修正该布局图案，该改良规则式光学邻近修正表具有多组特殊布局条件的修正规则。

15. 如权利要求13所述的光掩模图案的修正方法，其中接收该布局档案的步骤还包括：

对该布局图案进行布尔逻辑运算，以转换该布局图案的档案格式。

16. 如权利要求13所述的光掩模图案的修正方法，其中在布局图案的布局条件包括布局宽度与布局间距。

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