TW308704B - - Google Patents

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308704 A7 B7 五、發明说明（ί ) 發Jg罝景 本發明偽有關一種製造一半導髏裝置的方法’且尤有 關一種形成能改善析像度之半導體裝置之精細模圖的方法 0 為得到一大小適合64Mb或以上之接觸孔’成像条統之 電流ί線（ 365nm)及深紫外線（248nm)乃必須的。當使 用一光阻時，0.42 « m及0 . 3 w m的接觸孔能分別以i線 及深紫外線解析。此等結果可以一傳統式屏蔽獲得。 第1 A。1 B及1 C圖俗分別為當使用一傳統式i線 鉻屏蔽時之諸模圖、光強度截面分布、及一光阻截面分布 的佈設圖。模擬傜以一 i線（365nm> 、一 0.57的ΝΑ、及 一 0.6的相干性進行。在第1 c圖中，一個比以i線可分 析的最小尺寸之〇 · 35 w m X 0.33 w m的接觸孔還小0 · 12的 接觸孔在由模擬工具所執行的模擬並未開啓。 經濟部中央橾準局兵工消費合作杜印裝 I ^ I I ^ *^衣 ——I I I 訂 ·* (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 因此，為增加屏蔽之析像度，Levenson相位移屏蔽乃 被使用。Levenson屏蔽有賴能使藉使用光干渉或部分光干 涉使一所需大小之模圖、或使用光屏蔽部分之透射率增加 過零而其它部分被相位移的原則之半色調相位移屏蔽移曝 光，使得像清析度必須被由在二相鄰透射區之光間的柑消 性干渉所增強。以此等屏蔽，以i線及光阻内之深紫外線 可分析的大小分別為ηα及0.26/i m但屏蔽難以製造 Ο 第2A、2B及2C分別係當使用一傳統式半色調相 位移屏蔽時之模圖的佈設圖、光強度截面分布圖、及一光 -4 - 本紙張尺度逋用中國國家橾率（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央搮準局貝工消费合作社印製 308704 A7 _B7__五、發明説明（2 ) 阻的截面分布圖。光阻部分為8%且半色調相位移屏蔽中 之相位移為180° 。在一 i線（ 365nm) 、一 0.57的NA、及 一 0.6之相干性的條件下進行模擬。一 0 . 38 u m X 0 . 26 w m的接觸孔被模擬。使用一市售光阻之模擬中光強度乃 弱的且接觸孔並未開啓。 進一步言之，於一半導體元件的光蝕刻中，多數增加 模圖析像度的方法偽專注於線/空間（L / S )楔圖對。 對於接觸孔模圖而言，僅有一邊緣型相位移屏蔽，且藉其 僅有模圖的邊緣可藉由形成繞所有L / S模圖的移位器、 半色調相位移屏蔽、及一細體接觸點形成方法加以改善。 因此，加強像清析度最困難的是接觸孔層。 一般而言，析像度（R>傜與光源的波長（λ)成正 比，而與分檔器成反比。…⑴ IK VI i I fll nn - s—、\吞 *' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

R

其中Κ #與步驟有關的常數。然而，因為kl與R成正比 切此其必須要小偶得到一小的R值，使k 1小勢必較費事 。此處，k 1值能透過藉改善光阻或其步驟或模圖的最佳 化而被減小。 如上述，一般而言在L/S對中的kl較小於在接觸 孔中（例如，L/S對中的kl值= 0.55,接觸孔中的kl 值=0.65)。改良L / S對比改良接觸孔容易。因此，雖 然於設計階段時，同樣的設計原則用於L / S對及接觸孔 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央橾隼局負工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（3 ) 。在一晶圖上，接觸孔總是印刷得較大於L/s對’因此 ，減少了層對層重叠公差。 第3 A及3 B繪示出層對層重叠公差。第3 A圖係(一 電腦輔助設計中的佈設圖’而第3 B圖則為一晶圓上之光 阻像。 參見第3A及3 B圖，若有高於或低於L/S模圖1 的接觸孔2，設計中會給定一重叠公差t °當此等模圖被 藉一進入L/S模圖的分檔器及光阻上的接觸孔轉至晶圓 上時，L/S的所有角落被變圓，而在設計中的矩形接觸 孔變得較大且泵圓。因此’重叠公差確實降低至t /。 發明概沭 本發明之目的在提供一種形成半導體裝置之精細模圖 的方法，其能藉以非常小的虛線使用析像度增強增加析像 度0 為逹上述目的，本發明提供一種光學方法形成半導體 裝置之精細模圖方法，此方法藉加一低於成像糸統之析像 度限制之虛模圖至屛蔽上之主模圖上而改善析像度。 吾人期能根據所需之最終的精細楔圖的大小決定虛模 圖的大小。 較合宜的方式是，主模圖與虛模圖皆為同色調。 半色調相位移屛蔽可用作為屏蔽。當ί線及深紫外線 分別作為光源時，虛模圖較宜小於或等於0.42 « m及0.3 w m，此大小能避免光源的曝光。 最好是，屛蔽的主模圖為多角的。精細楔圖的形成傜 -6 - 本紙張尺度逍用中國國家橾隼（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） Γ---------J -裝-- ·· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本I)

、1T 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印製 308704 A7 __B7_ 五、發明説明（孕） 藉使用一彎曲的模圖，多角的主模圖轉至屏蔽上。 主楔圖的虛模圖沿一方向或以交叉楔圖形成。再者， 虛模圖形成連接諸楔圖的所有角。 虛模圖由至少一對組成。 虛模圖對可對稱於主模圖形成。較宜的是，虛模圖對 偽以一交叉模圖的方式佈設，向主模圖中心集中。 各虛模圖對可在主模圖的腰部形成。各虛模圖較宜形 成於主模圖的腰部處，向主模圖傾斜。較宜的是，虛模圖 以一相對於主模圖縱向軸，◦ - 180°的角度範麵傾斜。 最好是，虛模圖與主模圖成90°處傾斜。 最好是，虛模圖在靠主模画或離主模圖一預定距離處 形成。 根據本發明，藉形成一析像度極限或低於析像度之線 空間的虛模圖於一屏蔽上之主模圖上，光學近似效應乃 被校正且析像度被改良。 圃忒頷沭 本發明上述目的及優點將藉對參照附圖之較佳實施例 的描述而變，其中， 第1 A /及1 C圖分別當使用傳統式i線屏蔽時 之一模圖佈一光強度截面分布圖、及一光阻截面圖 * 第2A、2 B及2 C圖傜分別為當使用一傳统半色調 相位移屏蔽時之一模圖佈設圖、一光強度截面分布圖及— 光阻截面分布圖； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） m flflu vtn ^^^^1 mV n^—.^ fetffK^i n^i In n n^i m·· ^ J- -- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) m 經濟部中央標隼局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（5 ) 第3 A及3 B圖繪示當一接觸孔形成於一線/空間模 圖旁時之層對層重叠公差； 第4 A、4 B及4 C圖係分別為當使用一根據本發明 —第一實施例之一模圖佈設圖、一光強度截面分布圖及一 光阻截面分布圖； 第5A與5B及第5A'與5B'圖係分別為一傳統 深紫外線屛蔽與其光強度的截面分布圖及一根據本發明之 笫一實施例之一深紫外線屏蔽； 第6A、6B及6C圖分別傜當使用根據本發明第二 實施例之半色調相位移屏蔽時之一模圖佈設圖、一光強度 截面分布圖、及一光阻截面分布圖； 第7 A、7 B及7 B圖傜繪示一根據光源之能量之接 觸觸孔的改變。 第8A、8 B及8 C圖係根據本發明之第二實施例之 解釋在半色調相位移形成虛空間的方法； 第9A — 9 C至11A — 11C偽分別為當使用一傳統屏 蔽及一根據本發明一第三實施例之半色調屏蔽時之空中像 之光阻截面分布圖； 第12 - 15圖繪示傳統屏蔽模圖及根據本發明第三實施 例之屏蔽楔圖的模擬結果； 第16 A、16B及16 C圖傜分別為當使用根據本發明第 四實施例之屏蔽時之一模圖佈設圖、一光強度截面分布圖 及一光阻截面分布圖； 第17A-17C圖及第17D — 17F圖傜比較傳統半色調 -8 - 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） I —------ί 裝------訂 * * (請先閱讀背面之注意事項再填窩本頁) _ 308704 A7 B7 五、發明説明（厶） 相位移屏蔽及根據本發明第二實施例二者的待性； 第18A-18C圖及第18D-18F圖繪示傅統丨線屏蔽 之模圖及根據本發明第一實施例之屏蔽的模擬结果； 第19A與19B及19C與19D圖繪示傳統深紫外線屏蔽 之模圖與根據本發明之第一實施例之屏蔽之模圖的模擬結 果； 第20A - 20C圖及第20A ’一 20C ’麵各繪示根據本發 明第五實施例之屏蔽的模圖佈設及光阻截面分布圖；第21 A與21 B及21 A ’與21 B ’圖各繪示根據本發明第六實施例 之屏蔽的模圖佈設及光阻截面分布圖； 第22A與22B及22A ’及22B ’圖各繪示根據本發明第 t實施例之屛蔽的模圖佈設及光阻截面分布圖； 第23 - 26圖繪示傳統式屏蔽模圖的模擬結果及根據本 發明第七實施例之屛蔽之模凝結果； 第27圖繪示一傳統式屛蔽及屏蔽模圖佈設； 第28 - 31圖繪示根據第三至第六實施例之屛蔽模圖及 屏蔽模圖佈設； 經濟部中央樣準局员工消费合作社印製 —.------(裝------訂 * (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第32A及第32B — 32D圖傜根據一傳統方法之實際屏 蔽及根據本發明之實際屛蔽模圖的照Η ; 第33、34及35圖各繪示根據本發明第t實施例之屏蔽 模圖及屛蔽佈設；及 第36- 44及45 A —45 C圖各繪示根據本發明第七實施 例之屛蔽模圖及屏蔽模圖佈設。 發明_沭 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（2丨0X297公釐） m 經濟部中央樣隼局貝工消费合作杜印製 A7 B7 五、發明説明（7 ) 第4 A — 4 C及5 A與5 B圖偽關於本發明第一實施 例。第4 A、4 B及4 C圖係當使用根據本發明一第二實 施例之i線屏蔽時之一模圖的佈設圖、一光強度截面分布 圖、及一光阻截面分布圖。一模凝係以一 i線（365nm) 、一 0.57的ΝΑ及一 0.6的相干性進行。此處，使用0. 1 w m 的虛空間，且其大小能於一 0.06 — 0 · 18的範圖内予以最佳 化。於楔擬中，可見到一比可以i線分析的最小尺寸的0. 35w m x〇.33w m的接觸孔藉由將此等處空間加至屏蔽内 之模圖内而被㈣啓。此處，虛空間可以相對於主模圖沿一 方向或一交叉模圖形成。進一步言之，主屏蔽可以為一正 色調或一負色調。不論虛線或虛空間皆根據屏蔽的色調而 形成。 第5A與5A’及5B與5B’圖分別繪示一傳統式深 紫外線屏蔽、其光強度的截面分布圖、一根據本發明第一 實施例之深紫外線屛蔽及其光強度的截面分布圖。模擬的 結果為其中一比以深紫外線（248n m )可分析之最小尺寸 還小之〇.2wmX〇.24wm接觸孔被模擬，光強度無相位 移，藉形成本發明中之O.lwm寬的虛空間而增加因此， 得到一與相位移所得相同的效果（見第5 B ’圖）。模擬 的條件乃為一 0.5的N A及一 0.6的相干性。 如上述，根據本發明之第一實施例光強度藉使用i線 或深紫外線光源將虛空間加至屏蔽上的主模圖上而被增加 ，_以得到與一相位移所得之相同的效果。 第6A、6 B及6 C圖像當使用根據本發明第二實施 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I—.------^裝------訂 < · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局員工消费合作社印裝 _ A7 B7 五、發明説明（》） 例之一半色調相位移屏蔽之模圖的一佈設圖、一光強度截 面分布圖及一光阻截面分布圖。於一半色調相位移屏蔽中 ，一光阻部分的透射率乃為8 %且一相位移為180° 。一 模擬偽以一i線（ 365nm) 、一 0.57之NA、及0.6之相干性 進行。根據本發明第二實施例，如第6 B圖所示，相較於 第2 A、2 B及2 C圖所示之傳統式半色調相位移屏蔽， 其半色調相位移屏蔽之光強度被增加，且如第6 C圖所示 ，藉將0 . 1 w m的虛空間加至屏蔽上的主空間上，一 〇 . 38 w m X 0.26 w m的接觸孔被開啓。此處，虛空間的大小較 宜取決於一0.05 — 0.2<im的範圍内，一個可避免對一光 源曝光的大小。半色調相位移屏蔽可以是一負色調或一正 色調。使用於實施例中的i線可以被任何最近用來光蝕刻 之包括一深紫外線或氬氟（193 )光源的光源所取代。 第7 A及7 B圖繪示根據一光源之能量之接觸孔的變 化。一 0.25 « m的接觸孔能藉對能量作調整而被開啓。 第8A、8B及8C圖偽解釋在根據本發明第二實施 例之半色調相位移屛蔽上形成虛空間的方法。虛空間傜被 加至第8 A_中之接觸孔一半高度處，至第8 B圖中之接 觸孔之兩端，或接觸孔的四端，因而於第8 C圖中將接觸 孔連接。 如上述，根據本發明之第二實施例，為得到一所需大 小的接觸孔，藉將虛空間加至半色諏相位移屏蔽之模圖上 ，如一接觸孔，側瓣被減少且光強度被增加。 第9 A — 9 A至11 A — 11 C圖分別偽模圖佈設圖、架 -11 - 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) A4規格（210X297公釐） —i, n I^i n^i ill .......一 1^1 1^1 I - - . il— --"aJ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) _ 308704 at B7 五、發明説明（γ ) 空之像中的光強度截面分布圖及傳統屏蔽的最後光阻截面 分布圖、傳統半色調相位移屏蔽及一根據本發明一第三實

施例之屏蔽。一模擬係以一 i線（ 365nm) 、一 0.57的NA 及一 0 . 6的相干性執行。 參照第9 A、9 B及9 C圖，一 0 · 36 " m的光阻像能 以一傳統屏蔽之佈設中的0.4 w m X 0.4 w m的接觸孔得到 C» 參照第10A、10B及10C圖，一0.36«m的光阻像能 以一傳統半色調相位移屏蔽之佈設中的〇 · 35 μ m X 0.35 w m的接觸孔得到。 參照第11A、11B及11C圖，一大小高逹〇.28wm的 接觸孔能藉將0 . 1 « m X 0 . 14 w m之太小而無法以i線（3 65nm) 、0.57之NA及0.6的相干性分析之虛空間至屛蔽上 之0 . 34 w m X 0 . 22 w m的矩形接觸孔接觸孔上而被印刷在 一光阻上。 第12至15圖繪示傳統屏蔽模圖及根據本發明之第三實 施例之屛蔽模圖之模擬，以一 i線（365nm )及0.5之N A。 經濟部中央樣準局員工消費合作杜印製 ^^— -1— ί ί ρ^ϋ ί ^ .^1 ·(11« I In ϋι— m \ \ 秦-έ ' - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 參見第12圖，一傳統屏蔽之模圖的大小為〇 . 24 w m X 0.24wm，且一0.12wmX〇.3wm的虛模圖被加至根據 本發明第三實施例之屏蔽之一模圖的上及下側。結果，如 第13圖所示，一〇.2«mX〇.3wm的接觸孔以一實施例中 之增加的曝光而被形成，然而無接觸孔不於傳統屏蔽形成 0 參見第14圖，一 0.24 w m X 0. 26 m的傳統式屏蔽模 -12 - 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4规格（210 X 297公釐） 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（π ) 圖偽與根據本發明第三實施例之具有非常小，即0 . 1 w m X 0 · 2 6 w m的屏蔽棋圖作比較，虛模圖被加上。本發明中 ，如第15圖所示，得到一O.Swm-Ojwm的接觸孔，然 而於一傳統屏蔽無接觸孔的軌跡。 第16 A、16 B及16 C係分別為當使用根據本發明第四 實施例之屏蔽時之模圖的一佈設圖、一於一架空像之光強 度的截面分布圖及一光阻截面分布圖。於本發明第四實施 例中，0 . 1 w m X 0 · 14 w m的虛模圖被加至傳傳統半色調 相位移屏蔽上之一0.22w m Χ〇.38ϋ m的矩形接觸模圖上 。此處，因為得到第16圖之標號9之一高光強度，一接觸 孔能以一小的曝光形成。另一方面，傳統式半色調相位移 屏蔽呈現出如第10B圖所示之一架空像中之標號6的一低 光強度，且因而一接觸孔能以一過量的曝光形成。於此情 況，對應於一倒瓣的光強度“ 5 ”被增加，結果在一光阻 顯影之後産生一如“ 7 ”的光阻凹窩。然而，根據本發明 第四實施例，因為與傳統相同大小的一側瓣“ 8 ”不需一 過量的曝光，一光阻凹窩10鮮少在一光阻顯影之後産生， 如第16 C圖所示。 第17A — 17F圖繪示傳統半色調相位移屏蔽及根據本 發明第二實施例之屏蔽的比較恃性。第17 A、17 B及17圖 顯示傳統半色調相位移屏蔽之待性，而第17D、17E及17 F圖顯示根據本發明第二實施例之屏蔽蔽性。模i擬係以— i線（3 6 5 n m)及一 0 · 5 7的N A所執行。一接觸孔並未以傳 統式半色調相位移屏蔽而開啓，然而根據本發明之第二實 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） - ftn tm fll^i ml ffm tut ^ m^i im mi ^^^^1 一 一 \ 名 i t (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 囊 A7 B7 五、發明説明（// ) 施例之大小高達0.3 w m的接觸孔係被開啓的。 第18A-18F圖繪示以i線（ 365nm)及0.57的NA模 擬傳統式屏蔽的模圖及根據本發明第一實施例一屏蔽的模 圖。第18A、18B及18係分別為當使用具有一 〇.35w m X 0.33^ m接觸孔之傳統屏蔽時之模圖的佈設圖、架空像中 之光強度的截面分布圖及一光阻截面分布圖。第18D、18 E及18F傜分別為當使用具有一O.lwm寬之虛空間加入 的根據本發明第一實施例之0.35 μ m X 0.33 /i m時之楔圖 佈設圖、一於架空像中之光強度截面分布圖、及一光阻截 面分布圖。相較於傳統者，一架空的像及一傑出持性的光 阻像能確實以第一實施例之屏蔽獲得。 第19A與19B圖及第19C與19D圖分別繪示傳統屏蔽 模圖及根據本發明第一實施例之屏蔽的以一深紫外線（24 6ηιπ)及一0.5的NA模擬結果。此等模擬係作為觀察其等對 一 0 · 2 w m X 0 . 24 w m接觸孔的影響。根據本發明第一實 施例之虛空間的寬度為0 . 1 w m。由第1 9 B及1 9 D所示之 光強度截面分布圖的比較觀之，本發明之一架空的像中的 光強度係遠高於傳統屏蔽者。 經濟部中央揉準局工消费合作社印裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第20 A - 20C圖及第20A ’ - 20C ’圖繪示根據本發明 第五實施例屏蔽的模圖佈設及光阻截面分布圖。於此等圖 式中顯示，將窄虛模圖（供一負色調之屏蔽之用的虛空間 及供一正色調之屏蔽之用的虛線）不對稱地加至一供接觸 孔之用的矩形模圖。如所示，接觸點的失真度隨虛模圖之 不對稱設置而變化。然而，小接觸孔的形成仍為可能。雖 -14 - 本紙張尺度逋用中國國家橾準（CNS ) A4«iS· ( 210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消费合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（Q) 未顯示，接觸孔亦可藉將虛模圖加入要傾斜於主模圖之縱 向軸上而形成。 第21A與21B及第21A ’與21B ’繪示根據本發明之第 六實施例之模圖之模圖佈設圖及光阻截面分布圖。窄虛模 圖係被加至一接觸點的平行四邊形，在線上或在線外。於 此情形一接觸孔的構造並無間題。 第22A與22B圖及第22A ’與22B ’圖繪示根據本發明 第七實施例之模圖之光阻截面分布圖的模圖佈設。如第22 A _所示，虛模圖偽被加至一交叉構造内之一方形或矩形 的主接觸模圖上。如第22 B所示，小的虛模圖偽被加至各 個模圖的諸角落處。因此，一光學近似效應乃被改善。其 亦可能構成一小的接觸孔。 第23 - 26圖繪示傳統屏蔽模圖及根據本發&之第七實 施例之具有不同長度及寬度的虛模圖之屏蔽的模圖的模擬 結果。第24及26圖顯示第23及25圖所示之光阻截面分布圖 之結果。傳統式屏蔽模圖並未形成一接觸點，如虛線所標 示者*然而本發明卻可形成一接觸點。 第27圖繪示傳統屏蔽楔圖及設計中之屛蔽楔圖的佈設 。參考檫號11及14標示最常應用於傳統屏蔽模圖佈設之模 圖。參考標號1 5標示一模圖，其具有添加的襯線以形成較 佳接觸及有一大的程序公差。參考標號12標示一實際的形 狀•設計中的矩形模圖被一電字束或一雷射束轉至一屏蔽 上。參考檫號13標示一實際的形狀，一方形模圖被轉至一 屏蔽上。 -15 - 本紙伕尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I mu tfft^i n·— i m· —HI— ^^^^1 ml ~ « (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央棣隼局貝工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明説明（β ) 第28-31圖繪示根據本發明之第三至第六實施例之屏 蔽楔圖及設計中之屏蔽模圖的佈設。 參照第28圖，根據本發明第三及第四實施例，各對不 同長度1及寬度w的虛模圖被加至一主模圖16的腰部。 於第29圖之（A )連同第四及五實施例，二對被一距 •離gd所隔開之虛楔圖被加至主模圖16的中間處。於第29圖 中’ 一對虛模圖偽不對稱地加至主模圖16處。於第29圖之 (C )，至少二對虛模圖被加至主模圖1 6。於第2 9圖之（ D )，傾斜的虛模圖被不對稱地加至主模圖16。 於第30圖之（A )連同第五及六實施例，具有添加之 虛模圖的主要模圖16偽以一在0 °與360 5間之角度相對 主模圖之縱向軸旋轉。於第30圖之（B )及（C )中，一 對虛模圖係被對角線地以一傾斜或不對齊的方式加至平行 四邊形主模圖1 7。此處，平行四邊形及虛模圖的諸角度偽 一個在I目對於主模圖之縱向軸0 °與1 80°之間的角度 〇 第31圖之（A) — (D)繪示本發明第三至五實施例 中，於形成屏蔽模圖之後設計中之有角模圖的實際形狀。 主模圖諸角在被加至主楔圖之虛模圖形成確實屛蔽模圖之 後變得較不圓。 第32A及32B-32D圖傜一傳統方法及本發明方法 之實際屏蔽的照片。第32A顯示一設計成為矩形，具有 圓的角之實際屏蔽模圖。第32B、32C及32D顯示根據本 發明之實際屏蔽楔圖。模圖的諸端傜設計成與一屏蔽設計 -16 - 本紙浪尺度逋用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） --------jf' '裝------訂 - * (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標隼局貝工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（W ) 之全部組態成直角的，尤其是，第32 A及32 D顯示以一半 色諝相位移材質，例如MoS i ON，之接觸點的組態。第32 A 及32 B圖顯示具一以傳統鉻屏蔽模圖形成之接觸點組態。 第33、34及35圖繪示根據本發明第七實施例之屏蔽模 圖及屏蔽模圖佈設。 參照第33及34圖，設有長度1 ，寬度w之集中中央之 主模圖16、18及19之不同組態的虛模圖。 參照第35圖，雖然虛模圖之寛度w 1等於或小於平行 於虛模圖之主模圖的寬度w 2 *仍能形成一精細的接觸點 。於一方形主模圖的情況中，一精細接觸點可以於w 3 S w 4的條件下形成。即使虛模圖係以與主模圖的方式設置 ，諸模圖仍能形成。 第36 - 44圖及第45A - 45 C繪示根據本發明之第一至 第七實施例之屏蔽模圖及屏蔽模圖的佈設。 參照第36圖之（A )及（B )，為得到彼此互相平行 的接觸孔，虛模係設置成彼此連接，或相同組態之模圖能 被設置成以一 g的距離隔開。於某些情況中’當虛模圖依 據一主模圖被隔離的距離P的方式被設置，s可以減至零 。因為模圖的構造偽與光源的波長有關1曝光裝置的N A值 及步驟常數k 1，如等式⑴所示者，根據此等條件而設計 模圖允許其當s 2 ◦時之模圖的形成。 參照第37圖，第三及第四實施例之其中之一實施例的 模圖傷形成於一鉅齒形模圖内。 第3δ圖顯示與第37圖之模圖相同的佈設’除了有一模 -17 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) <裝. 訂 本紙張尺度適用中國國家搮华·（ CNS〉Α4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局貝工消費合作杜印製 0 A7 ______ B7_ 五、發明説明（/夂） 圖傜水平安置。 第39圖中，根據本發明第二至第實施例，虛模圖係置 於矩形主模圖之上部。 第40圖中’根據本發明第二至第四實施例，虛楔圖偽 置於矩形主模圖之上部且置於相對於前面模圖之主模圖的 下部。 第41至43圖中，根據本發明第五實施例，虛模圖傜相 對主模圖非對稱、有規則、且連缠地安設。 第44圖顯示根據本發明，具有設於一交叉模圖内之虛 線之西洋祺的佈設。 參照第45 A、45 B及45 C圖，當將接觸模圖安設於一 實際的元件時，一單元陣列區域20需要相當小的模圖，然 而於多數情況中，一週邊區域21則需要大的接觸。因此， 一藉安設如第45 C圖所示一種接觸模圖或數種接觸模圖> 且安設如第45 B圖所示之矩形及方形模圖於週邊區域，混 合模圖於是可派上用場。 於上述實施例中，一有角的方形或一直角的主模圖、 及一相對於主楔圖之縱向軸成直角的虛模圖業已描述。然 而|清楚的是，本發明可適用於主模圖呈平行四邊形形狀 且一虛模圖被相對於主模圖之縱向軸呈對角地加至主模圖 的情況。 如上述，根據本發明，一如所需般小的接觸孔可藉安 置一負色調屏蔽的虛空間或正色調的虛線於不同的形狀内 ，因而改良一架空的像。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ^^^1 mu ^ϋκ» m —m m <nd In tut mi - J ^ 、v'· 4* (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ^08704 A7 _____ B7 五、發明説明（A ) 因為較細虛模圖能以顯影的屏蔽製造技術形成，本發 明能廣泛地應用於256Mb及1 Gb的DRAM以及64M的DRAM，以 改善析像度。 本發明並不侷限於上述實施例中，且可清楚瞭解到於 本發明的精神與範圖内*熟於此技者可以從事多種變化。 •—-^1^— ml ^^^1 —^ϋ f ί m ^^^1 T4 -·寺-5 * (請先閲讀背面之注意事項再填莴本頁) 經濟部中央樣丰局貝工消費合作社印製 紙 一本 if 一於 一國 國 I中 一用 適

Claims (1)

1. 經濟部中央梂準局属工消费合作社印装 0 A8 B8 C8 __ D8 六、申請專利範圍 1. 一種以光學方式形成半導體元件之精細模圖的方法， 其中，——析像度極限以下之虛模圖偽形成於一屏蔽 上之主模圖上以改善析像度。 2. 如申請專利範圍第1項之以光學方式形成半導體元件 之精細模圖的方法，其中該虛模圖之大小傜取決於一 所需之最後精細模圖的大小。 3. 如申請專利範圍第1項之以光學方式形成半導髏元件 之精細模圖的方法，其中該主模圖及該虛模圖傜相同 色調。 4. 如申請專利範圍第1項之以光學方式形成半導體元件 之精細模圖的方法，其中該屏蔽包括一半色調相位移 屏蔽。 5. 如申請專利範圍第1項之以光學方式形成半導體元件 之精細模圖的方法，其中當使用一 i線作為一光源時 *該虛模圖係小於或等於一個可避免光源曝光之大小 的 0.4 2 iU m ° 6. 如申請專利範圍第1項之以光學方式形成半導髏元件 之精細棋圖的方法，其中當使用一深紫外線作為一光 源時，該虛模圖係小於或等於一値可避免光源曝光之 大小的0.3 w m。 7. 如申請專利範圍第1項之以光學方式形成半導體元件 之精細模圖的方法，其中該屏蔽之一主棋圖偽多角的 〇 8. 如申請專利範圍第1項之以光學方式形成半導體元件 本紙张尺度遙用中國國家橾隼（CNS〉A4规格（210X297公釐） In Bui ml.· —a··.— In i I (^^1 * ( m n n m--eJ w (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) II A8 B8 C8 D8 '申請專利範圍 之精細模圖的方法*其中一精細楔圖偽藉使用一該多 角主模圖被轉成之彎曲的模圖而形成於該屏蔽上。 9.如申請專利範圍第1項之以光學方式形成半導體元件 之精細楔圖的方法•其中該虛模圖係以相對於該主模 圖之方向形成。 10. 如申請專利範圍第1項之以光學方式形成半導體元件 之精細模圖的方法，其中該虛楔圖係形成於一交叉模 内。 11. 如申請專利範園第1項之以光學方式形成半導體元件 之精細棋圖的方法，其中該虛模圖係由至少一對虛模 圖所建構而成。 12. 如申請專利範圍第11項之以光學方式形成半導體元件 之精細模圖的方法，其中該成對的虛模圖偽相對於該 主楔圖對稱地形成。 13. 如申請專利範圍第12項之以光學方式形成半導脹元件 之精細模圖的方法，其中該成對的虛模圖係安設於一 交叉的模圖内，向該主模圖集中。 經濟部中央標率局貝工消费合作社印製 ^^1 u mK 1^1 m i . 1 ί —^ϋ In ββι Λ J. J^i ，* (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 14. 如申請專利範圍第12項之以光學方式形成半導髏元件 之精細模圖的方法，其中各該成對的虛模圖係形成於 該主模圖的腰部。 15. 如申請專利範圍第14項之以光學方式形成半導體元件 之精細模圖的方法，其中各該成對的虛楔圖偽形成於 該主模圖的腰部，俥相對於該主棋圖之縱向軸傾斜。 16. 如申請專利範圍第15項之以光學方式形成半導髏元件 本紙張尺度逋用中國國家橾率（CNS } A4规格（210X297公釐） m m ABCD 308704 六、申請專利範圍 之精細模圖的方法，其中該虛模圖係以一相對於該主 棒圖之縱向軸成0° — 180°的角度範圍傾斜。 17. 如申請專利範圍第1項之以光學方式形成半導體元件 之精細楔圖的方法，其中該虛模圖係形成俥連接該主 樓圖之諸角。 18. 如申請專利範圍第1項之以光學方式形成半導體元件 之精細模圖的方法，其中該虛楔圖傜接近該主模圖或 遠離該主模圖一預定距離處形成。 am n^i fm ln> HHB . n.^ —^ϋ ·11 nn nn f^ 一媢 ·· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中夬揉準局貝工消费合作社印装 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）