KR970022510A - 더미패턴을 삽입한 포토마스크의 제조방법 - Google Patents
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- wafer
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
설계시 디자인된 패턴을 웨이퍼상에 충실히 구현할 수 있는 포토마스크의 제조방법에 대해 기재되어 있다.
이는, 웨이퍼상에 패턴을 전사하기 위한 포토 마스크에 있어서, 패턴의 일부분에, 투과한 빛이 상기 패턴을 투과한 빛과 반대의 위상을 갖도록 하는 더미패턴을 삽입하여 주는 것을 특징으로 한다.
따라서, 웨이퍼 상에 전사된 패턴의 충실도를 구현할 수 있으며, 미세패턴의 형성이 가능하게 된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3A도 내지 제3F도는 본 발명에 의한 포토마스크들을 도시한 평면도.
Claims (4)
- 웨이퍼상에 패턴을 전사하기 위한 포토 마스크에 있어서, 패턴의 일부분에, 투과한 빛이 상기 패턴을 투과한 빛과 반대의 위상을 갖도록 하는 더미패턴을 삽입하여 주는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 포토마스크를 투과하는 빛은 패턴 또는 더미패턴 부분에서 위상이 반전되는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.
- 재2항에 있어서, 상기 위상반전이 일어나지 않는 부분의 투과율은 상기 위상반전이 일어나는 영역의 투과율보다 낮은 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 더미패턴은 컨택패턴의 모서리에 삽입하여 주는 것을 특징으로 하는 포토 마스크의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950036459A KR970022510A (ko) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | 더미패턴을 삽입한 포토마스크의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950036459A KR970022510A (ko) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | 더미패턴을 삽입한 포토마스크의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970022510A true KR970022510A (ko) | 1997-05-28 |
Family
ID=66584536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950036459A KR970022510A (ko) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | 더미패턴을 삽입한 포토마스크의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970022510A (ko) |
-
1995
- 1995-10-20 KR KR1019950036459A patent/KR970022510A/ko not_active Application Discontinuation
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