KR970028810A - 위상반전 영역을 삽입한 포토마스크 - Google Patents
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- KR970028810A KR970028810A KR1019950042638A KR19950042638A KR970028810A KR 970028810 A KR970028810 A KR 970028810A KR 1019950042638 A KR1019950042638 A KR 1019950042638A KR 19950042638 A KR19950042638 A KR 19950042638A KR 970028810 A KR970028810 A KR 970028810A
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- phase reversed
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- wafer
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
근접효과를 방지하여 미세패턴을 구현할 수 있는 포토마스크에 대해 개시되어 있다.
이는, 웨이퍼에 전사될 패턴의 소정 부분에, 그 부분을 투과한 빛이 상기 패턴을 투과한 빛과 180°의 위상차를 갖는 더미패턴이 삽입된 것을 특징으로 한다.
따라서, 포토마스크의 소정부분에 본 패턴과 180°의 위상차를 갖는 더미패턴이 삽입되어 있으므로, 설계시와 거의 같은 패턴을 웨이퍼상에 전사할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6a도 내지 제6f도는 본 발명에 의한 포토마스크를 도시한 평면도이다.
Claims (3)
- 웨이퍼에 전사될 패턴의 소정 부분에, 그 부분을 투과한 빛이 상기 패턴을 투과한 빛과 180°의 위상차를 갖는 더미패턴이 삽입된 것을 특징으로 하는 포토마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 패턴 또는 더미패턴을 투과한 빛은 그 위상이 반전되는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 더미패턴은 컨택패턴의 모서리 부분에 삽입된 것을 특징으로 하는 포토마스크.※ 참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950042638A KR970028810A (ko) | 1995-11-21 | 1995-11-21 | 위상반전 영역을 삽입한 포토마스크 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950042638A KR970028810A (ko) | 1995-11-21 | 1995-11-21 | 위상반전 영역을 삽입한 포토마스크 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970028810A true KR970028810A (ko) | 1997-06-24 |
Family
ID=66588033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950042638A KR970028810A (ko) | 1995-11-21 | 1995-11-21 | 위상반전 영역을 삽입한 포토마스크 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970028810A (ko) |
-
1995
- 1995-11-21 KR KR1019950042638A patent/KR970028810A/ko not_active Application Discontinuation
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Legal Events
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| WITN | Withdrawal due to no request for examination |