KR960026269A - 래티클 패턴 - Google Patents
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
본 발명은 선폭이나 단차가 다른 패턴을 웨이퍼 상에 구현하기 위한 래티클 패턴에 있어서, 상기 웨이퍼 상에 형성될 패턴의 단차에 따라 크기를 늘리거나 줄인 소정 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하여, 단차가 작은 패턴은 빛의 양을 줄이고, 단차가 큰 패턴은 빛의 양을 늘려줌으로써, 벌크 효과를 최소화할 수 있어 소자의 성능 및 수율을 향상시키는 특유의 효과가 있는 래티클 패턴에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1F도는 본 발명에 따른 콘택홀 형성을 위한 래티클 패턴의 평면도.
Claims (2)
- 선폭이나 단차가 다른 패턴을 웨이퍼 상에 구현하기 위한 래티클 패턴에 있어서, 상기 웨이퍼 상에 형성될 패턴의 단차에 따라 크리를 늘리거나 줄인 소정 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 래티클 패턴.
- 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 상에 형성될 패턴의 단차에 따라 크기를 늘리거나 줄인 소정 패턴은, 각 모서리나 변에 확대 영역이나 축소 영역을 갖는 것을 특징으로 하는 래티클 패턴.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940032856A KR960026269A (ko) | 1994-12-05 | 1994-12-05 | 래티클 패턴 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940032856A KR960026269A (ko) | 1994-12-05 | 1994-12-05 | 래티클 패턴 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026269A true KR960026269A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66648297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940032856A KR960026269A (ko) | 1994-12-05 | 1994-12-05 | 래티클 패턴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026269A (ko) |
-
1994
- 1994-12-05 KR KR1019940032856A patent/KR960026269A/ko not_active Application Discontinuation
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| WITN | Withdrawal due to no request for examination |