KR970022526A - 반도체패턴 형성방법 및 이에 사용되는 포토마스크 - Google Patents
반도체패턴 형성방법 및 이에 사용되는 포토마스크 Download PDFInfo
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
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Abstract
정사각형 형태가 아닌 웨이퍼의 패턴을 형성하기 위하여 포토 마스크의 패턴을 석영 기판상에 다수개의 작은 정사각형 모양의 크롬 패턴을 0.2㎛ 이하의 거리를 두어서 노광하게 되면 다양한 모양의 레이퍼 패턴을 형성할 수 있게 되고 초기설계에 충실한 파인 패턴을 형성할 수 있게 되므로 반도체의 안정화를 기할 수 있게 된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3A도와 제3B도는 본 발명의 포토 마스크와 이를 이용하여 웨이퍼상에 형성시킨 패턴의 평면도.
Claims (3)
- 포토 마스크를 이용한 패턴 형성 방법에 있어서, 웨이퍼에 형성하고자 하는 패턴의 형태를 소정 패턴에 따라 다수개의 더미 패턴으로 나누는 공정과; 포토 마스크상에서 상기 더미 패턴을 일정한 거리를 두고 형성하는 공정과; 상기 공정에서 형성된 패턴에 따른 포토 마스크를 형성하는 공정과; 상기의 포토 마스크를 이용하여 웨이퍼상에 반도체 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패턴 형성방법.
- 마스크 패턴을 구비한 포토 마스크에 있어서, 상기 마스크 패턴이 다수개의 더미라인에 의해 다수개의 작은 접촉창을 갖도록 분리된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 포토 마스크.
- 제2항에 있어서, 더미라인의 폭은 0.2㎛이하인 것을 특징으로 하는 포토 마스크 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950037281A KR970022526A (ko) | 1995-10-26 | 1995-10-26 | 반도체패턴 형성방법 및 이에 사용되는 포토마스크 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950037281A KR970022526A (ko) | 1995-10-26 | 1995-10-26 | 반도체패턴 형성방법 및 이에 사용되는 포토마스크 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970022526A true KR970022526A (ko) | 1997-05-30 |
Family
ID=66584535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950037281A KR970022526A (ko) | 1995-10-26 | 1995-10-26 | 반도체패턴 형성방법 및 이에 사용되는 포토마스크 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970022526A (ko) |
-
1995
- 1995-10-26 KR KR1019950037281A patent/KR970022526A/ko not_active Application Discontinuation
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