KR970022518A - 노광장비의 포토 마스크 - Google Patents
노광장비의 포토 마스크 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970022518A KR970022518A KR1019950035614A KR19950035614A KR970022518A KR 970022518 A KR970022518 A KR 970022518A KR 1019950035614 A KR1019950035614 A KR 1019950035614A KR 19950035614 A KR19950035614 A KR 19950035614A KR 970022518 A KR970022518 A KR 970022518A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- mask substrate
- photomask
- etching
- exposure apparatus
- exposure
- Prior art date
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 제조장비의 노광장치에 관한 것으로, 특히 노광장치에 사용되는 포토마스크에 대한 것이다.
종래의 마스크기판은 레지스트의 도포공정과, 현상공정 및 에칭공정시 마스크기판의 모서리 부위와 중앙부위간의 현상속도 및 에칭속도의 차이에 의한 불균일이 발생하였다.
본 발명은 상술한 문제점을 극복하기 위한 것으로, 노광공정에 사용되는 포토마스크에 있어 마스크기판의 평면모양이 윈형에 가깝게 형성하여, 포토마스크 제조공정중 레지스트의 코팅, 현상 및 식각등에서 공정의 균일성을 가질 수 있도록 한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도(A), (B) (C)는 본 발명 포토 마스크의 구조도.
Claims (4)
- 노광공정에 사용되는 포토마스크에 있어 마스크기판의 평면모양이 원형에 가깝게 형성한 것을 특징으로 하는 노광장비의 포토마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 마스크기판은 평면모양이 사각이면서 네모서리를 둥글게 형성한 것을 특징으로 하는 노광장비의 포토마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 마스크기판은 평면모양이 8각형 이상의 정다각형인 것을 특징으로 하는 노광장치의 포토마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 마스크기판은 평면모양이 원형이면서 한개 이상의 플랫 존을 가지는 것을 특징으로 하는 노광장비의 포토마스크.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950035614A KR970022518A (ko) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | 노광장비의 포토 마스크 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950035614A KR970022518A (ko) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | 노광장비의 포토 마스크 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970022518A true KR970022518A (ko) | 1997-05-28 |
Family
ID=66583815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950035614A KR970022518A (ko) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | 노광장비의 포토 마스크 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970022518A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980025849A (ko) * | 1996-10-05 | 1998-07-15 | 김영환 | 마스크용 레지스트 도포 방법 |
-
1995
- 1995-10-16 KR KR1019950035614A patent/KR970022518A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980025849A (ko) * | 1996-10-05 | 1998-07-15 | 김영환 | 마스크용 레지스트 도포 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR970022518A (ko) | 노광장비의 포토 마스크 | |
| US6713842B1 (en) | Mask for and method of forming a character on a substrate | |
| KR910020802A (ko) | 마스크의 제작방법 | |
| KR0151228B1 (ko) | 고립된 다수의 패턴을 형성하기 위한 포토마스크 | |
| KR970022555A (ko) | 포토마스크의 제조방법 | |
| KR970016789A (ko) | 위상반전 마스크 및 그 제조방법 | |
| KR910001460A (ko) | 포토레지스트의 측벽 프로파일 개선 방법 | |
| KR970028805A (ko) | 포토마스크 및 그의 제조방법 | |
| KR930001301A (ko) | 반도체 패턴 형성방법 | |
| KR950027931A (ko) | 포토마스크(Photomask) 제작방법 | |
| KR970048982A (ko) | 위상 반전 셀 프로젝션 마스크 | |
| KR970022526A (ko) | 반도체패턴 형성방법 및 이에 사용되는 포토마스크 | |
| KR890011047A (ko) | 차광성 박막의 에칭방법 | |
| JPH01126651A (ja) | フォトマスク | |
| KR880009431A (ko) | 반도체 제조공정에 있어서 금속 패턴 형성을 위한 금속에칭 방법 | |
| KR970072003A (ko) | 모의 패턴을 갖는 레티클 | |
| KR970022515A (ko) | 포토레지스트 균일도 개선을 위한 포토마스크 | |
| KR970022554A (ko) | 미세 패턴 형성을 위한 마스크 | |
| KR950001918A (ko) | 질화막을 이용한 게이트패턴 형성방법 | |
| KR970051898A (ko) | 반도체 장치의 패턴 형성 방법 | |
| KR950021047A (ko) | 포토레지스트의 미세패턴 형성방법 | |
| KR970022517A (ko) | 포토마스크 및 그 제조방법 | |
| KR970022524A (ko) | 해프톤 위상 반전 포토 마스크 | |
| KR950021036A (ko) | 위상반전 마스크 제조방법 | |
| KR970003415A (ko) | 반도체 기판상에 감광막 패턴을 형성하는 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |