JPH01126651A - フォトマスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、フォトマスクを構成するパターンに関する。

〔従来の技術〕

従来のフォトマスクは、第６図に示す様に、回路パター
ンを形成したいサイズにＯｒを切ったり、残したりする
ことで、レジストパターンを形成している。この様な場
合、レジストの形状は、第３図に記す様に垂直で、第５
図に記す様なレジスト端形状を得るには、フォト露光条
件を標準条件よりずらして露光する為、ウェハー内、ウ
ェハー間での精度が上がらず、管理が離しい。

〔発明が解決しようとする問題点〕

以上の様に、従来技術の場合、フォト露光標準条件にオ
ツセットを付けた条件である為、装置の変動、その他要
因の変動に左右されやすくなり、レジスト形状１寸法が
不安定になる。そこで本発明は、この様な問題点を解決
するもので、その目的は、フォト露光標準条件を用いな
がら、第５図に記すようなレジスト形状が得られる回路
パターン形成方法を提唱し、ウェハー内１間での加工精
度を向上させることにある。

〔問題点を解決する為の手段〕

本発明のフォトマスクは、所定のパターンを、その中央
部に配し、前記所定パターンを囲むようにパターン・を
形成したり、所定パターンの中にスリットを形成するこ
とを特徴とすることで前述の興題を解決するものである
。

〔実施例〕

第１図、第２図は、本発明の実施例（おける、マスクの
平面図である。第１図は、所定の回路パターン１１を取
シ囲すように、本発明のパターン１２．１３を配置した
ものである。パターン１２．１３のサイズ及び、所定の
回路パターン１１とのスペースは、露光装置、レジスト
の種類、レジ。

スト形状により変更する。又、第２図は、第１図と逆パ
ターンを形成する為のマスク平面図である。又、第５図
、第６図は、本発明による回路パターンを用いたマスク
で形成したレジストの断面図′である。この様に本発明
の効果は、歴然である。

従来技術を用いる場合は、フォトの露光条件を変更する
為、回路パターン全体のレジスト端が丸くなりたのに対
し、マスク上の回路パターンの変更だけで、回路パター
ン内の一部にのみでも形成可能となる。又、標準露光条
件で作業可能な為、ウェハー内、ウェハー間の加工精度
が向上する。

〔発明の効果〕 以上、述べたように、本発明によれば、レジストの端面
な丸く加工することを必要とするパターンの形成を精度
よく出来るという効果を有する。

この効果は、特に回路パターン内の一部にのみでも、パ
ターン形成可能となりている点も効果として大きいもの
である。

以上のように本発明は、所定の回路パターンを囲んだり
、パタアンの中にスリットを形成する事により得られる
ものである。

従来技術との併用も可能であり、所定の回路パターン毎
に、本発明を実施しても同様の効果が得られるものであ
る。また、本発明の効果は、半導体製造のみならず、液
晶パネル等の表示体の製造等、フォトマスクを用いてパ
ターン形成するフォトリソグテフイ全般にわたりて効果
があるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は、本発明の一実施例を示すマスク平面
図である。第３図＜ａ＞ｅｃｂ）及び第４図（１り　、
　（ｂ）は、従来技術を用いた場合のマスク平面図及び
ウェハー断面図である。第５図（α）、（ｂ）及び第６
図（α）、（ｂ）は、本発明のマスク平面図及び七〇啼
スクな用いた場合のウェハー断面図である。第７図は、
従来技術を用いたマスク平面図である。 １・・・・・・・・・本発明のパターン−２・・・・・
・・・・所定の回路パターン３・・・・・・・・・回路
基板 ４・・・・・・・・・ポジ型レジスト層５・・・・・・
・・・半導体基板 ６・・・・・・・・・光 以上 （α） ＜ｂ＞ （α） 第４図 （α） （ｂ） （ｂ） 第６図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　フォトマスク上の所定の回路パターンを、その中央に
   配し、前記所定回路パターンを囲むようにパターンを形
   成したり、前記所定回路パターンの中にスリットを形成
   してあることを特徴とするフォトマスク。