KR960026139A - 정렬마크 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 정렬마크 형성방법에 관한 것으로, 사각구조의 석영기판 상부에 모서리를 형성하는 두 변과 평행하게 두 변으로 형성된 "L"자 형태의 마스크패턴을 형성하고, 이를 이용하여 반도체기판에 다수의 정렬마크를 형성하여 모든 패턴간의 정렬도를 수직 및 수평 거리를 측정하므로써 쉽게 구할 수 있고, 정렬마크가 차지하는 면적을 줄일 수 있으므로 칩 면적을 효율적으로 사용할 수 있으며 마스크 구성시에 정렬도 측정을 고려하는 정렬패턴 배열이 매우 쉬우므로 시간이 단축되고 반도체 소자의 생산성 향상 및 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 및 제2B도는 본 발명의 실시예에 따른 정렬마크의 평면도.
Claims (2)
- 사각구조의 석영기판에 "니온"자 형으로 형성된 마스크팬턴을 형성하고 공정과, 상기 마스크패턴을 이용한 식각공정으로 반도체기판에 정렬마크를 형성하는 공정을 포함하는 정렬마크 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 마스크패턴은 석영기판에 형성되는 모서리의 두 변에 평행하고 일정크기로 형성된 것을 특징으로 하는 정렬마크 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940033535A KR960026139A (ko) | 1994-12-09 | 1994-12-09 | 정렬마크 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940033535A KR960026139A (ko) | 1994-12-09 | 1994-12-09 | 정렬마크 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026139A true KR960026139A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66688021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940033535A KR960026139A (ko) | 1994-12-09 | 1994-12-09 | 정렬마크 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026139A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100474990B1 (ko) * | 1997-07-29 | 2005-05-27 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치의 얼라인 먼트 키 및 그 형성방법 |
| KR100519374B1 (ko) * | 2000-12-12 | 2005-10-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 오버레이 측정 방법 |
-
1994
- 1994-12-09 KR KR1019940033535A patent/KR960026139A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100474990B1 (ko) * | 1997-07-29 | 2005-05-27 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치의 얼라인 먼트 키 및 그 형성방법 |
| KR100519374B1 (ko) * | 2000-12-12 | 2005-10-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 오버레이 측정 방법 |
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Legal Events
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| WITN | Withdrawal due to no request for examination |