KR970077109A - 콘택 얼라인어에 사용되는 정렬키 패턴 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 제조의 포토리소그라피(Photo Lithography) 공정에서 콘택 얼라인을 위해 사용하는 정렬키 패턴에 관한 것으로서, 중심선이 마주보는 꼭지점을 기준으로 설정되도록 한 정사각형의 마스크키 패턴과; 상기 마스크키 패턴의 한 변과 길이가 같은 두변과 길이가 긴 두변으로 이루어진 제1, 2의 직사각형을 대각으로 교차시켜 놓은 형태의 웨이퍼키 패턴; 으로 이루어지며, 키 정렬키 마스크키의 꼭지점이 웨이퍼키의 제1, 2사각형 각변의 교차점에 각각 대응하도록 형성하여 수동 및 자동 정렬식 고정렬을 성취할 수 있게 함으로써 반도체 제조 수율을 향상시킬 수 있는 장점이 있는 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 따른 정렬키의 패턴으로, (A)도는 마스크키, (B)도는 웨이퍼키의 개략도, 제6도는 본 발명 정렬키의 정렬 완료된 후 개략도.
Claims (1)
- 중심선이 마주보는 꼭지점을 기준으로 설정되도록 한 정사각형의 마스크키 패턴과, 상기 마스크키 패턴의 한 변과 길이가 같은 두변의 길이가 긴 두변으로 이루어진 제1, 2의 직사각형을 대각으로 교차시켜 놓은 형태의 웨이퍼키 패턴; 으로 이루어지며, 키 정렬키 마스크키의 꼭지점이 웨이퍼키의 제1, 2삭각형 각 변의 교차점에 각각 대응하도록 형성된 것을 특징으로 하는 콘택 얼라인어에 사용되는 정렬키 패턴.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960018827A KR100187642B1 (ko) | 1996-05-30 | 1996-05-30 | 콘택 얼라인어에 사용되는 정렬키 패턴 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960018827A KR100187642B1 (ko) | 1996-05-30 | 1996-05-30 | 콘택 얼라인어에 사용되는 정렬키 패턴 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970077109A true KR970077109A (ko) | 1997-12-12 |
KR100187642B1 KR100187642B1 (ko) | 1999-06-01 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960018827A KR100187642B1 (ko) | 1996-05-30 | 1996-05-30 | 콘택 얼라인어에 사용되는 정렬키 패턴 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100187642B1 (ko) |
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1996
- 1996-05-30 KR KR1019960018827A patent/KR100187642B1/ko not_active IP Right Cessation
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR100187642B1 (ko) | 1999-06-01 |
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