KR980005505A - 콘택홀 형성 시 포커스 균일도 개선방법 - Google Patents
콘택홀 형성 시 포커스 균일도 개선방법 Download PDFInfo
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract
반도체 소자의 콘택홀 형성 시 포커스 균일도 개선방법에 대해 기재되어 있다. 이는, 콘택홀과 인접한 부분에 특수 패턴을 형성한 마스크를 준비하는 단계, 마스크를 이용하여 반도체기판 상에 콘택홀 및 특수 패턴을 형성하는 단계 및 특수 패턴으 포커스 균일도를 조사한 후 스태이지의 레벨링을 조정하는 단계를 포함한다. 이때, 특수패턴으로 라이/스페이스 계열의 패턴, 섬모양의 패턴 또는 테이퍼 모양의 패턴을 이용한다. 따라서, 본 발명에 의하며, 콘택홀 패턴의 포커스의 균일도를 쉽게 개선할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 콘택홀을 형성하는데 이용되는 마스크(mask)를 도시한 평면도이다.
Claims (3)
- 콘택홀과 인접한 부분에 특수 패턴을 형성한 마스크를 준비하는 단계; 마스크를 이용하여 반도체기판 상에 콘택홀 및 특수 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 특수 패턴의 포커스 균일도를 조사한 후 스태이지의 레벨링을 조정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성 시 포커그 균일도 개선방법.
- 제1항에 있어서, 상기 특수 패턴으로 라이/스페이스 계열의 패턴, 섬모양의 패턴 또는 테이퍼 모양의 패턴 등 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성 시 포커스 균일도 개선방법.
- 제1항에 있어서, 상기 인접한 부분은 상기 마스크의 노광 영역의 코너 및/ 또는 가장자리부인 것을 특징으로하는 반도체 소자의 콘택홀 형성 시 포커스 균일도 개선방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023972A KR980005505A (ko) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 콘택홀 형성 시 포커스 균일도 개선방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023972A KR980005505A (ko) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 콘택홀 형성 시 포커스 균일도 개선방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980005505A true KR980005505A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66288442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960023972A KR980005505A (ko) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 콘택홀 형성 시 포커스 균일도 개선방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980005505A (ko) |
-
1996
- 1996-06-26 KR KR1019960023972A patent/KR980005505A/ko not_active Application Discontinuation
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