JP5294489B2 - 露光方法及び露光装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 9
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 27
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/22—Exposing sequentially with the same light pattern different positions of the same surface
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/7035—Proximity or contact printers
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
-
- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70533—Controlling abnormal operating mode, e.g. taking account of waiting time, decision to rework or rework flow
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
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- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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Description
先ず、ステップS1においては、マスクステージ4は停止してフォトマスク10の第1のマスクパターン群11が選択されている。
先ず、図11(a)に示すように、第1のマスクパターン群11による第1の露光領域8に対する露光が終了すると、マスクステージ4が矢印B方向へ移動を開始する。このとき、マスクステージ4の移動は、図12に示すように、時間t1経過後に被露光体7の移動速度VGと等しい速度となるように加速される。したがって、この加速段階に移動するフォトマスク10の移動距離は、VG・t1/2となり、被露光体7の移動距離(VG・t1)の半分となる。それ故、加速段階にフォトマスク10の移動する距離が図11(b)に示すようにW4となるように、加速時間t1を予め設定しておけば、加速が終了したとき被露光体7は、同図に示すように、さらに2W4だけ先に進むことになる。これにより、第1のマスクパターン群11の端部領域15に対応した第1の露光領域8は、未露光部分17が生じることなく均一に露光される。
図13は、図8に示すフォトマスク10を使用し、フォトマスク10の加速度を1000mm/sec2、定速時のフォトマスク10の移動速度VMを130mm/sec、フォトマスク10の移動距離を50mmとし、被露光体7の移動速度VGを110mm/secとして計算したものである。この場合、被露光体7の第1の露光領域8と第2の露光領域9との間隔W1は25mmであり、フォトマスク10の第1及び第2のマスクパターン群11,12の矢印A方向の幅は40mmである。また、フォトマスク10の移動開始直前においては、被露光体7の第1の露光領域8の矢印A方向後尾端部8aがフォトマスク10の第1のマスクパターン群11の矢印A方向後尾端部11aよりも4.2mmだけ矢印A方向に進んでいる状態を条件としている。
4…マスクステージ
6…制御手段
7…被露光体
8…第1の露光領域
9…第2の露光領域
10…フォトマスク
11…第1のマスクパターン群
12…第2のマスクパターン群
13…第1のフォトマスク
14…第2のフォトマスク
15…マスクパターン群の端部領域
16…マスクパターン
26…微小パターン
Claims (12)
- 被露光体を一方向に一定速度で搬送しながら該被露光体の搬送方向に所定間隔で配置された複数の露光領域毎に異なる露光パターンを形成する露光方法であって、
前記各露光パターンに対応する複数種のマスクパターン群を前記被露光体の搬送方向に所定間隔で並べて形成したフォトマスクの前記被露光体の搬送方向の先頭側に対応して位置する一のマスクパターン群による前記被露光体の一の露光領域に対する露光が終了すると、前記フォトマスクを前記被露光体の搬送方向に所定距離だけ移動して前記一のマスクパターン群からその移動方向後続の他のマスクパターン群に切り替える段階と、
前記他のマスクパターン群により前記被露光体の次の露光領域に対する露光を実行する段階と、を有し、
前記一のマスクパターン群から前記他のマスクパターン群に切り替えるために、前記フォトマスクの移動を開始してからそれを停止するまでの間に前記被露光体の移動距離が前記フォトマスクの移動距離よりも長くなるように前記フォトマスクの移動速度を制御することを特徴とする露光方法。 - 被露光体を一方向に一定速度で搬送しながら該被露光体の搬送方向に所定間隔で配置された複数の露光領域毎に異なる露光パターンを形成する露光方法であって、
前記各露光パターンに対応する複数種のマスクパターン群を前記被露光体の搬送方向に所定間隔で並べて形成したフォトマスクの前記被露光体の搬送方向の後尾側に対応して位置する一のマスクパターン群による前記被露光体の一の露光領域に対する投影露光が終了すると、前記フォトマスクを前記被露光体の搬送方向と反対方向に所定距離だけ移動して前記一のマスクパターン群からその移動方向後続の他のマスクパターン群に切り替える段階と、
前記他のマスクパターン群により前記被露光体の次の露光領域に対する露光を実行する段階と、を有し、
前記一のマスクパターン群から前記他のマスクパターン群に切り替えるために、前記フォトマスクの移動を開始してからそれを停止するまでの間に前記被露光体の移動距離が前記フォトマスクの移動距離よりも長くなるように前記フォトマスクの移動速度を制御することを特徴とする露光方法。 - 前記フォトマスクの移動速度は、停止状態から所定速度まで加速する加速段階と、前記所定速度で移動する定速段階と、減速して停止するまでの減速段階とに切り替え制御されることを特徴とする請求項1又は2記載の露光方法。
- 前記定速段階におけるフォトマスクの移動速度は、前記被露光体の搬送速度よりも速いことを特徴とする請求項3記載の露光方法。
- 被露光体を一方向に一定速度で搬送しながら該被露光体の搬送方向に所定間隔で配置された複数の露光領域毎に異なる露光パターンを形成する露光装置であって、
前記被露光体を所定速度で搬送する搬送手段と、
前記搬送手段の上面に対向して配設され、前記各露光パターンに対応する複数種のマスクパターン群を前記被露光体の搬送方向に所定間隔で並べて形成したフォトマスクを保持すると共に、前記フォトマスクの前記被露光体の搬送方向の先頭側に対応して位置する一のマスクパターン群による前記被露光体の一の露光領域に対する露光が終了すると、前記フォトマスクを前記被露光体の搬送方向に所定距離だけ移動して前記一のマスクパターン群からその移動方向後続の他のマスクパターン群に切り替えるマスクステージと、
前記マスクステージの移動を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、前記一のマスクパターン群から他のマスクパターン群に切り替えるために、前記フォトマスクの移動を開始してからそれを停止するまでの間に前記被露光体の移動距離が前記フォトマスクの移動距離よりも長くなるように前記マスクステージの移動速度を制御することを特徴とする露光装置。 - 被露光体を一方向に一定速度で搬送しながら該被露光体の搬送方向に所定間隔で配置された複数の露光領域毎に異なる露光パターンを形成する露光装置であって、
前記被露光体を所定速度で搬送する搬送手段と、
前記搬送手段の上面に対向して配設され、前記各露光パターンに対応する複数種のマスクパターン群を前記被露光体の搬送方向に所定間隔で並べて形成したフォトマスクを保持すると共に、前記フォトマスクの前記被露光体の搬送方向の後尾側に対応して位置する一のマスクパターン群による前記被露光体の一の露光領域に対する投影露光が終了すると、前記フォトマスクを前記被露光体の搬送方向と反対方向に所定距離だけ移動して前記一のマスクパターン群からその移動方向後続の他のマスクパターン群に切り替えるマスクステージと、
前記マスクステージの移動を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、前記一のマスクパターン群から他のマスクパターン群に切り替えるために、前記フォトマスクの移動を開始してからそれを停止するまでの間に前記被露光体の移動距離が前記フォトマスクの移動距離よりも長くなるように前記マスクステージの移動速度を制御することを特徴とする露光装置。 - 前記制御手段は、前記マスクステージの移動速度を停止状態から所定速度まで加速する加速段階と、前記所定速度で移動する定速段階と、減速して停止するまでの減速段階とに切り替え制御することを特徴とする請求項5又は6記載の露光装置。
- 前記制御手段は、前記定速段階におけるマスクステージの移動速度を前記被露光体の搬送速度よりも速くなるように制御することを特徴とする請求項7記載の露光装置。
- 前記フォトマスクは、前記複数種のマスクパターン群を1組として複数組を所定間隔で一列に並べて有する第1及び第2のフォトマスクから成り、前記複数組のマスクパターン群が前記被露光体の搬送方向と略直交する方向に所定ピッチで互い違いに並ぶように前記第1及び2のフォトマスクを互いに前記被露光体の搬送方向と略直交する方向に所定寸法だけずらして配置したものであることを特徴とする請求項5〜8のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記第1及び第2のフォトマスクの複数種のマスクパターン群のうち、同種のマスクパターン群は、前記被露光体の搬送方向に見て隣接する二つのマスクパターン群の端部領域に位置するマスクパターンが互いに重なるようにされ、且つ、前記端部領域に位置するマスクパターンは、前記隣接する二つのマスクパターン群の対応するマスクパターンとの重ね露光により所定の露光量が得られるように前記マスクパターン群の中央部に位置するマスクパターンと形状を異ならせたことを特徴とする請求項9記載の露光装置。
- 前記第1及び第2のフォトマスクの各マスクパターン群の端部領域に位置するマスクパターンは、前記被露光体の搬送方向と略直交して所定ピッチで複数に分割されていることを特徴とする請求項10記載の露光装置。
- 前記第1及び第2のフォトマスクの各マスクパターン群の端部領域に位置するマスクパターンは、前記被露光体の搬送方向と略直交して所定間隔で複数の微小パターンに分割されると共に、前記複数の微小パターンの面積の総和が所定値となるように各微小パターンの大きさが設定されていることを特徴とする請求項10記載の露光装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009283067A JP5294489B2 (ja) | 2009-12-14 | 2009-12-14 | 露光方法及び露光装置 |
PCT/JP2010/071281 WO2011074400A1 (ja) | 2009-12-14 | 2010-11-29 | 露光方法及び露光装置 |
KR1020127018417A KR101707263B1 (ko) | 2009-12-14 | 2010-11-29 | 노광 방법 및 노광 장치 |
CN201080056557.7A CN102656520B (zh) | 2009-12-14 | 2010-11-29 | 曝光方法及曝光装置 |
TW099142733A TWI497225B (zh) | 2009-12-14 | 2010-12-08 | 曝光方法及曝光裝置 |
US13/495,668 US9207546B2 (en) | 2009-12-14 | 2012-06-13 | Exposure method and exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009283067A JP5294489B2 (ja) | 2009-12-14 | 2009-12-14 | 露光方法及び露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011124500A JP2011124500A (ja) | 2011-06-23 |
JP5294489B2 true JP5294489B2 (ja) | 2013-09-18 |
Family
ID=44167159
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009283067A Expired - Fee Related JP5294489B2 (ja) | 2009-12-14 | 2009-12-14 | 露光方法及び露光装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9207546B2 (ja) |
JP (1) | JP5294489B2 (ja) |
KR (1) | KR101707263B1 (ja) |
CN (1) | CN102656520B (ja) |
TW (1) | TWI497225B (ja) |
WO (1) | WO2011074400A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10275562B2 (en) * | 2016-11-29 | 2019-04-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Method of decomposing a layout for multiple-patterning lithography |
US10684555B2 (en) * | 2018-03-22 | 2020-06-16 | Applied Materials, Inc. | Spatial light modulator with variable intensity diodes |
US10983444B2 (en) * | 2018-04-26 | 2021-04-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods of using solid state emitter arrays |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4814830A (en) * | 1985-04-01 | 1989-03-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Flat panel display device and manufacturing of the same |
JP3052587B2 (ja) * | 1992-07-28 | 2000-06-12 | 日本電気株式会社 | 露光装置 |
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-
2009
- 2009-12-14 JP JP2009283067A patent/JP5294489B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-11-29 CN CN201080056557.7A patent/CN102656520B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-11-29 WO PCT/JP2010/071281 patent/WO2011074400A1/ja active Application Filing
- 2010-11-29 KR KR1020127018417A patent/KR101707263B1/ko active IP Right Grant
- 2010-12-08 TW TW099142733A patent/TWI497225B/zh not_active IP Right Cessation
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2012
- 2012-06-13 US US13/495,668 patent/US9207546B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101707263B1 (ko) | 2017-02-15 |
CN102656520A (zh) | 2012-09-05 |
US20120249993A1 (en) | 2012-10-04 |
TWI497225B (zh) | 2015-08-21 |
JP2011124500A (ja) | 2011-06-23 |
KR20120103712A (ko) | 2012-09-19 |
US9207546B2 (en) | 2015-12-08 |
WO2011074400A1 (ja) | 2011-06-23 |
CN102656520B (zh) | 2014-09-03 |
TW201142526A (en) | 2011-12-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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