JP2011124500A - 露光方法及び露光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】被露光体を一方向に一定速度で搬送しながら該被露光体の搬送方向に所定間隔で配置された第1及び第2の露光領域毎に異なる露光パターンを形成する露光方法であって、各露光パターンに対応する第1及び第2のマスクパターン群を被露光体の搬送方向に所定間隔で並べて形成したフォトマスクの第1のマスクパターン群による被露光体の第1の露光領域に対する露光が終了すると、フォトマスクを所定距離だけ移動して第1のマスクパターン群から第2のマスクパターン群に切り替える段階と、第2のマスクパターン群により被露光体の第2の露光領域に対する露光を実行する段階と、を有し、第1及び第2のマスクパターン群の切り替え時における被露光体の移動距離がフォトマスクの移動距離よりも長くなるようにフォトマスクの移動速度を制御するものである。
【選択図】図10
Description
先ず、ステップS1においては、マスクステージ4は停止してフォトマスク10の第1のマスクパターン群11が選択されている。
先ず、図11(a)に示すように、第1のマスクパターン群11による第1の露光領域8に対する露光が終了すると、マスクステージ4が矢印B方向へ移動を開始する。このとき、マスクステージ4の移動は、図12に示すように、時間t1経過後に被露光体7の移動速度VGと等しい速度となるように加速される。したがって、この加速段階に移動するフォトマスク10の移動距離は、VG・t1/2となり、被露光体7の移動距離(VG・t1)の半分となる。それ故、加速段階にフォトマスク10の移動する距離が図11(b)に示すようにW4となるように、加速時間t1を予め設定しておけば、加速が終了したとき被露光体7は、同図に示すように、さらに2W4だけ先に進むことになる。これにより、第1のマスクパターン群11の端部領域15に対応した第1の露光領域8は、未露光部分17が生じることなく均一に露光される。
図13は、図8に示すフォトマスク10を使用し、フォトマスク10の加速度を1000mm/sec2、定速時のフォトマスク10の移動速度VMを130mm/sec、フォトマスク10の移動距離を50mmとし、被露光体7の移動速度VGを110mm/secとして計算したものである。この場合、被露光体7の第1の露光領域8と第2の露光領域9との間隔W1は25mmであり、フォトマスク10の第1及び第2のマスクパターン群11,12の矢印A方向の幅は40mmである。また、フォトマスク10の移動開始直前においては、被露光体7の第1の露光領域8の矢印A方向後尾端部8aがフォトマスク10の第1のマスクパターン群11の矢印A方向後尾端部11aよりも4.2mmだけ矢印A方向に進んでいる状態を条件としている。
4…マスクステージ
6…制御手段
7…被露光体
8…第1の露光領域
9…第2の露光領域
10…フォトマスク
11…第1のマスクパターン群
12…第2のマスクパターン群
13…第1のフォトマスク
14…第2のフォトマスク
15…マスクパターン群の端部領域
16…マスクパターン
26…微小パターン
Claims (10)
- 被露光体を一方向に一定速度で搬送しながら該被露光体の搬送方向に所定間隔で配置された複数の露光領域毎に異なる露光パターンを形成する露光方法であって、
前記各露光パターンに対応する複数種のマスクパターン群を前記被露光体の搬送方向に所定間隔で並べて形成したフォトマスクの一のマスクパターン群による前記被露光体の一の露光領域に対する露光が終了すると、前記フォトマスクを所定距離だけ移動して前記一のマスクパターン群から他のマスクパターン群に切り替える段階と、
前記他のマスクパターン群により前記被露光体の次の露光領域に対する露光を実行する段階と、を有し、
前記一のマスクパターン群から他のマスクパターン群に切り替えるために、前記フォトマスクの移動を開始してからそれを停止するまでの間に前記被露光体の移動距離が前記フォトマスクの移動距離よりも長くなるように前記フォトマスクの移動速度を制御することを特徴とする露光方法。 - 前記フォトマスクの移動速度は、停止状態から所定速度まで加速する加速段階と、前記所定速度で移動する定速段階と、減速して停止するまでの減速段階とに切り替え制御されることを特徴とする請求項1記載の露光方法。
- 前記定速段階におけるフォトマスクの移動速度は、前記被露光体の搬送速度よりも速いことを特徴とする請求項2記載の露光方法。
- 被露光体を一方向に一定速度で搬送しながら該被露光体の搬送方向に所定間隔で配置された複数の露光領域毎に異なる露光パターンを形成する露光装置であって、
前記被露光体を所定速度で搬送する搬送手段と、
前記搬送手段の上面に対向して配設され、前記各露光パターンに対応する複数種のマスクパターン群を前記被露光体の搬送方向に所定間隔で並べて形成したフォトマスクを保持すると共に、前記フォトマスクの一のマスクパターン群による前記被露光体の一の露光領域に対する露光が終了すると、前記フォトマスクを所定距離だけ移動して前記一のマスクパターン群から他のマスクパターン群に切り替えるマスクステージと、
前記マスクステージの移動を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、前記一のマスクパターン群から他のマスクパターン群に切り替えるために、前記フォトマスクの移動を開始してからそれを停止するまでの間に前記被露光体の移動距離が前記フォトマスクの移動距離よりも長くなるように前記マスクステージの移動速度を制御することを特徴とする露光装置。 - 前記制御手段は、前記マスクステージの移動速度を停止状態から所定速度まで加速する加速段階と、前記所定速度で移動する定速段階と、減速して停止するまでの減速段階とに切り替え制御することを特徴とする請求項4記載の露光装置。
- 前記制御手段は、前記定速段階におけるマスクステージの移動速度を前記被露光体の搬送速度よりも速くなるように制御することを特徴とする請求項5記載の露光装置。
- 前記フォトマスクは、前記複数種のマスクパターン群を1組として複数組を所定間隔で一列に並べて有する第1及び第2のフォトマスクから成り、前記複数組のマスクパターン群が前記被露光体の搬送方向と略直交する方向に所定ピッチで互い違いに並ぶように前記第1及び2のフォトマスクを互いに前記被露光体の搬送方向と略直交する方向に所定寸法だけずらして配置したものであることを特徴とする請求項4〜6のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記第1及び第2のフォトマスクの複数種のマスクパターン群のうち、同種のマスクパターン群は、前記被露光体の搬送方向に見て隣接する二つのマスクパターン群の端部領域に位置するマスクパターンが互いに重なるようにされ、且つ、前記端部領域に位置するマスクパターンは、前記隣接する二つのマスクパターン群の対応するマスクパターンとの重ね露光により所定の露光量が得られるように前記マスクパターン群の中央部に位置するマスクパターンと形状を異ならせたことを特徴とする請求項7記載の露光装置。
- 前記第1及び第2のフォトマスクの各マスクパターン群の端部領域に位置するマスクパターンは、前記被露光体の搬送方向と略直交して所定ピッチで複数に分割されていることを特徴とする請求項8記載の露光装置。
- 前記第1及び第2のフォトマスクの各マスクパターン群の端部領域に位置するマスクパターンは、前記被露光体の搬送方向と略直交して所定間隔で複数の微小パターンに分割されると共に、前記複数の微小パターンの面積の総和が所定値となるように各微小パターンの大きさが設定されていることを特徴とする請求項8記載の露光装置。
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Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10275562B2 (en) * | 2016-11-29 | 2019-04-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Method of decomposing a layout for multiple-patterning lithography |
US10684555B2 (en) | 2018-03-22 | 2020-06-16 | Applied Materials, Inc. | Spatial light modulator with variable intensity diodes |
US10983444B2 (en) * | 2018-04-26 | 2021-04-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods of using solid state emitter arrays |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0653105A (ja) * | 1992-07-28 | 1994-02-25 | Nec Corp | 露光装置 |
JPH07135165A (ja) * | 1993-11-11 | 1995-05-23 | Nikon Corp | 走査型露光装置 |
JPH11237744A (ja) * | 1997-12-18 | 1999-08-31 | Sanee Giken Kk | 露光装置および露光方法 |
JP2001215718A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-08-10 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
JP2007281317A (ja) * | 2006-04-11 | 2007-10-25 | V Technology Co Ltd | 露光装置 |
JP2008310217A (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-25 | Toppan Printing Co Ltd | 露光装置及びそれを用いた異種パターンの露光方法 |
JP2009058666A (ja) * | 2007-08-30 | 2009-03-19 | V Technology Co Ltd | 露光装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4814830A (en) * | 1985-04-01 | 1989-03-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Flat panel display device and manufacturing of the same |
US5281996A (en) * | 1992-09-04 | 1994-01-25 | General Signal Corporation | Photolithographic reduction imaging of extended field |
US5437946A (en) * | 1994-03-03 | 1995-08-01 | Nikon Precision Inc. | Multiple reticle stitching for scanning exposure system |
US5721606A (en) * | 1995-09-07 | 1998-02-24 | Jain; Kanti | Large-area, high-throughput, high-resolution, scan-and-repeat, projection patterning system employing sub-full mask |
US5859690A (en) * | 1996-03-28 | 1999-01-12 | Nikon Corporation | Method of dividing and exposing patterns |
AU9095798A (en) * | 1997-09-19 | 1999-04-12 | Nikon Corporation | Stage device, a scanning aligner and a scanning exposure method, and a device manufactured thereby |
TW432469B (en) * | 1998-02-06 | 2001-05-01 | Nippon Kogaku Kk | Exposure apparatus, exposure method, and recording medium |
TW521310B (en) * | 2001-02-08 | 2003-02-21 | Toshiba Corp | Laser processing method and apparatus |
JP2006165216A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Nikon Corp | 評価方法、走査露光方法及び走査型露光装置 |
US8097092B2 (en) | 2005-06-21 | 2012-01-17 | Kninklijke Philips Electronics N.V. | Method of cleaning and after treatment of optical surfaces in an irradiation unit |
US7924406B2 (en) * | 2005-07-13 | 2011-04-12 | Asml Netherlands B.V. | Stage apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method having switch device for two illumination channels |
JP4224479B2 (ja) * | 2005-09-07 | 2009-02-12 | 富士フイルム株式会社 | パターン露光方法及び装置 |
JP4984810B2 (ja) * | 2006-02-16 | 2012-07-25 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置及びフォトマスク |
JP2009058686A (ja) | 2007-08-30 | 2009-03-19 | Sharp Corp | 画像形成装置及び2成分現像剤 |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0653105A (ja) * | 1992-07-28 | 1994-02-25 | Nec Corp | 露光装置 |
JPH07135165A (ja) * | 1993-11-11 | 1995-05-23 | Nikon Corp | 走査型露光装置 |
JPH11237744A (ja) * | 1997-12-18 | 1999-08-31 | Sanee Giken Kk | 露光装置および露光方法 |
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