KR101707263B1 - 노광 방법 및 노광 장치 - Google Patents

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고이찌 가지야마
도시나리 아라이
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브이 테크놀로지 씨오. 엘티디
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Abstract

본 발명은 피노광체를 일방향으로 일정 속도로 반송하면서 상기 피노광체의 반송 방향으로 소정 간격으로 배치된 제1 및 제2 노광 영역마다 다른 노광 패턴을 형성하는 노광 방법이며, 각 노광 패턴에 대응하는 제1 및 제2 마스크 패턴군을 피노광체의 반송 방향으로 소정 간격으로 배열하여 형성한 포토마스크의 제1 마스크 패턴군에 의한 피노광체의 제1 노광 영역에 대한 노광이 종료되면, 포토마스크를 소정 거리만큼 이동하여 제1 마스크 패턴군으로부터 제2 마스크 패턴군으로 전환하는 단계와, 제2 마스크 패턴군에 의해 피노광체의 제2 노광 영역에 대한 노광을 실행하는 단계를 갖고, 제1 및 제2 마스크 패턴군의 전환 시에 있어서의 피노광체의 이동 거리가 포토마스크의 이동 거리보다도 길어지도록 포토마스크의 이동 속도를 제어하는 것이다.

Description

노광 방법 및 노광 장치 {EXPOSURE METHOD AND EXPOSURE APPARATUS}
본 발명은 피노광체를 일방향으로 일정 속도로 반송하면서 피노광체 상에 배치된 복수의 노광 영역마다 다른 노광 패턴을 형성하는 노광 방법 및 노광 장치에 관한 것으로, 상세하게는 복수종의 노광 패턴의 형성 효율을 향상시키려고 하는 노광 방법 및 노광 장치에 관한 것이다.
종래, 이러한 종류의 노광 방법은 피노광체를 일방향으로 반송하면서, 포토마스크의 하나인 마스크 패턴군을 선택하여 상기 하나의 마스크 패턴군에 의해 피노광체의 소정의 노광 영역에 하나의 노광 패턴군을 노광 형성하고, 다음에, 일단 상기 피노광체를 노광 개시 전의 대기 위치까지 복귀시킨 후, 포토마스크의 마스크 패턴군을 다른 마스크 패턴군으로 전환하고, 그 후, 피노광체의 반송을 재개하여 상기 다른 마스크 패턴군에 의해 피노광체의 다른 노광 영역에 다른 노광 패턴군을 노광 형성하도록 되어 있었다(예를 들어, 특허 문헌 1 참조).
일본 특허 출원 공개 제2008-310217호 공보
그러나, 이와 같은 종래의 노광 방법에 있어서는, 하나의 마스크 패턴군에 의한 노광이 종료될 때마다 피노광체를 일단, 노광 개시 전의 대기 위치까지 복귀시키는 것이므로, 피노광체에 대한 모든 노광이 종료될 때까지의 피노광체의 총 이동 거리가, 형성하려고 하는 노광 패턴의 종류가 많아질수록 길게 되어 있었다. 따라서, 동일한 피노광체 상에 복수종의 노광 패턴을 형성하려고 한 경우에, 노광 패턴의 형성 효율이 나쁘다고 하는 문제가 있었다.
따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점에 대처하여, 동일한 피노광체에 대한 복수종의 노광 패턴의 형성 효율을 향상시키려고 하는 노광 방법 및 노광 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 의한 노광 방법은, 피노광체를 일방향으로 일정 속도로 반송하면서 상기 피노광체의 반송 방향으로 소정 간격으로 배치된 복수의 노광 영역마다 다른 노광 패턴을 형성하는 노광 방법이며, 상기 각 노광 패턴에 대응하는 복수종의 마스크 패턴군을 상기 피노광체의 반송 방향으로 소정 간격으로 배열하여 형성한 포토마스크의 하나의 마스크 패턴군에 의한 상기 피노광체의 하나의 노광 영역에 대한 노광이 종료되면, 상기 포토마스크를 소정 거리만큼 이동하여 상기 하나의 마스크 패턴군으로부터 다른 마스크 패턴군으로 전환하는 단계와, 상기 다른 마스크 패턴군에 의해 상기 피노광체의 다음의 노광 영역에 대한 노광을 실행하는 단계를 갖고, 상기 하나의 마스크 패턴군으로부터 다른 마스크 패턴군으로 전환하기 위해, 상기 포토마스크의 이동을 개시한 후 그것을 정지할 때까지의 동안에 상기 피노광체의 이동 거리가 상기 포토마스크의 이동 거리보다도 길어지도록 상기 포토마스크의 이동 속도를 제어하는 것이다.
이와 같은 구성에 의해, 피노광체를 일방향으로 일정 속도로 반송하면서, 복수종의 마스크 패턴군을 피노광체의 반송 방향으로 소정 간격으로 배열하여 형성한 포토마스크의 하나의 마스크 패턴군에 의한 피노광체의 하나의 노광 영역에 대한 노광이 종료되면, 피노광체의 이동 거리가 포토마스크의 이동 거리보다도 길어지도록 포토마스크의 이동 속도를 제어하면서 포토마스크를 소정 거리만큼 이동하여 하나의 마스크 패턴군으로부터 다른 마스크 패턴군으로 전환하고, 다른 마스크 패턴군에 의해 피노광체의 다음의 노광 영역에 대한 노광을 실행한다.
또한, 상기 포토마스크의 이동 속도는 정지 상태로부터 소정 속도까지 가속하는 가속 단계와, 상기 소정 속도로 이동하는 정속 단계와, 감속하여 정지할 때까지의 감속 단계로 전환하여 제어된다. 이에 의해, 포토마스크의 이동 속도를 정지 상태로부터 소정 속도까지 가속하는 가속 단계와, 소정 속도로 이동하는 정속 단계와, 감속하여 정지할 때까지의 감속 단계로 전환하여 제어하여, 하나의 마스크 패턴군으로부터 다른 마스크 패턴군으로 전환한다.
그리고, 상기 정속 단계에 있어서의 포토마스크의 이동 속도는 상기 피노광체의 반송 속도보다도 빠르다. 이에 의해, 정속 단계에 있어서의 포토마스크의 이동 속도를 피노광체의 반송 속도보다도 빠르게 하여 하나의 마스크 패턴군으로부터 다른 마스크 패턴군으로 전환한다.
또한, 본 발명에 의한 노광 장치는 피노광체를 일방향으로 일정 속도로 반송하면서 상기 피노광체의 반송 방향으로 소정 간격으로 배치된 복수의 노광 영역마다 다른 노광 패턴을 형성하는 노광 장치이며, 상기 피노광체를 소정 속도로 반송하는 반송 수단과, 상기 반송 수단의 상면에 대향하여 배치되어, 상기 각 노광 패턴에 대응하는 복수종의 마스크 패턴군을 상기 피노광체의 반송 방향으로 소정 간격으로 배열하여 형성한 포토마스크를 보유 지지하는 동시에, 상기 포토마스크의 하나의 마스크 패턴군에 의한 상기 피노광체의 하나의 노광 영역에 대한 노광이 종료되면, 상기 포토마스크를 소정 거리만큼 이동하여 상기 하나의 마스크 패턴군으로부터 다른 마스크 패턴군으로 전환하는 마스크 스테이지와, 상기 마스크 스테이지의 이동을 제어하는 제어 수단을 구비하고, 상기 제어 수단은 상기 하나의 마스크 패턴군으로부터 다른 마스크 패턴군으로 전환하기 위해, 상기 포토마스크의 이동을 개시한 후 그것을 정지할 때까지의 동안에 상기 피노광체의 이동 거리가 상기 포토마스크의 이동 거리보다도 길어지도록 상기 마스크 스테이지의 이동 속도를 제어하는 것이다.
이와 같은 구성에 의해, 반송 수단으로 피노광체를 일방향으로 일정 속도로 반송하면서, 복수종의 마스크 패턴군을 피노광체의 반송 방향으로 소정 간격으로 배열하여 형성한 포토마스크의 하나의 마스크 패턴군에 의한 피노광체의 하나의 노광 영역에 대한 노광이 종료되면, 제어 수단에 의해 피노광체의 이동 거리가 포토마스크의 이동 거리보다도 길어지도록 마스크 스테이지의 이동 속도를 제어하면서 포토마스크를 소정 거리만큼 이동하여 하나의 마스크 패턴군으로부터 다른 마스크 패턴군으로 전환하고, 다른 마스크 패턴군에 의해 피노광체의 다음의 노광 영역에 대한 노광을 실행한다.
또한, 상기 제어 수단은 상기 마스크 스테이지의 이동 속도를 정지 상태로부터 소정 속도까지 가속하는 가속 단계와, 상기 소정 속도로 이동하는 정속 단계와, 감속하여 정지할 때까지의 감속 단계로 전환하여 제어하는 것이다. 이에 의해, 제어 수단으로 마스크 스테이지의 이동 속도를 정지 상태로부터 소정 속도까지 가속하는 가속 단계와, 소정 속도로 이동하는 정속 단계와, 감속하여 정지할 때까지의 감속 단계로 전환하여 제어하고, 하나의 마스크 패턴군으로부터 다른 마스크 패턴군으로 전환한다.
그리고, 상기 제어 수단은 상기 정속 단계에 있어서의 마스크 스테이지의 이동 속도를 상기 피노광체의 반송 속도보다도 빨라지도록 제어한다. 이에 의해, 제어 수단으로 정속 단계에 있어서의 마스크 스테이지의 이동 속도를 피노광체의 반송 속도보다도 빨라지도록 제어한다.
또한, 상기 포토마스크는 상기 복수종의 마스크 패턴군을 1조로 하여 복수조를 소정 간격으로 일렬로 배열하여 갖는 제1 및 제2 포토마스크로 이루어지고, 상기 복수조의 마스크 패턴군이 상기 피노광체의 반송 방향과 대략 직교하는 방향으로 소정 피치로 교대로 배열되도록 상기 제1 및 제2 포토마스크를 서로 상기 피노광체의 반송 방향과 대략 직교하는 방향으로 소정 치수만큼 어긋나게 하여 배치한 것이다. 이에 의해, 복수종의 마스크 패턴군을 1조로 하여 복수조를 소정 간격으로 일렬로 배열하여 갖고, 상기 복수조의 마스크 패턴군이 피노광체의 반송 방향과 대략 직교하는 방향으로 소정 피치로 교대로 배열되도록 서로 피노광체의 반송 방향과 대략 직교하는 방향으로 소정 치수만큼 어긋나게 하여 배치한 제1 및 제2 포토마스크에 의해, 피노광체의 복수의 노광 영역에 마스크 패턴군을 전환하여 노광한다.
또한, 상기 제1 및 제2 포토마스크의 복수종의 마스크 패턴군 중, 동종의 마스크 패턴군은 상기 피노광체의 반송 방향에서 볼 때 인접하는 2개의 마스크 패턴군의 단부 영역에 위치하는 마스크 패턴이 서로 겹치게 되고, 또한 상기 단부 영역에 위치하는 마스크 패턴은 상기 인접하는 2개의 마스크 패턴군의 대응하는 마스크 패턴과의 겹침 노광에 의해 소정의 노광량이 얻어지도록 상기 마스크 패턴군의 중앙부에 위치하는 마스크 패턴과 형상을 다르게 한 것이다. 이에 의해, 제1 및 제2 포토마스크의 복수종의 마스크 패턴군 중, 동종의 마스크 패턴군에 대해 피노광체의 반송 방향에서 볼 때 인접하는 2개의 마스크 패턴군의 단부 영역에 위치하고, 서로 겹치게 된 마스크 패턴의 형상을 마스크 패턴군의 중앙부에 위치하는 마스크 패턴의 형상과 다르게 하여, 상기 인접하는 2개의 마스크 패턴군의 대응하는 마스크 패턴과의 겹침 노광에 의해 소정의 노광량이 얻어지도록 한다.
또한, 상기 제1 및 제2 포토마스크의 각 마스크 패턴군의 단부 영역에 위치하는 마스크 패턴은 상기 피노광체의 반송 방향과 대략 직교하여 소정 피치로 복수로 분할되어 있다. 이에 의해, 제1 및 제2 포토마스크의 각 마스크 패턴군의 단부 영역에 위치하고, 피노광체의 반송 방향과 대략 직교하여 소정 피치로 복수로 분할된 마스크 패턴에 의해 겹침 노광하여 소정의 노광량을 얻는다.
그리고, 상기 제1 및 제2 포토마스크의 각 마스크 패턴군의 단부 영역에 위치하는 마스크 패턴은 상기 피노광체의 반송 방향과 대략 직교하여 소정 간격으로 복수의 미소 패턴으로 분할되는 동시에, 상기 복수의 미소 패턴의 면적의 총합이 소정값으로 되도록 각 미소 패턴의 크기가 설정되어 있다. 이에 의해, 제1 및 제2 포토마스크의 각 마스크 패턴군의 단부 영역에 위치하고, 피노광체의 반송 방향과 대략 직교하여 소정 간격으로 복수의 미소 패턴으로 분할되는 동시에, 복수의 미소 패턴의 면적의 총합이 소정값으로 되도록 각 미소 패턴의 크기가 설정된 마스크 패턴에 의해 겹침 노광하여 소정의 노광량을 얻는다.
청구항 1 또는 4에 관한 발명에 따르면, 종래 기술과 달리, 소정의 노광 영역에 대한 노광이 종료될 때마다, 피노광체를 노광 개시 전의 대기 위치까지 복귀시키는 일 없이 피노광체를 연속해서 소정 속도로 이동하면서, 복수의 노광 영역마다 각각 다른 노광 패턴을 형성할 수 있다. 따라서, 모든 노광이 종료될 때까지의 피노광체의 총 이동 거리는 종래 기술보다도 훨씬 짧아진다. 그로 인해, 동일한 피노광체에 대한 복수종의 노광 패턴의 형성 효율을 종래 기술보다 증가시켜 향상시킬 수 있다. 또한, 하나의 마스크 패턴군으로부터 다른 마스크 패턴군으로 전환하기 위해, 포토마스크의 이동을 개시한 후 그것을 정지할 때까지의 동안에 피노광체의 이동 거리가 포토마스크의 이동 거리보다도 길어지도록 포토마스크의 이동 속도를 제어하고 있으므로, 예를 들어 피노광체의 반송 방향에 선후하여 배치된 마스크 패턴군의 단부 영역에 의해 겹침 노광하는 경우, 상기 단부 영역의 겹침 노광에 의한 오버 노광을 회피하기 위해, 상기 단부 영역의 마스크 패턴 형상을 마스크 패턴군의 중앙부의 마스크 패턴 형상과 다르게 하였을 때에, 상기 단부 영역에 대응하여 미노광 부분이 발생한다고 하는 문제를 해결할 수 있다.
또한, 청구항 2 또는 5에 관한 발명에 따르면, 피노광체의 반송 방향에 있어서의 복수의 노광 영역의 배치 간격을 포토마스크의 복수종의 마스크 패턴군의 길이 중심축 사이 거리보다도 좁게 해도, 미노광 부분의 발생을 방지할 수 있다.
또한, 청구항 3 또는 6에 관한 발명에 따르면, 스틸 노광 상태를 회피하여 노광 영역 전체에 걸쳐서 대략 동등한 노광량으로 균일하게 노광할 수 있다.
또한, 청구항 7에 관한 발명에 따르면, 노광 패턴을 조밀하게 형성할 수 있다.
또한, 청구항 8에 관한 발명에 따르면, 피노광체의 반송 방향에 선후하여 배치한 마스크 패턴군의 단부 영역에 의한 겹침 노광으로 상기 단부 영역에 대응하는 노광 영역이 오버 노광으로 되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 청구항 9에 관한 발명에 따르면, 마스크 패턴군의 단부 영역에 의한 노광을 균일화할 수 있다.
그리고, 청구항 10에 관한 발명에 따르면, 마스크 패턴군의 단부 영역에 의한 노광을 보다 균일화할 수 있다.
도 1은 본 발명에 의한 노광 장치의 실시 형태를 도시하는 개요도이다.
도 2는 상기 노광 장치에 사용하는 피노광체의 표면에 배치된 복수의 노광 영역의 일 설치예를 도시하는 평면도이다.
도 3은 상기 노광 장치에 사용하는 포토마스크의 일구성예를 도시하는 평면도이다.
도 4는 상기 포토마스크의 마스크 패턴군의 단부 영역에 위치하는 마스크 패턴의 일 형상예를 도시하는 평면도이다.
도 5는 상기 피노광체의 제1 노광 영역과 제2 노광 영역의 간격이 포토마스크의 제1 및 제2 마스크 패턴군의 길이 중심축 사이 거리와 동등한 경우, 마스크 패턴군 전환 시에, 포토마스크의 이동 속도를 피노광체의 이동 속도와 동일하게 하여 이동했을 때의 노광을 도시하는 설명도이다.
도 6은 상기 피노광체의 제1 노광 영역과 제2 노광 영역의 간격이 포토마스크의 제1 및 제2 마스크 패턴군의 길이 중심축 사이 거리에 비해 넓은 경우, 마스크 패턴군 전환 시에, 포토마스크의 이동 속도를 피노광체의 이동 속도보다도 느리게 하여 이동했을 때의 노광을 도시하는 설명도이다.
도 7은 상기 제1 노광 영역과 제2 노광 영역의 간격이 포토마스크의 제1 및 제2 마스크 패턴군의 길이 중심축 사이 거리보다도 좁은 경우, 마스크 패턴군 전환 시에, 포토마스크의 이동 속도를 피노광체의 이동 속도와 동일하게 하여 이동했을 때의 노광을 도시하는 설명도이다.
도 8은 본 실시 형태에 있어서의 포토마스크의 제1 및 제2 마스크 패턴군의 형상을 도시하는 평면도이다.
도 9는 상기 노광 장치의 제어 수단의 개략 구성을 도시하는 블록도이다.
도 10은 본 발명의 노광 방법을 도시하는 흐름도이다.
도 11은 본 발명의 노광 방법을 도시하는 설명도이다.
도 12는 본 발명에 있어서의 마스크 스테이지의 이동의 제어 프로파일의 일례를 도시하는 설명도이다.
도 13은 상기 피노광체의 이동량과 포토마스크의 이동량의 관계에 대해 본 발명의 다른 제어예를 도시하는 그래프이다.
도 14는 도 13의 제어에 있어서의 피노광체 및 포토마스크의 이동 거리의 차분의 변동을 도시하는 그래프이다.
도 15는 상기 포토마스크의 단부 영역이 복수로 분할되어 생긴 소단위의 다른 형상예를 도시하는 평면도이다.
도 16은 상기 포토마스크의 마스크 패턴군의 단부 영역에 위치하는 마스크 패턴의 다른 형상예를 도시하는 평면도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태를 첨부 도면에 기초하여 상세하게 설명한다. 도 1은 본 발명에 의한 노광 장치의 실시 형태를 도시하는 개요도이다. 이 노광 장치는 노광 공정의 실행 중, 피노광체를 일방향으로 일정 속도로 반송하면서 상기 피노광체 상에 배치된 복수의 노광 영역마다 다른 노광 패턴을 형성하는 것으로, 반송 수단(1)과, 광원(2)과, 커플링 광학계(3)와, 마스크 스테이지(4)와, 촬상 수단(5)과, 제어 수단(6)을 구비하고 있다.
상기 반송 수단(1)은 상면(1a)에 피노광체(7)를 적재하여 화살표 A로 나타내는 방향으로 일정 속도 VG로 반송하는 것이고, 에어를 상면(1a)으로부터 분사하는 동시에 흡인하고, 상기 에어의 분사와 흡인을 밸런스시켜 피노광체(7)를 소정량만큼 부상시킨 상태에서 반송하도록 되어 있다. 또한, 반송 수단(1)에는 피노광체(7)의 이동 속도 VG를 검출하는 속도 센서 및 피노광체(7)의 위치를 검출하는 위치 센서(도시 생략)가 구비되어 있다.
여기서 사용하는 피노광체(7)는, 도 2에 도시한 바와 같이, 제1 노광 패턴군을 형성하려고 하는 제1 노광 영역(8)과, 제2 노광 패턴군을 형성하려고 하는 제2 노광 영역(9)이 반송 방향(화살표 A방향)으로 간격 W1로 미리 배치된 것이고, 1매의 대형 글래스 기판에, 예를 들어 사이즈가 다른 복수의 표시 패널이 다면 구비된 컬러 필터 기판 등이다.
상기 반송 수단(1)의 상방에는 광원(2)이 설치되어 있다. 이 광원(2)은 광원광으로서 자외선을 방사하는 것으로, 크세논 램프, 초고압 수은 램프, 또는 레이저 광원 등이다.
상기 광원(2)의 광방사 방향 전방에는 커플링 광학계(3)가 설치되어 있다. 이 커플링 광학계(3)는 광원(2)으로부터 방사된 광원광을 평행광으로 하여 후술하는 포토마스크(10)의 마스크 패턴군에 조사시키는 것으로, 포토인터그레이터나 콘덴서 렌즈 등의 광학 부품을 포함하여 구성되어 있다. 또한, 포토마스크(10)의 각 마스크 패턴군의 형성 영역의 외형에 맞추어 광원광의 횡단면 형상을 정형하는 마스크도 구비하고 있다.
상기 반송 수단(1)의 상면에 대향하여 마스크 스테이지(4)가 설치되어 있다. 이 마스크 스테이지(4)는 피노광체(7) 상에 형성되는 다른 종류의 제1 및 제2 노광 패턴군에 각각 대응하는 제1 및 제2 마스크 패턴군(11, 12)(도 3 참조)을, 피노광체(7) 상에 배치된 제1 및 제2 노광 영역(8, 9)의 간격 W1보다도 좁은 간격 W2(도 3 참조)로 피노광체(7)의 반송 방향(화살표 A방향)으로 배열하여 형성한 포토마스크(10)의 주연부를 보유 지지하는 동시에, 포토마스크(10)의 제1 마스크 패턴군(11)을 사용하여 행하는 피노광체(7)의 제1 노광 영역(8)에 대한 노광이 종료되면, 포토마스크(10)를 피노광체(7)의 반송 방향(화살표 A방향)과 동일 방향(화살표 B방향)으로 제1 및 제2 마스크 패턴군(11, 12)의 길이 중심축 사이 거리 W3(도 3 참조)과 동등한 거리만큼 이동하여 제1 마스크 패턴군(11)으로부터 제2 마스크 패턴군(12)으로 전환하는 것으로, 도시 생략의 속도 센서나 위치 센서를 구비하고 있다.
여기서, 포토마스크(10)는, 도 3에 도시한 바와 같이 제1 및 제2 마스크 패턴군(11, 12)을 1조로 하여 복수조를 소정 간격으로 일렬로 배열하여 갖는 제1 및 제2 포토마스크(13, 14)로 이루어지고, 상기 복수조의 마스크 패턴군(11, 12)이 피노광체(7)의 반송 방향(화살표 A방향)과 대략 직교하는 방향으로 소정 피치로 교대로 배열되도록 제1 및 제2 포토마스크(13, 14)를 서로 피노광체(7)의 반송 방향(화살표 A방향)과 대략 직교하는 방향으로 소정 치수만큼 어긋나게 하여 배치한 것이다.
이 경우, 제1 및 제2 포토마스크(13, 14)의 2종류의 마스크 패턴군(11, 12) 중 동종의 마스크 패턴군, 예를 들어 제1 마스크 패턴군(11)은 피노광체(7)의 반송 방향(화살표 A방향)에서 볼 때 인접하는 제1 마스크 패턴군(11)과 단부 영역(도 3에 나타내는 2개의 파선으로 끼워진 영역)(15)이 겹치게 되는 동시에, 상기 2개의 단부 영역(15) 내의 마스크 패턴(16)(도 4 참조)의 위치가 화살표 A방향에 있어서 서로 합치하도록 되어 있다. 또한, 상기 단부 영역(15)에 위치하는 마스크 패턴(16)은 서로 인접하는 2개의 제1 마스크 패턴군(11)의 대응하는 마스크 패턴(16)과의 겹침 노광에 의해 소정의 노광량이 얻어지도록 제1 마스크 패턴군(11)의 중앙부에 위치하는 마스크 패턴(16)과 형상을 다르게 한 것으로 되어 있다.
보다 구체적으로는, 도 4에 도시한 바와 같이 상기 단부 영역(15)의 형상을 삼각형으로 하여 상기 단부 영역(15)에 위치하는 가늘고 긴 직사각 형상의 마스크 패턴(16)의 화살표 A방향의 길이 치수가 제1 마스크 패턴군(11)의 길이 중심축을 따라서 중앙 부근으로부터 외측 부근으로 진행함에 따라서 잠시 짧아지도록 형성되어 있고, 화살표 A방향에 인접하는 2개의 제1 마스크 패턴군(11)의 단부 영역(15) 내에 위치하는 서로 대응하는 2개의 마스크 패턴(16a, 16b)의 개구 면적의 합이 제1 마스크 패턴군(11)의 중앙부에 위치하는 마스크 패턴(16c)의 개구 면적과 대략 동등해지도록 되어 있다. 이에 의해, 제1 마스크 패턴군(11)의 상기 단부 영역(15)의 화살표 A방향에 대응하는 2개의 마스크 패턴(16a, 16b)에 의한 겹침 노광량이 제1 마스크 패턴군(11)의 중앙부의 마스크 패턴(16c)에 의한 노광량과 대략 동등해져, 오버 노광이 회피된다.
이와 같은 포토마스크(10)를 사용하여 피노광체(7)의 2개의 노광 영역에 다른 노광 패턴을 형성하는 경우에는, 제1 마스크 패턴군(11)에 의한 피노광체(7)의 제1 노광 영역(8)에 대한 노광이 종료되면, 포토마스크(10)를 피노광체(7)의 반송 방향(화살표 A방향)과 동일 방향(화살표 B방향)으로 거리 W3만큼 이동하여 제1 마스크 패턴군(11)으로부터 제2 마스크 패턴군(12)으로 전환하고, 상기 제2 마스크 패턴군(12)에 의해 피노광체(7)의 제2 노광 영역(9)에 대한 노광을 실행하게 된다.
이 경우, 제1 노광 영역(8)과 제2 노광 영역(9)의 간격 W1이 포토마스크(10)의 제1 및 제2 마스크 패턴군(11, 12)의 길이 중심축 사이 거리 W3과 동등하거나 또는 그것보다도 넓을 때에는, 제1 마스크 패턴군(11)으로부터 제2 마스크 패턴군(12)으로 전환할 때, 포토마스크(10)를 피노광체(7)의 이동 속도 VG와 동일한 속도이거나 또는 그것보다도 느린 속도로 이동하면 좋다.
도 5는 피노광체(7)의 제1 노광 영역(8)과 제2 노광 영역(9)의 간격 W1이 포토마스크(10)의 제1 및 제2 마스크 패턴군(11, 12)의 길이 중심축 사이 거리 W3과 동등한 경우, 포토마스크(10)의 이동 속도 VM을 피노광체(7)의 이동 속도 VG와 동일하게 하여 이동했을 때의 노광을 도시하는 설명도이다. 이에 따르면, 피노광체(7)의 제1 노광 영역(8)의 화살표 A방향 후미 단부(8a)가 포토마스크(10)의 제1 마스크 패턴군(11)의 길이 중심축과 합치했을 때[도 5의 (a) 참조. 이때, 제2 노광 영역(9)의 화살표 A방향 선두 단부(9a)가 제2 마스크 패턴군(12)의 길이 중심축에 합치함], 포토마스크(10)의 화살표 B방향으로의 이동을 개시하여 마스크 패턴군의 전환을 행하면[도 5의 (b) 참조], 제1 노광 영역(8)의 전체 영역에 제1 마스크 패턴군(11)에 의한 노광을 행할 수 있고, 제2 노광 영역(9)의 전체 영역에 제2 노광 패턴군에 의한 노광을 행할 수 있다.
도 6은 피노광체(7)의 제1 노광 영역(8)과 제2 노광 영역(9)의 간격 W1이 포토마스크(10)의 제1 및 제2 마스크 패턴군(11, 12)의 길이 중심축 사이 거리 W3에 비해 넓은 경우, 포토마스크(10)의 이동 속도 VM을 피노광체(7)의 이동 속도 VG보다도 느리게 하여 이동했을 때의 노광을 도시하는 설명도이다. 이에 따르면, 피노광체(7)의 제1 노광 영역(8)의 화살표 A방향 후미 단부(8a)가 포토마스크(10)의 제1 마스크 패턴군(11)의 길이 중심축과 합치했을 때[도 6의 (a) 참조], 포토마스크(10)의 화살표 B방향으로의 이동을 개시하여 마스크 패턴군의 전환을 행하면[도 6의 (b) 참조], 전환 종료 시 또는 그것보다도 느려져 피노광체(7)의 제2 노광 영역(9)의 화살표 A방향 선두 단부(9a)를 포토마스크(10)의 제2 마스크 패턴군(12)의 길이 중심축에 합치시킬 수 있다. 따라서, 이 경우에도, 제1 노광 영역(8)의 전체 영역에 제1 마스크 패턴군(11)에 의한 노광을 행할 수 있고, 제2 노광 영역(9)의 전체 영역에 제2 마스크 패턴군(12)에 의한 노광을 행할 수 있다.
그런데, 도 7에 도시하는 본 실시 형태의 피노광체(7)와 같이, 제1 노광 영역(8)과 제2 노광 영역(9)의 간격 W1이 포토마스크(10)의 제1 및 제2 마스크 패턴군(11, 12)의 길이 중심축 사이 거리 W3보다도 좁을 때에는, 도 7에 도시한 바와 같이, 마스크 패턴군을 전환할 때에, 포토마스크(10)의 이동 속도 VM을 피노광체(7)의 이동 속도 VG와 동일하게 하여 이동하면, 제1 노광 영역(8)의 화살표 A방향 후미 단부(8a)측 또는 제2 노광 영역(9)의 선두 단부(9a)측의 일부에 미노광 부분(17)이 발생해 버린다. 또한, 제1 마스크 패턴군(11)으로부터 제2 마스크 패턴군(12)으로 전환할 때의 포토마스크(10)의 이동 속도 VM을 피노광체(7)의 이동 속도 VG보다도 느리게 한 경우에는, 제1 마스크 패턴군(11)으로부터 제2 마스크 패턴군(12)으로 전환하기 전에, 제2 노광 영역(9)의 화살표 A방향 선두 단부(9a)가 제2 마스크 패턴군(12)의 길이 중심축을 넘어 먼저 진행해 버리고, 제2 노광 영역(9)의 선두 단부(9a)측의 일부에 미노광 부분(17)이 발생해 버린다.
따라서, 본 실시 형태에 있어서는, 도 8에 도시한 바와 같이, 동종의 마스크 패턴군에 의해 화살표 A방향에 인접하는 마스크 패턴군과 겹치는 단부 영역(15)을 화살표 A방향과 대략 직교하여 피치 W4로 복수로 분할(도 8에 있어서는 10분할로 나타냄)하는 동시에 분할하여 생긴 각 소단위(15a)의 형상을 삼각형으로 하고 있다. 또한, 동시에, 마스크 패턴(16)의 이동 속도 VM을 정지 상태로부터 소정 속도[본 실시 형태에 있어서는 피노광체(7)의 이동 속도 VG와 동일한 속도]까지 가속하는 가속 단계와, 상기 소정 속도로 이동하는 정속 단계와, 감속하여 정지할 때까지의 감속 단계로 전환하고, 상기 가속 및 감속 단계에 있어서, 포토마스크(10)를 마스크 패턴군(11, 12)의 단부 영역(15)의 분할 치수 W4와 적어도 동일한 거리만큼 이동시키도록 하고 있다. 이에 의해, 제1 노광 영역(8)과 제2 노광 영역(9)의 간격 W1이 제1 및 제2 마스크 패턴군(11, 12)의 길이 중심축 사이 거리 W3보다도 좁은 경우에도, 미노광 부분(17)을 발생시키는 일 없이, 제1 노광 영역(8)의 전체 영역에 제1 마스크 패턴군(11)에 의한 노광을 행할 수 있고, 제2 노광 영역(9)의 전체 영역에 제2 노광 패턴군에 의한 노광을 행할 수 있다(도 11 참조).
상기 포토마스크(10)에 의한 노광 위치의 반송 방향 전방측의 위치를 촬상 가능하게 촬상 수단(5)이 설치되어 있다. 이 촬상 수단(5)은 피노광체(7)의 표면을 촬상하는 것으로, 반송 수단(1)의 상면(1a)에 평행한 면 내에서 반송 방향(화살표 A방향)과 대략 직교하는 방향으로 복수의 수광 소자를 일직선 형상으로 배열한 라인 카메라이다. 그리고, 촬상 수단(5)의 촬상 중심과 마스크 스테이지(4)가 정지 상태에 있어서의 포토마스크(10)에 의한 노광광 조사 영역의 화살표 A방향 후미 단부 사이는 거리 L로 설정되어 있다.
상기 반송 수단(1)과, 광원(2)과, 마스크 스테이지(4)와, 촬상 수단(5)에 전기적으로 접속시켜 제어 수단(6)이 설치되어 있다. 이 제어 수단(6)은 제1 마스크 패턴군(11)으로부터 제2 마스크 패턴군(12)으로 전환하기 위해, 포토마스크(10)의 이동을 개시한 후 그것을 정지할 때까지의 동안에 피노광체(7)의 이동 거리가 포토마스크(10)의 이동 거리보다도 길어지도록 마스크 스테이지(4)의 이동 속도 VM을 제어하는 것이고, 도 9에 도시한 바와 같이, 화상 처리부(18)와, 메모리(19)와, 연산부(20)와, 반송 수단 구동 컨트롤러(21)와, 마스크 스테이지 구동 컨트롤러(22)와, 광원 구동 컨트롤러(23)와, 제어부(24)를 구비하고 있다.
여기서, 화상 처리부(18)는 촬상 수단(5)으로 촬상된 피노광체(7) 표면의 화상을 처리하여 각 노광 영역의 반송 방향 선두측의 위치를 검출하는 것이다. 또한, 메모리(19)는 각 노광 영역의 화살표 A방향의 치수 D1, D2, 촬상 수단(5)의 촬상 중심과 포토마스크(10)에 의한 노광광 조사 영역의 화살표 A방향 후미 단부 사이의 거리 L, 피노광체(7)의 이동 속도 VG 및 마스크 스테이지(4)의 이동 속도 VM의 제어 프로파일을 기억하는 동시에, 후술하는 연산부(20)에 있어서의 연산 결과를 일시적으로 기억하는 것이다. 또한, 연산부(20)는 반송 수단(1)의 위치 센서의 출력에 기초하여 피노광체(7)의 이동 거리를 연산하는 동시에, 마스크 스테이지(4)의 위치 센서의 출력에 기초하여 포토마스크(10)의 이동 거리를 연산하는 것이다. 그리고, 반송 수단 구동 컨트롤러(21)는 반송 수단(1)의 스테이지가 일정 속도 VG로 이동하도록 제어하는 것이다. 또한, 마스크 스테이지 구동 컨트롤러(22)는 마스크 스테이지(4)의 이동을 메모리(19)에 기억된 제어 프로파일에 기초하여 제어하는 것이다. 또한, 광원 구동 컨트롤러(23)는 광원(2)의 점등 및 소등의 구동을 제어하는 것이다. 그리고, 제어부(24)는 상기 각 요소가 적절하게 구동하도록 전체를 통합하여 제어하는 것이다.
다음에, 이와 같이 구성된 노광 장치의 동작에 대해 도 10을 참조하여 설명한다.
우선, 스텝 S1에 있어서는, 마스크 스테이지(4)는 정지하여 포토마스크(10)의 제1 마스크 패턴군(11)이 선택되어 있다.
스텝 S2에 있어서는, 반송 수단(1)이 반송 수단 구동 컨트롤러(21)에 의해 제어되어 이동을 개시하고, 피노광체(7)를 화살표 A방향으로 일정 속도 VG로 반송한다.
스텝 S3에 있어서는, 화상 처리부(18)에서 촬상 수단(5)에 의해 촬상된 피노광체(7)의 표면의 화상을 처리하고, 제1 노광 영역(8)의 화살표 A방향의 선두 단부에서, 예를 들어 제1 노광 영역(8) 내에 미리 형성된 픽셀 등의 기준 패턴의 화살표 A방향 선두측의 테두리부를 검출한다.
스텝 S4에 있어서는, 연산부(20)에 의해, 반송 수단(1)의 위치 센서의 출력에 기초하여 제1 노광 영역(8)의 화살표 A방향의 선두 단부를 검출한 후 피노광체(7)가 이동하는 거리를 산출하고, 피노광체(7)의 이동 거리가 메모리(19)로부터 판독한 거리 L과 합치하여, 스텝 S4에 있어서 "예"의 판정으로 되면 스텝 S5로 진행한다.
스텝 S5에 있어서는, 광원 구동 컨트롤러(23)가 기동하여 광원(2)을 점등시킨다. 이에 의해, 광원(2)으로부터 방사되어, 커플링 광학계(3)를 거쳐서 평행광으로 되고, 또한 횡단면 형상이 마스크 패턴군의 외형에 맞추어 직사각 형상으로 정형된 광원광이 포토마스크(10)의 제1 마스크 패턴군(11)에 조사한다. 이에 의해, 피노광체(7)의 제1 노광 영역(8)에 포토마스크(10)의 제1 마스크 패턴군(11)에 대응한 패턴이 노광되어, 제1 노광 패턴이 형성된다. 이때, 제1 포토마스크(13)의 제1 마스크 패턴군(11)의 단부 영역(15)에 의한 노광 궤적을 따라서, 제2 포토마스크(14)의 제1 마스크 패턴군(11)의 단부 영역(15)에 의해 겹침 노광이 이루어지고, 소정 깊이의 노광이 행해진다.
스텝 S6에 있어서는, 반송 수단(1)의 위치 센서의 출력에 기초하여 피노광체(7)의 이동 거리가 연산부(20)에서 연산되고, 상기 거리와 메모리(19)로부터 판독한 제1 노광 영역(8)의 화살표 A방향의 치수 D1이 합치하여 제1 노광 영역(8)에 대한 노광이 종료되었는지 여부가 판정된다. 여기서, 양자가 합치하여, 스텝 S6에 있어서 "예"의 판정으로 되면, 스텝 S7로 진행한다. 또한, 본 실시 형태에 있어서는, 도 11의 (a)에 도시한 바와 같이, 피노광체(7)가 거리(D1＋W4)[W4는 제1 마스크 패턴군(11)의 분할 치수]만큼 이동했을 때에 제1 노광 영역(8)에 대한 노광이 종료되었다고 판정하도록 하고 있다.
스텝 S7에 있어서는, 마스크 스테이지 구동 컨트롤러(22)가 기동하여, 마스크 스테이지(4)의 이동을 도 12에 도시하는 제어 프로파일에 따라서 제어하고, 제1 마스크 패턴군(11)으로부터 제2 마스크 패턴군(12)으로 전환한다.
이하, 도 11 및 도 12를 참조하여 본 발명의 노광 방법에 대해 설명한다.
우선, 도 11의 (a)에 도시한 바와 같이, 제1 마스크 패턴군(11)에 의한 제1 노광 영역(8)에 대한 노광이 종료되면, 마스크 스테이지(4)가 화살표 B방향으로 이동을 개시한다. 이때, 마스크 스테이지(4)의 이동은, 도 12에 도시한 바와 같이 시간 t1 경과 후에 피노광체(7)의 이동 속도 VG와 동등한 속도로 되도록 가속된다. 따라서, 이 가속 단계로 이동하는 포토마스크(10)의 이동 거리는 VGㆍt1/2로 되고, 피노광체(7)의 이동 거리(VGㆍt1)의 절반으로 된다. 그로 인해, 가속 단계로 포토마스크(10)가 이동하는 거리가 도 11의 (b)에 도시한 바와 같이 W4로 되도록, 가속 시간 t1을 미리 설정해 두면, 가속이 종료되었을 때 피노광체(7)는 도 11에 도시한 바와 같이, 2W4만큼 먼저 더 진행하게 된다. 이에 의해, 제1 마스크 패턴군(11)의 단부 영역(15)에 대응한 제1 노광 영역(8)은 미노광 부분(17)이 발생하는 일 없이 균일하게 노광된다.
가속 단계를 종료하면, 마스크 스테이지(4)는, 도 12에 도시한 바와 같이 정속 단계로 이행한다. 이때, 마스크 스테이지(4)는 피노광체(7)의 이동 속도 VG와 동일한 속도로 이동한다. 여기서, 이 정속 단계에 있어서의 마스크 스테이지(4)의 이동 거리가, 예를 들어 (W2＋8W4)로 되도록, 시간(t2－t1)을 미리 설정해 두면, 도 11의 (c)에 도시한 바와 같이, 포토마스크(10)의 제2 마스크 패턴군(12)의 화살표 A방향 선두 단부(12a)가 광원광 조사 영역(25)의 화살표 A방향 선두 단부(25a)로부터 거리 W4만큼 앞의 위치에 도달할 때까지 포토마스크(10)는 피노광체(7)의 이동 속도 VG와 동일한 속도로 이동한다. 따라서, 이 정속 단계에 있어서의 노광은 스틸 노광과 동일한 노광으로 되고, 도 11의 (c)에 도시한 바와 같이 제2 마스크 패턴군(12)의 형상이 제2 노광 영역(9)에 전사되고, 제2 마스크 패턴군(12)의 단부 영역(15)에 대응하여 미노광 부분(17)이 발생하게 된다.
정속 단계를 종료하면, 마스크 스테이지(4)는, 도 12에 도시한 바와 같이 감속 단계로 이행하고, 속도를 서서히 줄여 (t3－t2) 시간 경과 후에 정지한다. 이때, (t3－t2)＝t1로 설정해 두면, 마스크 스테이지(4)는, 도 11의 (d)에 도시한 바와 같이, 감속 단계에 있어서 거리 W4만큼 진행하여 정지하게 된다. 한편, 피노광체(7)는 이 감속 단계에 있어서, 마스크 스테이지(4)의 이동 거리의 배의 거리 2W4만큼 진행하므로, 도 11의 (d)에 도시한 바와 같이 제2 마스크 패턴군(12)의 단부 영역(15)에 의해 제2 노광 영역(9)의 미노광 부분(17)이 노광된다.
상술한 바와 같이, 마스크 스테이지(4)가 이동을 개시한 후 정지할 때까지 이동하는 거리는, 도 12에 있어서 사다리꼴 abcd의 면적에 상당하므로, 그 거리는 VGㆍt2로 된다. 그리고, 그 거리는, 도 11에 있어서는, (W2＋10W4)이고, 이는 제1 및 제2 마스크 패턴군(11, 12)의 길이 중심축 사이 거리 W3에 동등하고, 마스크 패턴군의 전환이 적절하게 행해지게 된다.
한편, 마스크 스테이지(4)가 이동을 개시한 후 정지할 때까지 피노광체(7)가 이동하는 거리는, 도 12에 있어서 직사각형 aefd의 면적에 상당하므로, 그 거리는 VGㆍt3으로 된다. 그리고, 그 거리는, 도 11에 있어서는, (W2＋12W4)이고, 마스크 스테이지(4)의 이동 거리보다도 길어진다.
이와 같이, 포토마스크(10)의 제1 마스크 패턴군(11)에 의한 피노광체(7)의 제1 노광 영역(8)에 대한 노광이 종료되어, 제1 마스크 패턴군(11)으로부터 제2 마스크 패턴군(12)으로 전환할 때, 피노광체(7)의 이동 거리가 포토마스크(10)의 이동 거리보다도 길어지도록 포토마스크(10)의 이동 속도를 제어함으로써, 포토마스크(10)의 제1 또는 제2 마스크 패턴군(11, 12)의 단부 영역(15)에 대응하여 발생하는 미노광 부분(17)을 없앨 수 있다. 특히, 포토마스크(10)의 이동을 가속ㆍ정속ㆍ감속의 제어 프로파일에 따라서 제어함으로써, 피노광체(7)의 제1 및 제2 노광 영역(8, 9)의 간격 W1을 포토마스크(10)의 제1 및 제2 마스크 패턴군(11, 12)의 길이 중심축 사이 거리 W3보다도 좁게 해도, 마스크 패턴군의 단부 영역(15)에 대응한 노광 영역의 부분에 미노광 부분(17)이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
이와 같이 하여 포토마스크(10)의 마스크 패턴군의 전환이 종료되면, 스텝 S8로 진행하고, 포토마스크(10)의 제2 마스크 패턴군(12)에 의해 피노광체(7)의 제2 노광 영역(9)으로의 노광이 실행된다.
그리고, 스텝 S9에 있어서는, 반송 수단(1)의 위치 센서의 출력에 기초하여 피노광체(7)의 이동 거리가 연산부(20)에서 연산되고, 상기 거리와 메모리(19)로부터 판독한 제2 노광 영역(9)의 화살표 A방향의 치수 D2가 합치하여 제2 노광 영역(9)에 대한 노광이 종료되었는지 여부가 판정된다. 여기서, 양자가 합치하여 "예"의 판정으로 되면 노광이 종료된다. 그리고, 광원 구동 컨트롤러(23)에 의해 제어되어 광원(2)이 소등되고, 반송 수단 구동 컨트롤러(21)에 의해 제어되어 반송 수단(1)의 구동이 정지된다. 여기서, 복수의 피노광체(7)가 차차 반송되고, 상기 복수의 피노광체(7)에 대해 계속해서 노광이 실행되는 경우에는, 반송 수단(1)은 계속해서 구동된다.
또한, 상기 실시 형태에 있어서는, 포토마스크(10)의 정속 시의 이동 속도 VM이 피노광체(7)의 이동 속도 VG와 동등해지도록 설정한 경우에 대해 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 포토마스크(10)의 정속 시의 이동 속도 VM을 피노광체(7)의 이동 속도 VG보다도 빨라지도록 설정해도 좋다.
도 13은 피노광체(7)의 이동량과 포토마스크(10)의 이동량의 관계에 대해 본 발명의 다른 제어예를 도시하는 그래프이다.
도 13은 도 8에 도시하는 포토마스크(10)를 사용하여, 포토마스크(10)의 가속도를 1000㎜/sec2, 정속 시의 포토마스크(10)의 이동 속도 VM을 130㎜/sec, 포토마스크(10)의 이동 거리를 50㎜로 하고, 피노광체(7)의 이동 속도 VG를 110㎜/sec로 하여 계산한 것이다. 이 경우, 피노광체(7)의 제1 노광 영역(8)과 제2 노광 영역(9)의 간격 W1은 25㎜이고, 포토마스크(10)의 제1 및 제2 마스크 패턴군(11, 12)의 화살표 A방향의 폭은 40㎜이다. 또한, 포토마스크(10)의 이동 개시 직전에 있어서는, 피노광체(7)의 제1 노광 영역(8)의 화살표 A방향 후미 단부(8a)가 포토마스크(10)의 제1 마스크 패턴군(11)의 화살표 A방향 후미 단부(11a)보다도 4.2㎜만큼 화살표 A방향으로 진행하고 있는 상태를 조건으로 하고 있다.
그 결과, 포토마스크(10)가 50㎜ 이동하여 제1 마스크 패턴군(11)으로부터 제2 마스크 패턴군(12)으로 마스크 패턴군의 전환이 행해지는 동안에 피노광체(7)가 이동하는 거리는 56.6㎜로 된다. 또한, 정속 시의 포토마스크(10)의 이동 속도 VM을 피노광체(7)의 이동 속도 VG보다도 빨라지도록 설정하고 있으므로, 포토마스크(10)의 이동 중에 있어서의 포토마스크(10)와 피노광체(7) 사이의 이동 거리의 차분은 도 14에 도시한 바와 같이 변동된다. 따라서, 상기 실시 형태에 있어서 설명한 바와 같은 포토마스크(10)의 이동의 정속 단계에 있어서의 스틸 노광과 동일한 노광 상태를 피할 수 있다. 이에 의해, 상기 정속 단계에 있어서의 오버 노광을 회피할 수 있어, 노광 영역 전체면에 걸쳐서 대략 동등한 노광량으로 균일한 노광을 행할 수 있다.
또한, 상기 실시 형태에 있어서는, 마스크 패턴군의 단부 영역(15)을 10분할한 경우에 대해 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 분할수는 몇 개라도 좋다. 특히, 분할수가 많을수록 균일한 노광을 행할 수 있다.
이 경우, 복수로 분할된 단부 영역(15)의 각 소 단위(15a)의 형상은, 도 8에 도시하는 이등변 삼각형으로 한정되지 않고, 도 15에 도시한 바와 같이 각각 기판 반송 방향(화살표 A방향) 선두측의 변이 화살표 A방향으로 직교하는 직각삼각형이라도 좋고, 또는 도 15에 도시한 바와 같이, 상기 기판 반송 방향 선두측의 변과 화살표 A방향에 있어서 대향하는 변이 쌍곡선을 이루고 있어도 좋다.
또한, 상기 실시 형태에 있어서는, 마스크 패턴군의 단부 영역(15)을 삼각형으로 한 경우에 대해 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 예를 들어 도 16에 도시한 바와 같이 단부 영역(15)의 마스크 패턴(16)[도 16의 (a) 참조]의 개구 면적과 전체 면적이 동등해지도록 마스크 패턴(16)을 피노광체(7)의 반송 방향과 대략 직교하여 간격 W5로 복수의 미소 패턴(26)[도 16의 (b) 참조]으로 분할해도 좋다. 이 경우, 간격 W5를 해상력 미만의 치수(예를 들어, 1㎛ 정도)까지 작게 하면, 보다 균일한 노광을 행할 수 있다.
그리고, 상기 실시 형태에 있어서는, 피노광체(7)에 배치된 노광 영역이 2개인 경우에 대해 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 배치되는 노광 영역은 3개 이상이라도 좋다. 이 경우, 포토마스크(10)에는 3개 이상의 마스크 패턴군이 설치되어 있고, 상기 스텝 S9가 종료되면 스텝 S7로 돌아가, 모든 노광 영역에 대한 노광이 종료될 때까지 스텝 S7 내지 S9가 반복해서 실행되게 된다.
또한, 상기 실시 형태에 있어서는, 포토마스크(10)를 피노광체(7)에 근접 대향하여 배치한 프록시미티 노광 장치에 적용한 경우에 대해 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 포토마스크(10)의 마스크 패턴군을 피노광체(7) 상에 투영하여 노광하는 투영 노광 장치에 적용해도 좋다. 이 경우, 포토마스크(10)의 이동 방향은 피노광체(7)의 반송 방향과 반대 방향으로 된다.
1 : 반송 수단
4 : 마스크 스테이지
6 : 제어 수단
7 : 피노광체
8 : 제1 노광 영역
9 : 제2 노광 영역
10 : 포토마스크
11 : 제1 마스크 패턴군
12 : 제2 마스크 패턴군
13 : 제1 포토마스크
14 : 제2 포토마스크
15 : 마스크 패턴군의 단부 영역
16 : 마스크 패턴
26 : 미소 패턴

Claims (10)

  1. 피노광체를 일방향으로 일정 속도로 연속하여 반송하면서 상기 피노광체의 반송 방향으로 소정 간격으로 배치된 복수의 노광 영역마다 다른 노광 패턴을 형성하는 노광 방법이며,
    상기 각 노광 패턴에 대응하는 복수종의 마스크 패턴군을 상기 피노광체의 반송 방향으로 소정 간격으로 배열하여 형성한 포토마스크의 상기 피노광체의 반송 방향의 하류측에 대응해서 위치하는 하나의 마스크 패턴군에 의한 상기 피노광체의 하나의 노광 영역에 대한 노광이 종료되면, 상기 피노광체의 상기 일방향으로의 이동 중에, 상기 포토마스크를 상기 피노광체의 반송 방향으로 소정 거리만큼 이동하여 상기 하나의 마스크 패턴군으로부터 그 이동 방향 후속의 다른 마스크 패턴군으로 전환하는 단계와,
    상기 다른 마스크 패턴군에 의해 상기 피노광체의 다음의 노광 영역에 대한 노광을 실행하는 단계를 갖고,
    상기 하나의 마스크 패턴군으로부터 상기 다른 마스크 패턴군으로 전환하기 위해, 상기 포토마스크의 이동을 개시한 후 그것을 정지할 때까지의 동안에 상기 피노광체의 이동 거리가 상기 포토마스크의 이동 거리보다도 길어지도록 상기 포토마스크의 이동 속도를 제어하는 것을 특징으로 하는, 노광 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 포토마스크의 이동 속도는 정지 상태로부터 소정 속도까지 가속하는 가속 단계와, 상기 소정 속도로 이동하는 정속 단계와, 감속하여 정지할 때까지의 감속 단계로 전환하여 제어되는 것을 특징으로 하는, 노광 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 정속 단계에 있어서의 포토마스크의 이동 속도는 상기 피노광체의 반송 속도보다도 빠른 것을 특징으로 하는, 노광 방법.
  4. 피노광체를 일방향으로 일정 속도로 연속하여 반송하면서 상기 피노광체의 반송 방향으로 소정 간격으로 배치된 복수의 노광 영역마다 다른 노광 패턴을 형성하는 노광 장치이며,
    상기 피노광체를 소정 속도로 반송하는 반송 수단과,
    상기 반송 수단의 상면에 대향하여 배치되어, 상기 각 노광 패턴에 대응하는 복수종의 마스크 패턴군을 상기 피노광체의 반송 방향으로 소정 간격으로 배열하여 형성한 포토마스크를 보유 지지하는 동시에, 상기 포토마스크의 상기 피노광체의 반송 방향의 하류측에 대응하여 위치하는 하나의 마스크 패턴군에 의한 상기 피노광체의 하나의 노광 영역에 대한 노광이 종료되면, 상기 피노광체의 상기 일방향으로의 이동 중에, 상기 포토마스크를 상기 피노광체의 반송 방향으로 소정 거리만큼 이동하여 상기 하나의 마스크 패턴군으로부터 그 이동 방향 후속의 다른 마스크 패턴군으로 전환하는 마스크 스테이지와,
    상기 마스크 스테이지의 이동을 제어하는 제어 수단을 구비하고,
    상기 제어 수단은 상기 하나의 마스크 패턴군으로부터 다른 마스크 패턴군으로 전환하기 위해, 상기 포토마스크의 이동을 개시한 후 그것을 정지할 때까지의 동안에 상기 피노광체의 이동 거리가 상기 포토마스크의 이동 거리보다도 길어지도록 상기 마스크 스테이지의 이동 속도를 제어하는 것을 특징으로 하는, 노광 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제어 수단은 상기 마스크 스테이지의 이동 속도를 정지 상태로부터 소정 속도까지 가속하는 가속 단계와, 상기 소정 속도로 이동하는 정속 단계와, 감속하여 정지할 때까지의 감속 단계로 전환하여 제어하는 것을 특징으로 하는, 노광 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제어 수단은 상기 정속 단계에 있어서의 마스크 스테이지의 이동 속도를 상기 피노광체의 반송 속도보다도 빨라지도록 제어하는 것을 특징으로 하는, 노광 장치.
  7. 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 포토마스크는 상기 복수종의 마스크 패턴군을 1조로 하여 복수조를 소정 간격으로 일렬로 배열하여 갖는 제1 및 제2 포토마스크로 이루어지고, 상기 복수조의 마스크 패턴군이 상기 피노광체의 반송 방향과 직교하는 방향으로 소정 피치로 교대로 배열되도록 상기 제1 및 제2 포토마스크를 서로 상기 피노광체의 반송 방향과 직교하는 방향으로 소정 치수만큼 어긋나게 하여 배치한 것인 것을 특징으로 하는, 노광 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1 및 제2 포토마스크의 복수종의 마스크 패턴군 중, 동종의 마스크 패턴군은 상기 피노광체의 반송 방향에서 볼 때 인접하는 2개의 마스크 패턴군의 단부 영역에 위치하는 마스크 패턴이 서로 겹치게 되고, 또한 상기 단부 영역에 위치하는 마스크 패턴은 상기 인접하는 2개의 마스크 패턴군이 대응하는 마스크 패턴과의 겹침 노광에 의해 소정의 노광량이 얻어지도록 상기 마스크 패턴군의 중앙부에 위치하는 마스크 패턴과 형상을 다르게 한 것을 특징으로 하는, 노광 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제1 및 제2 포토마스크의 각 마스크 패턴군의 단부 영역에 위치하는 마스크 패턴은 상기 피노광체의 반송 방향과 직교하여 소정 피치로 복수로 분할되어 있는 것을 특징으로 하는, 노광 장치.
  10. 제8항에 있어서, 상기 제1 및 제2 포토마스크의 각 마스크 패턴군의 단부 영역에 위치하는 마스크 패턴은 상기 피노광체의 반송 방향과 직교하여 소정 간격으로 복수의 미소 패턴으로 분할되는 동시에, 상기 복수의 미소 패턴의 면적의 총합이 소정값으로 되도록 각 미소 패턴의 크기가 설정되어 있는 것을 특징으로 하는, 노광 장치.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10275562B2 (en) * 2016-11-29 2019-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Method of decomposing a layout for multiple-patterning lithography
US10684555B2 (en) 2018-03-22 2020-06-16 Applied Materials, Inc. Spatial light modulator with variable intensity diodes
US10983444B2 (en) * 2018-04-26 2021-04-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods of using solid state emitter arrays

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007281317A (ja) 2006-04-11 2007-10-25 V Technology Co Ltd 露光装置
JP2008547214A (ja) 2005-06-21 2008-12-25 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 照射ユニット内の光学表面の洗浄化処理および後処理の方法
JP2008310217A (ja) * 2007-06-18 2008-12-25 Toppan Printing Co Ltd 露光装置及びそれを用いた異種パターンの露光方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4814830A (en) * 1985-04-01 1989-03-21 Canon Kabushiki Kaisha Flat panel display device and manufacturing of the same
JP3052587B2 (ja) * 1992-07-28 2000-06-12 日本電気株式会社 露光装置
US5281996A (en) * 1992-09-04 1994-01-25 General Signal Corporation Photolithographic reduction imaging of extended field
JP3339144B2 (ja) * 1993-11-11 2002-10-28 株式会社ニコン 走査型露光装置及び露光方法
US5437946A (en) * 1994-03-03 1995-08-01 Nikon Precision Inc. Multiple reticle stitching for scanning exposure system
US5721606A (en) * 1995-09-07 1998-02-24 Jain; Kanti Large-area, high-throughput, high-resolution, scan-and-repeat, projection patterning system employing sub-full mask
US5859690A (en) * 1996-03-28 1999-01-12 Nikon Corporation Method of dividing and exposing patterns
AU9095798A (en) * 1997-09-19 1999-04-12 Nikon Corporation Stage device, a scanning aligner and a scanning exposure method, and a device manufactured thereby
JPH11237744A (ja) 1997-12-18 1999-08-31 Sanee Giken Kk 露光装置および露光方法
TW432469B (en) * 1998-02-06 2001-05-01 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus, exposure method, and recording medium
JP2001215718A (ja) * 1999-11-26 2001-08-10 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
TW521310B (en) * 2001-02-08 2003-02-21 Toshiba Corp Laser processing method and apparatus
JP2006165216A (ja) * 2004-12-07 2006-06-22 Nikon Corp 評価方法、走査露光方法及び走査型露光装置
US7924406B2 (en) * 2005-07-13 2011-04-12 Asml Netherlands B.V. Stage apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method having switch device for two illumination channels
JP4224479B2 (ja) * 2005-09-07 2009-02-12 富士フイルム株式会社 パターン露光方法及び装置
JP4984810B2 (ja) * 2006-02-16 2012-07-25 株式会社ニコン 露光方法、露光装置及びフォトマスク
JP5235061B2 (ja) * 2007-08-30 2013-07-10 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置
JP2009058686A (ja) 2007-08-30 2009-03-19 Sharp Corp 画像形成装置及び２成分現像剤

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008547214A (ja) 2005-06-21 2008-12-25 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 照射ユニット内の光学表面の洗浄化処理および後処理の方法
JP2007281317A (ja) 2006-04-11 2007-10-25 V Technology Co Ltd 露光装置
JP2008310217A (ja) * 2007-06-18 2008-12-25 Toppan Printing Co Ltd 露光装置及びそれを用いた異種パターンの露光方法

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