KR950015573A - 반도체 장치의 제조방법 - Google Patents

반도체 장치의 제조방법 Download PDF

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KR950015573A
KR950015573A KR1019930024048A KR930024048A KR950015573A KR 950015573 A KR950015573 A KR 950015573A KR 1019930024048 A KR1019930024048 A KR 1019930024048A KR 930024048 A KR930024048 A KR 930024048A KR 950015573 A KR950015573 A KR 950015573A
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KR
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exposure
manufacturing
semiconductor device
contact hole
increased
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KR1019930024048A
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Inventor
문승찬
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 밀집되어 있는 콘택홀을 형성하기 위하여, 콘택홀의 정의하기 위한 노광영역이 서로 중첩되지 않도록 번갈아 형성되어 있는 적어도 두장의 노장 마스크를 사용하여 여러차례 중복 노광하였으므로, 콘택홀 간의 간격이 증가되어 독립 콘택홀과 마찬가지로 상호 간섭현상이 급격히 감소되어 해상도가 증가되고 촛점 여유도 및 노광 마진 여유도가 증가되어 반도체 장치를 고집적화할 수 있다.

Description

반도체 장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도 (A) 및 (B)는 본 발명에 따른 수직 배열형 콘택 형성을 위한 제1 및 제2 노광 마스크의 평면도.
제6도 (A) 및 (B)는 본 발명에 따른 지그재그 배열형 콘택 형성을 위한 제1 및 제2 노광 마스크의 평면도.
제7도는 본 발명에 따른 노광 마스크를 사용한 단일 포커스 노광에서의 포커스 위치에 따른 광콘트라스트를 나타내는 개략도.
제8도는 본 발명에 따른 노광 마스크를 사용한 다중 포커스 노광에서의 포커스 위치에 따른 광콘트라스를 나타내는 개략도.

Claims (3)

  1. 밀집되어 있는 콘택홀을 정의하기 위하여 소정의 노광영역이 형성되어 있는 노광 마스크를 사용하는 노광공정을 진행하는 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 상기 콘택홀을 정의하기 위한 노광영역이 형성하고자 하는 콘택홀의 밀도에 비하여 낮게 형성되어 잇는 제1노광 마스크를 사용하여 일차노광하는 공정과, 상기 제1노광 마스크의 노광영역과 중첩되지 않도록 노광 영역들이 형성되어 있는 제2노광 마스크를 사용하여 이차 노광하는 공정을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 일차 및 이차 노광 공정을 단일 또는 다중 포커스 노광 방법으로 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2노광 마스크의 상기 콘택홀간의 간격과 콘택홀의 직경 비가 2:1 이상이 되도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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