JPH0231412A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0231412A JPH0231412A JP63182266A JP18226688A JPH0231412A JP H0231412 A JPH0231412 A JP H0231412A JP 63182266 A JP63182266 A JP 63182266A JP 18226688 A JP18226688 A JP 18226688A JP H0231412 A JPH0231412 A JP H0231412A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- photomask
- alignment mark
- pattern
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 22
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、フォトマスクとウェハーの位置合わせを行
なうフォトマスク内の合わせマークに関する。
なうフォトマスク内の合わせマークに関する。
従来の外側でマスク合わせをする場合は第３図（ａ）の
ようにウェハーの合わせマーク３が、Ｃｒパターン１に
はいらないように、フォトマスクの合わせマーク６を作
っていた。第３図（ｂ）は第３図（ａ）のｃ−ｃ’線に
そった断面図であり、フォトマスク７はフォトマスク基
板２にＣｒパターン１を付けたものであり、ウェハー８
はウェハー基板４上にウェハーの合わせマーク３が形成
され、さらにウェハー基板４とつ・エバー基板上に形成
されたウェハーの合わせマーク３上に形成されたレジス
ト層５からなっている。ウェハー８とフォトマスク７は
露光方法により、密着させる場合と、すき間をあけて露
光する場合がある。また従来の内側でマスク合わせをす
る場合は第４図（ａ）のようにウェハーの合わせマーク
３がＣｒパターン１にはいらないように、フォトマスク
の合わせマーク６を作っていた。第４図（ｂ）は第４図
（ａ）のＤ−Ｄ’線にそった断面図でありフォトマスク
７はフォトマスク基板２にＣｒパターン１を付けたもの
であり、ウェハー８はウェハー基板４上にウェハーの合
わせマーク３が形成され、さらにウェハー基板とウェハ
ー基板上に形成されたウェハーの合わせマーク３上に形
成されたレジスト層５からなっている。ウェハー８とマ
スク７は露光方法により、密着させる場合と、すき間を
あけて露光する場合がある。
ようにウェハーの合わせマーク３が、Ｃｒパターン１に
はいらないように、フォトマスクの合わせマーク６を作
っていた。第３図（ｂ）は第３図（ａ）のｃ−ｃ’線に
そった断面図であり、フォトマスク７はフォトマスク基
板２にＣｒパターン１を付けたものであり、ウェハー８
はウェハー基板４上にウェハーの合わせマーク３が形成
され、さらにウェハー基板４とつ・エバー基板上に形成
されたウェハーの合わせマーク３上に形成されたレジス
ト層５からなっている。ウェハー８とフォトマスク７は
露光方法により、密着させる場合と、すき間をあけて露
光する場合がある。また従来の内側でマスク合わせをす
る場合は第４図（ａ）のようにウェハーの合わせマーク
３がＣｒパターン１にはいらないように、フォトマスク
の合わせマーク６を作っていた。第４図（ｂ）は第４図
（ａ）のＤ−Ｄ’線にそった断面図でありフォトマスク
７はフォトマスク基板２にＣｒパターン１を付けたもの
であり、ウェハー８はウェハー基板４上にウェハーの合
わせマーク３が形成され、さらにウェハー基板とウェハ
ー基板上に形成されたウェハーの合わせマーク３上に形
成されたレジスト層５からなっている。ウェハー８とマ
スク７は露光方法により、密着させる場合と、すき間を
あけて露光する場合がある。
しかし、従来の外側でマスク合わせをする場合と従来の
内側でマスク合わせをする場合では、マスク７のＣｒパ
ターン１にウェハーの合わせマーク３がはいるようにフ
ォトマスクの合わせマーク６を作成することができない
という欠点があった。
内側でマスク合わせをする場合では、マスク７のＣｒパ
ターン１にウェハーの合わせマーク３がはいるようにフ
ォトマスクの合わせマーク６を作成することができない
という欠点があった。
そこでこの発明は、このような欠点を解決するためマス
ク７のＣｒパターン１にウェハーの合わせマーク３がは
いるようにフォトマスクの合わせマーク６を作成しても
マスク７のＣｒパターンｌを通してウェハー上の合わせ
マーク３が見えることを目的としている。
ク７のＣｒパターン１にウェハーの合わせマーク３がは
いるようにフォトマスクの合わせマーク６を作成しても
マスク７のＣｒパターンｌを通してウェハー上の合わせ
マーク３が見えることを目的としている。
上記課題を解決するためにこの発明はマスク７のＣｒパ
ターン１を格子パターン９にした。
ターン１を格子パターン９にした。
上記のように構成されたフォトマスクの合わせマーク６
とＣｒパターン１にはいっているウェハーの合わせマー
ク３を位置合わせを行なうと、Ｃｒ格子パターン９を通
してＣｒ格子パターン９内にはいっているウェハーの合
わせマーク３を見ることができる。
とＣｒパターン１にはいっているウェハーの合わせマー
ク３を位置合わせを行なうと、Ｃｒ格子パターン９を通
してＣｒ格子パターン９内にはいっているウェハーの合
わせマーク３を見ることができる。
以下にこの発明の実施例を図面にもとづいて説明する第
１図（ａ）において、フォトマスクの合わせマーク６の
周辺をＣｒ格子パターン９にする。
１図（ａ）において、フォトマスクの合わせマーク６の
周辺をＣｒ格子パターン９にする。
第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ’線にそった断面
図であり、フォトマスク７は、フォトマスク基板２にＣ
ｒパターン１とＣｒ格子パターン９を付けたものであり
、ウェハー８はウェハー基板４上にウェハーの合わせマ
ーク３が形成され、さらにウェハー基板４とウェハー基
板４上に形成されたウェハー合わせマーク３上に形成さ
れたレジスト層５からなっている。ウェハー８とフォト
マスク７は露光方法により、密着させる場合と、すき間
をあけて露光する場合がある。また第２図＜ａ）におい
て、フォトマスクの合わせマーク６の内部をすべてＣｒ
格子パターン９にする。第２図（ｂ）は第２図（ａ）の
Ｂ−８’線にそった断面図であり、フォトマスク７はフ
ォトマスク基板２にＣｒ格子パターン９を付けたもので
あり、ウェハー８はウェハー基板４上にウェハーの合わ
せマーク３が形成され、さらにウェハー基板４とウェハ
ー基板４上に形成されたウェハーの合わせマーク３上に
形成されたレジスト層５からなっている。ウェハー８と
フォトマスク７は露光方法により、密着させる場合と、
すき間をあけて露光する場合がある。
図であり、フォトマスク７は、フォトマスク基板２にＣ
ｒパターン１とＣｒ格子パターン９を付けたものであり
、ウェハー８はウェハー基板４上にウェハーの合わせマ
ーク３が形成され、さらにウェハー基板４とウェハー基
板４上に形成されたウェハー合わせマーク３上に形成さ
れたレジスト層５からなっている。ウェハー８とフォト
マスク７は露光方法により、密着させる場合と、すき間
をあけて露光する場合がある。また第２図＜ａ）におい
て、フォトマスクの合わせマーク６の内部をすべてＣｒ
格子パターン９にする。第２図（ｂ）は第２図（ａ）の
Ｂ−８’線にそった断面図であり、フォトマスク７はフ
ォトマスク基板２にＣｒ格子パターン９を付けたもので
あり、ウェハー８はウェハー基板４上にウェハーの合わ
せマーク３が形成され、さらにウェハー基板４とウェハ
ー基板４上に形成されたウェハーの合わせマーク３上に
形成されたレジスト層５からなっている。ウェハー８と
フォトマスク７は露光方法により、密着させる場合と、
すき間をあけて露光する場合がある。
この発明は以上説明したように、フォトマスク７のＣｒ
パターン１をＣｒ格子パターン９にするという簡単な構
造でフォトマスク７のＣｒ格子パターン９内にはいって
いるウェハーの合わせマーク６を見ることが出来るよう
になり、ポジレジスト使用した場合のマスクとウェハー
の位置合わせに効果がある。またフォトマスクの合わせ
マーク６とウェハー上の合わせマーク３との相対位置関
係を格子目の数により把握できるという効果もある。
パターン１をＣｒ格子パターン９にするという簡単な構
造でフォトマスク７のＣｒ格子パターン９内にはいって
いるウェハーの合わせマーク６を見ることが出来るよう
になり、ポジレジスト使用した場合のマスクとウェハー
の位置合わせに効果がある。またフォトマスクの合わせ
マーク６とウェハー上の合わせマーク３との相対位置関
係を格子目の数により把握できるという効果もある。
２図（ａ）のＢ−Ｂ”線にそった断面図である。
のｃ−ｃ’線にそった断面図である。
フォトマスクのＣｒ部内
フォトマスク基板
ウェハーの合わせマーク
ウェハー基板
レジスト
フォトマスクの合わせマーク
以
上
Claims (1)
- フォトマスクとウェハーの位置合わせを行なうフォトマ
スク内の合わせマークを格子状または、合わせマーク周
辺を格子状にして露光することを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63182266A JPH0231412A (ja) | 1988-07-21 | 1988-07-21 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63182266A JPH0231412A (ja) | 1988-07-21 | 1988-07-21 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0231412A true JPH0231412A (ja) | 1990-02-01 |
Family
ID=16115253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63182266A Pending JPH0231412A (ja) | 1988-07-21 | 1988-07-21 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0231412A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10059477B2 (en) | 2010-05-12 | 2018-08-28 | Avery Dennison Corporation | Heat shrink packaging system and method |
-
1988
- 1988-07-21 JP JP63182266A patent/JPH0231412A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10059477B2 (en) | 2010-05-12 | 2018-08-28 | Avery Dennison Corporation | Heat shrink packaging system and method |
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