JPS63309953A - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
- Publication number
- JPS63309953A JPS63309953A JP62146594A JP14659487A JPS63309953A JP S63309953 A JPS63309953 A JP S63309953A JP 62146594 A JP62146594 A JP 62146594A JP 14659487 A JP14659487 A JP 14659487A JP S63309953 A JPS63309953 A JP S63309953A
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- JP
- Japan
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- photomask
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- Pending
Links
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はフォトマスクに関し、特に半導体集積回路装置
のウェハー製造プロセスに於ける最終保護膜のパターニ
ングに用いるフォトマスクのパターンに関する。
のウェハー製造プロセスに於ける最終保護膜のパターニ
ングに用いるフォトマスクのパターンに関する。
従来、この種の半導体集積回路装置の保護膜は、半導体
チッ″ブが組立工程に於いて表面に傷が付くことを防ぐ
目的と半導体チップの耐湿性を向上する為に被覆するも
ので、通常ウェハープロセスに於いて金属配線の形成後
的０．１〜１μｍの厚さのシリコ窒化膜をプラズマＣＶ
Ｄ法によってつけ、ポンディングパッド領域のみ選択的
に除去している。
チッ″ブが組立工程に於いて表面に傷が付くことを防ぐ
目的と半導体チップの耐湿性を向上する為に被覆するも
ので、通常ウェハープロセスに於いて金属配線の形成後
的０．１〜１μｍの厚さのシリコ窒化膜をプラズマＣＶ
Ｄ法によってつけ、ポンディングパッド領域のみ選択的
に除去している。
上述した従来の保護膜のフォトリソグラフィ工程に於い
ては、５０〜２００μｍ幅程度の大きさのパターニング
が実現できれば良いこと及び保護膜の開孔によって露出
したボンディングバットパターンの保護膜の開孔部分と
の目合せずれに対する余裕が５〜１０μｍ程度あること
のなめ、素子形成工程に於ける様に縮小投影露光装置を
用いた微細な解像性能及び目合せ制度を要求するフォト
リソグラフィは採用されず、比較的低コストで実現でき
るコンタクト方式、の露光装置を用いている。
ては、５０〜２００μｍ幅程度の大きさのパターニング
が実現できれば良いこと及び保護膜の開孔によって露出
したボンディングバットパターンの保護膜の開孔部分と
の目合せずれに対する余裕が５〜１０μｍ程度あること
のなめ、素子形成工程に於ける様に縮小投影露光装置を
用いた微細な解像性能及び目合せ制度を要求するフォト
リソグラフィは採用されず、比較的低コストで実現でき
るコンタクト方式、の露光装置を用いている。
ところで、コンタクト方式の露光装置は、基板とフォト
マスクとの位置ずれを補正するために、フォトマスク上
のアライメントパターンを通して基板上のアライメント
パターンを観察し、互いのずれを検出する方法をとって
いる。その結果アライメントパターンが保護膜に転写さ
れてしまうために、ポンディングパッド以外の不必要な
領域に保護膜の開孔部分が出来ることとなり、この部分
から水分等が侵入して半導体装置の耐湿性能が低下して
しまう問題があった。このためアライメントパターンを
半導体装置の限られた領域に限定する必要があり、この
ことはフォトマスクの製造に重大な制約をもたらしてい
た。
マスクとの位置ずれを補正するために、フォトマスク上
のアライメントパターンを通して基板上のアライメント
パターンを観察し、互いのずれを検出する方法をとって
いる。その結果アライメントパターンが保護膜に転写さ
れてしまうために、ポンディングパッド以外の不必要な
領域に保護膜の開孔部分が出来ることとなり、この部分
から水分等が侵入して半導体装置の耐湿性能が低下して
しまう問題があった。このためアライメントパターンを
半導体装置の限られた領域に限定する必要があり、この
ことはフォトマスクの製造に重大な制約をもたらしてい
た。
本発明の目的は、半導体保護膜のフォトリソグラフィ工
程のアライメントマークを有するフォトマスクに適用し
たときは任意の場所にアライメントマークを形成しても
基板に転写される問題がなく、耐湿性に優れた半導体装
置を製造することができ、またフォトマスクの管理上又
は製作上必要であるが転写は好ましくない記号等を任意
の場所に形成してもよいフォトマスクを提供することに
ある。
程のアライメントマークを有するフォトマスクに適用し
たときは任意の場所にアライメントマークを形成しても
基板に転写される問題がなく、耐湿性に優れた半導体装
置を製造することができ、またフォトマスクの管理上又
は製作上必要であるが転写は好ましくない記号等を任意
の場所に形成してもよいフォトマスクを提供することに
ある。
〔問題点を解決するための重膜〕。
本発明のフォトマスクは、フォトマスクの任意の領域に
パターン幅が、該フォトマスクを用いるフーオトリソグ
ラフィ工程に於けるパターンの転写能力より小さい幅に
て形成されたフォトマスクパターンを含んで構成される
。
パターン幅が、該フォトマスクを用いるフーオトリソグ
ラフィ工程に於けるパターンの転写能力より小さい幅に
て形成されたフォトマスクパターンを含んで構成される
。
なお、本発明の原理は、フォトマスクパターンは、フォ
トリソグラフィ工程において、ある限界以下の幅を有す
るパターンは、リソグラフィ装置の解像度に限界がある
ために転写されない性質を利用し、基板に転写すること
が好ましくないパターンをリソグラフィ装置の解像度以
下の線幅で形成したものである。
トリソグラフィ工程において、ある限界以下の幅を有す
るパターンは、リソグラフィ装置の解像度に限界がある
ために転写されない性質を利用し、基板に転写すること
が好ましくないパターンをリソグラフィ装置の解像度以
下の線幅で形成したものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）、＜ｂ）は本発明の一実施例を説明するた
めの半導体基板上のアライメントパターンと本実施例と
の関係を示す平面図およびそのＡ−Ａ’縦断面図である
。
めの半導体基板上のアライメントパターンと本実施例と
の関係を示す平面図およびそのＡ−Ａ’縦断面図である
。
まず第１図（ａ）、（ｂ）に示すように、シリコン基板
１の表面には約０．５μｍ程度の−さのシリコ窒化膜２
がプラズマＣＶＤ法により付着され保護膜とされてい６
／、この保護膜のボンディングバット開孔のために約１
μｍ程度の厚さのネガ型フォトレジスト３をつけ、本実
施例のフォトマスク４を介して、プロキシミティ露光方
式によって約５０ ｍ ｊ ／ ｃｍ ”の光照射を行
う。
１の表面には約０．５μｍ程度の−さのシリコ窒化膜２
がプラズマＣＶＤ法により付着され保護膜とされてい６
／、この保護膜のボンディングバット開孔のために約１
μｍ程度の厚さのネガ型フォトレジスト３をつけ、本実
施例のフォトマスク４を介して、プロキシミティ露光方
式によって約５０ ｍ ｊ ／ ｃｍ ”の光照射を行
う。
このとき使用する本実施例は半導体基板上にアライメン
トパターン７の中央に位置するよう約１〜２μｍ幅のア
ライメントパターン５がフォトマスク上に形成されてい
る。また６はポンディングパッド開孔パターンである。
トパターン７の中央に位置するよう約１〜２μｍ幅のア
ライメントパターン５がフォトマスク上に形成されてい
る。また６はポンディングパッド開孔パターンである。
フォトマスク４と半導体基板の位置決めはアライメント
パターン７の中央にフォトマスクのアライメントパター
ン５を位置せしむることにより完了する。
パターン７の中央にフォトマスクのアライメントパター
ン５を位置せしむることにより完了する。
上記した光照射により露光は完了するが、プロキシミテ
ィ露光方式の解像度は約３μｍであるため、１〜２μｍ
幅で形成されたマスクのアライメントパターン５・は第
１図（ｂ）から明らかなようにフォトレジスト３に転写
されることがないが、ポンディングパッド開孔パターン
６は通常の通り転写する。従ってアライメントパターン
部の保護膜に損傷を与えることなくポンディングパッド
の部分のみ開孔を行うことができる。
ィ露光方式の解像度は約３μｍであるため、１〜２μｍ
幅で形成されたマスクのアライメントパターン５・は第
１図（ｂ）から明らかなようにフォトレジスト３に転写
されることがないが、ポンディングパッド開孔パターン
６は通常の通り転写する。従ってアライメントパターン
部の保護膜に損傷を与えることなくポンディングパッド
の部分のみ開孔を行うことができる。
第２図は本発明の他の実施例を説明するためのパターン
である。フォトマスクの一部パターンとして１〜２μｍ
程度の幅のパターンを用いて記号パターンを形成した例
を示す、第１の実施例に示したｒ法と同様な方法を用い
ると、プロキシミティ露光に於ける解像度が約３μｍで
あるために本パターンは基板上に転写されない。
である。フォトマスクの一部パターンとして１〜２μｍ
程度の幅のパターンを用いて記号パターンを形成した例
を示す、第１の実施例に示したｒ法と同様な方法を用い
ると、プロキシミティ露光に於ける解像度が約３μｍで
あるために本パターンは基板上に転写されない。
以上説明したように本発明は、フォトリングラフィ工程
に於いて不必要なパターンが転写してしまうことを考慮
しないで済むフォトマスクパターンを提供するものであ
るから本発明によるパターンを半導体保護膜のフォトリ
ソグラフィ工程に於けるアライメントマークに用いるこ
とによって耐湿性に優れた半導体装置を製造することを
可能ならしめなり、フォトマスク上の任意の位置に半導
体基板上に転写する必要のない記号等のパターンを形成
することが出来るために、フォトマスク作製上極めて有
効な手段を提供する効果がある。
に於いて不必要なパターンが転写してしまうことを考慮
しないで済むフォトマスクパターンを提供するものであ
るから本発明によるパターンを半導体保護膜のフォトリ
ソグラフィ工程に於けるアライメントマークに用いるこ
とによって耐湿性に優れた半導体装置を製造することを
可能ならしめなり、フォトマスク上の任意の位置に半導
体基板上に転写する必要のない記号等のパターンを形成
することが出来るために、フォトマスク作製上極めて有
効な手段を提供する効果がある。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例を説明するた
めの半導体基板上のアライメントパターンと本実施例の
関係を示す平面図およびそのＡ−Ａ′縦断面図、第２図
は本発明の他の実施例の要部平面図である。 １・・・半導体基板、２・・・シリコン窒化膜、３・・
・ネガ型フォトレジスト、４・・・フォトマスク、５・
・・フォトマスク上のアライメントパターン、６・・・
フォトマスク上のポンディングパッド開孔パターン、７
・・・基板上のアライメントパターン、８・・・フォト
レジストの未露光領域、９・・・フォトマスクの記号パ
ターン。 代理人 弁理士 内 原 晋１′ ｊ −ネガ型フォトレジスト ４ 、フォト７ズ
ワｊ、・ フォト７スフ上刃了ライヌニトバターンぎ
；フォトマスク上のＪホ゛ニデン〕バツＦ′開ルバｑ−
ン７ ・基序文上め了フイメ〕トパクーシ第１図
めの半導体基板上のアライメントパターンと本実施例の
関係を示す平面図およびそのＡ−Ａ′縦断面図、第２図
は本発明の他の実施例の要部平面図である。 １・・・半導体基板、２・・・シリコン窒化膜、３・・
・ネガ型フォトレジスト、４・・・フォトマスク、５・
・・フォトマスク上のアライメントパターン、６・・・
フォトマスク上のポンディングパッド開孔パターン、７
・・・基板上のアライメントパターン、８・・・フォト
レジストの未露光領域、９・・・フォトマスクの記号パ
ターン。 代理人 弁理士 内 原 晋１′ ｊ −ネガ型フォトレジスト ４ 、フォト７ズ
ワｊ、・ フォト７スフ上刃了ライヌニトバターンぎ
；フォトマスク上のＪホ゛ニデン〕バツＦ′開ルバｑ−
ン７ ・基序文上め了フイメ〕トパクーシ第１図
Claims (1)
- 任意の領域にパターン幅が、該フォトマスクを用いるフ
ォトリソグラフィ工程に於けるパターンの転写能力より
小さい幅にて形成されたフォトマスクパターンを含むこ
とを特徴とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62146594A JPS63309953A (ja) | 1987-06-11 | 1987-06-11 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62146594A JPS63309953A (ja) | 1987-06-11 | 1987-06-11 | フオトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63309953A true JPS63309953A (ja) | 1988-12-19 |
Family
ID=15411246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62146594A Pending JPS63309953A (ja) | 1987-06-11 | 1987-06-11 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63309953A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007256880A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-04 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスク補正方法、フォトマスク、露光方法、及び露光装置 |
-
1987
- 1987-06-11 JP JP62146594A patent/JPS63309953A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007256880A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-04 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスク補正方法、フォトマスク、露光方法、及び露光装置 |
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