JPH04348343A - 縮小投影露光装置用レチクル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造時に半導体
基板（以下ウエハと称する）にＬＳＩパターンを露光す
る縮小投影露光装置の露光用原板であるレチクルに関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＬＳＩの集積度は飛躍的に高まり
、露光用原板を光学系で縮小してウエハの上に投影し、
パターンを形成する縮小投影露光法が主流となっている
。さらに、コスト削減を目的として、製造工程に応じて
縮小投影露光装置用レチクル（以下レチクルと称する）
を用いてウエハの上にパターンを形成する方法と、縮小
投影露光装置用レチクルから作ったマスクを用いてウエ
ハの上にパターンを形成する方法とを使い分けるハイブ
リッド方式がとられるようになってきている。このハイ
ブリッド方式で使用するレチクルには、本体チップ、プ
ロセスコントロールモニター（以下ＰＣＭと称する）、
アライメントマーク、ハイブリッド用アライメントマー
ク等の配置が必要である。

【０００３】以下、従来の縮小投影露光装置用レチクル
について説明する。図３は従来の縮小投影露光装置用レ
チクルの平面図である。図３に示すように、ハイブリッ
ド用レチクル領域に本体チップ１が４チップ、ＰＣＭ２
が２チップ配置されている。またチップ分離用パターン
（以下スクライブラインと称する）１ａには縮小投影露
光中のステップアンドリピートに用いるアライメントマ
ーク３が配置されている。また、本体チップ１内にはハ
イブリッド用アライメントマーク４が配置されており、
このハイブリッド用アライメントマーク４とある条件を
満たすようにしてＰＣＭの配置領域内にもハイブリッド
用アライメントマーク５が配置されている。この一対の
ハイブリッド用アライメントマーク４、５でレチクルと
マスクの位置合わせを行なう。

【０００４】このようなレチクルとマスクを用いて露光
し、パターン形成したウエハを図４に示した。図４にお
いて、６は本体チップ、７は図３に示すレチクルを用い
た１ショット分、８はＰＣＭ配置領域、９はハイブリッ
ド用アライメントマーク配置可能領域である。この場合
、レチクルの設計は、ハイブリッド用アライメントマー
ク５（ＰＣＭの配置領域内）がウエハの上においてハイ
ブリッド用アライメントマーク配置可能領域９（ＰＣＭ
の配置領域内）に来るように考慮する必要がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、本体チップ１の内部にハイブリッド用ア
ライメントマーク４を配置しているため、本体チップ１
の内部に余分な領域をとることになり、チップサイズが
大きくなり、ウエハ当たりの本体チップ１の取れ数また
はレチクル上に配置できる本体チップ数が減少するため
コストアップ、スループットの低下を招くという課題を
有していた。すなわち、ＰＣＭの配置領域内にもハイブ
リッド用アライメントマーク５を配置することを考慮し
てレチクルを設計するため、ＰＣＭの配置領域が大きく
なり、図５に示すようにレチクルに配置できる本体チッ
プの数が減少することもある。また、ＰＣＭの配置領域
にハイブリッド用アライメントマーク５を配置している
ため、図４に示すようにウエハの上でハイブリッド用ア
ライメントマーク５が存在する箇所はＰＣＭが露光され
る部分だけとなり、位置合わせ精度が悪くなり、位置合
わせ時間がかかることになる。

【０００６】本発明は上記従来の課題を解決するもので
、レチクルの上のハイブリッド用アライメントマークの
配置場所を工夫することにより、縮小投影露光装置用レ
チクルの設計効率の向上、縮小投影露光装置のスループ
ットの向上、コスト低減を実現できる縮小投影露光装置
用レチクルを提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の縮小投影露光装置用レチクルは、ハイブリッ
ド用アライメントマークを本体チップのスクライブライ
ンの上に配置した構成を有している。

【０００８】

【作用】この構成によって、本体チップの面積を大きく
することなく、またウエハ当りの本体チップの取れ数を
減らすことなく、レチクルを設計することができる。ま
たＰＣＭの配置領域はＰＣＭのみを配置するのに充分な
領域でよく、レチクルの上に最大限にチップを配置する
ことができる。このようにしておけば、ハイブリッド用
アライメントマークはウエハの上に均一に存在すること
になり、ウエハの上におけるハイブリッド用アライメン
トマーク（ＰＣＭの配置領域内）配置可能領域に制限さ
れることがなくなるためレチクルの設計が容易になる。

【０００９】

【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
しながら説明する。図１は、本発明の一実施例における
レチクルの平面図である。図１において、１はレチクル
領域上に４チップ配置された本体チップ、１ａはスクラ
イブライン、２はＰＣＭ、３はスクライブライン１ａに
配置されているアライメントマーク、１１ａ，１１ｂは
スクライブライン１ａに配置されているハイブリッド用
アライメントマークである。すなわち、図３に示す従来
のレチクルでは、本体チップ１内およびＰＣＭ２の配置
領域内にそれぞれハイブリッド用アライメントマーク４
、５を配置しているのに対して、図１に示す実施例では
スクライブライン１ａにハイブリッド用アライメントマ
ーク１１ａ、１１ｂを配置している点が特徴である。 実際には、ハイブリッド用アライメントマーク１１ｂを
マスクの上に、ハイブリッド用アライメントマーク１１
ａをレチクルの上に設けておき、この２つのハイブリッ
ド用アライメントマークを用いてマスクとレチクルの位
置合わせを行なう。このレチクルとマスクを用いてウエ
ハ上に露光し、パターン形成した状態を図２に示す。図
２において、８はＰＣＭ配置領域、９はハイブリッド用
アライメントマーク配置可能領域、１１ａ、１１ｂはハ
イブリッド用アライメントマーク、１２は本体チップ、
１３は図１に示すレチクルを用いた１ショット分である
。

【００１０】以上のように本実施例によれば、ハイブリ
ッド用アライメントマーク１１ａ、１１ｂを本体チップ
１のスクライブライン１ａに配置することにより、ＰＣ
Ｍ２の配置領域はＰＣＭ２を配置するのに充分な領域で
よく、レチクルの上には最大限に本体チップ１を配置す
ることができる。また図２に示すように、ハイブリッド
用アライメントマーク１１ａ、１１ｂはウエハの上に均
一に存在することになるので、ウエハの上におけるハイ
ブリッド用アライメントマーク配置可能領域９に制限さ
れることがなくなり、レチクルの設計が容易になる。

【００１１】

【発明の効果】以上のように本発明は、レチクル設計の
際にチップ分離用パターンにハイブリッド用アライメン
トマークを配置することにより、レチクルの設計が容易
になり、さらに半導体製造時のウエハへのパターン露光
のスループットの向上、製造コストの低減を可能にする
縮小投影露光装置用レチクルを実現できるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例における縮小投影露光装置用
レチクルの平面図

【図２】本発明のレチクルを用いて縮小投影露光した時
のウエハの平面図

【図３】従来の縮小投影露光装置用レチクルの平面図

【
図４】従来のレチクルを用いて縮小投影露光した時のウ
エハの平面図

【図５】従来のレチクルの課題を説明する図

【符号の説明】

１　　本体チップ（半導体チップ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　工程別に縮小投影露光と等倍露光を使
   い分けて半導体基板の上にパターンを形成するハイブリ
   ッド方式において使用する縮小投影露光装置用レチクル
   であって、複数の半導体チップに対応するパターンを有
   し、前記複数の半導体チップの境界に設けられたチップ
   分離用パターン内にハイブリッド用アライメントマーク
   を設けた縮小投影露光装置用レチクル。