KR100850118B1 - 포토리소그래피 장치 및 이 장치를 이용한 패턴 형성방법 - Google Patents

포토리소그래피 장치 및 이 장치를 이용한 패턴 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 포토리소그래피 장치는 빛을 제공하는 광원(12)과, 상기 광원(12)으로부터 제공된 빛의 각도를 조정하는 각도조정 미러(14)와, 상기 각도조정 미러(14)에서 반사된 빛을 응축하여 투과하는 응축렌즈(condenser lens)(16)와, 상기 응축렌즈(16)를 투과한 빛을 이용하여 시료 패터닝을 구현하도록 마스크(18)가 고정설치된 레티클 스테이지(20)와, 상기 시료상에 패턴을 형성하는 웨이퍼가 위치되도록 고정설치된 웨이퍼 스테이지(40)와, 상기 마스크(18)를 통과한 빛을 투영렌즈(42)를 통해 투과하여 상기 마스크(18)의 상이 소정의 설정에 맞추어져서 상기 웨이퍼상에 도달하게 되도록 상기 마스크(18)와 웨이퍼 스테이지(40)사이에 설치되는 마이크로 오목렌즈(30)로 구성됨에 따라, 마스크와 웨이퍼 기판을 운동시키지 않고 한번에 웨이퍼의 전영역에 원하는 형상으로 원하는 패턴을 한번에 형성할 수 있으므로, 마스크 또는 웨이퍼 스테이지를 움직여야 하는 일련의 장치들이 필요없는 바, 패턴 틀어짐 현상이 방지되고, 선진행된 스텝 패턴과 정렬을 맞추는 작업도 불필요하게 되어 공정 단순화에 기여하는 효과를 가진다.
포토리소그래피, 마이크로 오목렌즈, 마스크 및 웨이퍼 스테이지 이동

Description

포토리소그래피 장치 및 이 장치를 이용한 패턴 형성방법{Photolithography equipment and Method for forming a pattern using thereof}
도 1은 종래의 스텝 앤드 리피트 방식의 포토리소그래피 장치에 대한 개략작동도이고,
도 2는 스텝 앤드 스캔 방식의 포토리소그래피 장치에 대한 개략 작동도이고,
도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 포토리소그래피 장지의 구성을 나타내는 개략도이고,
도 4는 본 3의 마이크로 렌즈를 투영한 마스크 패턴이 웨이퍼상에 패터닝되는 상세도이다.
＜도면의 주요부분에 대한 부호의 설명＞
12 : 조명광학부 14 : 각도조절미러
16 : 응축렌즈 18 : 레티클
20 : 레티클 스테이지 30 : 마이크로 오목렌즈
40 : 웨이퍼 스테이지 41 : 투영렌즈
본 발명은 반도체 제조 공정에 있어서의 포토 공정의 리소그래피(lithography) 장치를 이용한 차세대 패턴 형성 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 패터닝을 구현하고자 사용되는 마스크와 웨이퍼를 스테이지의 이동없이 마이크로 오목렌즈를 통하여 한번의 작업으로 소망 패턴을 웨이퍼 전체에 얻을 수 있어 공정이 개선되는 포토리소그래피 장치 및 이를 이용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
잘 알려진 바와 같이, 반도체의 기술은 더욱 미세화되고 있는 바, 이에 포토리소그래피(photolithography; 사진식각기술) 기술이 핵심이며, 반도체 기술 동향은 포토리소그래피 공정의 기술동향과 방향이 같다고 할 수 있다.
이러한 포토리소그래피는 빛을 사용하여 감광액(photo resist)이 도포된 웨이퍼 상에 원하는 직접회로가 그려진 패턴의 마스크(mask)를 위치시킨 후, 광원(light source)를 조사하여 마스크의 모양대로 준비된 웨이퍼 상에 패턴을 형성시키는 반도체의 핵심 공정 기술이며, 포토 공정의 핵심기술은 빛 에너지의 활용이라 할 수 있다.
감광액을 반도체 웨이퍼 실리콘 기판상에 평평하게 코팅한 후 원하는 패턴이 디자인된 마스크 또는 레티클(mask or reticle)을 웨이퍼 상에 위치시킨다. 이때, 정밀한 작업을 위하여 패터닝(patternning)할 이미지와, 다른 레티클과의 위치를 정렬(allignment)하기 위한 마크(mark)가 웨이퍼와 마스크에 새겨져 있다. 레이저빔 또는 수은 아크 램프의 광원을 패터닝된 마스크를 통과시켜 감응재가 도포된 웨 이퍼 위에 조사하면, 마스크 패턴의 이미지가 레지스트내에 생성된다. 이때 용액 기반 현상제(solution-based developer) 또는 플라즈마 에칭과 같은 수단을 이용하여 레지스트를 노출시켜 원하고자 하는 부분(또는 비노출 부분)을 선택적으로 제거함으로써 마스크를 통해 패터닝된 레지스트를 생성하게 된다. 현재까지의 기술을 포토공정이라 한다. 이후, 패터닝된 레지스트 패턴은 에칭하기 위한 마스크로서 사용된다. 디바이스 공정중에 리소그래픽 기술이 직면해 있는 문제는 다음과 같다.
선폭(line width)이 미세화될수록 고속 동작 및 저전력 구동이 가능해 짐으로서 반도체 공정은 더욱 더 미세 선폭을 구현하는 방향으로 가고 있다. 그러나 빛을 광원으로 사용하는 노광 시스템에서 가장 큰 문제점은 선폭이 미세화될수록 빛의 회절(diffraction) 현상이 심화된다는 점이다. 이는 공정상의 오차를 야기하게 되어 소자의 성능저하를 유발한다.
이를 해결하기 위하여 가장 근본적인 방법은 빛의 파장이 패턴 사이즈보다 더욱 작은 광원을 사용하는 것이다. 또 다른 방법으로는 낮은 파장의 광원을 이용하여, 마스크와 기판사이에 축소 렌즈(reduction lens)를 사용하는 투사형 노광 시스템(Projection lithography)이 있다. 축소 렌즈의 사용으로 낮은 파장대의 광원으로도 정교한 패턴을 얻을 수 있으며, 마스크상의 광원의 회절 현상을 방지할 수 있다.
또한 리소그래피 기술에 있어서, 광원 못지않게 중요한 변수중의 하나는 패턴의 원판 역할을 하는 포토 마스크(photo mask)이며, 결과 패턴의 정확성을 위해서는 설계 수치와의 오차를 최소화하여 완성해야 한다.
따라서, 포토 공정에서는 첫 진행부터 마지막 포토 공정까지 정렬(allignment)를 정확히 하기 위한 측정을 매 공정시 마다 수행하고 있으며 벗어난 값은 보정 또는 재작업을 통하여 정확한 공정을 진행한다. 노광단계에서 스테퍼(Stepper) 또는 스캐너(Scanner)라는 장비를 통하여 웨이퍼상에 노광을 하게 되는데, 다음과 같은 두가지 방식이 현재 사용되고 있다.
첫째, 도 1에 도시된 바와 같이, 스텝 앤드 리피트(Step and Repeat) 방식으로서, 레티클 스테이지(reticle stage)를 고정시키고 웨이퍼 스테이지(wager stage)만 움직여서 노출진행(일괄노광)하는 방식이며,
둘째, 도 2에 도시된 바와 같이, 스텝 앤드 스캔(Step and Scan) 방식으로서, 레티클 스테이지와 웨이퍼 스테이지가 동시에 움직여서, 노출진행하는 방식으로 레티클 스테이지가 플러스 방향일 경우, 웨이퍼 스테이지는 마이너스 방향으로 움직이는 것이다.
이러한 두가지 방식 모두 래티클에 디자인된 패턴을 웨이퍼 상에 구사하기 위하여 노광방식에 따라 레티클 스테이지 또는 웨이퍼 스테이지를 움직여야 하는 일련의 움직임이 필요하며, 이때 발생될 가능성이 매우 높은 틀어짐 현상을 방지하기 위하여 오버레이(overlay) 정렬, 즉 초기 스텝 진행 후, 다음 스텝 진행시 선 진행된 스텝 패턴과 얼라인먼트(allignment)를 맞추는 작업을 수행하게 된다.
하지만, 종래의 포토 장비에 있어서, 레티클 또는 마스크 스테이지와 같은 마스크 장착부를 고정시키고 웨이퍼 스테이지만 움직여 노광(일괄 노광)을 진행하는 방식의 경우, 이는 패터닝이 웨이퍼상에 구현될 때, 현재에 가장 문제점이 되고 있는 정렬 틀어짐 현상(overlay miss)가 일어나는 문제가 있고, 레티클 스테이지와 웨이퍼 스테이지가 동시에 움직여서 노출진행을 행하는 방식의 경우, 레티클 스테이지가 플러스 방향이면, 웨이퍼 스테이지는 마이너스 방향으로 움직임에 따라 초기 스텝 진행후 다음 스텝 진행시 선진행된 스텝 패턴(step pattern)과 얼라인먼트를 행해야 하는 문제가 있었다.
따라서, 본 발명의 목적은 마이크로 다목적 렌즈를 통한 패턴 투영 방식으로 웨이퍼와 마스크가 움직이지 않고 한번에 원하는 패턴을 웨이퍼 전체에 구현함으로서 공정이 개선되는 리소그래피 장치 및 이를 이용한 패턴 형성 방법을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 포토리소그래피 장치는 광원으로 부터의 빛을 광학적으로 조명하는 조명광학부와, 상기 조명광학부로 부터 조사된 빛의 각도를 조정하는 각도조정 미러와, 상기 각도조정 미러에서 반사된 빛을 응축하여 투과하는 응축렌즈와, 상기 응축렌즈를 투과한 빛을 이용하여 패터닝을 구현하도록 마스크가 고정설치된 레티클 스테이지와, 상기 패터닝이 구현되는 웨이퍼가 위치되는 웨이퍼 스테이지와, 상기 마스크를 통과한 빛을 투과하여 상기 마스크의 상이 상기 웨이퍼상에 패터닝되도록 상기 마스크와 웨이퍼 스테이지사이에 설치되는 마이크로 오목렌즈로 구성된다.
또한 본 발명은 이러한 포토리소그래피 장치을 이용하는 패턴 형성 방법에 있어서, 상기 마스크와 웨이퍼 스테이지를 움직이지 않고 상기 마이크로 오목 렌즈 에 의해 패터닝을 소망하는 크기와 개수에 한번에 맞출수 있게 된다.
본 발명에 있어서, 상기 마이크로 오목 렌즈는 석영판을 레이저 가공하여 오목렌즈로 구현하되, 그 크기 및 깊이는 해당 노광공정에 적합하도록 변형되는 것이 바람직하고, 해당 노광공정이 원하는 패터닝을 구현가능한 개수보다 초과하여 제작가능하도록 상하조절이 가능하여 초점을 이동함으로서 맺히는 상을 최적화한다.
본 발명에 의하면, 마스크와 웨이퍼 기판을 운동시키지 않고 한번에 웨이퍼의 전영역에 원하는 형상으로 원하는 패턴을 한번에 형성할 수 있으므로, 마스크 또는 웨이퍼 스테이지를 움직여야 하는 일련의 장치들이 필요없는 바, 종래의 문제점인 패턴 틀어짐 현상이 방지되고 오버레이 정렬 즉 초기의 스텝진행후 다음 스텝의 진행시 선진행된 스텝 패턴과 정렬을 맞추는 작업도 불필요하게 되어 공정 단순화에 기여하는 효과를 가진다.
본 발명의 상기 및 기타 목적과 여러 가지 장점은 이 기술분야에 숙련된 사람들에 의해 첨부된 도면을 참조하여 하기에 기술되는 본 발명의 바람직한 실시 예로부터 더욱 명확하게 될 것이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명한다.
도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 포토리소그래피 장치의 구성을 나타내고 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 포토리소그래피 장치는 빛을 제공하는 광원(도시하지 않음)으로 부터의 빛을 광학적으로 조명하는 광학조명부(12)와, 상기 조명광학부(12)로부터 조사된 빛의 각도를 조정하는 각도조정 미러(14)와, 상기 각도조정 미러(14)에서 반사된 빛을 응축하여 투과하는 응축렌즈(condenser lens)(16)와, 상기 응축렌즈(16)를 투과한 빛을 이용하여 패터닝을 구현하도록 마스크(18)가 고정설치된 레티클 스테이지(20)와, 상기 패턴닝이 구현되는 웨이퍼가 위치되도록 고정설치된 웨이퍼 스테이지(40)와, 상기 마스크(18)를 통과한 빛을 투영렌즈(42)를 통해 투과하여 상기 마스크(18)의 상이 상기 웨이퍼상에 패터닝되도록 상기 마스크(18)와 웨이퍼 스테이지(40)사이에 설치되는 마이크로 렌즈(30)로 구성된다.
마이크로 렌즈(30)는 일반적으로 마스크 재료로서 사용되는 석영판을 레이저 가공하여 오목렌즈로 구현하는 것으로, 광원(12)으로부터 제공되는 빛이 포토 마스크(18)를 통과하여 투영렌즈(projection lens)(42)를 통해 이러한 마이크로 오목렌즈(30)에 도달하게 되면 오목렌즈의 특성대로 빛을 투과하여 마스크(18)의 상이 오목렌즈의 설정에 따라, 즉 해당 노광공정에 적합하도록 변형된 크기 및 깊이에 따라 웨이퍼상에 패터닝된다.
이를 위해, 본 발명에 있어서 마이크로 오목렌즈(30)는 해당 노광공정에서 필요로하는 패터닝이 구현가능한 개수보다 초과하여 제작가능하도록 상하조절이 가능하여 초점을 이동함으로서 맺히는 상을 최적화하는 것이 바람직하다.
이상과 같이 구성된 본 발명의 포토 리소그래피 장치에 따라 광원(12)으로부 터 제공되는 빛은 포토 마스크(18)를 통과하여 투영렌즈(42)를 통해 이러한 마이크로 오목렌즈(30)에 도달하게 되고, 마이크로 오목렌즈(30)의 특성대로 빛을 투과한 마스크(18)의 마스크 패턴은 투영렌트(42)를 통해 마이크로 오목렌즈의 설정에 따른 크기 및 깊이에 따라 도 4에 도시된 바와 같이 웨이퍼상에 패터닝(44)된다.
이상의 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 제시하여 설명하였으나 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함을 쉽게 이해할 수 있을 것이다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 마스크와 웨이퍼 기판을 운동시키지 않고 한번에 웨이퍼의 전영역에 원하는 형상으로 원하는 패턴을 한번에 형성할 수 있으므로, 마스크 또는 웨이퍼 스테이지를 움직여야 하는 일련의 장치들이 필요없는 바, 종래의 문제점인 패턴 틀어짐 현상이 방지되고 오버레이 정렬 즉 초기의 스텝진행후 다음 스텝의 진행시 선진행된 스텝 패턴과 정렬을 맞추는 작업도 불필요하게 되어 공정 단순화에 기여하는 효과를 가진다.

Claims (4)

  1. 포토 리소그래피 장치에 있어서,
    빛을 제공하는 광원으로 부터의 빛을 광학적으로 조명하는 조명광학부와,
    상기 조명광학부로부터 조사된 빛의 각도를 조정하는 각도조정 미러와,
    상기 각도조정 미러에서 반사된 빛을 응축하여 투과하는 응축렌즈와,
    상기 응축렌즈를 투과한 빛을 이용하여 패터닝을 구현하도록 마스크가 설치된 레티클 스테이지와,
    상기 패터닝이 구현되는 웨이퍼가 위치되는 웨이퍼 스테이지와,
    상기 마스크를 통과한 빛을 투과하여 상기 마스크의 상이 상기 웨이퍼상에 패터닝되도록 상기 마스크와 웨이퍼 스테이지사이에 설치되는 마이크로 오목렌즈로 구성된
    포토리소그래피 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 마이크로 오목 렌즈는 석영판을 레이저 가공하여 오목렌즈로 구현하되, 그 크기 및 깊이는 해당 노광공정에 적합하도록 변형되는 것을 특징으로 하는
    포토리소그래피 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 마이크로 오목 렌즈는 해당 노광공정이 원하는 패터닝을 구현가능한 개수보다 초과하여 제작가능하도록 상하조절이 가능하여 초점을 이동함으로서 맺히는 상을 최적화하는 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 장치.
  4. 포토리소그래피 장치를 이용한 패턴 형성 방법에 있어서,
    제 1 항에 기재된 포토리소그래피 장치를 이용하여 상기 마스크와 웨이퍼 스테이지를 움직이지 않고 상기 마이크로 오목 렌즈에 의해 패터닝을 소망하는 크기와 개수에 한번에 맞출수 있는 패턴 형성 방법.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07306304A (ja) * 1994-05-11 1995-11-21 Ricoh Opt Ind Co Ltd オプチカル・ホモジナイザー
JPH09232226A (ja) * 1996-02-22 1997-09-05 Sony Corp スキャン式露光装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07306304A (ja) * 1994-05-11 1995-11-21 Ricoh Opt Ind Co Ltd オプチカル・ホモジナイザー
JPH09232226A (ja) * 1996-02-22 1997-09-05 Sony Corp スキャン式露光装置

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