JP3189687B2 - 半導体材料表面への刻印方法及び同方法により刻印された物品 - Google Patents
半導体材料表面への刻印方法及び同方法により刻印された物品Info
- Publication number
- JP3189687B2 JP3189687B2 JP15518696A JP15518696A JP3189687B2 JP 3189687 B2 JP3189687 B2 JP 3189687B2 JP 15518696 A JP15518696 A JP 15518696A JP 15518696 A JP15518696 A JP 15518696A JP 3189687 B2 JP3189687 B2 JP 3189687B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser beam
- semiconductor material
- pattern
- pulsed laser
- irradiated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54406—Marks applied to semiconductor devices or parts comprising alphanumeric information
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54493—Peripheral marks on wafers, e.g. orientation flats, notches, lot number
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体材料表面又は
電子部品へのパルスレーザビームによる刻印方法に関す
る。
電子部品へのパルスレーザビームによる刻印方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】レーザビームによって半導体材料表面に
文字あるいは数字を刻印する方法は公知である。公知の
方法には、半導体材料表面の刻印すべき箇所にレーザビ
ームを移動させながら照射し、照射部の半導体材料を溶
融蒸発させて、連続した凹状の痕跡を形成する方法と、
特公平1−41245号公報にみられるように、レーザビーム
の照射部に円形の凹みを形成する方法が有る。
文字あるいは数字を刻印する方法は公知である。公知の
方法には、半導体材料表面の刻印すべき箇所にレーザビ
ームを移動させながら照射し、照射部の半導体材料を溶
融蒸発させて、連続した凹状の痕跡を形成する方法と、
特公平1−41245号公報にみられるように、レーザビーム
の照射部に円形の凹みを形成する方法が有る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】半導体材料への刻印に
おいては、 １）刻印作業によって塵埃を発生しないこと、 ２）視認性に優れること、特に光学系読み取り装置によ
り簡単に読み取れること、が求められる。しかしこの要
求は相反したものとなっており、双方を同時に満足させ
ることは難しい。
おいては、 １）刻印作業によって塵埃を発生しないこと、 ２）視認性に優れること、特に光学系読み取り装置によ
り簡単に読み取れること、が求められる。しかしこの要
求は相反したものとなっており、双方を同時に満足させ
ることは難しい。
【０００４】本発明の目的は、レーザビームによって半
導体材料表面に文字，数字あるいはパターンを刻印する
作業において、塵埃の発生を抑制し、しかも視認性に優
れる刻印方法を提供することにある。
導体材料表面に文字，数字あるいはパターンを刻印する
作業において、塵埃の発生を抑制し、しかも視認性に優
れる刻印方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の刻印方法は、パ
ルスレーザビームを照射して半導体材料表面にパターン
を刻印する方法において、半導体材料表面のレーザビー
ム照射面が溶融，再結晶化する過程で当該個所に微小突
起部が発生するように、前記パルスレーザビームのエネ
ルギーとパルス幅を制御することにある。
ルスレーザビームを照射して半導体材料表面にパターン
を刻印する方法において、半導体材料表面のレーザビー
ム照射面が溶融，再結晶化する過程で当該個所に微小突
起部が発生するように、前記パルスレーザビームのエネ
ルギーとパルス幅を制御することにある。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図１〜
図４により説明する。
図４により説明する。
【０００７】図１において、１はパルス発振のＮｄ：Ｙ
ＡＧレーザ発振器であり、ほぼ均一な強度分布を有する
レーザ光２を出射する。レーザ光２は、拡大光学系３を
経て刻印すべきパターンが形成された金属マスク４に照
射される。金属マスクの代わりに部分的に不透明部を有
するガラスマスクを用いることもできる。透過レーザ光
５は結像光学系６によりワーク７上に照射されパターン
を刻印する。図２はワーク７としてのＳｉウエハ８上に
形成された刻印９の様子を、図３は刻印９の拡大模式図
を、図４は図３のIV−IV断面図をそれぞれ示す。
ＡＧレーザ発振器であり、ほぼ均一な強度分布を有する
レーザ光２を出射する。レーザ光２は、拡大光学系３を
経て刻印すべきパターンが形成された金属マスク４に照
射される。金属マスクの代わりに部分的に不透明部を有
するガラスマスクを用いることもできる。透過レーザ光
５は結像光学系６によりワーク７上に照射されパターン
を刻印する。図２はワーク７としてのＳｉウエハ８上に
形成された刻印９の様子を、図３は刻印９の拡大模式図
を、図４は図３のIV−IV断面図をそれぞれ示す。
【０００８】図３において、右半分のレーザ光照射面に
は多数の微小突起部１００〜１０７が形成されている。
微小突起部１００〜１０７は円形或いは帯状を呈してお
り、概略高さは１μｍ以下である。直径は０.５〜１.０
μｍ、相互間隔はおおよそ１.５〜２.５μｍで、密度は
１.６〜４.５×１０7個／cm2のオーダである。
は多数の微小突起部１００〜１０７が形成されている。
微小突起部１００〜１０７は円形或いは帯状を呈してお
り、概略高さは１μｍ以下である。直径は０.５〜１.０
μｍ、相互間隔はおおよそ１.５〜２.５μｍで、密度は
１.６〜４.５×１０7個／cm2のオーダである。
【０００９】微小突起部が出来る理由として、本発明者
らの実験によれば、半導体材料表面へのパルスレーザビ
ームの照射によって、当該個所は瞬時に溶融状態となる
が、レーザ照射の終了と共に、再結晶化が始まり、この
際に概略高さ１μｍ以下の多数の突起が形成される現象
が観測された。そして、この現象の発生にはパルスレー
ザビームの強度分布，照射エネルギー密度，パルス幅が
重要な因子であることも分かった。即ち、均一な強度分
布を有するパルスレーザビームを照射して、照射面を溶
融状態に維持する（蒸発させない）ことにより、塵埃の
発生を押さえつつ、微小な高さの多数の突起の形成が可
能であることが分かった。
らの実験によれば、半導体材料表面へのパルスレーザビ
ームの照射によって、当該個所は瞬時に溶融状態となる
が、レーザ照射の終了と共に、再結晶化が始まり、この
際に概略高さ１μｍ以下の多数の突起が形成される現象
が観測された。そして、この現象の発生にはパルスレー
ザビームの強度分布，照射エネルギー密度，パルス幅が
重要な因子であることも分かった。即ち、均一な強度分
布を有するパルスレーザビームを照射して、照射面を溶
融状態に維持する（蒸発させない）ことにより、塵埃の
発生を押さえつつ、微小な高さの多数の突起の形成が可
能であることが分かった。
【００１０】そして、この現象を利用して半導体材料表
面に形成された文字あるいはパターンは、多数の微小な
突起による光の乱反射現象により、視認性に優れた刻印
となる。このような現象を利用したマーキング方法は従
来知られていなかった。
面に形成された文字あるいはパターンは、多数の微小な
突起による光の乱反射現象により、視認性に優れた刻印
となる。このような現象を利用したマーキング方法は従
来知られていなかった。
【００１１】即ち、図４に示すようにワーク８上に光１
０９が照射されると、左半分のレーザ光非照射部分では
そのまま反射するが、微小突起部例えば１０５〜１０７
に照射された光は、乱反射光１１０〜１１３と成る。微
小突起部１０５〜１０７は上述したように、非常に緻密
に分布しているので、レーザ光照射部分とレーザ光非照
射部分とは、光の反射の違いにより容易に識別可能とな
る。
０９が照射されると、左半分のレーザ光非照射部分では
そのまま反射するが、微小突起部例えば１０５〜１０７
に照射された光は、乱反射光１１０〜１１３と成る。微
小突起部１０５〜１０７は上述したように、非常に緻密
に分布しているので、レーザ光照射部分とレーザ光非照
射部分とは、光の反射の違いにより容易に識別可能とな
る。
【００１２】この場合、パルスレーザ光の条件は照射エ
ネルギー密度＝３０Ｊ／cm2 ，パルス幅＝０.１５ms
で、Ｓｉウエハは結晶方位（１００）の研磨品を使用し
た。また、照射エネルギー密度の下限値は１８Ｊ／cm2
以下では表面に溶融が起こらないので、微小突起部１０
０〜１０７は形成されない。４０Ｊ／cm2 以上では表面
で部分的に蒸発が起こるため、塵埃が発生し、製造工程
上好ましく無い。例えば塵埃を除去する工程が増えて好
ましく無い。従って、照射エネルギー密度値は１８Ｊ／
cm2 〜４０Ｊ／cm2 の範囲であれば、乱反射光１１０〜
１１３を生じる微小突起部１０５〜１０７を有し、識別
が出来ると共に、塵埃が発生しない。
ネルギー密度＝３０Ｊ／cm2 ，パルス幅＝０.１５ms
で、Ｓｉウエハは結晶方位（１００）の研磨品を使用し
た。また、照射エネルギー密度の下限値は１８Ｊ／cm2
以下では表面に溶融が起こらないので、微小突起部１０
０〜１０７は形成されない。４０Ｊ／cm2 以上では表面
で部分的に蒸発が起こるため、塵埃が発生し、製造工程
上好ましく無い。例えば塵埃を除去する工程が増えて好
ましく無い。従って、照射エネルギー密度値は１８Ｊ／
cm2 〜４０Ｊ／cm2 の範囲であれば、乱反射光１１０〜
１１３を生じる微小突起部１０５〜１０７を有し、識別
が出来ると共に、塵埃が発生しない。
【００１３】一方、パルス幅の上限と下限とは照射エネ
ルギー密度と密接に関係しており、１８〜４０Ｊ／cm2
の範囲では、パルス幅は０.０５〜０.４０でmsの範囲で
微小突起部１００〜１０４が形成される。即ち、パルス
幅は０.０５ms より短い場合には刻印された文文，数字
等の線幅が細くなり、識別しにくくなる。また0.40msよ
り長くなると、刻印された文字，数字等の線幅が太くな
り、例えば２本の平行線を刻印する時に、平行線同志が
あたかも同じ線のように見える所謂分解能が低下し、識
別しにくくなる。従って、パルス幅は０.０５〜０.４０
msの範囲であれば、識別が容易となる。
ルギー密度と密接に関係しており、１８〜４０Ｊ／cm2
の範囲では、パルス幅は０.０５〜０.４０でmsの範囲で
微小突起部１００〜１０４が形成される。即ち、パルス
幅は０.０５ms より短い場合には刻印された文文，数字
等の線幅が細くなり、識別しにくくなる。また0.40msよ
り長くなると、刻印された文字，数字等の線幅が太くな
り、例えば２本の平行線を刻印する時に、平行線同志が
あたかも同じ線のように見える所謂分解能が低下し、識
別しにくくなる。従って、パルス幅は０.０５〜０.４０
msの範囲であれば、識別が容易となる。
【００１４】すなわち、Ｓｉウエハ，部品等に刻印する
場合は、照射エネルギー密度値を１８Ｊ／cm2 〜４０Ｊ
／cm2 の範囲内の値と、パルス幅を０.０５〜０.４０ms
の範囲内の値とを選択して、パルスレーザ光を照射すれ
ば、塵埃が発生しない状態で、尚且つ識別が容易な刻印
を得ることが出来る。
場合は、照射エネルギー密度値を１８Ｊ／cm2 〜４０Ｊ
／cm2 の範囲内の値と、パルス幅を０.０５〜０.４０ms
の範囲内の値とを選択して、パルスレーザ光を照射すれ
ば、塵埃が発生しない状態で、尚且つ識別が容易な刻印
を得ることが出来る。
【００１５】また、レーザ発振器からの出射レーザビー
ムの強度分布はマスク４面上で±５％程度の均一性が要
求されるので、従来より半導体材料表面への刻印に使用
されているシングルモード、或いは低次モードで発振す
るレーザ発振器は使用できず、発振器としては均一強度
分布を実現しやすいスラブレーザが適している。
ムの強度分布はマスク４面上で±５％程度の均一性が要
求されるので、従来より半導体材料表面への刻印に使用
されているシングルモード、或いは低次モードで発振す
るレーザ発振器は使用できず、発振器としては均一強度
分布を実現しやすいスラブレーザが適している。
【００１６】図５〜図９は本発明の他の実施例を示すも
ので、直線偏光発振のＮｄ：ＹＡＧレーザ発振器１１か
らのレーザ光１２が液晶マスク１３に照射される。パタ
ーン情報を含むレーザ光１５はビームスプリッタ１４に
より分離された後、結像レンズ６によりワーク７上に照
射されパターンが刻印される。液晶マスク１３にはパタ
ーン情報が、制御装置１６から液晶マスクコントローラ
１７を経て送られる。不用光１８は吸収板１９で吸収さ
れる。
ので、直線偏光発振のＮｄ：ＹＡＧレーザ発振器１１か
らのレーザ光１２が液晶マスク１３に照射される。パタ
ーン情報を含むレーザ光１５はビームスプリッタ１４に
より分離された後、結像レンズ６によりワーク７上に照
射されパターンが刻印される。液晶マスク１３にはパタ
ーン情報が、制御装置１６から液晶マスクコントローラ
１７を経て送られる。不用光１８は吸収板１９で吸収さ
れる。
【００１７】図６は液晶マスク１３上に表示されたパタ
ーンの部分拡大図で、二次元コード２０が表示されてい
る。二次元コード２０、例えばベリコード，データコー
ド等は、セル２１と呼ばれる正四角形パターンの集合体
で構成される。従って、正四角の画素の集合体で刻印用
パターンを表示する液晶マスク１３は二次元コード用の
パターン発生用のマスクとして最適である。
ーンの部分拡大図で、二次元コード２０が表示されてい
る。二次元コード２０、例えばベリコード，データコー
ド等は、セル２１と呼ばれる正四角形パターンの集合体
で構成される。従って、正四角の画素の集合体で刻印用
パターンを表示する液晶マスク１３は二次元コード用の
パターン発生用のマスクとして最適である。
【００１８】ところで、ＴＮ（ねじれネマティク）型液
晶マスクの表示モードには、図７，図８に示す２通りの
表示モードを有する。いずれの文字の「Ｔ」を表示して
いる。液晶マスク５０は四角形の画素５１の集合体で構
成されているが、図７のノーマリークローズドモードと
呼ばれる表示モードでは、パターンを表示する画素５２
（斜線を施した）に電圧を印加される。しかし、画素間
のギャップ部５３には電圧が印加できないので、図示し
ていないワーク上に刻印されるパターンは不連続な四角
形の集合体となる。
晶マスクの表示モードには、図７，図８に示す２通りの
表示モードを有する。いずれの文字の「Ｔ」を表示して
いる。液晶マスク５０は四角形の画素５１の集合体で構
成されているが、図７のノーマリークローズドモードと
呼ばれる表示モードでは、パターンを表示する画素５２
（斜線を施した）に電圧を印加される。しかし、画素間
のギャップ部５３には電圧が印加できないので、図示し
ていないワーク上に刻印されるパターンは不連続な四角
形の集合体となる。
【００１９】一方、図８のノーマリーオープンモードと
呼ばれる表示モードでは、背景部に相当する個所の画素
５４（斜線を施した）に電圧が印加される。即ち、この
表示モードには電圧を印加しない画素５５でパターン表
示をするので、各画素間のギャツプ５３部分もパターン
の一部を構成すことになる。従って、ワーク（図示せ
ず）上に刻印されるパターンは、連続した四角形の集合
体となり、セル間のつながり状態が重要視される二次元
コードの刻印に適している。厳密には刻印パターンに関
係ない格子状のパターンがワーク上に刻印されることに
なるが、この部分のワーク上の線幅は５〜１０μｍ程度
と狭いことに加え、ワーク内部への拡散熱によりレーザ
照射部分の温度上昇が抑制されるので、ワーク上には痕
跡は生じない。
呼ばれる表示モードでは、背景部に相当する個所の画素
５４（斜線を施した）に電圧が印加される。即ち、この
表示モードには電圧を印加しない画素５５でパターン表
示をするので、各画素間のギャツプ５３部分もパターン
の一部を構成すことになる。従って、ワーク（図示せ
ず）上に刻印されるパターンは、連続した四角形の集合
体となり、セル間のつながり状態が重要視される二次元
コードの刻印に適している。厳密には刻印パターンに関
係ない格子状のパターンがワーク上に刻印されることに
なるが、この部分のワーク上の線幅は５〜１０μｍ程度
と狭いことに加え、ワーク内部への拡散熱によりレーザ
照射部分の温度上昇が抑制されるので、ワーク上には痕
跡は生じない。
【００２０】図９には、図５の構成によりワーク７上に
刻印された二次元コード２０の模式図を示したが、液晶
マスク１３には図６のパターンを表示している。本発明
ではワーク７はＳｉウエハであり、パルスレーザ光の条
件は照射エネルギー密度＝３０Ｊ／cm2，パルス幅＝０.
１５msを採用した。そして、表示モードとして上述のノ
ーマリーオープンモードを採用することにより、隣接す
るセル２２，２３，２４は境界を作ることなく表面に形
成された多数の微小突起部(図示せず)により、二次元コ
ード２０を表現している。
刻印された二次元コード２０の模式図を示したが、液晶
マスク１３には図６のパターンを表示している。本発明
ではワーク７はＳｉウエハであり、パルスレーザ光の条
件は照射エネルギー密度＝３０Ｊ／cm2，パルス幅＝０.
１５msを採用した。そして、表示モードとして上述のノ
ーマリーオープンモードを採用することにより、隣接す
るセル２２，２３，２４は境界を作ることなく表面に形
成された多数の微小突起部(図示せず)により、二次元コ
ード２０を表現している。
【００２１】図１０は刻印された二次元コードの読み取
り方法を示すもので、読み取り装置２５からの参照光２
６はワーク７上に照射され、反射光２７と微小突起部２
８からの乱反射光２９の内、主として前者が読み取り装
置２５内の二次元ＣＣＤセンサ（図示せず）に取り込ま
れて、パターンの読み取りが行われる。
り方法を示すもので、読み取り装置２５からの参照光２
６はワーク７上に照射され、反射光２７と微小突起部２
８からの乱反射光２９の内、主として前者が読み取り装
置２５内の二次元ＣＣＤセンサ（図示せず）に取り込ま
れて、パターンの読み取りが行われる。
【００２２】図１１には参考までに、従来のレーザマー
カによる二次元コードを刻印例を示したが、ワーク７上
では１個のセルに対して、円形の凹み１個を対応させる
ことになる。そのため、単独で存在するセル２４Ａと複
数のセルの集合体２４Ｂを区別するため読み取み装置に
はパターン処理機能を付加する必要があり、コストアッ
プの要因となる。また、円形の凹み部からの反射光は本
発明のように乱反射光にならないので光の分離に工夫を
要する。本発明では、各セルは正方形で構成され、刻印
部からの反射光は乱反射となるため簡単な読み取り装置
での読み取りが可能となる。
カによる二次元コードを刻印例を示したが、ワーク７上
では１個のセルに対して、円形の凹み１個を対応させる
ことになる。そのため、単独で存在するセル２４Ａと複
数のセルの集合体２４Ｂを区別するため読み取み装置に
はパターン処理機能を付加する必要があり、コストアッ
プの要因となる。また、円形の凹み部からの反射光は本
発明のように乱反射光にならないので光の分離に工夫を
要する。本発明では、各セルは正方形で構成され、刻印
部からの反射光は乱反射となるため簡単な読み取り装置
での読み取りが可能となる。
【００２３】ところで、刻印された二次元コードの読み
取り装置２５での読み取り率を高めるには、 １）刻印された各セルの大きさがそろっていること、 ２）隣接するセル間には空間を作らないこと、 ３）二次元ＣＣＤセンサに取り込まれる反射光２７と乱
反射光２９の比が大きいこと、等が重要である。
取り装置２５での読み取り率を高めるには、 １）刻印された各セルの大きさがそろっていること、 ２）隣接するセル間には空間を作らないこと、 ３）二次元ＣＣＤセンサに取り込まれる反射光２７と乱
反射光２９の比が大きいこと、等が重要である。
【００２４】これに対し、液晶マスクの採用で１），
２）が、上述した照射パルスレーザビームのエネルギー
とパルス幅の制御で、１），３）の条件がそれぞれ満た
され、刻印パターンの正確な読み取りが実現できる。
２）が、上述した照射パルスレーザビームのエネルギー
とパルス幅の制御で、１），３）の条件がそれぞれ満た
され、刻印パターンの正確な読み取りが実現できる。
【００２５】図１２は本発明を半導体生産ラインに適用
した場合の一例を示すもので、ワーク３０は、先ず本発
明の刻印装置３１により管理番号（英数字あるいは二次
元コードで表示）が刻印され、移動装置により製造工程
３２，３３，３４へ送られる。各工程の間には必要に応
じて読み取り装置２５が配置され、その情報が製造ライ
ン制御用コンピュータ３５に送られる。また、必要なら
ば、工程間に刻印装置３１を配置して、前工程での情報
をワーク３０に刻印することもできる。
した場合の一例を示すもので、ワーク３０は、先ず本発
明の刻印装置３１により管理番号（英数字あるいは二次
元コードで表示）が刻印され、移動装置により製造工程
３２，３３，３４へ送られる。各工程の間には必要に応
じて読み取り装置２５が配置され、その情報が製造ライ
ン制御用コンピュータ３５に送られる。また、必要なら
ば、工程間に刻印装置３１を配置して、前工程での情報
をワーク３０に刻印することもできる。
【００２６】以上の説明では半導体材料としてＳｉ単結
晶の場合を述べたが、Ｓｉ単結晶面上に酸化膜あるい
は、窒化膜が形成されている半導体ウエハや、半導体チ
ップ，樹脂モールド型部品などの電子部品にも本発明の
刻印方法を適用することができる。
晶の場合を述べたが、Ｓｉ単結晶面上に酸化膜あるい
は、窒化膜が形成されている半導体ウエハや、半導体チ
ップ，樹脂モールド型部品などの電子部品にも本発明の
刻印方法を適用することができる。
【００２７】
【発明の効果】本発明では、パルスレーザビームの照射
によって半導体材料の表面に形成される、概略高さ１μ
ｍ以下の多数の微小突起部を刻印に使用したので、刻印
時に塵埃を発生することなく、鮮明な刻印が実現でき
る。また微小突起部では乱反射光を生じて、識別が出来
るので、パターン読み取り装置を使用した場合に、高い
読み取り率を実現できる。
によって半導体材料の表面に形成される、概略高さ１μ
ｍ以下の多数の微小突起部を刻印に使用したので、刻印
時に塵埃を発生することなく、鮮明な刻印が実現でき
る。また微小突起部では乱反射光を生じて、識別が出来
るので、パターン読み取り装置を使用した場合に、高い
読み取り率を実現できる。
【図１】本発明の実施例として示した液晶式レーザマー
カの概略説明図。
カの概略説明図。
【図２】図１の装置で加工した半導体基板の表面図。
【図３】図２の刻印の部分拡大表面図。
【図４】図３のIV−IV線断面図。
【図５】本発明の他の実施例として示した液晶式レーザ
マーカの概略説明図。
マーカの概略説明図。
【図６】図５の液晶マスクに表示されたパターンの部分
拡大図。
拡大図。
【図７】図６のワーク上に刻印されたパターンの部分拡
大図。
大図。
【図８】図６のワーク上に刻印されたパターンの部分拡
大図。
大図。
【図９】図６のワーク上に刻印されたパターンの部分拡
大図。
大図。
【図１０】刻印されたパターンの読み取り装置の説明
図。
図。
【図１１】従来のワーク上に刻印されたパターンの部分
拡大図。
拡大図。
【図１２】本発明を半導体製造工程に適用した刻印装置
の配置工程を示す概略説明図である。
の配置工程を示す概略説明図である。
１…Ｎｄ：ＹＡＧレーザ発振器、４…金属マスク、８…
Ｓｉウエハ、９…刻印、１０…液晶マスク、２０…二次
元コード、２８…乱反射光、１００〜１０７…微小突起
部。
Ｓｉウエハ、９…刻印、１０…液晶マスク、２０…二次
元コード、２８…乱反射光、１００〜１０７…微小突起
部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉川 利満 茨城県日立市大みか町七丁目２番１号 株式会社 日立製作所 電力・電機開発 本部内 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/02 B23K 26/00
Claims (7)
- 【請求項１】パルスレーザビームを照射して半導体材料
表面にパターンを刻印する方法において、パルスレーザ
ビームを照射した半導体材料表面が溶融，再結晶化する
過程で当該個所に微小突起部が発生するように、前記パ
ルスレーザビームのエネルギーとパルス幅との少なくと
も１つを制御することを特徴とする半導体材料表面への
刻印方法。 - 【請求項２】パルスレーザビームを照射して半導体材料
表面にパターンを刻印する方法において、パルスレーザ
ビームを照射した半導体材料表面が溶融，再結晶化する
過程で当該個所に微小突起部が発生するように、パルス
レーザビームのパルス幅を０.０５ms〜０.４０msに選定
したことを特徴とする半導体材料表面への刻印方法。 - 【請求項３】パルスレーザビームを照射して半導体材料
表面にパターンを刻印する方法において、パルスレーザ
ビームを照射した半導体材料表面が溶融，再結晶化する
過程で当該個所に微小突起部が発生するように、半導体
材料表面のパルスレーザビームのエネルギー密度を１８
Ｊ／cm2 〜４０Ｊ／cm2 に選定したことを特徴とする半
導体材料表面への刻印方法。 - 【請求項４】上記パルスレーザビームのエネルギー密度
を１８Ｊ／cm2 〜４０Ｊ／cm2 にすると共に、パルス幅
を０.０５ms〜０.４０msに選定することを特徴とする請
求項１記載の半導体材料表面への刻印方法。 - 【請求項５】パルスレーザビームを半導体材料，電子部
品等の物品表面に照射し、該パルスレーザビーム照射面
を溶融，再結晶化する過程で当該個所に形成された微小
突起部よりなる刻印を、表面に有することを特徴とする
物品。 - 【請求項６】刻印すべきパターンが二次元コードを含
み、該パターンを発生する手段が液晶マスクであること
を特徴とする請求項１，２，３，４項のいずれか１項記
載の物品への刻印方法。 - 【請求項７】半導体材料，電子部品等の物品に刻印すべ
きパターンが二次元コードを含み、該パターンを発生す
る手段が液晶マスクであることを特徴とする請求項５項
記載の物品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15518696A JP3189687B2 (ja) | 1996-06-17 | 1996-06-17 | 半導体材料表面への刻印方法及び同方法により刻印された物品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15518696A JP3189687B2 (ja) | 1996-06-17 | 1996-06-17 | 半導体材料表面への刻印方法及び同方法により刻印された物品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH104040A JPH104040A (ja) | 1998-01-06 |
| JP3189687B2 true JP3189687B2 (ja) | 2001-07-16 |
Family
ID=15600373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15518696A Expired - Fee Related JP3189687B2 (ja) | 1996-06-17 | 1996-06-17 | 半導体材料表面への刻印方法及び同方法により刻印された物品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3189687B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6774340B1 (en) | 1998-11-25 | 2004-08-10 | Komatsu Limited | Shape of microdot mark formed by laser beam and microdot marking method |
| TW430873B (en) * | 1998-11-25 | 2001-04-21 | Komatsu Mfg Co Ltd | Form of microscopic dot mark using laser beam and marking method thereof |
| DE10025835B4 (de) * | 1999-11-22 | 2008-07-31 | Komatsu Ltd. | Mikropunktmarkierungsverfahren |
| JP4719131B2 (ja) * | 2006-11-17 | 2011-07-06 | 株式会社小松製作所 | レーザビームによる微小マーキング方法 |
-
1996
- 1996-06-17 JP JP15518696A patent/JP3189687B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH104040A (ja) | 1998-01-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3346614B2 (ja) | Ｉｃカードのマーキング方法 | |
| US4190759A (en) | Processing of photomask | |
| KR20090033174A (ko) | 이동하는 기판상의 얇은 필름(박막)에 패턴을 각인하는 방법과 장치 | |
| US20030058917A1 (en) | Laser marking system and method | |
| JP3189687B2 (ja) | 半導体材料表面への刻印方法及び同方法により刻印された物品 | |
| JP2004200221A (ja) | レーザマーキング方法及び装置 | |
| JP2881418B1 (ja) | 識別データー記載シリコン基板およびその製造方法 | |
| JPH0471792A (ja) | マーキング方法 | |
| JPH04110944A (ja) | 透明材料のマーキング方法 | |
| JP3522670B2 (ja) | レーザマーキング方法 | |
| JP2000042763A (ja) | レーザビームによるドットマーク形態と、そのマーキング装置及びマーキング方法 | |
| JP2004074210A (ja) | レーザーマーキング装置およびレーザーマーキング方法 | |
| JPH10211593A (ja) | 加工物への刻印方法 | |
| JP4396979B2 (ja) | レーザ露光装置 | |
| JP2002273582A (ja) | ビーム加工装置及びタッチパネル基板の製造方法 | |
| JPS5923512A (ja) | 半導体ウエハ−のレ−ザマ−キング方法 | |
| JP2000021696A (ja) | レーザマーキング装置及びそれを用いたレーザマーキング方法 | |
| JPH06293191A (ja) | 凹 版 | |
| JP2001180038A (ja) | レーザマーキング方法及び同方法を実施するためのレーザマーカ | |
| JP2795941B2 (ja) | マスク及びマスクを用いたガラスへのマーキング方法 | |
| JPH05291104A (ja) | 露光装置 | |
| JP2004352560A (ja) | ガラスの描画方法 | |
| KR101648542B1 (ko) | 레이저 노광 방법 및 제품 | |
| JPH05245663A (ja) | レーザ加工装置 | |
| JP2001351835A (ja) | 凹穴型ドットマークの形成方法と同ドットマークを有する半導体ウェハ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |