JPH10211593A - 加工物への刻印方法 - Google Patents
加工物への刻印方法Info
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- JPH10211593A JPH10211593A JP9015020A JP1502097A JPH10211593A JP H10211593 A JPH10211593 A JP H10211593A JP 9015020 A JP9015020 A JP 9015020A JP 1502097 A JP1502097 A JP 1502097A JP H10211593 A JPH10211593 A JP H10211593A
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- pattern
- liquid crystal
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Abstract
(57)【要約】
【課題】照射エネルギーが弱いレーザビームをＳｉウエ
ハ８に照射すると、塵埃を生じたり、パターンを鮮明に
刻印できなかったりする恐れがある。 【解決手段】本発明では、パルスレーザビーム２ＡをＳ
ｉウエハ８のパターン９Ａに照射する照射温度より低い
温度でパターン９Ａとその周囲の背景部９Ｂを溶融しな
い程度に加熱する。 【効果】この結果、Ｓｉウエハ８のパターン９Ａにレー
ザビーム２Ａを照射時の熱は、背景部９Ｂに拡散しにく
くなり、刻印時の溶融温度が高くなり、塵埃を防止する
と共に、Ｓｉウエハにパターンを鮮明に刻印できるよう
になった。
ハ８に照射すると、塵埃を生じたり、パターンを鮮明に
刻印できなかったりする恐れがある。 【解決手段】本発明では、パルスレーザビーム２ＡをＳ
ｉウエハ８のパターン９Ａに照射する照射温度より低い
温度でパターン９Ａとその周囲の背景部９Ｂを溶融しな
い程度に加熱する。 【効果】この結果、Ｓｉウエハ８のパターン９Ａにレー
ザビーム２Ａを照射時の熱は、背景部９Ｂに拡散しにく
くなり、刻印時の溶融温度が高くなり、塵埃を防止する
と共に、Ｓｉウエハにパターンを鮮明に刻印できるよう
になった。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はシリコン（以後Ｓｉ
と記載する）ウエハあるいはシリコンチップへの刻印に
あたり、パターンとその周辺部の背景部への加熱方法に
係る加工物への刻印方法に関する。
と記載する）ウエハあるいはシリコンチップへの刻印に
あたり、パターンとその周辺部の背景部への加熱方法に
係る加工物への刻印方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザビームによってＳｉウエハ表面に
文字あるいは数字を刻印する方法は、公知である。公知
の方法には、１）Ｓｉウエハ表面の刻印すべき箇所にレ
ーザビームを移動しながら照射し、照射部のＳｉを溶融
し、蒸発させて連続した凹状の痕跡を形成する方法と、
特公平1−41245号公報にみられるように、レーザビーム
の照射部に円形の凹みを形成する方法がある。Ｓｉウエ
ハへの刻印においては、１）刻印作業によって塵埃を発
生しないこと、２）視認性に優れること、特に光学系読
み取り装置により簡単に読み取れること、が求められ
る。
文字あるいは数字を刻印する方法は、公知である。公知
の方法には、１）Ｓｉウエハ表面の刻印すべき箇所にレ
ーザビームを移動しながら照射し、照射部のＳｉを溶融
し、蒸発させて連続した凹状の痕跡を形成する方法と、
特公平1−41245号公報にみられるように、レーザビーム
の照射部に円形の凹みを形成する方法がある。Ｓｉウエ
ハへの刻印においては、１）刻印作業によって塵埃を発
生しないこと、２）視認性に優れること、特に光学系読
み取り装置により簡単に読み取れること、が求められ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この要求は相
反したものとなっており、両方を同時に満足させること
は難しい。即ち、鮮明な刻印を得るには、レーザ発振器
から出射されたレーザビームの照射エネルギーを増し、
加工物の刻印個所が溶融し易くする必要があるが、これ
により、塵埃が発生し易くなり、レーザ発振器の出力の
増大を伴う。
反したものとなっており、両方を同時に満足させること
は難しい。即ち、鮮明な刻印を得るには、レーザ発振器
から出射されたレーザビームの照射エネルギーを増し、
加工物の刻印個所が溶融し易くする必要があるが、これ
により、塵埃が発生し易くなり、レーザ発振器の出力の
増大を伴う。
【０００４】本発明の目的は、レーザビームを照射時の
溶融部材の蒸発による塵埃の発生を抑制しつつ、視認性
に優れた加工物への刻印方法を提供することにある。
溶融部材の蒸発による塵埃の発生を抑制しつつ、視認性
に優れた加工物への刻印方法を提供することにある。
【０００５】本発明の他の目的は、小出力のパルスレー
ザ発振器を使用して鮮明な刻印を得ることができる刻印
方法を使用した液晶マーキング装置を提供することにあ
る。
ザ発振器を使用して鮮明な刻印を得ることができる刻印
方法を使用した液晶マーキング装置を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の加工物への刻印
方法は、パターンマスクを透過したパルスレーザビーム
を被加工物表面に照射してパターン刻印を得る方法にお
いて、パルスレーザビームの照射によるパターン刻印部
の到達温度より低い温度にパターン刻印部周辺の背景部
を加熱することにある。
方法は、パターンマスクを透過したパルスレーザビーム
を被加工物表面に照射してパターン刻印を得る方法にお
いて、パルスレーザビームの照射によるパターン刻印部
の到達温度より低い温度にパターン刻印部周辺の背景部
を加熱することにある。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明者らの実験によれば、Ｓｉ
ウエハ表面はパルスレーザビームの照射によって瞬時に
溶融状態となるが、レーザ照射の終了と共に再結晶化が
始まり、この際に概略高さ１μｍ以下の多数の突起が形
成される現象が観測された。そして、この現象の発生に
はパルスレーザビームの強度分布，照射エネルギー密
度，パルス幅が重要な因子であることも分かった。即
ち、均一な強度分布を有するパルスレーザビームを照射
して、照射面を溶融状態に維持する（蒸発させない）こ
とにより、塵埃の発生を抑えつつ、微小な高さの多数の
突起の形成が可能となる。
ウエハ表面はパルスレーザビームの照射によって瞬時に
溶融状態となるが、レーザ照射の終了と共に再結晶化が
始まり、この際に概略高さ１μｍ以下の多数の突起が形
成される現象が観測された。そして、この現象の発生に
はパルスレーザビームの強度分布，照射エネルギー密
度，パルス幅が重要な因子であることも分かった。即
ち、均一な強度分布を有するパルスレーザビームを照射
して、照射面を溶融状態に維持する（蒸発させない）こ
とにより、塵埃の発生を抑えつつ、微小な高さの多数の
突起の形成が可能となる。
【０００８】そして、文字あるいはパターンの形成にあ
たっては、刻印部の周辺の背景部にウエハ加熱用のパル
スレーザビームを照射して、刻印部に注入されたエネル
ギーが周辺に拡散するのを抑制すれば、鮮明な輪郭を持
つ文字或いはパターンが実現できることが分かった。
たっては、刻印部の周辺の背景部にウエハ加熱用のパル
スレーザビームを照射して、刻印部に注入されたエネル
ギーが周辺に拡散するのを抑制すれば、鮮明な輪郭を持
つ文字或いはパターンが実現できることが分かった。
【０００９】この現象を利用してＳｉウエハ表面に形成
された文字あるいはパターンは、上述のように多数の微
小な突起による光の乱反射により、視認性に優れた鮮明
な刻印となる。このような、現象に基づくマーキング方
法は従来知られていなかった。
された文字あるいはパターンは、上述のように多数の微
小な突起による光の乱反射により、視認性に優れた鮮明
な刻印となる。このような、現象に基づくマーキング方
法は従来知られていなかった。
【００１０】以下、本発明の具体的な実施例を図１〜図
４により説明する。図１は液晶レーザマーキング装置の
概略図である。
４により説明する。図１は液晶レーザマーキング装置の
概略図である。
【００１１】図１において、制御装置１０からはＮｄ：
ＹＡＧレーザ発振器１（以後、パルスレーザ発振器と称
す）へのレーザ光発振指令と液晶マスクコントローラ１
１によりパターン表示信号が送られる。パルスレーザ発
振器１からはほぼ均一な強度分布を有する直線偏光のレ
ーザビーム２を出射する。レーザビーム２は拡大光学系
３を経て液晶マスク４に入射する。液晶マスク４の詳細
は図２に示すように構成されている。
ＹＡＧレーザ発振器１（以後、パルスレーザ発振器と称
す）へのレーザ光発振指令と液晶マスクコントローラ１
１によりパターン表示信号が送られる。パルスレーザ発
振器１からはほぼ均一な強度分布を有する直線偏光のレ
ーザビーム２を出射する。レーザビーム２は拡大光学系
３を経て液晶マスク４に入射する。液晶マスク４の詳細
は図２に示すように構成されている。
【００１２】図２はマトリクス方式により液晶マスク４
を駆動する方法を示すものである。マトリクス方式で
は、走査電極と信号電極が交差するように配置され、そ
れぞれ走査電極駆動用ＩＣ１８，信号電極用ＩＣ１９に
接続される。そして、両電極の交差するドット２０，２
１毎に表示パターンに対応した電圧が印加される。尚、
図２ではパターン４Ａとして文字の「Ｈ」が表示してお
り、斜線を施した部分に電圧が印加されている。背景部
４Ｂに相当する個所のドットに電圧が印加されている
が、この表示方法はノーマリーオープンモードによる表
示と呼ばれている。液晶マスク４を透過したレーザビー
ム２′は、ビームスプリッタ６により分離された後、結
像レンズ７によりＳｉウエハ８上に照射されパターン９
Ａが刻印される。
を駆動する方法を示すものである。マトリクス方式で
は、走査電極と信号電極が交差するように配置され、そ
れぞれ走査電極駆動用ＩＣ１８，信号電極用ＩＣ１９に
接続される。そして、両電極の交差するドット２０，２
１毎に表示パターンに対応した電圧が印加される。尚、
図２ではパターン４Ａとして文字の「Ｈ」が表示してお
り、斜線を施した部分に電圧が印加されている。背景部
４Ｂに相当する個所のドットに電圧が印加されている
が、この表示方法はノーマリーオープンモードによる表
示と呼ばれている。液晶マスク４を透過したレーザビー
ム２′は、ビームスプリッタ６により分離された後、結
像レンズ７によりＳｉウエハ８上に照射されパターン９
Ａが刻印される。
【００１３】図３はノーマリーオープンモードで表示さ
れた液晶マスク４の電気光学特性図の一例を示すもの
で、横軸は駆動電圧、縦軸はレーザビーム透過率で、液
晶マスク４に照射されるレーザビームの内、Ｓｉウエハ
８上に照射されるレーザビーム２の割合を示す。液晶マ
スク４としてはツイストネマテイック型液晶を使用し
た。駆動電圧Ｖ１とした時の刻印部の透過率Ｔ１と背景
部の透過率Ｔ２の比は、コントラスト（Ｋ）と呼ばれ、
Ｋ＝Ｔ１／Ｔ２であり、液晶マスクでは有限の値とな
る。つまり、刻印用パターン形成手段として液晶マスク
を使用したマーカでは、背景部にもレーザビームが照射
されることになるが、この点が金属マスクを用いたマー
カと根本的に異なっている。即ち、金属マスクでは背景
部の透過率は０であり、Ｋ＝∞である。
れた液晶マスク４の電気光学特性図の一例を示すもの
で、横軸は駆動電圧、縦軸はレーザビーム透過率で、液
晶マスク４に照射されるレーザビームの内、Ｓｉウエハ
８上に照射されるレーザビーム２の割合を示す。液晶マ
スク４としてはツイストネマテイック型液晶を使用し
た。駆動電圧Ｖ１とした時の刻印部の透過率Ｔ１と背景
部の透過率Ｔ２の比は、コントラスト（Ｋ）と呼ばれ、
Ｋ＝Ｔ１／Ｔ２であり、液晶マスクでは有限の値とな
る。つまり、刻印用パターン形成手段として液晶マスク
を使用したマーカでは、背景部にもレーザビームが照射
されることになるが、この点が金属マスクを用いたマー
カと根本的に異なっている。即ち、金属マスクでは背景
部の透過率は０であり、Ｋ＝∞である。
【００１４】そして、本発明者等の実験によれば、Ｓｉ
ウエハ８への刻印において鮮明な刻印が実現できるコン
トラストの範囲は１.５＜Ｋ＜１０ であることが分かっ
た。このことは、図３において駆動電圧Ｖ１，Ｖ２に対
するコントラスト（Ｋ）がそれぞれＴ１／Ｔ２＝１.５
，ｔ１／ｔ２＝１０とすると、刻印時には駆動電圧を
Ｖ１〜Ｖ２の間で制御すれば良いことになる。即ち、Ｓ
ｉウエハ８への刻印においては、刻印部へのレーザ照射
に加えて背景部９Ｂへのレーザ照射（加熱用エネルギー
の注入）が重要であることがわかった。
ウエハ８への刻印において鮮明な刻印が実現できるコン
トラストの範囲は１.５＜Ｋ＜１０ であることが分かっ
た。このことは、図３において駆動電圧Ｖ１，Ｖ２に対
するコントラスト（Ｋ）がそれぞれＴ１／Ｔ２＝１.５
，ｔ１／ｔ２＝１０とすると、刻印時には駆動電圧を
Ｖ１〜Ｖ２の間で制御すれば良いことになる。即ち、Ｓ
ｉウエハ８への刻印においては、刻印部へのレーザ照射
に加えて背景部９Ｂへのレーザ照射（加熱用エネルギー
の注入）が重要であることがわかった。
【００１５】これは図４に示すように、背景部９Ｂの加
熱により、パターン９Ａの刻印部に注入されたエネルギ
ーの周辺部への拡散が抑制されるため、パターン９Ａの
刻印部の均一な温度上昇が実現される結果、刻印部全面
に亘って図５の微小突起１４〜１６（後述する）が形成
されるものと推定された。なお、Ｋ＜１.５ では、刻印
部と背景部の区別不能となり、１０＜Ｋでは刻印部の温
度上昇は不均一なものとなり、均一な微小突起の形成が
不可能になるため、鮮明な刻印を実現できない。ところ
で、ＩＣチップのようにプラスチック樹脂でモールドさ
れた電子部品の刻印ではＳｉウエハと比較して、熱伝導
率が極端に低いので、コントラストが高くなければ、鮮
明な刻印が得られず、通常は６〜７＜Ｋとなるように駆
動電圧が選定される。
熱により、パターン９Ａの刻印部に注入されたエネルギ
ーの周辺部への拡散が抑制されるため、パターン９Ａの
刻印部の均一な温度上昇が実現される結果、刻印部全面
に亘って図５の微小突起１４〜１６（後述する）が形成
されるものと推定された。なお、Ｋ＜１.５ では、刻印
部と背景部の区別不能となり、１０＜Ｋでは刻印部の温
度上昇は不均一なものとなり、均一な微小突起の形成が
不可能になるため、鮮明な刻印を実現できない。ところ
で、ＩＣチップのようにプラスチック樹脂でモールドさ
れた電子部品の刻印ではＳｉウエハと比較して、熱伝導
率が極端に低いので、コントラストが高くなければ、鮮
明な刻印が得られず、通常は６〜７＜Ｋとなるように駆
動電圧が選定される。
【００１６】本発明の刻印方法においては、発振器から
の出射レーザビームの強度分布の均一性は重要で、液晶
マスク面上で±５％程度の均一性が要求され、レーザ発
振器としてはスラブレーザが適している。この点におい
て、従来よりＳｉウエハ表面への刻印に使用されている
基本モードあるいは低次モードの発振器は使用できな
い。
の出射レーザビームの強度分布の均一性は重要で、液晶
マスク面上で±５％程度の均一性が要求され、レーザ発
振器としてはスラブレーザが適している。この点におい
て、従来よりＳｉウエハ表面への刻印に使用されている
基本モードあるいは低次モードの発振器は使用できな
い。
【００１７】図５はＳｉウエハ８上に形成された刻印の
拡大模式図を示すもので、レーザビームが照射された刻
印部には多数の微小突起１４〜１６が形成されている。
顕微鏡での観察によると、突起は円形あるいは帯状を呈
しており、概略高さ１μｍ以下で直径は０.５〜１.０μ
ｍ、相互の間隔はおよそ１.５〜２.５μｍ、密度は１.
６〜４.５×１０7 個のオーダであった。このように刻
印部の微小突起は非常に緻密に分布しており、光が乱反
射されるので、背景部とは容易に識別可能となる。この
場合パルスレーザビームの照射条件は、照射エネルギー
密度＝４０Ｊ／cm2，パルス幅＝０.１５ｍｓで、Ｓｉウ
エハは結晶方位(１００)の研磨品を使用した。また照射
エネルギー密度の下限はパルス幅によって異なるが、パ
ルス幅＝０.０５ｍｓの時２０Ｊ／cm2、パルス幅０.１
５ｍｓの時３０Ｊ／cm2、パルス幅０.４ｍｓの時３５Ｊ
／cm2、であり、この値以下では表面に溶融が起こらな
いので、微小突起が形成されない。多数の微小突起１４
〜１６に光が照射されると、光の乱反射により、パター
ン９Ａは視認性に優れた鮮明な刻印となる。
拡大模式図を示すもので、レーザビームが照射された刻
印部には多数の微小突起１４〜１６が形成されている。
顕微鏡での観察によると、突起は円形あるいは帯状を呈
しており、概略高さ１μｍ以下で直径は０.５〜１.０μ
ｍ、相互の間隔はおよそ１.５〜２.５μｍ、密度は１.
６〜４.５×１０7 個のオーダであった。このように刻
印部の微小突起は非常に緻密に分布しており、光が乱反
射されるので、背景部とは容易に識別可能となる。この
場合パルスレーザビームの照射条件は、照射エネルギー
密度＝４０Ｊ／cm2，パルス幅＝０.１５ｍｓで、Ｓｉウ
エハは結晶方位(１００)の研磨品を使用した。また照射
エネルギー密度の下限はパルス幅によって異なるが、パ
ルス幅＝０.０５ｍｓの時２０Ｊ／cm2、パルス幅０.１
５ｍｓの時３０Ｊ／cm2、パルス幅０.４ｍｓの時３５Ｊ
／cm2、であり、この値以下では表面に溶融が起こらな
いので、微小突起が形成されない。多数の微小突起１４
〜１６に光が照射されると、光の乱反射により、パター
ン９Ａは視認性に優れた鮮明な刻印となる。
【００１８】一方、パルス幅＝０.０５ｍｓの時３０Ｊ
／cm2 、パルス幅０.１５ｍｓの時４８Ｊ／cm2 、パル
ス幅０.４ｍｓ の時５０Ｊ／cm2 、を越えるエネルギー
密度では表面で部分的に蒸発が起きるため塵埃が発生
し、刻印不良となる。なお、表面にＳｉＯ2 膜が形成さ
れたＳｉウエハの場合には、レーザビーム照射部には微
小突起ではなくて、概略高さ１μｍ程度の山脈状の皺が
多数本観測され、照射エネルギー密度の下限は上記値よ
り２０％程度低くなる。
／cm2 、パルス幅０.１５ｍｓの時４８Ｊ／cm2 、パル
ス幅０.４ｍｓ の時５０Ｊ／cm2 、を越えるエネルギー
密度では表面で部分的に蒸発が起きるため塵埃が発生
し、刻印不良となる。なお、表面にＳｉＯ2 膜が形成さ
れたＳｉウエハの場合には、レーザビーム照射部には微
小突起ではなくて、概略高さ１μｍ程度の山脈状の皺が
多数本観測され、照射エネルギー密度の下限は上記値よ
り２０％程度低くなる。
【００１９】次に、本発明の別の実施例を図６及び図７
により説明する。
により説明する。
【００２０】図６は図１の実施例において加工物として
Ｓｉウエハ８の保持方法を変更したもので、真空容器２
２（真空排気装置は省略した）内にＳｉウエハを垂直に
保持した状態でレーザビーム５が照射される。この構成
によれば、レーザビーム５照射時にわずかに発生する１
μｍ以下の塵埃がＳｉウエハ表面に付着するのを防止で
きる。それはＳｉウエハにレーザビーム５を照射下時に
生じる塵埃は真空容器内面に飛び散るからである。２３
はガラス製の透過窓、２４は反射鏡である。
Ｓｉウエハ８の保持方法を変更したもので、真空容器２
２（真空排気装置は省略した）内にＳｉウエハを垂直に
保持した状態でレーザビーム５が照射される。この構成
によれば、レーザビーム５照射時にわずかに発生する１
μｍ以下の塵埃がＳｉウエハ表面に付着するのを防止で
きる。それはＳｉウエハにレーザビーム５を照射下時に
生じる塵埃は真空容器内面に飛び散るからである。２３
はガラス製の透過窓、２４は反射鏡である。
【００２１】図７はパターン形成用マスクとして金属マ
スク２９を使用している。上述したように金属マスクの
場合コントラストＫ＝∞であり、レーザビーム照射時に
背景部へのエネルギー注入は０である。それで、本実施
例では、金属マスク２９のパターン穴を通過したパター
ンを有するレーザビーム２８は、反射鏡３０で反射され
Ｓｉウエハを照射する。Ｓｉウエハ８は加熱用ヒータ２
６により、Ｓｉウエハ８を予熱した状態でレーザビーム
２８を照射するよう構成して、パターンの刻印部に注入
されたエネルギーの背景部への拡散を抑制して、パター
ン溶融時間を速くすると共に、均一な微小突起の形成を
確保するようにした。
スク２９を使用している。上述したように金属マスクの
場合コントラストＫ＝∞であり、レーザビーム照射時に
背景部へのエネルギー注入は０である。それで、本実施
例では、金属マスク２９のパターン穴を通過したパター
ンを有するレーザビーム２８は、反射鏡３０で反射され
Ｓｉウエハを照射する。Ｓｉウエハ８は加熱用ヒータ２
６により、Ｓｉウエハ８を予熱した状態でレーザビーム
２８を照射するよう構成して、パターンの刻印部に注入
されたエネルギーの背景部への拡散を抑制して、パター
ン溶融時間を速くすると共に、均一な微小突起の形成を
確保するようにした。
【００２２】又、半導体製造工程においてＳｉウエハの
加熱工程が含まれる場合には、その工程内で刻印作業を
実施することにより、単独での予熱作業を省略できる。
Ｎｄ：ＹＡＧレーザビームの波長１.０６４ｎｍ はガラ
ス窓を損失無く通過できるので、加熱炉外からのレーザ
ビーム照射も可能である。尚、金属マスク使用時にはレ
ーザ発振器２７からのレーザビーム２８は直線偏光でな
くても良い。金属マスク以外の液晶マスクを使用して
も、この液晶マスクが上述の液晶マスクと異なり、パタ
ーン以外の背景部が加熱されない場合には、加工物を加
熱用ヒータ２６で暖めても良い。又レーザビーム照射時
の発生熱が背景部に拡散しない程度に周囲温度を高くし
ても良い。
加熱工程が含まれる場合には、その工程内で刻印作業を
実施することにより、単独での予熱作業を省略できる。
Ｎｄ：ＹＡＧレーザビームの波長１.０６４ｎｍ はガラ
ス窓を損失無く通過できるので、加熱炉外からのレーザ
ビーム照射も可能である。尚、金属マスク使用時にはレ
ーザ発振器２７からのレーザビーム２８は直線偏光でな
くても良い。金属マスク以外の液晶マスクを使用して
も、この液晶マスクが上述の液晶マスクと異なり、パタ
ーン以外の背景部が加熱されない場合には、加工物を加
熱用ヒータ２６で暖めても良い。又レーザビーム照射時
の発生熱が背景部に拡散しない程度に周囲温度を高くし
ても良い。
【００２３】なお、実施例としてＳｉウエハに刻印する
場合を説明したがＳｉチップ（配線パターンが形成され
たもの）等の電子部品への刻印にも本発明は適用でき
る。
場合を説明したがＳｉチップ（配線パターンが形成され
たもの）等の電子部品への刻印にも本発明は適用でき
る。
【００２４】
【発明の効果】本発明では、パターンの周囲の背景部を
溶融しない程度に加熱した状態でパルスレーザビームを
加工物のパターンに照射するので、加工物のパターン刻
印部に注入されたエネルギーが背景部に拡散するのを抑
制して、少ないレーザエネルギーで鮮明な刻印を実現す
る。又レーザビームを照射時の溶融部材の蒸発による塵
埃の発生を抑制することができる。
溶融しない程度に加熱した状態でパルスレーザビームを
加工物のパターンに照射するので、加工物のパターン刻
印部に注入されたエネルギーが背景部に拡散するのを抑
制して、少ないレーザエネルギーで鮮明な刻印を実現す
る。又レーザビームを照射時の溶融部材の蒸発による塵
埃の発生を抑制することができる。
【図１】この図は本発明の実施例として示した液晶レー
ザマーキング装置の概略説明図である。
ザマーキング装置の概略説明図である。
【図２】図１に使用した液晶マスクの概略図である。
【図３】図１及び図２の液晶マスクの電気光学特性を示
す説明図である。
す説明図である。
【図４】図１及び図３の加工物の温度特性を示す特性図
である。
である。
【図５】図１に使用したＳｉウエハの平面図である。
【図６】本発明の他の実施例である液晶レーザマーキン
グ装置の概略説明図である。
グ装置の概略説明図である。
【図７】本発明の他の実施例であるレーザマーキング装
置の概略説明図である。
置の概略説明図である。
１…パルスレーザ発振器、４…液晶マスク、８…Ｓｉウ
エハ、９Ａ…パターン、９Ｂ…背景部、１４〜１６…微
小突起、２６…加熱用ヒータ、２９…金属マスク。
エハ、９Ａ…パターン、９Ｂ…背景部、１４〜１６…微
小突起、２６…加熱用ヒータ、２９…金属マスク。
Claims (5)
- 【請求項１】パターンマスクを透過したパルスレーザビ
ームを照射して加工物表面にパターン刻印部を得る方法
において、前記パターン刻印部周囲の背景部を、パルス
レーザビームが前記パターン刻印部を照射する時の到達
温度より低い温度に加熱することを特徴とする加工物へ
の刻印方法。 - 【請求項２】パターンを有する液晶マスクを透過したパ
ルスレーザビームをシリコン，ゲルマニュウム，ガリュ
ームひ素等の半導体ウエハあるいは、これら半導体から
成る電子部品表面に照射し所望のパターンを刻印する方
法において、前記液晶マスクのコントラストをＫとする
時、１.５＜Ｋ＜１０となるように液晶マスクの駆動電
圧を選定することを特徴とする加工物への刻印方法。 - 【請求項３】前記加工物又は半導体ウエハ又は電子部品
を予熱することを特徴とする請求項１または２記載の加
工物への刻印方法。 - 【請求項４】パルスレーザビームのパルス幅を０.０５
ｍｓ〜０.４ｍｓに選定した時に加工物上のパルスレー
ザビームのエネルギー密度を２０〜５０Ｊ／cm2 に選定
したことを特徴とする請求項１，２，３のいずれか１項
記載の加工物への刻印方法。 - 【請求項５】パターンを有する液晶マスクを透過したパ
ルスレーザビームをシリコン，ゲルマニュウム，ガリュ
ームひ素等の半導体ウエハ又はこれら半導体から成る電
子部品表面に照射し所望のパターンを刻印する方法にお
いて、前記液晶マスクのコントラストＫとする時、１.
５＜Ｋ＜１０となるように液晶マスクの電極に駆動電圧
を印加すると共に、パルスレーザビームのパルス幅を
０.０５ｍｓ〜０.４ｍｓの範囲に選定し、パルスレーザ
ビームのエネルギー密度を２０〜５０Ｊ／cm2 の範囲で
半導体ウエハあるいはこれら半導体から成る電子部品に
照射して、複数の突起部を形成したパターン刻印部を得
ることを特徴とする加工物への刻印方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9015020A JPH10211593A (ja) | 1997-01-29 | 1997-01-29 | 加工物への刻印方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9015020A JPH10211593A (ja) | 1997-01-29 | 1997-01-29 | 加工物への刻印方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10211593A true JPH10211593A (ja) | 1998-08-11 |
Family
ID=11877177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9015020A Pending JPH10211593A (ja) | 1997-01-29 | 1997-01-29 | 加工物への刻印方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10211593A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100431767C (zh) * | 2005-08-31 | 2008-11-12 | 江苏大学 | 一种基于液晶掩模技术的激光表面冲击加工的方法和装置 |
| CN102500923A (zh) * | 2011-09-21 | 2012-06-20 | 长春理工大学 | 基于飞秒激光在硅表面制备功能微纳米材料的制备装置和方法 |
| CN102699537A (zh) * | 2012-05-18 | 2012-10-03 | 杭州士兰明芯科技有限公司 | 激光剥离led衬底的系统及方法 |
| JP2015074562A (ja) * | 2013-10-04 | 2015-04-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2017087296A (ja) * | 2011-09-27 | 2017-05-25 | ハンゼン，ベルント | 構造を生成するための方法および方法により生産される製品 |
-
1997
- 1997-01-29 JP JP9015020A patent/JPH10211593A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100431767C (zh) * | 2005-08-31 | 2008-11-12 | 江苏大学 | 一种基于液晶掩模技术的激光表面冲击加工的方法和装置 |
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| CN102500923B (zh) * | 2011-09-21 | 2015-03-11 | 长春理工大学 | 基于飞秒激光在硅表面制备功能微纳米材料的制备装置和方法 |
| JP2017087296A (ja) * | 2011-09-27 | 2017-05-25 | ハンゼン，ベルント | 構造を生成するための方法および方法により生産される製品 |
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| JP2015074562A (ja) * | 2013-10-04 | 2015-04-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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