JP2000042763A - レーザビームによるドットマーク形態と、そのマーキング装置及びマーキング方法 - Google Patents

レーザビームによるドットマーク形態と、そのマーキング装置及びマーキング方法

Info

Publication number
JP2000042763A
JP2000042763A JP10209696A JP20969698A JP2000042763A JP 2000042763 A JP2000042763 A JP 2000042763A JP 10209696 A JP10209696 A JP 10209696A JP 20969698 A JP20969698 A JP 20969698A JP 2000042763 A JP2000042763 A JP 2000042763A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
laser beam
marking
pattern display
transmitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10209696A
Other languages
English (en)
Inventor
Teiichiro Chiba
貞一郎 千葉
Yukinori Matsumura
幸紀 松村
Takasuke Komura
隆輔 小村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Komatsu Ltd
Original Assignee
Komatsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Komatsu Ltd filed Critical Komatsu Ltd
Priority to JP10209696A priority Critical patent/JP2000042763A/ja
Publication of JP2000042763A publication Critical patent/JP2000042763A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
    • B41J2/44—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using single radiation source per colour, e.g. lighting beams or shutter arrangements
    • B41J2/442—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using single radiation source per colour, e.g. lighting beams or shutter arrangements using lasers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
    • B41J2/465—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using masks, e.g. light-switching masks

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
  • Laser Beam Printer (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】刻印面の中心部を溶融蒸発しない状態で所望の
大きさ及び形状のドットマーク形成を可能にすると共
に、光学的な判読性を向上させたレーザビームによるド
ットマーク、そのマーキング装置及び方法を提供する。 【解決手段】多数の光透過単位がマトリクス状に配さ
れ、選択された所望の光透過単位を光非透過状態とした
パターン表示手段40を備え、発振器20からのビームをパ
ターン表示手段に照射し、透過したビームにより、光学
系を介してワーク70の表面に所望のパターンを刻印する
ビームによるマーキング装置であって、マトリクス状に
配された光透過単位の中心部には、照射されるビームを
半透過状態又は非透過状態におく遮蔽手段50が配されて
いる。この装置により形成されるドットマークは中心部
に滑らかな曲面をもつ膨出部と、膨出部の周辺に形成さ
れるリング状の凹陥部とからなり、膨出部の頂点がワー
クの刻印面とほぼ同一面上で形成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の技術分野】本発明は半導体ウェハ表面のマー
キング位置、各種のガラス薄板、ベアチップなどの電極
（パッド）、ＩＣ表面、各種セラミック製品、さらには
ＩＣのリード部などの被マーキング物品の表面にマーキ
ングされる製品管理用或いは各種セキュリティ用のため
に、特有の形状をもつドットマークが形成できると共
に、その光学的な視認性を向上させたレーザビームによ
るドットマーク形態と、そのマーキング装置及びマーキ
ング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、半導体製造工程にあっては、各
工程ごとに多様で且つ厳密な製造条件を設定する必要が
あり、これらを管理するために、半導体ウェハの一部表
面に数字、文字或いはバーコードなどからなるマーキン
グがドット表示される。
【０００３】このドットによるマーキングは、レーザビ
ームを光学系を介して半導体ウェハの一部表面にスポッ
ト状に照射し、このスポット状に照射した半導体ウェハ
の表面の一部を過熱溶融させ、この溶融した表面を蒸発
除去させることによりなされる。
【０００４】レーザ光をスポット状に照射した表面の温
度は、図７に示すように、例えば固相から液相を経て気
相に達する３相を転移しながら上昇する。図８に示すよ
うに、ビームプロファイルがガウシアン形状のレーザビ
ームを半導体ウェハの一部表面にスポット状に照射する
と、照射された中央部分の表面温度は融点を経て上昇し
（図７の（ｃ）〜（ｂ）参照）、その中央部分が溶融し
始める（図８の（ａ）〜（ｂ）参照）。他方、その周辺
部分の表面温度は過熱状態にある（図７の（ｃ）参
照）。さらに、レーザ照射時間が経過すると、溶融した
中心部分の表面温度は沸点を経て上昇する（図７の
（ｂ）〜（ａ）参照）。この状態で、この表面の中心部
分からの強力な熱拡散（熱伝導）により、その周辺部分
の表面温度は融点を経て上昇し（図７の（ｂ））、その
周辺部分が溶融し始める（図８の（ｂ）参照）。
【０００５】こうして、表面に吸収されたレーザビーム
の照射エネルギーによって完全に溶融した表面の温度
は、より上昇する（図７の（ａ）参照）。この状態で、
溶融した表面の中心部分はエネルギー密度が高いため
に、この部分には融解熱や蒸散熱の潜熱が最も集中して
蒸散し始める（図８の（ｃ）参照）。さらに、この溶融
蒸散した表面の中心部分から周辺部分への強力な熱伝導
により、溶融蒸散した材料表面は内側方向から外側方向
に急激に移動される。この溶融蒸発現象により、この材
料表面は蒸発除去加工され、例えば図９に示すように、
ドットマークの周辺部に溶融堆積物が堆積した凹陥形状
のドットマークが形成される。
【０００６】このドットマーキングがなされた半導体ウ
ェハは、例えば特開平２−２９９２１６号公報に開示さ
れているごとく、Ｈｅ−Ｎｅレーザのレーザ光の照射に
よる反射率の変化、あるいは通常のレーザ光の熱波の振
動の変化として読み取られ、その読み取られた情報に基
づいて、以降の製造工程における各種の製造条件などが
設定される。
【０００７】しかして、半導体の製造工程数は１００工
程以上にもおよび、しかも各工程において多数の素子形
成処理や平坦化処理がなされる。これらの処理には、例
えばレジスト塗布、レジスト上へのパターンの縮小投影
やレジスト現像、あるいは銅配線などにより発生するギ
ャップの埋め込みのために絶縁膜や金属膜などの各種の
成膜による平坦化がある。従って、前述の読み取りが正
確になされず、誤った情報として読み取る場合には、偶
然を除くと全てが不良品となる。その読み取り不良の原
因の大半はドットマーキングによるマークの不鮮明さに
基づいている。この不鮮明さの一つの要因としては、マ
ークを形成するドットマークの深さが少ない場合に、例
えば上述の成膜によりドットマークが埋められてしまう
ためであり、そのためドットマークの深さをある程度深
くする必要がある。
【０００８】かかる不具合を解消すべく、例えば特開昭
５９−８４５１５号公報、特開平２−２０５２８１号公
報によると、比較的小さいエネルギーのパルスレーザ光
を同一ポイントに重複して照射するものがある。前者に
あっては、１個のドットマークを形成するにあたり各パ
ルスごとに順次ドット径を小さくして、同一ポイントに
複数回重複して照射し、ドットの孔径を順次小さくしな
がら深いドットマークを形成しており、後者にあって
は、１回目のレーザパルス照射を１ＫＨZ 以下の周波数
とし、続いて照射されるレーザパルスの周波数を２〜５
ＫＨZ の高繰り返し周波数として、０．５〜１．０μｍ
あるいは１．０〜１．５μｍの深さのドットマークを形
成している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、通常の
レーザビームを半導体ウェハ表面に照射すると、半導体
ウェハの溶融表面中央部分には、融解熱や蒸散熱の潜熱
が最も集中する。このため、この中央部分の温度が急激
に高くなり、この表面が溶融蒸散（固相から気相への相
対変化）される。図９に示すように、常時、溶融除去さ
れた溶融物がドットマーク周辺に飛散して、その飛散物
がドットマークの周辺部などに付着して高く堆積する。
さらに、所要のドット深さを得ようとして、通常は大エ
ネルギーのレーザビーム照射により半導体ウェハの表面
をスポット状に溶融蒸発除去してドットマークを形成し
ているが、パルスエネルギーの強度を大きくしすぎる
と、急激な温度勾配によって、溶融した表面が周辺方向
に急激に移動する。この急激な移動に伴って生じる反動
によって、この溶融表面の中央部分は上側方向に膨出す
る。そして遂には、この膨出部分は破裂し、破裂した溶
融表面は大きな粒子になり、この大きな粒子はドットマ
ークの周辺部などに高く沈着する。これによって、ドッ
トマークの周辺部などに溶融堆積物が存在する奇形或い
は不均整な大きさ（径）のドットマークが形成されやす
いという問題点があった。
【００１０】また、上記ドットマークに対する読み取り
の不鮮明さの原因の一つとしては、上述の深さにあるこ
とも確かではあるが、ドットマークの深さが深くされて
いても、ドットマークの周辺部に付着して堆積する溶融
堆積物、マーキング時に盛り上がったドットマークの周
辺部又は奇形のドットマークなどによって生じる乱反射
光により、光の反射方向及びその反射量に大きな差がな
いために、ドットの加工穴とその周辺との明暗差に低下
を生じ、判読することが困難になるという問題点があっ
た。
【００１１】また、ドットの加工穴（中央の凹陥部）の
径が大きい場合には、例えば所要の深さを得るに十分な
レーザ光を照射する場合に、そのエネルギー密度は一般
にガウシアン分布であるため、全体としては滑らかな曲
面となってしまい、上述の如き読み取り手段ではドット
の加工穴と周辺との差を判断しがたい場合がある。
【００１２】さらにまた、上述の各種の成膜による平坦
化処理によってドットの深さが浅くなり、視認性が低下
する。上記の問題点に加えて、このドットマーキングは
素子形成を不可能にし、品質に大きな影響を与えるとい
う問題点があった。
【００１３】他方、上記特開昭５９−８４５１５号公報
の開示によれば、同公報の図面から、形成されるドット
形状もガウシアン形状に近似している。また、上記特開
平２−２０５２８１号公報には、そのドット形状につい
てもガウシアン形状であると紹介されているに過ぎな
い。
【００１４】従って、これらの公報に開示されたマーキ
ング方法によれば、所要のドット深さ及びある程度の均
整な大きさのドットマークが形成されるとは考えられる
ものの、形成されたドット形状は従来の形状に近く、従
って、上記視認性の点では相変わらず確実性に欠けてい
るといわざるを得ない。
【００１５】本発明は、かかる従来の課題を解消すべく
なされたものであり、その具体的な目的は、ドットマー
クの中央部を溶融蒸発させないで所望の大きさ及び形状
のドットマークを高精度に且つ正確に形成できると共
に、ドットマークの有無による光学的読み取り誤認や不
能を回避して光学的な判読性を向上させたレーザビーム
によるドットマーク形態、そのマーキング装置及びマー
キング方法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段及び作用効果】前記目的
は、本件請求項１〜１３に記載された各発明により達成
される。上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねたとこ
ろ、レーザビームを被マーキング物品としての半導体ウ
ェハの表面に照射する際に、ドットマークにおける刻印
面の中央部分を蒸発除去加工させない状態で、照射ポイ
ントの刻印面の周辺部分だけを溶融変形させることによ
り上記問題が解決することを知った。
【００１７】すなわち、本発明のドットマーキングにあ
っては、レーザビームを被マーキング物品の一部表面に
照射する光路上でレーザビームの中央部分を半透過及び
非透過状態におくことによって、エネルギー密度分布形
状の中心にあたるレーザ強度の高い部分のエネルギーを
遮断して、エネルギー密度分布形状の周辺にあたるレー
ザ強度の低い部分のエネルギーを刻印面の周辺部分に照
射する。こうして、ドットマーク加工部における刻印面
の中央部分が蒸散除去領域の温度分布に達しない段階
で、すなわち、刻印面の周辺部分が、照射開始から照射
終了までの所定の照射時間内を液相の温度分布を保った
状態で溶融変形されて、所望のドットマークが効率的に
且つ速やかに形成される。従って、融解熱及び蒸発熱が
集中する穴中央部からの強力な熱伝導による熱エネルギ
ーを防止することができ、蒸散させずに刻印面に効果的
にドットマーク加工を施すことができる。また、ドット
マークの周辺部に溶融堆積物が飛散して付着することが
防止でき、ドットマークの周辺部には、通常ではドット
マーキング時に盛り上がる溶融堆積物が存在しない平滑
面からなる所望のドットマークが形成できる。
【００１８】本発明におけるドットマークは、請求項１
に係る発明のごとく、レーザ発振器からのレーザビーム
を光学系を介して被マーキング物品の表面に照射するこ
とにより、同表面に刻印されるドットマーク形態であっ
て、中心部に滑らかな曲面をもって膨出する膨出部と、
同膨出部の周辺に形成されるリング状の凹陥部とを有
し、前記膨出部の頂点が被マーキング物品の刻印面とほ
ぼ同一面上、或いはそれ以下である。このため、ドット
マークの周辺部などによる乱反射光が殆どなくなるた
め、ドットマークとその周辺との間の明暗差は大きくな
り、ドットマークの有無による光学的読取装置の読み取
り誤認及び不能を防止して視認性も高くなり、ドットマ
ークの読み込みが確実になされるようになる。そして、
ドットマーキング部分に成膜やエッチングなどの加工が
繰り返しなされても、明暗差の低下が少なく、ドットマ
ークと周辺との間に明暗差が維持され、視認性が確保さ
れる。
【００１９】ドットマークに対する視認性に関しては、
ドットマークとその周辺における光の反射方向及びその
反射量に大きな差がある場合に視認性が高くなる。従っ
て、本件請求項１に係る発明のドットマークは、前記膨
出部とリング状の凹陥部とが形成された凹凸形状を呈
し、加えて、穴の周辺部が盛り上がり部分のない平滑面
である形状になっているから、この膨出部の表面と穴の
周辺部の平滑面とにおける反射光が略一定方向に反射し
て明度が高くなり、一定の入射角で入射されたリング状
の凹陥部内における反射光は乱反射して、この凹陥部内
から反射される反射光が少なくなり、明度が低くなる。
従って、凹陥部とその周辺との明暗差が大きくなり、光
学的読み取り装置により光学的読み取りの誤認及び不能
を生じないでドットマークの読み込みが確実になされる
ことになる。
【００２０】本件請求項１に係る発明のドットマーク
は、請求項２に係る発明のごとく多数の光透過単位がマ
トリクス状に配され、選択された所望の光透過単位を光
非透過状態として、所要のパターンを表示したパターン
表示手段を備え、レーザ発振器からのレーザビームを前
記パターン表示手段に照射し、同パターン表示手段を透
過したレーザビームにより、光学系を介して被マーキン
グ物品の表面に所望の刻印パターンを刻印するレーザビ
ームによるマーキング装置であって、前記マトリクス状
に配された光透過単位の中心部には、照射されるレーザ
ビームを半透過状態又は非透過状態におく透過光の遮蔽
手段が配されてなることを特徴とするマーキング装置に
より確実に形成される。
【００２１】ここで、本発明にあって「光透過単位」と
は、例えば１文字の所要のパターンが光透過部分及び光
非透過部分のドットマトリクスで形成される画素単位に
相当する。
【００２２】そして、本件請求項２に係る発明のマーキ
ング装置にあっては、請求項３に係る発明のごとく前記
半透過状態にある光透過単位を透過するレーザビームの
エネルギーは被マーキング物品を液相状態に維持する範
囲内であることを規定している。
【００２３】また、前記パターン表示手段としては多様
な手段が採用できる。請求項４に係る発明は、前記パタ
ーン表示手段として、マトリクス状に配された光透過単
位としての液晶を有してなる液晶パターン表示体と、各
液晶を前記所要のパターンを駆動表示すべく光透過状態
と光非透過状態とに制御駆動する制御装置とからなるこ
とを規定している。電圧を制御することで光透過率を変
化させる。
【００２４】そして、請求項５に係る発明にあっては、
前記パターン表示手段が、前記マトリクス状に配された
光透過単位のうち所望の光透過単位を光非透過膜で被覆
して、所要のパターンを表示した光透過性板材からなる
ことを規定し、請求項６に係る発明にあっては、前記光
透過性板材がガラスからなり、前記光非透過膜がクロム
金属であることを規定している。この光透過性板材及び
光非透過膜は他の材料を用いることが可能である。
【００２５】そして更に、請求項７に係る発明は、前記
パターン表示手段が、前記マトリクス状に配された光非
透過単位のうち所望の光非透過単位ごとに光透過孔が形
成され、所要のパターンを表示した光非透過性板材から
なることを規定し、請求項８に係る発明にあっては、前
記光非透過性板材がパターン表示部にクロム金属皮膜を
形成したガラス板材からなることを規定している。
【００２６】また、上述のパターン表示手段と同様に、
前記透過光による遮蔽手段は各種のパターン表示手段に
応じて様々な手段が採用できる。例えば、この遮蔽手段
は液晶装置（液晶マスク）の各液晶の中心部に形成され
る光非透過膜又は光半透過膜であってもよく、パターン
表示手段の前・後のいずれに配してもよい。例えば、液
晶装置に対向して配され、その各液晶の中心部に対向す
る表面が光非透過膜又は光半透過膜に形成された光透過
性薄膜体であってもよい。前記遮蔽手段とパターン表示
手段とは一体又は別体であってもよい。
【００２７】そこで、請求項９に係る発明は、前記遮蔽
手段が、前記マトリクス状に配された光透過単位の中心
部に形成される光非透過膜であることを規定し、請求項
１０に係る発明にあっては、前記遮蔽手段は、前記液晶
パターン表示体、光透過性板材又は光非透過性板材に対
向して配された光透過性薄膜体からなり、マトリクス状
に配された光透過単位の中心部に対応する光透過性薄膜
体の部位には光非透過膜が形成されてなることを規定し
ている。更に、請求項１１に係る発明にあっては、前記
光透過性薄膜体が合成石英からなり、前記光非透過膜が
クロム金属であることを規定している。この光透過性薄
膜体は他の透明材料を含んでいる。光非透過膜は光半透
過性の他の金属を用いることも可能である。廉価な部品
を採用することができ、コストを低減することができ
る。
【００２８】かかる構成により、遮蔽手段は、エネルギ
ー密度分布形状の中心部にあたるレーザ強度の高い部分
の照射光を遮断又は半透過状態として、一般のレーザビ
ームにおけるエネルギー密度分布形状の周辺部にあたる
エネルギー強度の低い部分の照射光を透過させるように
制御できる。
【００２９】また、表面のエネルギー密度、レーザパル
ス幅及びレーザ波長などのレーザ加工パラメータに応じ
て、前記遮蔽手段の形状及び大きさを任意に選択するこ
とも可能である。また、本発明特有のドットマーク形態
を形成するために必要なレーザ照射の中心部における光
透過率を任意に選択することもできる。
【００３０】ところで、本発明における加工対象として
の被マーキング物品は、半導体ウェハ、液晶薄板などの
ガラス薄板、ベアチップなどの電極（パッド）、ＩＣ表
面、各種セラミック製品、さらにはＩＣのリード部など
がある。また、前記半導体ウェハとは、シリコンウェハ
それ自体である場合が代表的ではあるが、その他にウェ
ハ表面に酸化膜や窒化膜が形成されたもの、更にはエピ
タキシャル成長させたウェハ、ガリウム砒素、インジウ
ムリン化合物が表面に形成されたウェハを含むものであ
る。また、液晶装置に対するレーザビームの照射は、一
括照射又は液晶マスクに対してレーザビームを走査させ
て照射する方法が採用される。例えばフライアイレンズ
やバイナリーオプティクス、シリンドリカルレンズを使
用した液晶装置のパターンマスク面上を一括して照射す
る方式や、ポリゴンミラー、ミラースキャナなどのアク
チュエータによりミラー駆動してマスク面上をビーム走
査する方式を備えたビームホモジナイザを採用すること
ができる。
【００３１】本発明のレーザビームによるマーキング方
法は、以上のマーキング装置を使って実施される。その
代表的な方法が、請求項１２に係る発明であり、多数の
光透過単位がマトリクス状に配され、選択された所望の
光透過単位を光非透過状態として、所要のパターンを表
示するパターン表示手段を備え、レーザ発振器からのレ
ーザビームを前記パターン表示手段に照射し、同パター
ン表示手段を透過したレーザビームにより、被マーキン
グ物品の表面に所望の刻印パターンを刻印するレーザビ
ームによるマーキング方法であって、前記マトリクス状
に配された光透過単位の中心部に透過光の遮蔽手段を配
して、前記光透過単位の中心部を前記遮蔽手段により光
半透過状態又は光非透過状態におくことを含んでなるこ
とを特徴としている。照射されるレーザビームを非透過
状態におくことによって、エネルギー密度分布形状の中
心部にあたるレーザ強度の高い部分のエネルギーを遮ら
せて、エネルギー密度分布形状の裾野にあたるレーザ強
度の低い部分のエネルギーを刻印面の周辺部に照射する
ようにしているため、ビーム光が刻印面にリング状に形
成される。
【００３２】被マーキング物品の表面にドットマーキン
グのための穴加工を施すに際して、前述したごとく、例
えば、電圧の変化で液晶マスクの光透過率を選択するこ
とができると共に、遮蔽手段の一部を構成するクロム金
属の膜厚及び形状などを選択することができる。そこ
で、請求項１３に係る発明にあっては、ガウシアン形状
をもつエネルギー密度分布の中心部にあたるレーザ強度
の高い部分の照射光を半透過または遮断して、エネルギ
ー密度分布形状の周辺スカート部を透過するレーザビー
ムによりドット状の刻印をする。中央部の膨出部と周辺
部のリング状の凹陥部とからなるドットマーク形態を任
意に形成することができる。
【００３３】
【発明の実施形態】以下、本発明の好適な実施の形態を
添付図面に基づいて具体的に説明する。図１は本発明の
レーザビームによるマーキング装置を模式的に示した説
明図で、図２は本発明のマーキング装置におけるパター
ン表示装置と透過光の遮蔽手段との配置関係を模式的に
示す説明図である。
【００３４】図１において、符号１０は本発明のマーキ
ング装置で、このマーキング装置１０は、レーザ発振器
２０、ビームホモジナイザ３０、パターン表示装置４
０、透過光の遮蔽手段５０及び結像レンズユニット６０
を備えている。なお、符号７０は被マーキング物品とし
ての半導体ウェハである。この半導体ウェハ７０は、こ
こでは、シリコンウェハのみならず、同ウェハ表面に酸
化膜や窒化膜が形成されたもの、更にはエピタキシャル
成長させた半導体ウェハ、ガリウム砒素、インジウムリ
ン化合物などにより成膜されたものである。
【００３５】本実施例にあっては、レーザ発振器１０か
ら出射されるレーザビームは、まずビームホモジナイザ
３０を経てパターン表示装置４０の表面に照射される。
このとき、図示せぬ制御装置によって、半導体ウェハ７
０の表面に刻印すべき所要のパターンに必要な光透過単
位としての液晶４２のみを液晶パターン表示体４１上に
駆動表示させて光透過状態とし、他の液晶４２を駆動表
示させないで光非透過状態とするので、照射されたレー
ザビームは光透過可能な状態にある液晶４２を透過す
る。
【００３６】ここで、本発明にあって「光透過単位」と
いう述語は、例えば１文字の所要のパターンが光透過部
分及び光非透過部分のドットマトリクスで形成される文
字構成の一つ一つのドットをいう。
【００３７】図２に示すように、このパターン表示装置
４０は、ここでは、液晶パターン表示体４１と図示せぬ
制御装置とからなる液晶装置（液晶マスク）である。液
晶パターン表示体４１には、光透過単位としての液晶４
２がマトリクス状に配されている。この液晶パターン表
示体４１は、刻印すべき所要のパターンに対応して各液
晶単位で任意の液晶４２を光透過状態と光非透過（反
射）状態とに駆動表示することが可能であり、各液晶単
位の各要素電極に所要のパターンに応じた電圧を印加す
るようになっている。図示せぬ制御装置により、各液晶
４２が所要のパターンを駆動表示すべく光透過状態と光
非透過状態とに制御駆動される。この所要のパターン
は、例えば、「０」を光反射部分（無刻印部分）、
「１」を光透過部分（刻印部分）として変換したドット
情報として、図示せぬ制御装置のメモリ内の所定のアド
レス群内に記憶され、図示せぬ制御装置により、所要の
ドット情報が処理されるようになっている。
【００３８】液晶パターン表示体４１を通過したドット
単位のレーザビームは、続いて液晶パターン表示体４１
に対向して配置された透過光の遮蔽手段５０に照射され
る。エネルギー密度分布形状の中心部の照射光を遮らせ
て、エネルギー密度分布形状の周辺部にあたるレーザ強
度の低い部分の照射光が略直線的に透過される。従っ
て、ドット単位にエネルギー密度分布形状の中心部にあ
たるレーザ強度の高い部分の照射光は透過されない。こ
の遮蔽手段５０は、本発明に特有のドットマーク形態を
得るために最適なエネルギー密度分布の形状を形成させ
るための光学部品であり、照射されるレーザビームの中
心部にあたるレーザ強度の高い部分の照射光を遮蔽又は
半透過させ、エネルギー密度分布形状の周辺部にあたる
レーザ強度の低い部分の照射光を透過させる役目を果た
す。図３及び図４に示すように、この遮蔽手段５０は光
透過性薄膜体５１と光非透過膜５２との積層体からなっ
ている。
【００３９】この光透過性薄膜体５１には、複数の矩形
のリング部（開口）５３を残した状態で光非透過膜５２
が形成されている。このリング部５３の中央領域に矩形
の光非透過膜５２が配置され、この遮蔽手段５０はリン
グ部５３を光透過部とし、光非透過膜５２を光遮蔽部と
して構成されている。この光透過性薄膜体５１は、ここ
では、合成石英を用い、この光非透過膜５２は、ここで
は、クロム金属を用いる。この光透過部５３及び光遮蔽
部５２は１対１のドット単位で液晶パターン表示体 ４
１のマトリクス状に配された個々の液晶４２に対向し
て、同様にマトリクス状に配列されている。この光遮蔽
部５２は、液晶パターン表示体４１のマトリクス状に配
された個々の液晶４２の中心部に対向して、同様にマト
リクス状に配列されている。
【００４０】続いて、透過光の遮蔽手段５０を通過した
ドット単位のレーザビームは、エネルギー密度分布形状
の周辺部にあたるレーザ強度の低い部分の透過光を結像
レンズユニット６０により縮小されて半導体ウェハ７０
の刻印面の周辺部に照射される。こうして、半導体ウェ
ハ７０の照射ポイントに照射したレーザビームは、半導
体ウェハ７０の表面の所定位置に結像され、そのウェハ
７０の表面に必要なドットマーキングがなされる。
【００４１】図５を参照すると、本発明のマーキング装
置を用いて形成されるドットマークの形態例が示されて
いる。この遮蔽手段５０により中心部分を遮蔽されたレ
ーザビームは、図６に示すように、ガウシアンプロファ
イル形状の頂上付近が凹状に陥没したようなエネルギー
密度分布形状に形成される。このビームを、結像レンズ
ユニット６０を通過させて、縮小された像を半導体ウェ
ハ７０の照射ポイントに照射すると、半導体ウェハ７０
の刻印面には凹凸リング状のドットマーク８０が形成さ
れる。図５に示すように、このドットマーク８０の中心
部には、滑らかな曲面をもって膨出するリング状の膨出
部８１が形成され、この膨出部８１の頂点は半導体ウェ
ハ７０の刻印面とほぼ同一面上、或いはそれ以下になっ
ている。この膨出部８１の周辺にはリング状の凹陥部８
２が形成されている。このリング状の凹陥部８２の周端
部は、ドットマーキング時に盛り上がった溶融堆積物が
存在しない平滑面８３となっている。
【００４２】こうした形状を有する本発明装置により形
成されるドットマーク８０は、例えば図９に示す従来の
ドットマークの形態と異なり、ドットマーク加工穴の周
辺部などによる乱反射光が殆どなくなるため、ドットマ
ーク加工穴とその周辺との間の明暗差に大きなコントラ
ストが得られる。ドットマーキング部分に成膜やエッチ
ングなどの加工処理が繰り返しなされても、マーク読み
取りの誤認及び不能が生じない。すなわち、滑らかな曲
面をもって膨出するリング状の膨出部８１、この膨出部
８１の周辺に存在するリング状の凹陥部８２、及びこの
凹陥部８２の周端部に溶融堆積物が存在しない平滑部８
３からなる形状のドットマーク８０では、その膨出部８
１及び穴周辺の平滑部８３の反射光には方向性が得ら
れ、穴内部８２からの反射光は内部で散乱するため、穴
とその周辺との間の明暗差が大きくなり、視認性も高く
なって、ドットマークの読み込みが確実になされるよう
になる。更に、明暗差の低下が少なく、ドットマークと
その周辺との間に明暗差が維持され、視認性が確保され
る。
【００４３】本実施例では、前述のごとく液晶パターン
表示体４１を通過した後のレーザビームが遮蔽手段５０
を通過しているが、このパターン表示体４１を通過させ
る前に遮蔽手段５０を通過させてもよい。また、この遮
蔽手段５０とパターン表示体４１とは一体又は別体であ
ってもよい。
【００４４】本発明にあっては、パターン表示手段４０
は電圧の変化で光透過率が変化する液晶マスクを採用す
ることが可能である。この場合には、半透過状態にある
液晶４２を透過するレーザビームのエネルギーはウェハ
７０を固相状態に維持する範囲内に設定する。また、液
晶マスクに代えて、マトリクス状に配された光透過単位
のうち所望の光透過単位を光非透過膜で被覆して、所要
のパターンを表示した光透過性板材を採用することがで
きる。すなわち、パターン表示手段４０は、例えば液晶
パターン表示体４１に対向して配され、その各液晶４２
の中心部に対向する表面に光非透過膜が形成されてなる
光透過性板材であってもよい。そして更に、パターン表
示手段４０には、マトリクス状に配された光非透過単位
のうち所望の光非透過単位ごとに光透過孔が形成され、
所要のパターンを表示した光非透過性板材を採用するこ
とができる。また、光透過性板材は透明材料、例えばガ
ラスなどを用いることができ、光非透過膜は不透明な材
料、例えばクロム金属皮膜などを用いることができる。
従って、廉価な部品を採用することができ、コストを低
減することができる。
【００４５】そして、上述のパターン表示手段４０と同
様に、透過光による遮蔽手段５０はパターン表示手段４
０に応じて色々なものを採用できる。マトリクス状に配
された光透過単位の中心部に形成される光非透過膜を採
用することができる。例えば、液晶マスクの各液晶４２
の中心部には、光非透過膜又は光半透過膜が設けられ
る。更に、液晶装置に対向して配され、その各液晶４２
の中心部に対向する表面に光非透過膜又は光半透過膜が
形成されてなる光透過性薄膜体を採用することができ
る。この遮蔽手段５０は、液晶パターン表示体４１又は
前記光透過性板材に対向して配され、そのマトリクス状
に配された光透過単位の中心部に対応する部位に光非透
過膜が形成されてなる光透過性薄膜体を採用できる。こ
の光透過性薄膜体には、透明材料、例えば合成石英など
を用い、光非透過膜には、光半透過性の金属、例えばク
ロム金属などを用いることも可能である。
【００４６】この遮蔽手段５０は、エネルギー密度分布
形状の中心部にあたるレーザ強度の高い部分の照射光を
遮蔽または半透過させ、エネルギー密度分布形状の周辺
部にあたるレーザ強度の低い部分の照射光を透過させる
ように制御できる。この場合には、半透過状態にある光
透過単位を透過するレーザビームのエネルギーはウェハ
７０を液相状態に維持する範囲内に設定する。また、表
面のエネルギー密度、レーザパルス幅及びレーザ波長な
どのレーザ加工パラメータに対応して、光遮蔽部５２と
リング状の光透過部５３との形状及び大きさを任意に選
択することも可能である。また、本発明特有のドットマ
ーク加工形状を形成するために必要なレーザ照射の中心
部における光透過率を任意に異ならせることができると
共に液晶パターン表示体４１のパターン形成に応じて色
々なパターンに変更できる。
【００４７】そして、本発明における加工対象としての
被マーキング物品７０は、半導体ウェハ、液晶薄板など
のガラス薄板、ベアチップなどの電極（パッド）、ＩＣ
表面、各種セラミック製品、さらにはＩＣのリード部な
どがある。
【００４８】そして、液晶パターン表示体４１に対する
レーザビームの照射は、一括照射又は液晶パターン表示
体４１に対してレーザビームを走査させて照射する方法
が採用される。例えばフライアイレンズやバイナリーオ
プティクス、シリンドリカルレンズを使用した液晶パタ
ーン表示体４１の液晶４２面上を一括して照射する方式
や、ポリゴンミラー、ミラースキャナなどのアクチュエ
ータによりミラー駆動してマスク面上をビーム走査する
方式を備えたビームホモジナイザを採用することができ
る。
【００４９】次に、本発明のレーザビームによるレーザ
マーキングの形成過程を図６〜図８に基づいて説明す
る。図６は本発明のエネルギー密度分布の形状に基づい
て形成されるドットマークの形成過程を模式的に示した
説明図、及び図７は本発明のレーザ熱加工の材料表面温
度及び表面状態の関係を示したグラフである。なお、図
６はレーザビームによる１ドット単位のドットマーキン
グの形成にあたっての過程を示し、図７は照射時間（パ
ルス幅）が同じ場合のパルスエネルギーの影響を示して
いる。
【００５０】照射したレーザビームが遮蔽手段５０に入
射すると、エネルギー密度分布形状の周辺部にあたるレ
ーザ強度の低い部分の入射光は略直線的に透過し、エネ
ルギー密度分布形状の中央部にあたるレーザ強度の高い
部分の入射光は反射又は吸収されて遮蔽される。このレ
ーザビームは、図６に示すごとく中心部に向けてエネル
ギー密度が漸減し、外周部に向かうにつれてエネルギー
密度が中心部のエネルギー密度よりも高くなる密度分布
形状となる。かかるエネルギー密度分布に形成されたレ
ーザビームの縮小像が半導体ウェハ７０表面（刻印面）
の照射ポイントに照射されると、図７に示すごとく半導
体ウェハ７０の表面は過熱され、ある照射時間経過後
に、この表面７０の温度は融点（約 1,415℃）を経て上
昇する。
【００５１】この状態で、図６（ａ）及び（ｂ）に示す
ように、照射エネルギーが照射ポイントの周辺部分に次
第に吸収され、この周辺部分の表面が溶融し始める。こ
の中央部分の表面は遮蔽手段５０によって遮蔽されてい
るために、過熱状態の固相［図７の（ｃ）］温度分布に
維持された状態にあり、溶融しない。この状態で、さら
に、この周辺部分の表面温度は融解潜熱を吸収して、よ
り上昇する。しかして、この中央部分の表面温度は、よ
り上昇するが、この中心部分のエネルギー密度が低いた
めに、この中央部分は溶融しない。
【００５２】そして、更にこの周辺部分の表面温度は蒸
発潜熱（約 2,480℃）近傍の温度に達して、図６の
（ｃ）及び（ｄ）に示すように、表面の周辺部分からの
熱伝導により、その周辺部分は速やかにリング状に溶融
変形される。このとき、この中央部分の表面温度は、図
７の（ｃ）に示すごとく融点（約 1,415℃）の近傍に達
する。こうして、照射エネルギーの吸収によって完全に
溶融した周辺部分の表面温度は蒸発潜熱領域近傍の温度
に上昇するが、中央部分はエネルギー密度が低いため
に、この中央部分には融解熱や蒸散熱の潜熱が集中せ
ず、この中央部分は蒸散しない。
【００５３】こうして、図５に示すように、外周端部に
溶融堆積物を堆積しないドットマークが形成される。形
成されるドットマーク８０は周辺部に大きなエネルギー
をもっているため穴周壁部が速やかに溶融加工される。
穴中央部では、遮蔽手段５０によって、エネルギー密度
分布形状の中心にあたるレーザ強度の高い部分の照射光
を遮蔽させているために、この中央部分の表面温度は過
熱状態にあるときの液相の温度分布内にあり、この周辺
部分は中央部分からの強力な熱伝導の影響を受けないた
めに、図９に示すごとく表面は内側方向から外側方向に
急激に移動されない。
【００５４】刻印面の周辺部分は、レーザビームを照射
してから停止するまでの所定の照射時間、液相の温度分
布に保たれた状態で溶融変形し、所定の照射時間経過後
に再度固化する。こうして、エネルギー密度分布形状の
中心部にあたるレーザ強度の高い部分の照射光を遮蔽さ
せ、エネルギー密度分布形状の周辺部にあたるレーザ強
度の低い部分の照射光を透過させるように制御すること
ができる。
【００５５】また、表面のエネルギー密度、レーザパル
ス幅及びレーザ波長などのレーザ加工パラメータに応じ
て、エネルギー密度分布形状の中心にあたるレーザ強度
の高い部分の照射光を半透過させ、エネルギー密度分布
形状の周辺にあたるレーザ強度の低い部分の照射光を透
過させるように制御することもできる。遮蔽手段５０の
中央部を透過する半透過光は矩形状の光量が半減化され
たエネルギー密度を有している。
【００５６】レーザビームは、遮蔽手段５０に入射され
ると、エネルギー密度分布形状の周辺部にあたるレーザ
強度の低い部分の入射光は略直線的に透過し、エネルギ
ー密度分布形状の中央部にあたるレーザ強度の高い部分
の入射光は半透過される。このように変換されたエネル
ギー密度分布をもつレーザ光を半導体ウェハ７０の表面
に照射すると、上記実施例と同様に、形成されるドット
マーク８０は周辺部に大きなエネルギーをもっているた
め穴周壁部が速やかに溶融変形される。表面の中央部分
は、遮蔽手段５０によって、エネルギー密度分布形状の
中心部にあたるレーザ強度の高い部分の照射光を半透過
させているために、融解熱や蒸散熱の潜熱を集中せずに
表面の周辺部分に強力な熱伝導の影響を与えない。この
周辺部分は、所定の照射時間経過まで液相状態に保たれ
て溶融変形し、所定の照射時間経過後に再度凝縮する。
刻印面は効率的に且つ速やかに加工され、ドットマーク
の外周端部に溶融堆積物を堆積しないドットマーキング
がなされる。
【００５７】また、表面のエネルギー密度、レーザパル
ス幅及びレーザ波長などのレーザ加工パラメータの選定
に基づいて、光遮蔽部５２及びリング状の光透過部５３
の相対的な形状及び大きさを変更することにより、エネ
ルギー密度分布形状の中心部にあたるレーザ強度の高い
部分の照射光、及びエネルギー密度分布形状の周辺部に
あたるレーザ強度の低い部分の照射光のエネルギーを任
意に制御できる。
【００５８】以上の説明からも明らかなように、本発明
に係るレーザビームによるドットマーク、マーキング装
置及びマーキング方法によれば、マトリクス状に配され
た光透過単位の中心部には、照射されるレーザビームの
中心部分を半透過状態又は非透過状態におく透過光の遮
蔽手段５０が配されているから、刻印面の中心部が蒸散
除去領域の温度分布に達しない段階で、この刻印面の周
辺部を溶融除去することができる。従って、融解熱及び
蒸発熱が集中する穴中央部からの強力な熱伝導による熱
エネルギーを防止することができ、蒸散させずに刻印面
に効果的に穴加工を施すことができる。
【００５９】また、ドットマーク加工穴の周辺部に飛散
物が飛散して付着することが防止でき、ドットマーク加
工穴の外周端部には、ドットマーキング時に盛り上がっ
た溶融堆積物が存在しない平滑面からなるドット形状の
加工穴を形成することができる。このため、ドットマー
ク加工穴の外周端部などによる乱反射光が殆どなくなる
ため、ドットマーク加工穴とその周辺との間の明暗差は
大きくなり、視認性も高くなって、ドットマークの有無
による光学的読取装置の読み取り誤認及び不能を防止し
てドットマークの読み込みが確実になされるようにな
る。そして、ドットマーキング部分に成膜やエッチング
などの加工が繰り返しなされても、明暗差の低下が少な
く、ドットマークと周辺との間に明暗差が維持され、視
認性が確保される。なお、本発明は上記実施例に限定さ
れるものではなく、それらの実施例から当業者が容易に
変更可能な技術的な範囲をも当然に包含するものであ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のレーザビームによるマーキング装置を
模式的に示す説明図である。
【図２】本発明装置におけるパターン表示装置と透過光
の遮蔽手段との配置関係を模式的に示す説明図である。
【図３】本発明装置における遮蔽手段としての中央部遮
蔽クロムマスクを示す平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ線に沿って切欠された部分断面図
である。
【図５】本発明のマーキング装置を用いて形成されるド
ットマーク形態を模式的に示す説明図である。
【図６】本発明のエネルギー密度分布の形状に基づいて
形成されるドットマークの形成過程を模式的に示す説明
図である。
【図７】一般的なレーザ熱加工の材料表面温度及び表面
状態の関係を示すグラフである。
【図８】従来のマーキング装置を用いて形成されるドッ
トマークの形成過程を模式的に示す説明図である。
【図９】従来のマーキング装置を用いて形成されるドッ
トマーク形態を模式的に示す説明図である。
【符号の説明】
１０ マーキング装置 ２０ レーザ発振器 ３０ ビームホモジナイザ ４０ パターン表示手段 ４１ 液晶装置 ４２ 液晶 ５０ 遮蔽手段 ５１ 光透過性薄膜体 ５２ 光非透過膜 ５３ 光透過部 ６０ 縮小レンズユニット ７０ 被マーキング物品 ８０ ドットマーク ８１ 膨出部 ８２ 凹陥部 ８３ 平滑部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｆ 1/13 ５０５ Ｂ４１Ｊ 3/00 Ｑ (72)発明者 小村 隆輔 神奈川県平塚市万田1200 株式会社小松製 作所研究本部内 Ｆターム(参考） 2C362 CB67 2H088 FA16 FA18 HA14 HA21 HA24 HA28 MA20 4E068 AB00 AB02 CA02 CA08 CA17 CD10 DA10 DA11 DB06 DB12 DB13

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 レーザ発振器からのレーザビームを光学
    系を介して被マーキング物品の表面に照射することによ
    り、同表面に刻印されるドットマーク形態であって、 中心部に滑らかな曲面をもって膨出する膨出部と、同膨
    出部の周辺に形成されるリング状の凹陥部とを有し、前
    記膨出部の頂点が被マーキング物品の刻印面とほぼ同一
    面上、或いはそれ以下であることを特徴とするレーザビ
    ームによるドットマーク。
  2. 【請求項２】 多数の光透過単位がマトリクス状に配さ
    れ、選択された所望の光透過単位を光非透過状態とし
    て、所要のパターンを表示したパターン表示手段を備
    え、レーザ発振器からのレーザビームを前記パターン表
    示手段に照射し、同パターン表示手段を透過したレーザ
    ビームにより、光学系を介して被マーキング物品の表面
    に所望の刻印パターンを刻印するレーザビームによるマ
    ーキング装置であって、 前記マトリクス状に配された光透過単位の中心部には、
    照射されるレーザビームを半透過状態又は非透過状態に
    おく透過光の遮蔽手段が配されてなる、ことを特徴とす
    るレーザビームによるマーキング装置。
  3. 【請求項３】 前記半透過状態にある光透過単位を透過
    するレーザビームのエネルギーは被マーキング物品を液
    相状態に維持する範囲内にある請求項２記載のマーキン
    グ装置。
  4. 【請求項４】 前記パターン表示手段は、 前記マトリクス状に配された光透過単位としての液晶を
    有してなる液晶パターン表示体、及び前記各液晶を、前
    記所要のパターンを駆動表示すべく光透過状態と光非透
    過状態とに制御駆動する制御装置からなる請求項２又は
    ３記載のマーキング装置。
  5. 【請求項５】 前記パターン表示手段が、前記マトリク
    ス状に配された光透過単位のうち所望の光透過単位を光
    非透過膜で被覆して、所要のパターンを表示した光透過
    性板材からなる請求項２記載のマーキング装置。
  6. 【請求項６】 前記光透過性板材がガラスからなり、前
    記光非透過膜がクロム金属である請求項５記載のマーキ
    ング装置。
  7. 【請求項７】 前記パターン表示手段が、前記マトリク
    ス状に配された光非透過単位のうち所望の光非透過単位
    ごとに光透過孔が形成され、所要のパターンを表示した
    光非透過性板材からなる請求項２記載のマーキング装
    置。
  8. 【請求項８】 前記光非透過性板材がパターン表示部に
    クロム金属皮膜を形成したガラス板材からなる請求項７
    記載のマーキング装置。
  9. 【請求項９】 前記遮蔽手段が、前記マトリクス状に配
    された光透過単位の中心部に形成される光非透過膜であ
    る請求項２，４、５又は７記載のマーキング装置。
  10. 【請求項１０】前記遮蔽手段は、前記液晶パターン表示
    体、光透過性板材又は光非透過性板材に対向して配され
    た光透過性薄膜体からなり、マトリクス状に配された光
    透過単位の中心部に対応する光透過性薄膜体の部位には
    光非透過膜が形成されてなる請求項２，４，５又は７記
    載のマーキング装置。
  11. 【請求項１１】前記光透過性薄膜体が合成石英からな
    り、前記光非透過膜がクロム金属である請求項１０記載
    のマーキング装置。
  12. 【請求項１２】多数の光透過単位がマトリクス状に配さ
    れ、選択された所望の光透過単位を光非透過状態とし
    て、所要のパターンを表示するパターン表示手段を備
    え、レーザ発振器からのレーザビームを前記パターン表
    示手段に照射し、同パターン表示手段を透過したレーザ
    ビームにより、被マーキング物品の表面に所望の刻印パ
    ターンを刻印するレーザビームによるマーキング方法で
    あって、 前記マトリクス状に配された光透過単位の中心部に透過
    光の遮蔽手段を配して、前記光透過単位の中心部を前記
    遮蔽手段により光半透過状態または光非透過状態におく
    こと、を含んでなることを特徴とするレーザビームによ
    るマーキング方法。
  13. 【請求項１３】 ガウシアン形状をもつエネルギー密度
    分布の中心部にあたるレーザ強度の高い部分の照射光を
    半透過又は遮断して、エネルギー密度分布形状の周辺部
    スカート部を透過するレーザビームによりドット状の刻
    印をする請求項１２記載のマーキング方法。
JP10209696A 1998-07-24 1998-07-24 レーザビームによるドットマーク形態と、そのマーキング装置及びマーキング方法 Pending JP2000042763A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10209696A JP2000042763A (ja) 1998-07-24 1998-07-24 レーザビームによるドットマーク形態と、そのマーキング装置及びマーキング方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10209696A JP2000042763A (ja) 1998-07-24 1998-07-24 レーザビームによるドットマーク形態と、そのマーキング装置及びマーキング方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000042763A true JP2000042763A (ja) 2000-02-15

Family

ID=16577128

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10209696A Pending JP2000042763A (ja) 1998-07-24 1998-07-24 レーザビームによるドットマーク形態と、そのマーキング装置及びマーキング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000042763A (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002082320A (ja) * 2000-05-25 2002-03-22 Wesley Jessen Corp 成形された反転マーク付きのコンタクトレンズ
US6436842B2 (en) * 2000-02-07 2002-08-20 Komatsu, Limited Semiconductor wafer including a dot mark of a peculiar shape and method of forming the dot mark
WO2003038895A1 (en) * 2001-10-30 2003-05-08 Motorola, Inc. Wafer scribing method and wafer scribing device
US6777820B2 (en) 1999-01-28 2004-08-17 Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. Semiconductor wafer
JP2006286753A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Shin Etsu Handotai Co Ltd レーザーマーキング装置およびレーザーマーキング方法
JP2011168422A (ja) * 2010-02-17 2011-09-01 Nikon Corp 光学ガラス部材のマーク形成方法、マーク付き光学ガラス部材の製造方法及びマーク付き光学ガラス部材
WO2016178344A1 (ja) * 2015-05-01 2016-11-10 日本電気硝子株式会社 板ガラス、及び板ガラスへの情報表示部の形成方法
WO2018225362A1 (ja) * 2017-06-06 2018-12-13 東レエンジニアリング株式会社 レーザ加工方法およびレーザ加工装置
JP2019131462A (ja) * 2019-04-15 2019-08-08 日本電気硝子株式会社 板ガラス
KR20210005964A (ko) * 2018-06-05 2021-01-15 일렉트로 싸이언티픽 인더스트리이즈 인코포레이티드 레이저 가공 장치, 그 작동 방법 및 이를 사용한 작업물 가공 방법

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6777820B2 (en) 1999-01-28 2004-08-17 Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. Semiconductor wafer
US6436842B2 (en) * 2000-02-07 2002-08-20 Komatsu, Limited Semiconductor wafer including a dot mark of a peculiar shape and method of forming the dot mark
JP2002082320A (ja) * 2000-05-25 2002-03-22 Wesley Jessen Corp 成形された反転マーク付きのコンタクトレンズ
WO2003038895A1 (en) * 2001-10-30 2003-05-08 Motorola, Inc. Wafer scribing method and wafer scribing device
US6914006B2 (en) 2001-10-30 2005-07-05 Freescale Semiconductor, Inc. Wafer scribing method and wafer scribing device
JP2006286753A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Shin Etsu Handotai Co Ltd レーザーマーキング装置およびレーザーマーキング方法
JP4562577B2 (ja) * 2005-03-31 2010-10-13 信越半導体株式会社 レーザーマーキング装置およびレーザーマーキング方法
JP2011168422A (ja) * 2010-02-17 2011-09-01 Nikon Corp 光学ガラス部材のマーク形成方法、マーク付き光学ガラス部材の製造方法及びマーク付き光学ガラス部材
WO2016178344A1 (ja) * 2015-05-01 2016-11-10 日本電気硝子株式会社 板ガラス、及び板ガラスへの情報表示部の形成方法
JP2016210644A (ja) * 2015-05-01 2016-12-15 日本電気硝子株式会社 板ガラス、及び板ガラスへの情報表示部の形成方法
KR20170141759A (ko) * 2015-05-01 2017-12-26 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 판유리 및 판유리에의 정보 표시부의 형성 방법
TWI675016B (zh) * 2015-05-01 2019-10-21 日商日本電氣硝子股份有限公司 平板玻璃、及在平板玻璃的訊息顯示部的形成方法
KR102497518B1 (ko) * 2015-05-01 2023-02-08 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 판유리 및 판유리에의 정보 표시부의 형성 방법
WO2018225362A1 (ja) * 2017-06-06 2018-12-13 東レエンジニアリング株式会社 レーザ加工方法およびレーザ加工装置
KR20210005964A (ko) * 2018-06-05 2021-01-15 일렉트로 싸이언티픽 인더스트리이즈 인코포레이티드 레이저 가공 장치, 그 작동 방법 및 이를 사용한 작업물 가공 방법
KR102655354B1 (ko) 2018-06-05 2024-04-08 일렉트로 싸이언티픽 인더스트리이즈 인코포레이티드 레이저 가공 장치, 그 작동 방법 및 이를 사용한 작업물 가공 방법
JP2019131462A (ja) * 2019-04-15 2019-08-08 日本電気硝子株式会社 板ガラス

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3874528B2 (ja) 半導体ウエハのレーザマーキング方法
US7315421B2 (en) Method of laser marking, laser marking apparatus and method and apparatus for detecting a mark
JP2000042763A (ja) レーザビームによるドットマーク形態と、そのマーキング装置及びマーキング方法
JP2003075826A (ja) 反射型液晶表示装置およびその製造方法。
US5514850A (en) Defect compensation method for smoothing a surface of a transparent plate with an ArF excimer laser beam
KR940007801B1 (ko) 레이저 스캐닝(scanning)을 사용하여 전자 구성 부품등을 제조하는 석판 인쇄 방법
WO2011079006A1 (en) Laser patterning using a structured optical element and focused beam
KR100193411B1 (ko) 빔 스캔식 레이저 패턴 마킹 방법 및 장치와 그 장치에 이용되는 마스크
JP2000223382A (ja) レ―ザビ―ムによる微小ドットマ―ク形態、そのマ―キング方法
JPH04288988A (ja) レーザ加工方法とその装置並びに透過型液晶素子、配線パターン欠陥修正方法とその装置
TW472379B (en) Semiconductor base material having microdot mark
JP2000252176A (ja) 半導体ダイ
JPH11156563A (ja) レーザ光による微小マーキング装置とそのマーキング方法
US20040089642A1 (en) Method and system for laser marking a gemstone
JP6685514B2 (ja) 板ガラス
KR100610309B1 (ko) 무기질화물 부재의 마킹방법 및 무기질화물 부재
JP3191918B2 (ja) 微小ドットマークが刻印されてなる半導体ウェハ
JP6579361B2 (ja) 板ガラスへの情報表示部の形成方法
JP2000147228A (ja) 回折光学素子の製造方法
JPH07323387A (ja) レーザマーキング用マスク及びレーザマーキング用マスクの製造方法
KR100899796B1 (ko) 레이저 빔패턴 마스크
JPS5923512A (ja) 半導体ウエハ−のレ−ザマ−キング方法
JP2004202498A (ja) レーザ加工方式及びこの方式によって形成されるエンコーダスリット及び像表示体
JPH10211593A (ja) 加工物への刻印方法
JP2004122233A (ja) レーザマーキング装置、マーキング方法及びマーキングされた光学部材

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040810

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060803

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060816

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20061212