KR100899796B1 - 레이저 빔패턴 마스크 - Google Patents
레이저 빔패턴 마스크 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100899796B1 KR100899796B1 KR1020020071704A KR20020071704A KR100899796B1 KR 100899796 B1 KR100899796 B1 KR 100899796B1 KR 1020020071704 A KR1020020071704 A KR 1020020071704A KR 20020071704 A KR20020071704 A KR 20020071704A KR 100899796 B1 KR100899796 B1 KR 100899796B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- laser beam
- laser
- base substrate
- transmission hole
- total
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 70
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 15
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 34
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 25
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 11
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 4
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B27/00—Photographic printing apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Toxicology (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
Description
Claims (10)
- 서로 일정간격 이격되게 배치되어 레이저 빔을 투과시키는 제 1 투과홀을 가지는 베이스 기판과;상기 베이스 기판 상부에 위치하며, 상기 제 1 투과홀과 대응되는 제 2 투과홀을 가지고, 상기 레이저 빔의 파장에 해당하는 빛을 선택적으로 전반사시키는 레이저 전반사패턴과;상기 베이스 기판의 배면을 덮는 영역에 형성되는 반사방지막을 포함하며, 상기 베이스 기판의 배면을 레이저 빔 입사면으로 하는 레이저 빔패턴 마스크.
- 베이스 기판과;상기 베이스 기판 상에서 서로 일정간격 이격되게 배치되며, 레이저 빔 통과영역인 투과홀을 가지고, 상기 레이저 빔 파장에 해당하는 빛을 선택적으로 전반사시키는 레이저 전반사패턴과;상기 베이스 기판의 입사면을 덮는 영역에 형성되는 반사방지막을 포함하며, 상기 베이스 기판의 배면을 레이저 빔 입사면으로 하는 레이저 빔패턴 마스크.
- 제 1 항 또는 제 2 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 레이저 전반사패턴은, 유기물질의 두께치 조절을 통해 레이저 빔을 전반사시키는 미러 코팅(mirror coating)처리된 것을 특징으로 하는 레이저 빔패턴 마스크.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 레이저 전반사패턴 상부에는, 상기 제 1, 2 투과홀과 대응된 위치의 제 3 투과홀을 가지는 보호막을 추가로 포함하는 레이저 빔패턴 마스크.
- 삭제
- 제 2 항에 있어서,상기 레이저 전반사패턴을 덮는 영역에 보호막을 추가로 포함하는 레이저 빔패턴 마스크.
- 제 5 항 또는 제 7 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 보호막은, 유기물질을 증착 타겟(evaporation target)이용하여 코팅처리하는 AR(anti-reflect) 코팅법에 의해 이루어지는 레이저 빔패턴 마스크.
- 제 2 항에 있어서,상기 투과홀은 슬릿 형상으로 이루어진 레이저 빔패턴 마스크.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 투과홀과 상기 제 2 투과홀은 슬릿 형상으로 이루어진 레이저 빔패턴 마스크
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020020071704A KR100899796B1 (ko) | 2002-11-18 | 2002-11-18 | 레이저 빔패턴 마스크 |
US10/705,891 US7205076B2 (en) | 2002-11-18 | 2003-11-13 | Mask for laser irradiation and apparatus for laser crystallization using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020020071704A KR100899796B1 (ko) | 2002-11-18 | 2002-11-18 | 레이저 빔패턴 마스크 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040043450A KR20040043450A (ko) | 2004-05-24 |
KR100899796B1 true KR100899796B1 (ko) | 2009-05-28 |
Family
ID=32291772
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020020071704A KR100899796B1 (ko) | 2002-11-18 | 2002-11-18 | 레이저 빔패턴 마스크 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7205076B2 (ko) |
KR (1) | KR100899796B1 (ko) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100759680B1 (ko) * | 2006-06-09 | 2007-09-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 마스크 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치의 제조방법 |
US8802200B2 (en) * | 2009-06-09 | 2014-08-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Method and apparatus for cleaning organic deposition materials |
US9174250B2 (en) * | 2009-06-09 | 2015-11-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Method and apparatus for cleaning organic deposition materials |
KR101111187B1 (ko) * | 2009-09-25 | 2012-02-15 | (주)씨엠엔텍 | 리벳형 새들 어셈블리 및 이를 이용한 무용접/부단수 습식 초음파 유량계 설치방법 |
KR102286886B1 (ko) | 2014-11-18 | 2021-08-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 포토 마스크 및 이의 제조 방법 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09193537A (ja) * | 1996-01-16 | 1997-07-29 | Rohm Co Ltd | レーザー標印方法およびその装置 |
KR19980071854A (ko) * | 1997-02-28 | 1998-10-26 | 무라따 미치히로 | 세라믹 그린시트에 관통홀을 형성하는 방법 및 장치 |
JP2001009583A (ja) * | 1999-06-29 | 2001-01-16 | Canon Inc | レーザ加工装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5387484A (en) * | 1992-07-07 | 1995-02-07 | International Business Machines Corporation | Two-sided mask for patterning of materials with electromagnetic radiation |
KR0168134B1 (ko) * | 1993-05-25 | 1999-01-15 | 사토 후미오 | 반사형 위상쉬프트 마스크와, 투과형 위상쉬프트 마스크 및, 패턴형성방법 |
-
2002
- 2002-11-18 KR KR1020020071704A patent/KR100899796B1/ko active IP Right Grant
-
2003
- 2003-11-13 US US10/705,891 patent/US7205076B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09193537A (ja) * | 1996-01-16 | 1997-07-29 | Rohm Co Ltd | レーザー標印方法およびその装置 |
KR19980071854A (ko) * | 1997-02-28 | 1998-10-26 | 무라따 미치히로 | 세라믹 그린시트에 관통홀을 형성하는 방법 및 장치 |
JP2001009583A (ja) * | 1999-06-29 | 2001-01-16 | Canon Inc | レーザ加工装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20040043450A (ko) | 2004-05-24 |
US7205076B2 (en) | 2007-04-17 |
US20040096754A1 (en) | 2004-05-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5366926A (en) | Low temperature process for laser dehydrogenation and crystallization of amorphous silicon | |
US6291797B1 (en) | Laser machining method for glass substrate, diffraction type optical device fabricated by the machining method, and method of manufacturing optical device | |
US7067198B2 (en) | Method and apparatus for processing three-dimensional structure, method for producing three-dimensional shape product and three-dimensional structure | |
US7259081B2 (en) | Process and system for laser crystallization processing of film regions on a substrate to provide substantial uniformity, and a structure of such film regions | |
US6635555B2 (en) | Method of controlling crystallographic orientation in laser-annealed polycrystalline silicon films | |
JP2003075826A (ja) | 反射型液晶表示装置およびその製造方法。 | |
JP2001053021A (ja) | 半導体薄膜製造装置 | |
JP2006216820A (ja) | レーザ加工方法、レーザ加工装置および結晶化装置 | |
KR100899796B1 (ko) | 레이저 빔패턴 마스크 | |
KR100900902B1 (ko) | 레이저 빔패턴 마스크 및 그 제조방법 | |
JP2004153232A (ja) | 半導体素子の製造方法およびその方法により製造された半導体素子 | |
KR100900685B1 (ko) | 다중 빔 레이저 장치 및 빔 스플리터 | |
US7829245B2 (en) | Mask for sequential lateral solidification and method of manufacturing the same | |
JP2003510825A (ja) | レーザシステム | |
JPH10223554A (ja) | レーザ照射装置 | |
JPH079180A (ja) | レーザ加工装置 | |
GB2300001A (en) | Thin film forming apparatus using plurality of lasers | |
JPH03289128A (ja) | 半導体薄膜結晶層の製造方法 | |
JPH04356393A (ja) | レーザ加工光学系及びレーザ加工方法 | |
DE10318667B4 (de) | Optoelektronisches Bauteil mit einem Teildurchlässigen Spiegel und Verfahren zu seinem Betrieb | |
JPH09256141A (ja) | 薄膜形成法および薄膜形成装置 | |
JP2005123475A (ja) | 半導体薄膜とその製造方法およびその薄膜を用いた薄膜トランジスタ | |
KR20070077249A (ko) | 실리콘 결정화 마스크 및 이를 갖는 실리콘 결정화 장치 | |
JPH03173121A (ja) | 半導体膜結晶化装置 | |
KR20060086169A (ko) | 레이저용 강도조절 마스크, 이를 포함하는 레이저 장치 및이를 이용한 박막트랜지스터의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120330 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130329 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150429 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160428 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170413 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180416 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190417 Year of fee payment: 11 |