JPH11156565A - 金属層へのマーク付け方法と金属層および半導体装置 - Google Patents
金属層へのマーク付け方法と金属層および半導体装置Info
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- JPH11156565A JPH11156565A JP9328360A JP32836097A JPH11156565A JP H11156565 A JPH11156565 A JP H11156565A JP 9328360 A JP9328360 A JP 9328360A JP 32836097 A JP32836097 A JP 32836097A JP H11156565 A JPH11156565 A JP H11156565A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置のカバープレート等の金属層の表
面に、レーザー照射により金属屑等を発生させることな
く、視認性が良好なマークを形成する。 【解決手段】 本発明のマーク付け方法では、金属層６
の梨地面（Ｒmax が 0.5〜 5μm ）の所定のマーク領域
に、レーザービーム７を照射し、金属を溶融させ再び凝
固させることにより、表面を、極く微小な凹凸が均され
て消された滑らかな面８とする。このようなマーク部の
表面は、光を一方向にのみ正反射し、素地部の表面は光
をあらゆる方向に散乱（拡散反射）するので、反射性の
違いによりマーク部が肉眼等で良好に視認される。
面に、レーザー照射により金属屑等を発生させることな
く、視認性が良好なマークを形成する。 【解決手段】 本発明のマーク付け方法では、金属層６
の梨地面（Ｒmax が 0.5〜 5μm ）の所定のマーク領域
に、レーザービーム７を照射し、金属を溶融させ再び凝
固させることにより、表面を、極く微小な凹凸が均され
て消された滑らかな面８とする。このようなマーク部の
表面は、光を一方向にのみ正反射し、素地部の表面は光
をあらゆる方向に散乱（拡散反射）するので、反射性の
違いによりマーク部が肉眼等で良好に視認される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、金属層へのマーク
付け方法と金属層および半導体装置に係わり、さらに詳
しくは、金属層の表面にレーザー照射により文字、記
号、模様等のマーク（標章）を形成する方法と、そのよ
うなマークが付された金属層、およびマークが付された
金属層を有する半導体装置に関する。
付け方法と金属層および半導体装置に係わり、さらに詳
しくは、金属層の表面にレーザー照射により文字、記
号、模様等のマーク（標章）を形成する方法と、そのよ
うなマークが付された金属層、およびマークが付された
金属層を有する半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、製品名、製品規格、社標、生
産ロットナンバー等を表示するために、金属部材に文
字、記号、模様等からなるマークを付ける方法として、
図５に示すように、レーザー発振機から発振されたレー
ザービーム１を、金属層２の表面に照射し、照射された
レーザーのエネルギーで金属粒子を昇華させあるいは金
属屑３を跳ね飛ばすことにより、金属層２の表面を凹状
に掘削し、掘削部４をマークとする方法が知られてい
る。
産ロットナンバー等を表示するために、金属部材に文
字、記号、模様等からなるマークを付ける方法として、
図５に示すように、レーザー発振機から発振されたレー
ザービーム１を、金属層２の表面に照射し、照射された
レーザーのエネルギーで金属粒子を昇華させあるいは金
属屑３を跳ね飛ばすことにより、金属層２の表面を凹状
に掘削し、掘削部４をマークとする方法が知られてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来からのマーク付け方法では、金属部材の表面に
めっき層のような薄い金属層が被覆されている場合に
は、レーザービームの照射により、マーク領域の金属被
覆層が一部あるいは全部取り除かれてしまうことにな
る。そのため下地金属が露出して、酸化等の腐食反応が
起こり、マークの視認性も低下するという問題があっ
た。
うな従来からのマーク付け方法では、金属部材の表面に
めっき層のような薄い金属層が被覆されている場合に
は、レーザービームの照射により、マーク領域の金属被
覆層が一部あるいは全部取り除かれてしまうことにな
る。そのため下地金属が露出して、酸化等の腐食反応が
起こり、マークの視認性も低下するという問題があっ
た。
【０００４】例えば、放熱性のカバープレートを有する
ＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）型半導体装置では、銅
板材の表面に錆止めのためにニッケルめっき層（厚さ 2
〜10μm ）が形成されたカバープレートが設けられてい
るが、このようなカバープレートに、従来からのレーザ
ー照射によるマーク付けを行なった場合には、表面のニ
ッケルめっき層が取り除かれて下地の銅が露出し、銅の
腐食により、掘削部の視認性の低下が生じていた。
ＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）型半導体装置では、銅
板材の表面に錆止めのためにニッケルめっき層（厚さ 2
〜10μm ）が形成されたカバープレートが設けられてい
るが、このようなカバープレートに、従来からのレーザ
ー照射によるマーク付けを行なった場合には、表面のニ
ッケルめっき層が取り除かれて下地の銅が露出し、銅の
腐食により、掘削部の視認性の低下が生じていた。
【０００５】また、従来からの方法では、レーザーの照
射エネルギーで、金属層２の表面を掘り削ってマーク付
けを行なっているので、金属屑３や金属粒子の昇華によ
り大気汚染物質が発生し、集塵などの対策が必要となっ
ていた。さらに、発生した金属屑３等の浮遊物がレーザ
ービーム１を遮断することがないように、金属屑３等を
減圧吸引機で吸引除去しながら掘削作業を行なう必要が
あり、作業が煩雑になるという問題があった。
射エネルギーで、金属層２の表面を掘り削ってマーク付
けを行なっているので、金属屑３や金属粒子の昇華によ
り大気汚染物質が発生し、集塵などの対策が必要となっ
ていた。さらに、発生した金属屑３等の浮遊物がレーザ
ービーム１を遮断することがないように、金属屑３等を
減圧吸引機で吸引除去しながら掘削作業を行なう必要が
あり、作業が煩雑になるという問題があった。
【０００６】本発明は、これらの問題を解決するために
なされたもので、金属層の表面にレーザー照射により視
認性が良好なマークを形成し、かつマーク付け時に金属
屑等の大気汚染物質を発生させることがない金属層への
マーク付け方法と、視認性が良好なマークが付けられた
金属層、およびそのようなマーク付けがなされた金属層
をカバープレート等として有する半導体装置を提供する
ことを目的とする。
なされたもので、金属層の表面にレーザー照射により視
認性が良好なマークを形成し、かつマーク付け時に金属
屑等の大気汚染物質を発生させることがない金属層への
マーク付け方法と、視認性が良好なマークが付けられた
金属層、およびそのようなマーク付けがなされた金属層
をカバープレート等として有する半導体装置を提供する
ことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の金属層へのマー
ク付け方法は、表面粗さＲmax が 0.5〜 5μm の金属層
の所定のマーク領域に、レーザービームを照射し、金属
を溶融させ再凝固させることにより、前記マーク領域の
表面を、前記金属層の素地部と光反射性の異なる面とす
ることを特徴とする。
ク付け方法は、表面粗さＲmax が 0.5〜 5μm の金属層
の所定のマーク領域に、レーザービームを照射し、金属
を溶融させ再凝固させることにより、前記マーク領域の
表面を、前記金属層の素地部と光反射性の異なる面とす
ることを特徴とする。
【０００８】また、本発明の金属層は、表面粗さＲmax
が 0.5〜 5μm の素地部と、該素地部と光反射性の異な
る表面を有するマーク部とを備えたことを特徴とする。
が 0.5〜 5μm の素地部と、該素地部と光反射性の異な
る表面を有するマーク部とを備えたことを特徴とする。
【０００９】さらに、本発明の半導体装置は、前記した
金属層を備えたことを特徴とする。
金属層を備えたことを特徴とする。
【００１０】本発明のマーク付け方法において、レーザ
ービームが照射される金属層の表面は、微小な凹凸を有
する梨地面（あるいは無光沢面）であり、その表面粗さ
Ｒma x は 0.5〜 5μm とする。金属層の表面粗さＲmax
が上記範囲を外れた場合には、素地部（非マーク領域）
の表面における光の散乱性が不十分となり、レーザー照
射により溶融し再凝固したマーク領域の表面との反射性
の違いが小さくなるため、視認性の高いマークが形成さ
れない。より望ましい表面粗さＲmax は、 1〜3μm の
範囲である。
ービームが照射される金属層の表面は、微小な凹凸を有
する梨地面（あるいは無光沢面）であり、その表面粗さ
Ｒma x は 0.5〜 5μm とする。金属層の表面粗さＲmax
が上記範囲を外れた場合には、素地部（非マーク領域）
の表面における光の散乱性が不十分となり、レーザー照
射により溶融し再凝固したマーク領域の表面との反射性
の違いが小さくなるため、視認性の高いマークが形成さ
れない。より望ましい表面粗さＲmax は、 1〜3μm の
範囲である。
【００１１】また本発明の方法において、所定のマーク
領域にのみレーザービームを照射する方法としては、形
成すべきマーク形状のパターンを有する露光マスクを通
して、レーザービームを照射するマスク方式や、ガルバ
ノメーター型スキャナーを用いるなどして、レーザービ
ームの集光（照射）点を連続的に移動させるスキャニン
グ方式等がある。スキャニング方式では、例えば、Ｘ軸
方向送り用とＹ軸方向送り用の２つのプリズム（反射
鏡）をそれぞれリニアモータで移動させ、レーザービー
ムをＸＹ方向に精度良く平行移動させる方法が採られ
る。
領域にのみレーザービームを照射する方法としては、形
成すべきマーク形状のパターンを有する露光マスクを通
して、レーザービームを照射するマスク方式や、ガルバ
ノメーター型スキャナーを用いるなどして、レーザービ
ームの集光（照射）点を連続的に移動させるスキャニン
グ方式等がある。スキャニング方式では、例えば、Ｘ軸
方向送り用とＹ軸方向送り用の２つのプリズム（反射
鏡）をそれぞれリニアモータで移動させ、レーザービー
ムをＸＹ方向に精度良く平行移動させる方法が採られ
る。
【００１２】本発明の方法においては、図１に示すよう
に、表面粗さの最大値Ｒmax が 0.5〜 5μm で様々な大
きさの凹凸５を有する金属層６表面のマーク領域に、Ｙ
ＡＧレーザー等のレーザービーム７を照射することによ
り、照射されたマーク領域の金属がレーザーのエネルギ
ーを受けて溶融し、次いで再び凝固する。こうして溶融
し再凝固したマーク領域の表面は、大きなうねり状の凹
凸は残っているものの、大きさが 0.1〜 0.3μm の極く
微小な凹凸は均されて消された滑らかな面８となり、図
２（ａ）に拡大して示すように、入射光９を反射法則に
従って一方向に正反射する。そして、このように滑らか
な面８となったマーク領域の表面が、光を正反射するの
に対して、マーク領域以外の金属素地部の表面は、様々
な大きさの凹凸５を有する梨地面のままであり、図２
（ｂ）に示すように、入射光９をあらゆる方向に均一に
散乱（拡散反射）するので、このような光の反射性の違
いにより、明るく見える素地部の中にマーク領域が黒く
はっきりと視認される。
に、表面粗さの最大値Ｒmax が 0.5〜 5μm で様々な大
きさの凹凸５を有する金属層６表面のマーク領域に、Ｙ
ＡＧレーザー等のレーザービーム７を照射することによ
り、照射されたマーク領域の金属がレーザーのエネルギ
ーを受けて溶融し、次いで再び凝固する。こうして溶融
し再凝固したマーク領域の表面は、大きなうねり状の凹
凸は残っているものの、大きさが 0.1〜 0.3μm の極く
微小な凹凸は均されて消された滑らかな面８となり、図
２（ａ）に拡大して示すように、入射光９を反射法則に
従って一方向に正反射する。そして、このように滑らか
な面８となったマーク領域の表面が、光を正反射するの
に対して、マーク領域以外の金属素地部の表面は、様々
な大きさの凹凸５を有する梨地面のままであり、図２
（ｂ）に示すように、入射光９をあらゆる方向に均一に
散乱（拡散反射）するので、このような光の反射性の違
いにより、明るく見える素地部の中にマーク領域が黒く
はっきりと視認される。
【００１３】本発明によるマーク付けは、このような原
理によりなされるので、レーザービームの照射エネルギ
ーは、金属層を適当な時間をかけて（比較的ゆっくり
と）溶融させるのに必要かつ十分な大きさのものとす
る。すなわち、照射されるレーザービームのエネルギー
が大き過ぎる場合には、表面の金属が急激に溶融して吹
き上がる現象が生じるため、マーク部に大径で深いクレ
ータ状の凹みが形成され、凹みの周辺部にミルククラウ
ン状の盛上り部が形成される。そのため、マーク部の視
認性の低下および品位の低下が生じ、好ましくない。望
ましいレーザー照射の条件は、例えばＱ−スイッチ付き
ＹＡＧレーザーのスキャニング方式による照射では、レ
ーザー出力が10〜 40W、スキャンスピード（走査速度）
が 100〜 600mm/sの範囲である。
理によりなされるので、レーザービームの照射エネルギ
ーは、金属層を適当な時間をかけて（比較的ゆっくり
と）溶融させるのに必要かつ十分な大きさのものとす
る。すなわち、照射されるレーザービームのエネルギー
が大き過ぎる場合には、表面の金属が急激に溶融して吹
き上がる現象が生じるため、マーク部に大径で深いクレ
ータ状の凹みが形成され、凹みの周辺部にミルククラウ
ン状の盛上り部が形成される。そのため、マーク部の視
認性の低下および品位の低下が生じ、好ましくない。望
ましいレーザー照射の条件は、例えばＱ−スイッチ付き
ＹＡＧレーザーのスキャニング方式による照射では、レ
ーザー出力が10〜 40W、スキャンスピード（走査速度）
が 100〜 600mm/sの範囲である。
【００１４】このように本発明の方法により形成される
マークは、周囲の素地部に対するコントラストが良好で
あるので、肉眼での視認性が高いだけでなく、画像認識
装置による認識も可能である。そして、薄い金属めっき
層の表面にも、レーザーの照射エネルギーを調整するこ
とにより、金属層を削ったりあるいは急激に溶融させた
りすることなく適度の速さで溶融させ、視認性が良好で
表示品位の高いマークを形成することができる。
マークは、周囲の素地部に対するコントラストが良好で
あるので、肉眼での視認性が高いだけでなく、画像認識
装置による認識も可能である。そして、薄い金属めっき
層の表面にも、レーザーの照射エネルギーを調整するこ
とにより、金属層を削ったりあるいは急激に溶融させた
りすることなく適度の速さで溶融させ、視認性が良好で
表示品位の高いマークを形成することができる。
【００１５】さらに本発明の方法においては、金属表面
を溶融させてマークを形成しているため、マーク付け時
に金属の屑や大気汚染物質を発生させることがなく、作
業性が良好である。
を溶融させてマークを形成しているため、マーク付け時
に金属の屑や大気汚染物質を発生させることがなく、作
業性が良好である。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。本発明に係わる金属層へのマーク付け方法におい
ては、金属層の微小な凹凸を有する表面（表面粗さＲ
max 0.5〜 5μm ）のマーク領域に、ＹＡＧレーザー等
のレーザービームを照射し、レーザーの照射エネルギー
により、マーク領域の金属を溶融させ再び凝固させるこ
とにより、この領域の表面を、大きさが 0.1〜 0.3μm
の極く微小な凹凸が均されて消された滑らかな面とす
る。
する。本発明に係わる金属層へのマーク付け方法におい
ては、金属層の微小な凹凸を有する表面（表面粗さＲ
max 0.5〜 5μm ）のマーク領域に、ＹＡＧレーザー等
のレーザービームを照射し、レーザーの照射エネルギー
により、マーク領域の金属を溶融させ再び凝固させるこ
とにより、この領域の表面を、大きさが 0.1〜 0.3μm
の極く微小な凹凸が均されて消された滑らかな面とす
る。
【００１７】また、本発明に係わる金属層は、図３に示
すように、表面に微小な凹凸を有する表面粗さＲmax が
0.5〜 5μm の素地部１０と、素地部１０と反射性の異
なる滑らかな面（極く微小な凹凸が均され消された面）
を有するマーク部１１とから構成されており、例えば前
記した方法により、マーク部１１の形成がなされる。こ
の金属層においては、素地部１０の微小な凹凸を有する
表面が、入射光をあらゆる方向に均一に散乱するのに対
して、マーク部１１の滑らかな表面は、入射光を反射の
法則に従って一方向にのみ正反射するので、このような
光反射性の違いにより、マーク部１１がはっきりと視認
される。
すように、表面に微小な凹凸を有する表面粗さＲmax が
0.5〜 5μm の素地部１０と、素地部１０と反射性の異
なる滑らかな面（極く微小な凹凸が均され消された面）
を有するマーク部１１とから構成されており、例えば前
記した方法により、マーク部１１の形成がなされる。こ
の金属層においては、素地部１０の微小な凹凸を有する
表面が、入射光をあらゆる方向に均一に散乱するのに対
して、マーク部１１の滑らかな表面は、入射光を反射の
法則に従って一方向にのみ正反射するので、このような
光反射性の違いにより、マーク部１１がはっきりと視認
される。
【００１８】さらに、本発明に係わる半導体装置は、前
記した金属層を有するカバープレートを備えている。す
なわち、実施例の半導体装置では、図４に示すように、
カバープレート１２を構成する銅板材の表面に設けられ
たニッケルめっき層において、表面粗さＲmax が 0.5〜
5μm の素地部１０の中に、極く微小な凹凸が均され、
素地部１０と反射性の異なる滑らかな面を有するマーク
部１１が形成されており、視認性の高いマーク付けがな
されている。なお、図４において、符号１３は半導体チ
ップ、１４はポリイミド樹脂のような絶縁性樹脂のフィ
ルム、１５は絶縁性樹脂フィルム１４に設けられた銅配
線層（インナーリード）、１６は外部接続用端子である
はんだボール、１７はスティフナー（形状保持板）をそ
れぞれ示している。
記した金属層を有するカバープレートを備えている。す
なわち、実施例の半導体装置では、図４に示すように、
カバープレート１２を構成する銅板材の表面に設けられ
たニッケルめっき層において、表面粗さＲmax が 0.5〜
5μm の素地部１０の中に、極く微小な凹凸が均され、
素地部１０と反射性の異なる滑らかな面を有するマーク
部１１が形成されており、視認性の高いマーク付けがな
されている。なお、図４において、符号１３は半導体チ
ップ、１４はポリイミド樹脂のような絶縁性樹脂のフィ
ルム、１５は絶縁性樹脂フィルム１４に設けられた銅配
線層（インナーリード）、１６は外部接続用端子である
はんだボール、１７はスティフナー（形状保持板）をそ
れぞれ示している。
【００１９】以下、本発明の具体的な実施例について説
明する。
明する。
【００２０】実施例１〜３ カバープレートを有するＢＧＡ型半導体パッケードにお
いて、カバープレートの表面のニッケルめっき層に、ペ
ンタンプのＱ−スイッチ付きＹＡＧレーザー（ 45W級）
を使用し、製造会社名、製品名等を表示する文字マーク
の領域に、レーザービームを照射した。ここで、カバー
プレートは、銅板材の表面に、 2〜 7μm 厚のニッケル
めっき層が設けられた構造を有し、ニッケルめっき層の
表面は、表面粗さＲmax が 1μm の無光沢面となってい
る。また、レーザー照射の条件を表わすＱ−スイッチの
周波数、励起用アークランプの電流値、レーザー出力値
および走査速度を、それぞれ表１に示す。
いて、カバープレートの表面のニッケルめっき層に、ペ
ンタンプのＱ−スイッチ付きＹＡＧレーザー（ 45W級）
を使用し、製造会社名、製品名等を表示する文字マーク
の領域に、レーザービームを照射した。ここで、カバー
プレートは、銅板材の表面に、 2〜 7μm 厚のニッケル
めっき層が設けられた構造を有し、ニッケルめっき層の
表面は、表面粗さＲmax が 1μm の無光沢面となってい
る。また、レーザー照射の条件を表わすＱ−スイッチの
周波数、励起用アークランプの電流値、レーザー出力値
および走査速度を、それぞれ表１に示す。
【００２１】実施例１〜３でレーザービームが照射され
たニッケルめっき層のマーク部は、溶融・再凝固によ
り、表面が極く微小な凹凸が消された滑らかな面となっ
ており、正反射のみでほとんど光の散乱がないため、黒
く見えた。そして、白色無光沢の素地部とのコントラス
トが良好で、肉眼で十分な視認性を有していた。
たニッケルめっき層のマーク部は、溶融・再凝固によ
り、表面が極く微小な凹凸が消された滑らかな面となっ
ており、正反射のみでほとんど光の散乱がないため、黒
く見えた。そして、白色無光沢の素地部とのコントラス
トが良好で、肉眼で十分な視認性を有していた。
【００２２】また、半導体装置に与える熱的な影響を調
べるために、実施例１〜３において、それぞれカバープ
レートのニッケルめっき層表面に熱電対を取り付け、レ
ーザー照射時の温度上昇を測定した。いずれの実施例に
おいても、カバープレートの温度は室温から約50℃に上
昇し、上昇開始より約40秒で室温に戻り、温度上昇によ
る悪影響は全く見られなかった。
べるために、実施例１〜３において、それぞれカバープ
レートのニッケルめっき層表面に熱電対を取り付け、レ
ーザー照射時の温度上昇を測定した。いずれの実施例に
おいても、カバープレートの温度は室温から約50℃に上
昇し、上昇開始より約40秒で室温に戻り、温度上昇によ
る悪影響は全く見られなかった。
【００２３】さらに、実施例１〜３でマークが付けられ
たカバープレートにおいて、レーザー照射がなされたマ
ーク部と周囲の素地部とでそれぞれニッケルめっき層の
厚さを測定した。測定結果を表１に示す。
たカバープレートにおいて、レーザー照射がなされたマ
ーク部と周囲の素地部とでそれぞれニッケルめっき層の
厚さを測定した。測定結果を表１に示す。
【００２４】
【表１】 この測定結果からわかるように、いずれの実施例におい
ても、マーク部と素地部とでニッケルめっき層の厚さの
違いはほとんど見られず、下地の銅の露出は全くなかっ
た。
ても、マーク部と素地部とでニッケルめっき層の厚さの
違いはほとんど見られず、下地の銅の露出は全くなかっ
た。
【００２５】実施例４〜６ ＢＧＡ型半導体パッケージのスティフナーにおいて、表
面のニッケルめっき層（厚さ 2〜10μm ）に、ペンタン
プのＱ−スイッチ付きＹＡＧレーザー（ 80W級）を使用
し、文字マークの形状にレーザービームを照射した。ニ
ッケルめっき層の表面粗さＲmax と、レーザー照射の条
件を表わすＱ−スイッチの周波数、励起用アークランプ
の電流値、レーザー出力値および走査速度を、それぞれ
表２に示す。
面のニッケルめっき層（厚さ 2〜10μm ）に、ペンタン
プのＱ−スイッチ付きＹＡＧレーザー（ 80W級）を使用
し、文字マークの形状にレーザービームを照射した。ニ
ッケルめっき層の表面粗さＲmax と、レーザー照射の条
件を表わすＱ−スイッチの周波数、励起用アークランプ
の電流値、レーザー出力値および走査速度を、それぞれ
表２に示す。
【００２６】次いで、実施例４〜６でレーザービームが
照射されたニッケルめっき層のマーク部の視認性を、目
視で調べた。結果を表２下欄に示す。なお、視認性の評
価は、十分な視認性を有しているものを△、特に素地部
とのコントラストが良好で視認性に優れているものを○
とした。
照射されたニッケルめっき層のマーク部の視認性を、目
視で調べた。結果を表２下欄に示す。なお、視認性の評
価は、十分な視認性を有しているものを△、特に素地部
とのコントラストが良好で視認性に優れているものを○
とした。
【００２７】
【表２】 この表からわかるように、いずれの実施例においても、
ニッケルめっき層のマーク部は、肉眼で無光沢の素地部
に対して十分な視認性を有していた。
ニッケルめっき層のマーク部は、肉眼で無光沢の素地部
に対して十分な視認性を有していた。
【００２８】なお、以上の実施例では、ＢＧＡ型半導体
パッケージのカバープレートおよびスティフナー（ニッ
ケルめっき層）にそれぞれマークを形成したが、本発明
の方法は、このようなマーク付けに限定されず、セラミ
ック基板を備えた半導体パッケージのリードや、その他
の半導体装置の金属部材へのマーク付けにも適用するこ
とができる。
パッケージのカバープレートおよびスティフナー（ニッ
ケルめっき層）にそれぞれマークを形成したが、本発明
の方法は、このようなマーク付けに限定されず、セラミ
ック基板を備えた半導体パッケージのリードや、その他
の半導体装置の金属部材へのマーク付けにも適用するこ
とができる。
【００２９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の方法によれば、金属層の微小な凹凸を有する表面に、
レーザービームの照射により、素地部との反射性が大き
く異なり視認性が良好なマーク部を容易に形成すること
ができる。そして、例えば半導体装置のカバープレート
等の薄いめっき層を有する金属部材にマーク付けを行な
う場合にも、めっき層が削られて下地金属が露出するこ
とがないので、下地金属の腐食等が生じず、長期間良好
な視認性が確保される。
の方法によれば、金属層の微小な凹凸を有する表面に、
レーザービームの照射により、素地部との反射性が大き
く異なり視認性が良好なマーク部を容易に形成すること
ができる。そして、例えば半導体装置のカバープレート
等の薄いめっき層を有する金属部材にマーク付けを行な
う場合にも、めっき層が削られて下地金属が露出するこ
とがないので、下地金属の腐食等が生じず、長期間良好
な視認性が確保される。
【００３０】また、マーク部の金属表面を溶融させて視
認性を得ているため、加工時に金属の屑や大気汚染物質
を発生させることがないうえに、表面を掘り削ってマー
ク付けをする従来の方法に比べて、レーザーの照射エネ
ルギーが少なくて済む。
認性を得ているため、加工時に金属の屑や大気汚染物質
を発生させることがないうえに、表面を掘り削ってマー
ク付けをする従来の方法に比べて、レーザーの照射エネ
ルギーが少なくて済む。
【図１】本発明のマーク付け方法を説明するための断面
図。
図。
【図２】本発明の方法により形成されたマーク領域の表
面と素地部の表面との、反射性の違いを説明するための
図。
面と素地部の表面との、反射性の違いを説明するための
図。
【図３】本発明に係わる金属層の概略構成を示す断面
図。
図。
【図４】本発明に係わる半導体装置の概略構成を示す斜
視図。
視図。
【図５】従来のレーザー照射によるマーク付け方法を説
明するための断面図。
明するための断面図。
６………金属層 ７………レーザービーム ８………極く微小な凹凸が均されて消された滑らかな面 １０………素地部 １１………マーク部 １２………カバープレート １３………半導体チップ １４………絶縁性樹脂のフィルム
Claims (10)
- 【請求項１】 表面粗さＲmax が 0.5〜 5μm の金属層
の所定のマーク領域に、レーザービームを照射し、金属
を溶融させ再凝固させることにより、前記マーク領域の
表面を、前記金属層の素地部と光反射性の異なる面とす
ることを特徴とする金属層へのマーク付け方法。 - 【請求項２】 前記レーザービーム照射後のマーク領域
の表面が、 0.1〜 0.3μm の大きさの極く微小な凹凸が
均されて消された滑面であることを特徴とする請求項１
記載の金属層へのマーク付け方法。 - 【請求項３】 前記マーク領域に、出力が10〜 44Wのレ
ーザービームをスキャニング方式により照射することを
特徴とする請求項１または２記載の金属層へのマーク付
け方法。 - 【請求項４】 前記レーザービームのスキャニング速度
が、 100〜 600mm/sであることを特徴とする請求項３記
載の金属層へのマーク付け方法。 - 【請求項５】 前記金属層が、半導体装置のカバープレ
ートの表面に設けられたニッケルめっき層であることを
特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載の金属層
へのマーク付け方法。 - 【請求項６】 表面粗さＲmax が 0.5〜 5μm の素地部
と、該素地部と光反射性の異なる表面を有するマーク部
とを備えたことを特徴とする金属層。 - 【請求項７】 前記マーク部の表面が、 0.1〜 0.3μm
の大きさの極く微小な凹凸が均されて消された滑面であ
ることを特徴とする請求項６記載の金属層。 - 【請求項８】 前記請求項６または７記載の金属層を備
えたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項９】 前記金属層が、カバープレートを構成す
る銅板材の表面に設けられたニッケルめっき層であるこ
とを特徴とする請求項８記載の半導体装置。 - 【請求項１０】 前記ニッケルめっき層の厚さが、 2〜
10μm であることを特徴とする請求項９記載の半導体装
置。
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
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| US09/666,464 US6400037B1 (en) | 1997-11-28 | 2000-09-20 | Method of marking on metallic layer, metallic layer with marks thereon and semiconductor device having the metallic layer |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32836097A JP3406817B2 (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | 金属層へのマーク付け方法および半導体装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
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| JPH11156565A true JPH11156565A (ja) | 1999-06-15 |
| JP3406817B2 JP3406817B2 (ja) | 2003-05-19 |
Family
ID=18209384
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| JP32836097A Expired - Fee Related JP3406817B2 (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | 金属層へのマーク付け方法および半導体装置 |
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- 1997-11-28 JP JP32836097A patent/JP3406817B2/ja not_active Expired - Fee Related
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1998
- 1998-11-25 US US09/199,425 patent/US6143587A/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-09-20 US US09/666,464 patent/US6400037B1/en not_active Expired - Lifetime
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