JP3400067B2 - 印刷配線板の導体切断方法及び装置 - Google Patents
印刷配線板の導体切断方法及び装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、回路基板上の導体を切
断する方法に係り、特に、レーザ光の照射により高密度
化、高多層化のなされた基板上のパターンを切断する方
法及び装置に関する。
断する方法に係り、特に、レーザ光の照射により高密度
化、高多層化のなされた基板上のパターンを切断する方
法及び装置に関する。
【０００２】近年、印刷基板配線板の高密度化に伴い、
回路の設計変更による、例えば、導体の切断の如き基板
の改造作業の難度が増している。そのため、導体切断等
の基板の改造作業の簡単化が求められている。
回路の設計変更による、例えば、導体の切断の如き基板
の改造作業の難度が増している。そのため、導体切断等
の基板の改造作業の簡単化が求められている。
【０００３】
【従来の技術】多層に積層された回路基板上の導体を切
断する方法として、従来、ラウンドバーを用いた切断方
法が周知である。
断する方法として、従来、ラウンドバーを用いた切断方
法が周知である。
【０００４】図１６は、例えば、径φが０．６ｍｍのラ
ウンドバー２を利用して、ランド間に狭いピッチ間隔で
形成された３本の配線パターンの中の１本の配線パター
ンを切断する場合を示している。
ウンドバー２を利用して、ランド間に狭いピッチ間隔で
形成された３本の配線パターンの中の１本の配線パター
ンを切断する場合を示している。
【０００５】図１７は、表面層のパターンだけを切断す
る場合を示し、同図の（ａ）には上方から見た切断パタ
ーンの形状が示され、同図の（ｂ）には、ラウンドバー
２を用いた表面層のパターン切断の横方向の断面図が示
されている。
る場合を示し、同図の（ａ）には上方から見た切断パタ
ーンの形状が示され、同図の（ｂ）には、ラウンドバー
２を用いた表面層のパターン切断の横方向の断面図が示
されている。
【０００６】図１８は、表面層パターンの下方の内層パ
ターンだけの切断を示す図である。同図の（ａ）に上方
から見た切断対象パターンが示され、同図の（ｂ）に、
かかる内層パターンの切断の横方向の断面図が示されて
いる。
ターンだけの切断を示す図である。同図の（ａ）に上方
から見た切断対象パターンが示され、同図の（ｂ）に、
かかる内層パターンの切断の横方向の断面図が示されて
いる。
【０００７】図１９は、広い面積を有する所謂ベタ層と
呼ばれる層が積層板の内部に存在する場合、そのベタ層
に損傷を与えることなく、パターンを切断する方法を説
明する図である。同図の（ａ）は、ベタ層と、そのベタ
層の下方に位置する切断対象パターンを示す図である。
高速に動作する素子においては、素子の特性インピーダ
ンスを整合させるために、このベタ層の上を信号線パタ
ーン（配線パターン）が通過するよう設計される。従っ
て、ベタ層の下にこのような切断の困難な切断対象パタ
ーンが生ずることがある。
呼ばれる層が積層板の内部に存在する場合、そのベタ層
に損傷を与えることなく、パターンを切断する方法を説
明する図である。同図の（ａ）は、ベタ層と、そのベタ
層の下方に位置する切断対象パターンを示す図である。
高速に動作する素子においては、素子の特性インピーダ
ンスを整合させるために、このベタ層の上を信号線パタ
ーン（配線パターン）が通過するよう設計される。従っ
て、ベタ層の下にこのような切断の困難な切断対象パタ
ーンが生ずることがある。
【０００８】図１９の（ｂ）は、ベタ層の下方にある切
断対象パターンがベタ層の上方に移動し得るよう基板の
配線の設計を変更し、回避用パターンを作成する例を示
す図である。このように基板の設計変更により回避用パ
ターンを作成し、これを切断し、所望のパターン切断を
実現している。
断対象パターンがベタ層の上方に移動し得るよう基板の
配線の設計を変更し、回避用パターンを作成する例を示
す図である。このように基板の設計変更により回避用パ
ターンを作成し、これを切断し、所望のパターン切断を
実現している。
【０００９】一方、図１９の（ｃ）及び（ｄ）は、ベタ
層に逃げのパターンを形成し、切断対象パターンの切断
によるベタ層への損傷を防止する方法を説明する図であ
る。同図の（ｃ）は、ベタ層に逃げのパターンが設けら
れた積層板の横方向の断面を示している。同図の（ｄ）
は、ベタ層を上方より見た図である。このように、ベタ
層中に逃げのパターンを設けることにより、この逃げの
パターンの内側を通しラウンドバー２により、切断対象
パターンを切断することが可能になる。
層に逃げのパターンを形成し、切断対象パターンの切断
によるベタ層への損傷を防止する方法を説明する図であ
る。同図の（ｃ）は、ベタ層に逃げのパターンが設けら
れた積層板の横方向の断面を示している。同図の（ｄ）
は、ベタ層を上方より見た図である。このように、ベタ
層中に逃げのパターンを設けることにより、この逃げの
パターンの内側を通しラウンドバー２により、切断対象
パターンを切断することが可能になる。
【００１０】図２０は、従来の導体切断方法において利
用される導体切断チェックを説明するための図である。
同図に示すように、従来の導体切断は、ランドとランド
を接続する導体パターンの特定の箇所を切断することに
より行われている。従って、導体が正しく切断されたか
否かをチェックするために、上記２つのランドに導通チ
ェック用の接触端子を接触させランド間の導通がチェッ
クされている。
用される導体切断チェックを説明するための図である。
同図に示すように、従来の導体切断は、ランドとランド
を接続する導体パターンの特定の箇所を切断することに
より行われている。従って、導体が正しく切断されたか
否かをチェックするために、上記２つのランドに導通チ
ェック用の接触端子を接触させランド間の導通がチェッ
クされている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来のラウンド
バーを用いる配線パターンの切断方法によると、図１６
に示す如く、切断される配線パターンに隣接している他
の配線パターンは、切断により損傷が加えられる。かか
る損傷は、ラウンドバーの径が、高密度化が進んだ回路
基板の配線パターンのピッチ間隔に比べて十分に小さく
できないために生ずる。
バーを用いる配線パターンの切断方法によると、図１６
に示す如く、切断される配線パターンに隣接している他
の配線パターンは、切断により損傷が加えられる。かか
る損傷は、ラウンドバーの径が、高密度化が進んだ回路
基板の配線パターンのピッチ間隔に比べて十分に小さく
できないために生ずる。
【００１２】更に、図１７に示す如く、切断する配線パ
ターンの下方の内層に更なる配線パターンがある場合、
表面層の配線パターンの切断により、内層のパターンも
損傷を被る。ラウンドバーを用いて表面層の配線パター
ンを切断する場合、切断する深さの調節が困難である
上、更に、基板の多層化により層間のクリアランスがよ
り縮小されるので、切断する深さの調節は一層正確にな
されることが必要である。
ターンの下方の内層に更なる配線パターンがある場合、
表面層の配線パターンの切断により、内層のパターンも
損傷を被る。ラウンドバーを用いて表面層の配線パター
ンを切断する場合、切断する深さの調節が困難である
上、更に、基板の多層化により層間のクリアランスがよ
り縮小されるので、切断する深さの調節は一層正確にな
されることが必要である。
【００１３】更に、図１８の（ｂ）に示す如く、ラウン
ドバーを用いる切断方法によると、表面層の配線パター
ンのピッチ間隔が狭くなると、ラウンドバーは表面層の
配線パターンに干渉する。従って、表面層の配線パター
ンに損傷を与えることなく、内層のパターンだけを切断
することは困難になる。
ドバーを用いる切断方法によると、表面層の配線パター
ンのピッチ間隔が狭くなると、ラウンドバーは表面層の
配線パターンに干渉する。従って、表面層の配線パター
ンに損傷を与えることなく、内層のパターンだけを切断
することは困難になる。
【００１４】更に、図１９の（ｂ）に示す如く、ベタ層
により切断が阻害される場合、設計変更によりパターン
を回避する方法は、時間的、経済的なコストが大きいの
で、設計変更を行う必要のない方法が望まれる。
により切断が阻害される場合、設計変更によりパターン
を回避する方法は、時間的、経済的なコストが大きいの
で、設計変更を行う必要のない方法が望まれる。
【００１５】更に、図１９の（ｃ）及び（ｄ）に示す如
く、ベタ層内に逃げのパターンを設ける方法によると、
逃げのパターンが設けられているベタ層は、高速に動作
する素子の特性インピーダンスの整合が得られないの
で、かかるベタ層の上に信号線を通過させ得ない。
く、ベタ層内に逃げのパターンを設ける方法によると、
逃げのパターンが設けられているベタ層は、高速に動作
する素子の特性インピーダンスの整合が得られないの
で、かかるベタ層の上に信号線を通過させ得ない。
【００１６】更に、図２０に示す如く、従来のランド間
の点を切断する方法によると、その切断の可否をチェッ
クする作業工数と作業時間の負担は大きい。
の点を切断する方法によると、その切断の可否をチェッ
クする作業工数と作業時間の負担は大きい。
【００１７】更に、上記従来の技術により配線パターン
を切断する場合、配線パターンの切断箇所の位置は切断
図面と実際の積層板とを対比して検索されるが、切断さ
れる導体がレジスト等に覆われていることも多く、かか
る場合、切断箇所の検索が難しい。更に、切断箇所が内
層部に有る場合、検索はより困難になる。
を切断する場合、配線パターンの切断箇所の位置は切断
図面と実際の積層板とを対比して検索されるが、切断さ
れる導体がレジスト等に覆われていることも多く、かか
る場合、切断箇所の検索が難しい。更に、切断箇所が内
層部に有る場合、検索はより困難になる。
【００１８】本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み、
配線パターンの切断によらず、基板上の導体を精度良
く、かつ、高速に切断し得る導体の切断方法及び装置の
提供を目的とする。
配線パターンの切断によらず、基板上の導体を精度良
く、かつ、高速に切断し得る導体の切断方法及び装置の
提供を目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明の印刷配線板の導
体切断方法は、レーザ光を印刷配線板のスルーホール４
０の内壁部３０に照射し、該スルーホールの内壁部３０
を除去し、該導体を切断する。
体切断方法は、レーザ光を印刷配線板のスルーホール４
０の内壁部３０に照射し、該スルーホールの内壁部３０
を除去し、該導体を切断する。
【００２０】更に、本発明の印刷配線板の導体切断方法
は、レーザー光を印刷配線板のランド６０と配線パター
ン７０との接続部に照射し、該ランド６０と該配線パタ
ーン７０との接続部を除去し、該導体を切断する。
は、レーザー光を印刷配線板のランド６０と配線パター
ン７０との接続部に照射し、該ランド６０と該配線パタ
ーン７０との接続部を除去し、該導体を切断する。
【００２１】図１に示す如く、本発明の印刷配線板のス
ルーホール切断方法は、前記レーザ光を前記スルーホー
ル４０の外層ランド２０に照射し、該外層ランド２０を
除去するステップ（ステップ１０）と、該レーザ光を該
外層ランド２０の除去された該スルーホールの内壁部３
０に照射し、該スルーホールの内壁部３０の導体を除去
するステップ（ステップ２０）と、該レーザ光のビーム
幅を拡大し、該レーザ光を該除去された導体の溶融粉に
照射し、該溶融粉を除去するステップ（ステップ３０）
とからなる。
ルーホール切断方法は、前記レーザ光を前記スルーホー
ル４０の外層ランド２０に照射し、該外層ランド２０を
除去するステップ（ステップ１０）と、該レーザ光を該
外層ランド２０の除去された該スルーホールの内壁部３
０に照射し、該スルーホールの内壁部３０の導体を除去
するステップ（ステップ２０）と、該レーザ光のビーム
幅を拡大し、該レーザ光を該除去された導体の溶融粉に
照射し、該溶融粉を除去するステップ（ステップ３０）
とからなる。
【００２２】図２に示す如く、本発明の印刷配線板のラ
ンド切断方法は、ランド６０と配線パターン７０の接続
部の形状に応じて、該レーザ光の照射される領域を調節
するマスク８０の開口部の形状を設定するステップ（ス
テップ６０）と、該マスク８０の開口部を介して該レー
ザ光を該パターンに照射し、該パターンを切断するステ
ップ（ステップ７０）と、前記レーザ光のビーム幅を拡
大し、該レーザ光を該除去された導体の溶融粉に照射
し、該溶融粉を除去するステップ（ステップ８０）とか
らなる。
ンド切断方法は、ランド６０と配線パターン７０の接続
部の形状に応じて、該レーザ光の照射される領域を調節
するマスク８０の開口部の形状を設定するステップ（ス
テップ６０）と、該マスク８０の開口部を介して該レー
ザ光を該パターンに照射し、該パターンを切断するステ
ップ（ステップ７０）と、前記レーザ光のビーム幅を拡
大し、該レーザ光を該除去された導体の溶融粉に照射
し、該溶融粉を除去するステップ（ステップ８０）とか
らなる。
【００２３】本発明の一実施例のレーザパターン切断装
置は、レーザ光を発生するレーザ光源２３０と、該レー
ザ光源２３０から発生された該レーザ光を集光するレン
ズ９０と、該レーザ光が該レンズ９０を介してその切断
されるパターンに照射される印刷配線板が置かれるステ
ージ１００とからなり、該切断されるパターンの形状に
応じて、該レーザ光の照射される領域を調節する開口部
を有するマスク８０を更に含むことを特徴とする。更
に、前記マスク８０と、前記レンズ９０と、前記ステー
ジ１００は、該マスク８０の面から該レンズ９０の中心
までの距離ｕと、該レンズ９０の中心から該ステージ１
００に置かれ前記レーザ光の照射される基板表面までの
距離ｖと、該レンズ９０の焦点距離ｆの関係が： １／ｕ ＋ １／ｖ ＝ １／ｆ となるよう配置されていることを特徴とする。
置は、レーザ光を発生するレーザ光源２３０と、該レー
ザ光源２３０から発生された該レーザ光を集光するレン
ズ９０と、該レーザ光が該レンズ９０を介してその切断
されるパターンに照射される印刷配線板が置かれるステ
ージ１００とからなり、該切断されるパターンの形状に
応じて、該レーザ光の照射される領域を調節する開口部
を有するマスク８０を更に含むことを特徴とする。更
に、前記マスク８０と、前記レンズ９０と、前記ステー
ジ１００は、該マスク８０の面から該レンズ９０の中心
までの距離ｕと、該レンズ９０の中心から該ステージ１
００に置かれ前記レーザ光の照射される基板表面までの
距離ｖと、該レンズ９０の焦点距離ｆの関係が： １／ｕ ＋ １／ｖ ＝ １／ｆ となるよう配置されていることを特徴とする。
【００２４】本発明の一実施例のレーザパターン切断装
置の前記マスク８０の開口部は、矩形、円形、及び半円
形の形状を有することを特徴とする。
置の前記マスク８０の開口部は、矩形、円形、及び半円
形の形状を有することを特徴とする。
【００２５】
【作用】本発明によれば、基板上の導体の切断は、配線
パターンの切断によらず、スルーホールの切断、又は、
ランドと配線パターンとの接続部の切断により行われ
る。従って、配線パターンの切断に伴う隣接する配線パ
ターンの損傷が回避できる。更に、一般にスルーホー
ル、又は、ランドは、図面においても実際の基板におい
ても配線パターンに比べて容易に見つけることができる
ので、切断前における切断箇所の検出、切断後における
切断結果の検査の負担が低減され、作業時間が短縮され
る。更に、切断箇所の位置検出が容易になるため、基板
の位置決め、加工箇所の位置決め等の精度が改善され、
従って、切断等の加工精度も改善される。かくして、本
発明により、基板上の導体の切断は、精度良く、更に高
速に行なわれ得る。更に、切断等の加工後の検査が容易
に行なわれ得るようになる。
パターンの切断によらず、スルーホールの切断、又は、
ランドと配線パターンとの接続部の切断により行われ
る。従って、配線パターンの切断に伴う隣接する配線パ
ターンの損傷が回避できる。更に、一般にスルーホー
ル、又は、ランドは、図面においても実際の基板におい
ても配線パターンに比べて容易に見つけることができる
ので、切断前における切断箇所の検出、切断後における
切断結果の検査の負担が低減され、作業時間が短縮され
る。更に、切断箇所の位置検出が容易になるため、基板
の位置決め、加工箇所の位置決め等の精度が改善され、
従って、切断等の加工精度も改善される。かくして、本
発明により、基板上の導体の切断は、精度良く、更に高
速に行なわれ得る。更に、切断等の加工後の検査が容易
に行なわれ得るようになる。
【００２６】更に、本発明によれば、スルーホールの内
壁部の導体を除去することにより、表面層のパターンの
損傷や、基板の設計変更を行うことなく、基板の内層パ
ターンの導体が切断され得るようになる。
壁部の導体を除去することにより、表面層のパターンの
損傷や、基板の設計変更を行うことなく、基板の内層パ
ターンの導体が切断され得るようになる。
【００２７】更に、本発明の一実施例のレーザパターン
切断装置によれば、マスクの開口は切断対象パターンの
形状に応じて変更され、このマスクを介してレーザ光が
照射され得るので、不要な損傷が基板に与えられること
がない。
切断装置によれば、マスクの開口は切断対象パターンの
形状に応じて変更され、このマスクを介してレーザ光が
照射され得るので、不要な損傷が基板に与えられること
がない。
【００２８】
【実施例】本発明の他の特徴と利点は、添付図面を参照
した以下の説明により明らかになるであろう。尚、添付
図面において同一の参照符号は、多数の図中の同じ部分
を示すものである。
した以下の説明により明らかになるであろう。尚、添付
図面において同一の参照符号は、多数の図中の同じ部分
を示すものである。
【００２９】図３は、本発明の第１実施例によるレーザ
光を利用した基板上の導体を切断するレーザパターン切
断装置の構成を示す図である。同図において、レーザパ
ターン切断装置は、基板上の加工データを作成し、この
加工データを格納するホストコンピュータ２００と、こ
のホストコンピュータ２００に接続されて、上記の加工
データをホストコンピュータ２００から受信し、かかる
加工データに基づいて切断処理を制御する制御コンピュ
ータ２１０とを有する。
光を利用した基板上の導体を切断するレーザパターン切
断装置の構成を示す図である。同図において、レーザパ
ターン切断装置は、基板上の加工データを作成し、この
加工データを格納するホストコンピュータ２００と、こ
のホストコンピュータ２００に接続されて、上記の加工
データをホストコンピュータ２００から受信し、かかる
加工データに基づいて切断処理を制御する制御コンピュ
ータ２１０とを有する。
【００３０】レーザパターン切断装置は、更に、切断用
のレーザ光を発生するレーザ光源２３０と、制御コンピ
ュータ２１０に接続され、制御コンピュータ２１０から
の指令に従ってレーザ光源２３０から出力されるエキシ
マレーザの出力低下を補償して一定の出力が保持される
よう制御するガス供給制御装置２２０を有する。レーザ
光源２３０は、一例として、発振波長２４８ｎｍ、平均
出力５０Ｗ、エネルギーパルス２５０ｍＪ、繰り返し照
射数２００ｐｐｓ、パルス幅１６ｎｓ、及びビームサイ
ズ８×２５ｍｍのエキシマレーザを出力する。ガス供給
制御装置２２０は、例えば、レーザ光源２３０から出力
されるレーザ光の出力エネルギーを監視し、この出力エ
ネルギーが低下すると印加電圧を増大させて出力エネル
ギーを一定に保ち、印加電圧の増大による補正が限度に
達するとハロゲンガスを自動的に補充して出力エネルギ
ーを一定に保つよう制御する。
のレーザ光を発生するレーザ光源２３０と、制御コンピ
ュータ２１０に接続され、制御コンピュータ２１０から
の指令に従ってレーザ光源２３０から出力されるエキシ
マレーザの出力低下を補償して一定の出力が保持される
よう制御するガス供給制御装置２２０を有する。レーザ
光源２３０は、一例として、発振波長２４８ｎｍ、平均
出力５０Ｗ、エネルギーパルス２５０ｍＪ、繰り返し照
射数２００ｐｐｓ、パルス幅１６ｎｓ、及びビームサイ
ズ８×２５ｍｍのエキシマレーザを出力する。ガス供給
制御装置２２０は、例えば、レーザ光源２３０から出力
されるレーザ光の出力エネルギーを監視し、この出力エ
ネルギーが低下すると印加電圧を増大させて出力エネル
ギーを一定に保ち、印加電圧の増大による補正が限度に
達するとハロゲンガスを自動的に補充して出力エネルギ
ーを一定に保つよう制御する。
【００３１】レーザパターン切断装置は、更に、レーザ
光源２３０より出力されたレーザ光をステージ１００に
置かれた基板上の切断パターンに応じて、レーザ光の透
過する開口部寸法の調節が可能なマスク８０を有する。
マスク８０の開口部寸法は、基板の樹脂に対するダメー
ジが小さくなるよう、即ち、樹脂に入射するレーザ光が
できるだけ少なくなるよう調節されることが望ましい。
尚、かかるマスク８０の材料としては、例えば、Ｍｏが
利用され得る。
光源２３０より出力されたレーザ光をステージ１００に
置かれた基板上の切断パターンに応じて、レーザ光の透
過する開口部寸法の調節が可能なマスク８０を有する。
マスク８０の開口部寸法は、基板の樹脂に対するダメー
ジが小さくなるよう、即ち、樹脂に入射するレーザ光が
できるだけ少なくなるよう調節されることが望ましい。
尚、かかるマスク８０の材料としては、例えば、Ｍｏが
利用され得る。
【００３２】上記のマスク８０により照射領域が制限さ
れたレーザ光は、次いで、レンズにより構成される光学
系９０により集光され、ステージ１００に置かれた基板
上の切断パターン部分に照射される。このステージ１０
０は、制御コンピュータ２１０により上記の加工データ
に応じて切断点に移動させられる。
れたレーザ光は、次いで、レンズにより構成される光学
系９０により集光され、ステージ１００に置かれた基板
上の切断パターン部分に照射される。このステージ１０
０は、制御コンピュータ２１０により上記の加工データ
に応じて切断点に移動させられる。
【００３３】レーザパターン切断装置は、更に、光学系
９０を介して、ステージ１００上の基板の位置基準マー
ク、切断パターン、切断状況の画像を取り込むカメラ２
４０と、かかるカメラの取り込んだ画像が入力され、こ
の画像に対して、２値化処理、演算処理等の汎用的な画
像処理、及び、処理目的に応じた個々の画像処理を制御
コンピュータ２１０からの制御に従って実行する画像処
理装置２５０を有する。
９０を介して、ステージ１００上の基板の位置基準マー
ク、切断パターン、切断状況の画像を取り込むカメラ２
４０と、かかるカメラの取り込んだ画像が入力され、こ
の画像に対して、２値化処理、演算処理等の汎用的な画
像処理、及び、処理目的に応じた個々の画像処理を制御
コンピュータ２１０からの制御に従って実行する画像処
理装置２５０を有する。
【００３４】基板上にレーザ光を照射する切断処理によ
り、一般に、基板上の切断点におけるエネルギー密度が
変化するため、基板に反りが生じる。従って、本発明の
第１実施例のレーザパターン切断装置は、かかる基板の
反り量を計測する変位センサ２６０を有する。更に、こ
の変位センサ２６０は、変位センサ２６０を制御し、変
位センサの計測値に応じて、ステージ１００のＺ軸方向
（レーザ光の照射される光軸方向）の位置を制御する制
御コンピュータ２１０に接続されている。
り、一般に、基板上の切断点におけるエネルギー密度が
変化するため、基板に反りが生じる。従って、本発明の
第１実施例のレーザパターン切断装置は、かかる基板の
反り量を計測する変位センサ２６０を有する。更に、こ
の変位センサ２６０は、変位センサ２６０を制御し、変
位センサの計測値に応じて、ステージ１００のＺ軸方向
（レーザ光の照射される光軸方向）の位置を制御する制
御コンピュータ２１０に接続されている。
【００３５】このレーザパターン切断装置は、更に、加
工データに応じる制御コンピュータ２１０からの制御に
従って、基板上の適当な箇所に樹脂を塗布し、次いで、
樹脂の塗布された部分にＵＶ（紫外線）を照射して、塗
布された樹脂を硬化させるＵＶ樹脂ディスペンサ２７０
を有する。
工データに応じる制御コンピュータ２１０からの制御に
従って、基板上の適当な箇所に樹脂を塗布し、次いで、
樹脂の塗布された部分にＵＶ（紫外線）を照射して、塗
布された樹脂を硬化させるＵＶ樹脂ディスペンサ２７０
を有する。
【００３６】図４は、図３に示したレーザパターン切断
装置のマスク８０と、レンズ９０と、ステージ１００と
よりなる光学系の配置を示す図である。同図において、
マスク８０を通過したレーザ光がレンズ９０により集光
され、ステージ１００上の基板１０の配線パターン７０
及びランド６０に照射されている。ここで、マスク８０
の面からレンズ９０の中心までの光軸方向の距離をｕと
し、レンズ９０の中心からレーザ光の照射される基板１
０の表面までの光軸方向の距離をｖとし、レンズ９０の
焦点距離をｆとすると、この光学系は： １／ｕ ＋ １／ｖ ＝ １／ｆ なる光学的な条件に基づいて、縮小率ｍが： ｍ＝ｕ／ｖ となる縮小投影を実現する。
装置のマスク８０と、レンズ９０と、ステージ１００と
よりなる光学系の配置を示す図である。同図において、
マスク８０を通過したレーザ光がレンズ９０により集光
され、ステージ１００上の基板１０の配線パターン７０
及びランド６０に照射されている。ここで、マスク８０
の面からレンズ９０の中心までの光軸方向の距離をｕと
し、レンズ９０の中心からレーザ光の照射される基板１
０の表面までの光軸方向の距離をｖとし、レンズ９０の
焦点距離をｆとすると、この光学系は： １／ｕ ＋ １／ｖ ＝ １／ｆ なる光学的な条件に基づいて、縮小率ｍが： ｍ＝ｕ／ｖ となる縮小投影を実現する。
【００３７】更に、図４に示す半円形の開口部形状を有
するマスク８０は、ランドのパターン引出し部の除去に
適している。
するマスク８０は、ランドのパターン引出し部の除去に
適している。
【００３８】図５及び図６は、本発明の第２実施例によ
るスルーホール切断による導体の切断方法を説明するた
めの図であり、図５はその動作方法のフローチャートで
あり、図６はこのスルーホール切断方法の基板のスルー
ホールへの適用例を示す図であり、Ａ点とＢ点との導体
接続の切断を想定する。
るスルーホール切断による導体の切断方法を説明するた
めの図であり、図５はその動作方法のフローチャートで
あり、図６はこのスルーホール切断方法の基板のスルー
ホールへの適用例を示す図であり、Ａ点とＢ点との導体
接続の切断を想定する。
【００３９】ステップ１００： 最初に、レーザパター
ン切断装置のステージ１００に、例えば、８層乃至１２
層よりなる多層基板１０がセットされ、切断されるスル
ーホールに関する情報、例えば、外層ランドの径（φ＝
０．７ｍｍ）、外層ランドの平均厚さ（２５μｍ）、ス
ルーホールの径（φ＝０．４ｍｍ）、スルーホール内壁
部の平均厚さ（２５μｍ）、及び、スルーホールの長さ
（１．６ｍｍ）等の切断情報が装置の制御コンピュータ
２１０に入力される。
ン切断装置のステージ１００に、例えば、８層乃至１２
層よりなる多層基板１０がセットされ、切断されるスル
ーホールに関する情報、例えば、外層ランドの径（φ＝
０．７ｍｍ）、外層ランドの平均厚さ（２５μｍ）、ス
ルーホールの径（φ＝０．４ｍｍ）、スルーホール内壁
部の平均厚さ（２５μｍ）、及び、スルーホールの長さ
（１．６ｍｍ）等の切断情報が装置の制御コンピュータ
２１０に入力される。
【００４０】ステップ１１０： 次に、外層ランドを除
去するよう照射されるレーザ光をマスクするマスク８０
の開口部長さをφ＝０．９ｍｍに設定する。この開口部
長さは、外層ランドの径（φ＝０．７ｍｍ）よりも大き
く、かつ、基板の樹脂を不必要に損傷させない程度の寸
法になるよう選ばれることが望ましい。
去するよう照射されるレーザ光をマスクするマスク８０
の開口部長さをφ＝０．９ｍｍに設定する。この開口部
長さは、外層ランドの径（φ＝０．７ｍｍ）よりも大き
く、かつ、基板の樹脂を不必要に損傷させない程度の寸
法になるよう選ばれることが望ましい。
【００４１】ステップ１２０： レーザ光源２３０より
所定のパルス数５００によりレーザ光が発生され、この
レーザ光は、マスク８０及びレンズ９０を介して、ステ
ージ１００の基板のスルーホールの、図６の（ａ）に示
された、外層ランドに照射される。かかるレーザ光の照
射により、図６の（ｂ）に示す如く、スルーホールの外
層ランドは、揮発、除去され、レーザ光の照射が終了す
る。
所定のパルス数５００によりレーザ光が発生され、この
レーザ光は、マスク８０及びレンズ９０を介して、ステ
ージ１００の基板のスルーホールの、図６の（ａ）に示
された、外層ランドに照射される。かかるレーザ光の照
射により、図６の（ｂ）に示す如く、スルーホールの外
層ランドは、揮発、除去され、レーザ光の照射が終了す
る。
【００４２】ステップ１３０： 次いで、スルーホール
の内壁部を除去するよう照射されるレーザ光をマスクす
るマスク８０の開口部長さをφ＝０．４ｍｍに設定す
る。この開口部長さは、スルーホールの径（φ＝０．４
ｍｍ）に一致するよう選ばれることが望ましい。
の内壁部を除去するよう照射されるレーザ光をマスクす
るマスク８０の開口部長さをφ＝０．４ｍｍに設定す
る。この開口部長さは、スルーホールの径（φ＝０．４
ｍｍ）に一致するよう選ばれることが望ましい。
【００４３】ステップ１４０： レーザ光源２３０より
所定のパルス数５００によりレーザ光が発生され、この
レーザ光は、マスク８０及びレンズ９０を介して、ステ
ージ１００の基板の、図６の（ｂ）に示す、スルーホー
ル内壁部に照射される。かかるレーザ光の照射により、
スルーホール内壁部の導体は揮発、除去され、図６の
（ｃ）に示す如く、スルーホールの長手方向に貫通した
時点で、かかるレーザ光の照射が終了する。
所定のパルス数５００によりレーザ光が発生され、この
レーザ光は、マスク８０及びレンズ９０を介して、ステ
ージ１００の基板の、図６の（ｂ）に示す、スルーホー
ル内壁部に照射される。かかるレーザ光の照射により、
スルーホール内壁部の導体は揮発、除去され、図６の
（ｃ）に示す如く、スルーホールの長手方向に貫通した
時点で、かかるレーザ光の照射が終了する。
【００４４】ステップ１５０： 最後に、外層ランド及
びスルーホール内壁部の導体の揮発、除去により基板上
に残された溶融粉を揮発させるよう、基板上に照射され
るレーザ光のビーム径が拡大される。かかるビーム径の
拡大は、マスク８０の開口長さの拡大、基板から離れる
向きにレンズ９０の位置の移動、或いは、ステージ１０
０の光軸方向に移動するＺテーブルがレンズ９０から離
れる移動を行うことにより達成され得る。
びスルーホール内壁部の導体の揮発、除去により基板上
に残された溶融粉を揮発させるよう、基板上に照射され
るレーザ光のビーム径が拡大される。かかるビーム径の
拡大は、マスク８０の開口長さの拡大、基板から離れる
向きにレンズ９０の位置の移動、或いは、ステージ１０
０の光軸方向に移動するＺテーブルがレンズ９０から離
れる移動を行うことにより達成され得る。
【００４５】ステップ１６０： レーザ光源２３０より
所定のパルス数１０によりレーザ光が発生され、このレ
ーザ光は、マスク８０及びレンズ９０を介して、ステー
ジ１００の基板の、図６の（ｃ）に示す、スルーホール
周辺部に照射される。かかるレーザ光の照射により、ス
ルーホール周辺部の溶融粉は揮発、除去され、スルーホ
ール切断の処理が終了する。
所定のパルス数１０によりレーザ光が発生され、このレ
ーザ光は、マスク８０及びレンズ９０を介して、ステー
ジ１００の基板の、図６の（ｃ）に示す、スルーホール
周辺部に照射される。かかるレーザ光の照射により、ス
ルーホール周辺部の溶融粉は揮発、除去され、スルーホ
ール切断の処理が終了する。
【００４６】図７は、本発明の第３実施例によるレーザ
パターン切断装置の制御コンピュータ２１０の動作を示
すフローチャートである。
パターン切断装置の制御コンピュータ２１０の動作を示
すフローチャートである。
【００４７】ステップ２００において、基板が装置のス
テージ１００上にセットされる。
テージ１００上にセットされる。
【００４８】ステップ２１０において、制御コンピュー
タ２１０は、画像処理装置２５０を起動し、例えば，Ｃ
ＣＤカメラの如きカメラ２４０を介して、図８に示す基
板の画像が画像処理装置２５０に取り込まれる。図８に
示されるマークは、画像処理装置２５０により、例えば
２値化処理を用いてその位置の検出が可能な基板内の基
準位置を示すマークであり、画像処理装置２５０は、こ
のマークと、かかる基準位置の所定位置（図８において
中央部に点線で示される円）との間の位置ずれ量、Ｘ及
びＹ、を計測し、この計測結果を制御コンピュータ２１
０に通知する。基板の位置ずれの計測結果が通知された
制御コンピュータ２１０は、ステージ１００の駆動等を
制御してかかる基板の位置ずれを補正する。
タ２１０は、画像処理装置２５０を起動し、例えば，Ｃ
ＣＤカメラの如きカメラ２４０を介して、図８に示す基
板の画像が画像処理装置２５０に取り込まれる。図８に
示されるマークは、画像処理装置２５０により、例えば
２値化処理を用いてその位置の検出が可能な基板内の基
準位置を示すマークであり、画像処理装置２５０は、こ
のマークと、かかる基準位置の所定位置（図８において
中央部に点線で示される円）との間の位置ずれ量、Ｘ及
びＹ、を計測し、この計測結果を制御コンピュータ２１
０に通知する。基板の位置ずれの計測結果が通知された
制御コンピュータ２１０は、ステージ１００の駆動等を
制御してかかる基板の位置ずれを補正する。
【００４９】ステップ２２０において、制御コンピュー
タ２１０は、ホストコンピュータ２００からの加工デー
タに応じて基板上の切断対象箇所を選択し、切断対象箇
所が装置の加工領域に入るようステージ１００を移動さ
せる。
タ２１０は、ホストコンピュータ２００からの加工デー
タに応じて基板上の切断対象箇所を選択し、切断対象箇
所が装置の加工領域に入るようステージ１００を移動さ
せる。
【００５０】ステップ２３０において、制御コンピュー
タ２１０は、画像処理装置２５０を制御し、カメラ２４
０を介して上記の切断対象箇所周辺の画像を取り込む。
図９は、画像処理装置２５０により処理された切断対象
箇所の画像を示す図である。同図に示す如く、切断対象
パターンの位置と幅が検出される。画像処理装置２５０
は、かかる検出された切断対象パターンの位置と、同図
において点線で示されるかかる切断対象パターンが置か
れるべき所定の位置との間の位置ずれ量Ｘを計測して、
位置ずれ量Ｘ及び切断対象パターンの幅Ｗを制御コンピ
ュータ２１０に通知する。切断対象パターンの位置ずれ
量Ｘと、パターンの幅Ｗを通知された制御コンピュータ
２１０は、切断対象パターンが所定の位置及び高さに置
かれるようステージ１００の移動量を算出し、ステージ
１００を駆動する。
タ２１０は、画像処理装置２５０を制御し、カメラ２４
０を介して上記の切断対象箇所周辺の画像を取り込む。
図９は、画像処理装置２５０により処理された切断対象
箇所の画像を示す図である。同図に示す如く、切断対象
パターンの位置と幅が検出される。画像処理装置２５０
は、かかる検出された切断対象パターンの位置と、同図
において点線で示されるかかる切断対象パターンが置か
れるべき所定の位置との間の位置ずれ量Ｘを計測して、
位置ずれ量Ｘ及び切断対象パターンの幅Ｗを制御コンピ
ュータ２１０に通知する。切断対象パターンの位置ずれ
量Ｘと、パターンの幅Ｗを通知された制御コンピュータ
２１０は、切断対象パターンが所定の位置及び高さに置
かれるようステージ１００の移動量を算出し、ステージ
１００を駆動する。
【００５１】ステップ２４０において、制御コンピュー
タ２１０は、ホストコンピュータ２００からの加工デー
タに応じて基板の切断パターンに照射されるレーザ光の
一部をマスクするマスク８０の開口部の寸法を変更す
る。図１０は、マスク８０の開口部の寸法を調節する機
構の一例である。かかる機構を利用することにより、マ
スク８０の開口部の一の方向の幅Ｗと、その一の方向に
直交する方向の幅Ｌの長さとがモータの駆動により調節
され得る。図１１は、図１０に示す駆動機構により調節
されるマスク８０の開口部を示す。制御コンピュータ２
１０は、上記の加工データに従ってマスク８０の開口部
の長さＷ及びＬを算出し、上記モータを駆動し、マスク
８０の開口部の寸法を変更する。
タ２１０は、ホストコンピュータ２００からの加工デー
タに応じて基板の切断パターンに照射されるレーザ光の
一部をマスクするマスク８０の開口部の寸法を変更す
る。図１０は、マスク８０の開口部の寸法を調節する機
構の一例である。かかる機構を利用することにより、マ
スク８０の開口部の一の方向の幅Ｗと、その一の方向に
直交する方向の幅Ｌの長さとがモータの駆動により調節
され得る。図１１は、図１０に示す駆動機構により調節
されるマスク８０の開口部を示す。制御コンピュータ２
１０は、上記の加工データに従ってマスク８０の開口部
の長さＷ及びＬを算出し、上記モータを駆動し、マスク
８０の開口部の寸法を変更する。
【００５２】ステップ２５０において、制御コンピュー
タ２１０は、ステージに装着された基板の反りの量を計
測する変位センサ２６０を起動する。図１２は、変位セ
ンサの一例として利用される光学式変位センサの配置を
概略的に示す図である。同図に示す如く、変位センサ２
６０は、基板上の切断対象パターン位置の反り量を検出
し得る位置に、照射されるレーザ光との干渉が生じない
よう配置されることが望ましい。かかる配置の利用によ
り、加工中にも基板の反り量を検出することが可能にな
る。
タ２１０は、ステージに装着された基板の反りの量を計
測する変位センサ２６０を起動する。図１２は、変位セ
ンサの一例として利用される光学式変位センサの配置を
概略的に示す図である。同図に示す如く、変位センサ２
６０は、基板上の切断対象パターン位置の反り量を検出
し得る位置に、照射されるレーザ光との干渉が生じない
よう配置されることが望ましい。かかる配置の利用によ
り、加工中にも基板の反り量を検出することが可能にな
る。
【００５３】ステップ２６０において、レーザ光の照射
によりパターンが切断される。
によりパターンが切断される。
【００５４】ステップ２７０において、制御コンピュー
タ２１０は、画像処理装置２５０を制御して、上記のス
テップ２６０により切断された基板上の切断対象パター
ンの画像をカメラ２４０を介して取り込む。図１３は、
画像処理装置２５０により画像処理された基板上のパタ
ーンの切断結果の画像を示す図である。同図において、
レーザ光の照射により切断されて２つの部分に分かれた
パターンが示されている。画像処理装置２５０は、例え
ば、切断部の間隔等を計測して、この計測結果を制御コ
ンピュータ２１０に通知する。
タ２１０は、画像処理装置２５０を制御して、上記のス
テップ２６０により切断された基板上の切断対象パター
ンの画像をカメラ２４０を介して取り込む。図１３は、
画像処理装置２５０により画像処理された基板上のパタ
ーンの切断結果の画像を示す図である。同図において、
レーザ光の照射により切断されて２つの部分に分かれた
パターンが示されている。画像処理装置２５０は、例え
ば、切断部の間隔等を計測して、この計測結果を制御コ
ンピュータ２１０に通知する。
【００５５】ステップ２８０において、制御コンピュー
タ２１０は、画像処理装置２５０より通知された切断部
の間隔等の切断の検査結果に基づいて、ホストコンピュ
ータ２００から得られた加工データ通りに切断が完了し
たかどうかを判定し、切断が完了していない場合、ステ
ップ２６０に戻り、切断が完了していると判定された場
合、次のステップに進む。
タ２１０は、画像処理装置２５０より通知された切断部
の間隔等の切断の検査結果に基づいて、ホストコンピュ
ータ２００から得られた加工データ通りに切断が完了し
たかどうかを判定し、切断が完了していない場合、ステ
ップ２６０に戻り、切断が完了していると判定された場
合、次のステップに進む。
【００５６】ステップ２９０において、制御コンピュー
タ２１０は、切断の完了後、切断パターン周辺部のクリ
ーニング、例えば、レーザ光を照射して切断パターン周
辺部の溶融粉を揮発、除去する。図１４は、レーザクリ
ーニングの過程を示す図である。同図の（ａ）に示す如
く、切断されたパターンの周辺部には、揮発、除去され
た導体の溶融粉が残されている。同図の（ｂ）に示す如
く、かかる溶融粉が残された領域を覆うように、制御コ
ンピュータ２１０はパルス数の少ないレーザ光を上記の
領域に照射する。これにより、同図の（ｃ）に示す如
く、溶融粉が揮発、除去される。
タ２１０は、切断の完了後、切断パターン周辺部のクリ
ーニング、例えば、レーザ光を照射して切断パターン周
辺部の溶融粉を揮発、除去する。図１４は、レーザクリ
ーニングの過程を示す図である。同図の（ａ）に示す如
く、切断されたパターンの周辺部には、揮発、除去され
た導体の溶融粉が残されている。同図の（ｂ）に示す如
く、かかる溶融粉が残された領域を覆うように、制御コ
ンピュータ２１０はパルス数の少ないレーザ光を上記の
領域に照射する。これにより、同図の（ｃ）に示す如
く、溶融粉が揮発、除去される。
【００５７】ステップ３００において、制御コンピュー
タ２１０は、基板の保護用のＵＶ樹脂を塗布するＵＶ樹
脂ディスペンサ２７０を動作させる。図１５は、ＵＶ樹
脂ディスペンサ２７０の樹脂の塗布を説明する図であ
る。ＵＶ樹脂ディスペンサ２７０は、ＵＶ樹脂を基板上
に塗布し、更に、ステップ３１０において、ＵＶ（紫外
線）をＵＶ樹脂の塗布された領域に照射する。
タ２１０は、基板の保護用のＵＶ樹脂を塗布するＵＶ樹
脂ディスペンサ２７０を動作させる。図１５は、ＵＶ樹
脂ディスペンサ２７０の樹脂の塗布を説明する図であ
る。ＵＶ樹脂ディスペンサ２７０は、ＵＶ樹脂を基板上
に塗布し、更に、ステップ３１０において、ＵＶ（紫外
線）をＵＶ樹脂の塗布された領域に照射する。
【００５８】
【発明の効果】上記の如く、本発明の印刷配線板の導体
切断方法及び装置によれば、従来の人手による切断と比
べて、精度が向上し、作業時間が短縮されることを利点
とする。
切断方法及び装置によれば、従来の人手による切断と比
べて、精度が向上し、作業時間が短縮されることを利点
とする。
【００５９】更に、本発明の導体切断方法及び装置によ
れば、従来の配線パターンに代わりスルーホール又はラ
ンドと配線パターンとの接続部が切断の対象となるの
で、配線パターンの切断部分を検索する場合に比べ、切
断箇所を容易に検索できるようになることを利点とす
る。そのため、切断箇所の検出、切断結果の検査等を画
像処理装置を用いて人手によらず行えるようになる。
れば、従来の配線パターンに代わりスルーホール又はラ
ンドと配線パターンとの接続部が切断の対象となるの
で、配線パターンの切断部分を検索する場合に比べ、切
断箇所を容易に検索できるようになることを利点とす
る。そのため、切断箇所の検出、切断結果の検査等を画
像処理装置を用いて人手によらず行えるようになる。
【００６０】本発明の導体切断方法及び装置の更なる利
点は、スルーホールを切断の対象とすることにより、基
板の内層の閉じたパターンの導体接続を切断し得ること
である。
点は、スルーホールを切断の対象とすることにより、基
板の内層の閉じたパターンの導体接続を切断し得ること
である。
【００６１】本発明をその例に限定されることのない実
施例により添付図面を参照して詳細に説明したが、この
明細書に詳述した方法と装置の細部については、本発明
の精神と範囲を逸脱することなく、多数の変形が可能で
あることは、当業者により容易に理解されよう。
施例により添付図面を参照して詳細に説明したが、この
明細書に詳述した方法と装置の細部については、本発明
の精神と範囲を逸脱することなく、多数の変形が可能で
あることは、当業者により容易に理解されよう。
【図１】本発明による印刷配線板のスルーホール切断の
原理を説明する図である。
原理を説明する図である。
【図２】本発明による印刷配線板のランド切断の原理を
説明する図である。
説明する図である。
【図３】本発明の第１実施例によるレーザパターン切断
装置の構成図である。
装置の構成図である。
【図４】本発明の第１実施例によるレーザパターン切断
装置の光学系を説明する図である。
装置の光学系を説明する図である。
【図５】本発明の第２実施例による導体の切断方法を示
すフローチャートである。
すフローチャートである。
【図６】本発明の第２実施例による導体の切断を説明す
る図である。
る図である。
【図７】本発明の第３実施例によるレーザパターン切断
装置の動作フローチャートである。
装置の動作フローチャートである。
【図８】本発明の第３実施例による基板位置の補正を説
明する図である。
明する図である。
【図９】本発明の第３実施例による切断パターンの計測
を説明する図である。
を説明する図である。
【図１０】本発明の第３実施例によるマスクの開口長を
変更する機構を説明する図である。
変更する機構を説明する図である。
【図１１】本発明の第３実施例によるマスクの開口長の
変更を説明する図である。
変更を説明する図である。
【図１２】本発明の第３実施例による光学式変位センサ
の配置を説明する図である。
の配置を説明する図である。
【図１３】本発明の第３実施例による切断完了センシン
グを説明する図である。
グを説明する図である。
【図１４】本発明の第３実施例によるレーザクリーニン
グを説明する図である。
グを説明する図である。
【図１５】本発明の第３実施例によるＵＶ樹脂の塗布を
説明する図である。
説明する図である。
【図１６】従来技術による配線パターンの切断を説明す
る図である。
る図である。
【図１７】従来技術による表面層パターンの切断を説明
する図である。
する図である。
【図１８】従来技術による内層パターンの切断を説明す
る図である。
る図である。
【図１９】従来技術による広面積パターンの下のパター
ン切断を説明する図である。
ン切断を説明する図である。
【図２０】従来技術による導体の切断チェックを説明す
る図である。
る図である。
１０ 基板表面
２０ 外層ランド
３０ スルーホール内壁部
４０ スルーホール
６０ ランド
７０ 配線パターン
８０ マスク
９０ レンズ
１００ ステージ
２００ ホストコンピュータ
２１０ 制御コンピュータ
２２０ ガス供給制御装置
２３０ レーザ光源
２４０ カメラ
２５０ 画像処理装置
２６０ 変位センサ
２７０ ＵＶ樹脂ディスペンサ
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H05K 3/22
B23K 26/00
Claims (9)
- 【請求項１】 レーザ光を印刷配線板の導体に照射し該
導体を切断する方法であって、 該レーザ光を該印刷配線板のスルーホール（４０）の内
壁部（３０）に照射し、該スルーホールの内壁部（３
０）を除去し、該導体を切断する印刷配線板の導体切断
方法。 - 【請求項２】 レーザ光を印刷配線板の導体に照射し該
導体を切断する方法であって、 該レーザー光を該印刷配線板のランド（６０）と配線パ
ターン（７０）との接続部に照射し、該ランド（６０）
と該配線パターン（７０）との接続部を除去し、該導体
を切断する印刷配線板の導体切断方法。 - 【請求項３】 前記レーザ光を前記スルーホール（４
０）の外層ランド（２０）に照射し該外層ランド（２
０）を除去するステップ（ステップ１０）と、 該レーザ光を該外層ランド（２０）の除去された該スル
ーホールの内壁部（３０）に照射し、該スルーホールの
内壁部（３０）の導体を除去するステップ（ステップ２
０）と、 該レーザ光のビーム幅を拡大し、該レーザ光を該除去さ
れた導体の溶融粉に照射し、該溶融粉を除去するステッ
プ（ステップ３０）とからなる、請求項１記載の印刷配
線板の導体切断方法。 - 【請求項４】 前記ステップ（ステップ２０）は、前記
スルーホールの内壁部を円形に除去することを特徴とす
る請求項３記載の印刷配線板の導体切断方法。 - 【請求項５】 レーザ光を印刷配線板の導体に照射し該
導体を切断する方法であって、 切断される前記印刷配線版のランド（６０）と配線パタ
ーン（７０）の接続部の形状に応じて、該レーザ光の照
射される領域を調節するマスク（８０）の開口部の形状
を半円形に設定するステップ（ステップ６０）と、 該マスク（８０）の開口部を介して該レーザ光を該パタ
ーンに照射し、該パターンを切断するステップ（ステッ
プ７０）と、 を有する 印刷配線板の導体切断方法。 - 【請求項６】 前記レーザ光のビーム幅を拡大し、該レ
ーザ光を該除去された導体の溶融粉に照射し、該溶融粉
を除去するステップ（ステップ８０）を更に有すること
を特徴とする、請求項５記載の印刷配線板の導体切断方
法。 - 【請求項７】 レーザ光を発生するレーザ光源（２３
０）と、 該レーザ光源（２３０）から発生された該レーザ光を集
光するレンズ（９０）と、 該レーザ光が該レンズ（９０）を介してその切断される
パターンに照射される印刷配線板が置かれるステージ
（１００）と、 を有する印刷配線板の導体切断装置であって、 該切断されるパターンの形状に応じて、該レーザ光の照
射される領域を調節する円形状の開口部を有するマスク
（８０）を更に有することを特徴とする印刷配線板の導
体切断装置。 - 【請求項８】 レーザ光を発生するレーザ光源（２３
０）と、 該レーザ光源（２３０）から発生された該レーザ光を集
光するレンズ（９０）と、 該レーザ光が該レンズ（９０）を介してその切断される
パターンに照射される印刷配線板が置かれるステージ
（１００）と、 を有する印刷配線板の導体切断装置であって、 該切断されるパターンの形状に応じて、該レーザ光の照
射される領域を調節する半円形状の開口部を有するマス
ク（８０）を更に有することを特徴とする印刷配線板の
導体切断装置。 - 【請求項９】 前記マスク（８０）と、前記レンズ（９
０）と、前記ステージ（１００）は、該マスク（８０）
の面から該レンズ（９０）の中心までの距離ｕと、該レ
ンズ（９０）の中心から該ステージ（１００）に置かれ
前記レーザ光の照射される基板表面までの距離ｖと、該
レンズ（９０）の焦点距離ｆの関係が： １／ｕ ＋ １／ｖ ＝ １／ｆ となるよう配置されることを特徴とする、請求項７又は
８記載の印刷配線板の導体切断装置。
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP04619694A JP3400067B2 (ja) | 1994-03-16 | 1994-03-16 | 印刷配線板の導体切断方法及び装置 |
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Family
ID=12740327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04619694A Expired - Fee Related JP3400067B2 (ja) | 1994-03-16 | 1994-03-16 | 印刷配線板の導体切断方法及び装置 |
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-
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