JPH0523875A - レーザーマーキング装置 - Google Patents
レーザーマーキング装置Info
- Publication number
- JPH0523875A JPH0523875A JP3182844A JP18284491A JPH0523875A JP H0523875 A JPH0523875 A JP H0523875A JP 3182844 A JP3182844 A JP 3182844A JP 18284491 A JP18284491 A JP 18284491A JP H0523875 A JPH0523875 A JP H0523875A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- semiconductor wafer
- laser beam
- laser
- irradiation
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体ウェーハ表面にレーザー光を照射してマ
ーキングを行う際に飛散するシリコンくず等が半導体ウ
ェーハ表面に再付着し半導体ウェーハを汚染することを
防止する。 【構成】レーザー光を半導体ウェーハに照射する際に、
半導体ウェーハ表面と水平面とのなす角θが０°〜９０
°になる様に、半導体ウェーハをセットする機構をもつ
レーザーマーキング装置。
ーキングを行う際に飛散するシリコンくず等が半導体ウ
ェーハ表面に再付着し半導体ウェーハを汚染することを
防止する。 【構成】レーザー光を半導体ウェーハに照射する際に、
半導体ウェーハ表面と水平面とのなす角θが０°〜９０
°になる様に、半導体ウェーハをセットする機構をもつ
レーザーマーキング装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマーキング装置に関し、
特に半導体ウェーハ用レーザーマーキグ装置に関する。
特に半導体ウェーハ用レーザーマーキグ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のレーザーマーキング装置は、図２
（ａ）に示す様に、レーザー発生部１と半導体ウェーハ
セット部４と、レーザー光反射部９を有しており、半導
体ウェーハ３を表面が上になるように地面に水平にセッ
トし、上方からレーザー光を照射しマーキングを行って
いた。
（ａ）に示す様に、レーザー発生部１と半導体ウェーハ
セット部４と、レーザー光反射部９を有しており、半導
体ウェーハ３を表面が上になるように地面に水平にセッ
トし、上方からレーザー光を照射しマーキングを行って
いた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のレーザーマーキ
ング装置では、水平にセットされた半導体ウェーハに上
からレーザー光を照射しマーキングを行っている為、図
２（ｂ）に示す様に、レーザー照射の際に飛散するシリ
コンくず６が前記ウェーハ表面に再付着する為にウェー
ハ表面が汚染されるという問題点があった。
ング装置では、水平にセットされた半導体ウェーハに上
からレーザー光を照射しマーキングを行っている為、図
２（ｂ）に示す様に、レーザー照射の際に飛散するシリ
コンくず６が前記ウェーハ表面に再付着する為にウェー
ハ表面が汚染されるという問題点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明のレーザーマーキ
ング装置は、レーザー発生部とウェーハセット部を有
し、レーザー光を半導体ウェーハに照射する際に、前記
半導体ウェーハ表面と水平面とのなす角θが０°〜９０
°になるように、前記半導体ウェーハをセットできる機
構を備えている。ただし、θ＝０°のときは半導体ウェ
ーハ表面は下方を向いており、下方よりレーザー光を照
射することを意味している。
ング装置は、レーザー発生部とウェーハセット部を有
し、レーザー光を半導体ウェーハに照射する際に、前記
半導体ウェーハ表面と水平面とのなす角θが０°〜９０
°になるように、前記半導体ウェーハをセットできる機
構を備えている。ただし、θ＝０°のときは半導体ウェ
ーハ表面は下方を向いており、下方よりレーザー光を照
射することを意味している。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１（ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明の一実施例の
レーザーマーキング装置の模式図，及びレーザー照射時
のシリコンくずの飛跡の様子を示した図である。まず、
マーキングを行いたい半導体ウェーハ３を真空吸引装置
５を備え、水平にセットしたウェーハセット部４の上に
乗せ、次に真空吸引装置により半導体ウェーハを吸着し
た状態でウェーハセット部を回転して、ウェーハ表面と
水平面とのなす角θが９０°になるようにセットする。
次にレーザー発生部１からレーザー光の光路２に沿って
レーザーを照射し、所望の文字・数字を刻印する。この
時、レーザー照射によって半導体ウェーハ３からシリコ
ンくず６がシリコンくず飛跡７に沿って下方に飛散する
ので、ウェーハ表面に再付着することを防止できる。
る。図１（ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明の一実施例の
レーザーマーキング装置の模式図，及びレーザー照射時
のシリコンくずの飛跡の様子を示した図である。まず、
マーキングを行いたい半導体ウェーハ３を真空吸引装置
５を備え、水平にセットしたウェーハセット部４の上に
乗せ、次に真空吸引装置により半導体ウェーハを吸着し
た状態でウェーハセット部を回転して、ウェーハ表面と
水平面とのなす角θが９０°になるようにセットする。
次にレーザー発生部１からレーザー光の光路２に沿って
レーザーを照射し、所望の文字・数字を刻印する。この
時、レーザー照射によって半導体ウェーハ３からシリコ
ンくず６がシリコンくず飛跡７に沿って下方に飛散する
ので、ウェーハ表面に再付着することを防止できる。
【０００６】上記の角θは９０°に限らず、シリコンく
ずが下方に落下する角度であればよい。すなわち０≦θ
≦９０°とすればよい。なお、ここでθ＝０は被加工面
が下方を向いて、下からレーザー光を照射することを意
味する。
ずが下方に落下する角度であればよい。すなわち０≦θ
≦９０°とすればよい。なお、ここでθ＝０は被加工面
が下方を向いて、下からレーザー光を照射することを意
味する。
【０００７】なお、ウェーハセット部の構造は、公知の
機構、例えば、イオン注入装置の注入室における試料台
の保持機構等が利用できるので詳しい説明は省略する。
機構、例えば、イオン注入装置の注入室における試料台
の保持機構等が利用できるので詳しい説明は省略する。
【０００８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体ウ
ェーハをウェーハ表面と水平面とのなす角θが０°≦θ
≦９０°になる様にセットすることによりレーザー照射
によるマーキングの際に飛散するシリコンくず等が前記
半導体ウェーハの表面に再付着し、前記半導体ウェーハ
を汚染することを防止するという効果を有する。
ェーハをウェーハ表面と水平面とのなす角θが０°≦θ
≦９０°になる様にセットすることによりレーザー照射
によるマーキングの際に飛散するシリコンくず等が前記
半導体ウェーハの表面に再付着し、前記半導体ウェーハ
を汚染することを防止するという効果を有する。
【図１】（ａ）は本発明の一実施例の模式図であり、
（ｂ）は（ａ）の装置によるシリコンくずの飛跡を示し
た図である。
（ｂ）は（ａ）の装置によるシリコンくずの飛跡を示し
た図である。
【図２】（ａ）は従来の装置の模式図であり、（ｂ）は
（ａ）の装置の場合のシリコンくずの飛跡を示した図で
ある。
（ａ）の装置の場合のシリコンくずの飛跡を示した図で
ある。
１ レーザー発生部 ２ レーザー光の光路 ３ 半導体ウェーハ ４ 半導体ウェーハセット部 ５ 真空吸引装置 ６ シリコンくず ７ シリコンくず飛跡 θ ウェーハ表面と水平面とのなす角 ９ レーザー光反射部
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 半導体ウェーハにレーザー光を用いて所
望の文字・数字を刻印する装置に於て、レーザー発生部
と、ウェーハセット部を有し、前記レーザー光を前記半
導体ウェーハに照射する際に、前記半導体ウェーハ表面
と水平面とのなす角が０°〜９０°になるように前記半
導体ウェーハをセットすることを特徴とするレーザーマ
ーキング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3182844A JPH0523875A (ja) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | レーザーマーキング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3182844A JPH0523875A (ja) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | レーザーマーキング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0523875A true JPH0523875A (ja) | 1993-02-02 |
Family
ID=16125448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3182844A Pending JPH0523875A (ja) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | レーザーマーキング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0523875A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002164264A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ソフトレーザーマーク印字方法及び装置 |
| US20080237189A1 (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-02 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Method for laser scribing of solar panels |
| JP2009271289A (ja) * | 2008-05-07 | 2009-11-19 | Fujifilm Corp | 凹部形成方法、凹凸製品の製造方法、発光素子の製造方法および光学素子の製造方法 |
| JP2012011440A (ja) * | 2010-07-02 | 2012-01-19 | Disco Corp | レーザー加工装置 |
| JP2014221480A (ja) * | 2013-05-13 | 2014-11-27 | トヨタ自動車株式会社 | レーザ表面処理方法及びレーザ表面処理装置 |
| JP2021120160A (ja) * | 2020-01-31 | 2021-08-19 | ブラザー工業株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
-
1991
- 1991-07-24 JP JP3182844A patent/JPH0523875A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002164264A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ソフトレーザーマーク印字方法及び装置 |
| US20080237189A1 (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-02 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Method for laser scribing of solar panels |
| EP2131993A2 (de) * | 2007-03-30 | 2009-12-16 | Oerlikon Trading AG, Trübbach | Methode zum laserritzen von solarzellen |
| US8299396B2 (en) * | 2007-03-30 | 2012-10-30 | Oerlikon Solar Ag, Trubbach | Method for laser scribing of solar panels |
| JP2009271289A (ja) * | 2008-05-07 | 2009-11-19 | Fujifilm Corp | 凹部形成方法、凹凸製品の製造方法、発光素子の製造方法および光学素子の製造方法 |
| JP2012011440A (ja) * | 2010-07-02 | 2012-01-19 | Disco Corp | レーザー加工装置 |
| JP2014221480A (ja) * | 2013-05-13 | 2014-11-27 | トヨタ自動車株式会社 | レーザ表面処理方法及びレーザ表面処理装置 |
| JP2021120160A (ja) * | 2020-01-31 | 2021-08-19 | ブラザー工業株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
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