JP2002164264A - ソフトレーザーマーク印字方法及び装置 - Google Patents
ソフトレーザーマーク印字方法及び装置Info
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- JP2002164264A JP2002164264A JP2000358918A JP2000358918A JP2002164264A JP 2002164264 A JP2002164264 A JP 2002164264A JP 2000358918 A JP2000358918 A JP 2000358918A JP 2000358918 A JP2000358918 A JP 2000358918A JP 2002164264 A JP2002164264 A JP 2002164264A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54493—Peripheral marks on wafers, e.g. orientation flats, notches, lot number
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ソフトレーザーマーキングにおいて、ドット
深さを深くしても、溶融したシリコンが飛び散って付着
する事が無く印字でき、また不良ウェーハのモニター品
への転用を行う時など、印字が容易に消せる印字方法及
び装置を提供する。 【解決手段】 ソフトレーザーマーキングによってウェ
ーハ表面に印字する方法において、ウェーハの下方から
レーザーを照射しウェーハ表面に印字を行うようにし
た。
深さを深くしても、溶融したシリコンが飛び散って付着
する事が無く印字でき、また不良ウェーハのモニター品
への転用を行う時など、印字が容易に消せる印字方法及
び装置を提供する。 【解決手段】 ソフトレーザーマーキングによってウェ
ーハ表面に印字する方法において、ウェーハの下方から
レーザーを照射しウェーハ表面に印字を行うようにし
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハ等
のウェーハの表面にソフトレーザーマークを印字する方
法及び装置に関する。
のウェーハの表面にソフトレーザーマークを印字する方
法及び装置に関する。
【０００２】
【関連技術】半導体ウェーハには、当該半導体ウェーハ
を管理、認識するための識別符号（マーク）が付される
場合がある。このマークは一般的に半導体ウェーハの周
辺部分に付されている。このマークは窪み（ドット）の
集合からなる文字、記号などで構成され、人間の目又は
ＣＣＤカメラ等により識別可能な大きさで印字されてい
る。
を管理、認識するための識別符号（マーク）が付される
場合がある。このマークは一般的に半導体ウェーハの周
辺部分に付されている。このマークは窪み（ドット）の
集合からなる文字、記号などで構成され、人間の目又は
ＣＣＤカメラ等により識別可能な大きさで印字されてい
る。
【０００３】この窪み（ドット）は、レーザービームに
より半導体ウェーハに形成される。従来のマーキング
（窪みの形成）には、ＹＡＧレーザーや半導体レーザー
などを用いたレーザー発振装置が用いられ、そのレーザ
ー発振装置は出力などによりハードレーザーマーカ（印
字装置）とソフトレーザーマーカ（印字装置）の二種類
に大別される。
より半導体ウェーハに形成される。従来のマーキング
（窪みの形成）には、ＹＡＧレーザーや半導体レーザー
などを用いたレーザー発振装置が用いられ、そのレーザ
ー発振装置は出力などによりハードレーザーマーカ（印
字装置）とソフトレーザーマーカ（印字装置）の二種類
に大別される。
【０００４】シリコンウェーハの加工プロセスでは、ハ
ードレーザーマークは表面研磨前に行うのが一般的で、
ソフトレーザーマークは、表面研磨後に行うのが一般的
である。
ードレーザーマークは表面研磨前に行うのが一般的で、
ソフトレーザーマークは、表面研磨後に行うのが一般的
である。
【０００５】ハードレーザーマークとは、一般的に数十
μｍ以上（約４０μｍ以上）の深さで印字するように出
力を強くしたレーザー発振器を有するレーザーマーカ
（レーザーマーク印字装置）を用いて印字を行うもので
あり、ソフトレーザーマークとは、印字深さを浅く、例
えば０．５μｍ程度から数μｍ程度の印字深さになるよ
うにレーザー発振器の出力を抑え、またはフィルタを用
い弱いエネルギーで１~数回印字するものである。
μｍ以上（約４０μｍ以上）の深さで印字するように出
力を強くしたレーザー発振器を有するレーザーマーカ
（レーザーマーク印字装置）を用いて印字を行うもので
あり、ソフトレーザーマークとは、印字深さを浅く、例
えば０．５μｍ程度から数μｍ程度の印字深さになるよ
うにレーザー発振器の出力を抑え、またはフィルタを用
い弱いエネルギーで１~数回印字するものである。
【０００６】通常、レーザーマークは、図４に示すよう
なレーザーマーク印字装置２０を用いて行われる。該レ
ーザーマーク印字装置２０においては、ウェーハステー
ジ等のウェーハ保持手段２２の上にウェーハＷをセット
し、その上方に設けられたレーザー照射手段２４からレ
ーザー光をウェーハＷの表面に照射し、目的の符号をウ
ェーハＷの表面に印字する。その際、ウェーハステージ
等のウェーハ保持手段２２若しくはレーザー照射手段２
４を微小移動させてウェーハＷの表面に目的の符号Ｍ
（ソフトレーザーマーク）を印字する（図６）。
なレーザーマーク印字装置２０を用いて行われる。該レ
ーザーマーク印字装置２０においては、ウェーハステー
ジ等のウェーハ保持手段２２の上にウェーハＷをセット
し、その上方に設けられたレーザー照射手段２４からレ
ーザー光をウェーハＷの表面に照射し、目的の符号をウ
ェーハＷの表面に印字する。その際、ウェーハステージ
等のウェーハ保持手段２２若しくはレーザー照射手段２
４を微小移動させてウェーハＷの表面に目的の符号Ｍ
（ソフトレーザーマーク）を印字する（図６）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ハードレーザーマーク
は、高レーザー出力でマークを形成し、その後表面研磨
を行うため、マーキング後のドットを深くでき、最終的
に１０μｍ以上の深さで残る。しかし、レーザーマーキ
ング前の厚さバラツキ、特にスライス工程後にすぐに印
字するとスライスの厚さバラツキの影響で、最終的なウ
ェーハ間でのドットの深さバラツキが大きい。また印字
深さを深くしているため、一度印字したものは逆に印字
を消す事が困難で、他の製品への転用ができないなどの
問題もある。
は、高レーザー出力でマークを形成し、その後表面研磨
を行うため、マーキング後のドットを深くでき、最終的
に１０μｍ以上の深さで残る。しかし、レーザーマーキ
ング前の厚さバラツキ、特にスライス工程後にすぐに印
字するとスライスの厚さバラツキの影響で、最終的なウ
ェーハ間でのドットの深さバラツキが大きい。また印字
深さを深くしているため、一度印字したものは逆に印字
を消す事が困難で、他の製品への転用ができないなどの
問題もある。
【０００８】ソフトレーザーマークは、低レーザー出力
でマークを形成する。ドットの深さバラツキが小さく、
少量の取り代で除去可能である。一般的にドット深さが
１μｍ程度と浅いため、後工程で印字した文字が読み難
くなったり、膜付け工程後には、消えてしまったりする
などの問題がある。
でマークを形成する。ドットの深さバラツキが小さく、
少量の取り代で除去可能である。一般的にドット深さが
１μｍ程度と浅いため、後工程で印字した文字が読み難
くなったり、膜付け工程後には、消えてしまったりする
などの問題がある。
【０００９】これはソフトレーザーマークで、レーザー
出力を強くしたり、複数回マーキングを行なうことやド
ットの深さを深くする事で改善できるが、この場合、図
５に示すように、ウェーハＷへのレーザー照射時に溶融
したシリコンがドット周辺に飛び散って付着し、パーテ
ィクルの発生源になる問題が発生する。従って、ハード
レーザーマークと同じように印字後、簡単にウェーハＷ
を研磨して、窪みＫの周辺部分の盛り上がりＥや飛び散
り（屑）Ｄを除去する必要がある。そのため、製造工程
が増えてしまう。
出力を強くしたり、複数回マーキングを行なうことやド
ットの深さを深くする事で改善できるが、この場合、図
５に示すように、ウェーハＷへのレーザー照射時に溶融
したシリコンがドット周辺に飛び散って付着し、パーテ
ィクルの発生源になる問題が発生する。従って、ハード
レーザーマークと同じように印字後、簡単にウェーハＷ
を研磨して、窪みＫの周辺部分の盛り上がりＥや飛び散
り（屑）Ｄを除去する必要がある。そのため、製造工程
が増えてしまう。
【００１０】この飛び散り（屑）Ｄの為並びに印字を確
実に残すため、ウェーハの製造プロセスでは従来ハード
レーザーマーキングを行い、（ハードレーザーマーキン
グでもソフトレーザーマーキングと同様に飛び散りが発
生する）、その後に研磨工程を行う方法を用いざるを得
なかった。
実に残すため、ウェーハの製造プロセスでは従来ハード
レーザーマーキングを行い、（ハードレーザーマーキン
グでもソフトレーザーマーキングと同様に飛び散りが発
生する）、その後に研磨工程を行う方法を用いざるを得
なかった。
【００１１】しかし、ソフトレーザーマークのほうが、
ハードレーザーマークに比較してドット深さのバラツキ
が無く好ましい。
ハードレーザーマークに比較してドット深さのバラツキ
が無く好ましい。
【００１２】本発明は、上記した従来技術の問題点に鑑
みなされたもので、ソフトレーザーマーク印字方法にお
いて、ドット深さを深くしても、溶融したシリコンが飛
び散って付着する事が無く印字でき、また不良ウェーハ
のモニター品への転用を行う時など、印字が容易に消せ
る印字方法及び装置を提供する事を目的とする。
みなされたもので、ソフトレーザーマーク印字方法にお
いて、ドット深さを深くしても、溶融したシリコンが飛
び散って付着する事が無く印字でき、また不良ウェーハ
のモニター品への転用を行う時など、印字が容易に消せ
る印字方法及び装置を提供する事を目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明のソフトレーザーマーク印字方法は、ソフト
レーザーマーキングによってウェーハ表面に印字する方
法において、ウェーハの下方からレーザーを照射しウェ
ーハ表面に印字を行うことを特徴とする。
め、本発明のソフトレーザーマーク印字方法は、ソフト
レーザーマーキングによってウェーハ表面に印字する方
法において、ウェーハの下方からレーザーを照射しウェ
ーハ表面に印字を行うことを特徴とする。
【００１４】このような方法で、印字すると、飛び散っ
たシリコン屑がウェーハ上に付着することなく、図５に
示す盛り上がりEの幅が少なく、規定の直径をもった窪
みＫの存在するきれいな印字加工を行うことができる。
たシリコン屑がウェーハ上に付着することなく、図５に
示す盛り上がりEの幅が少なく、規定の直径をもった窪
みＫの存在するきれいな印字加工を行うことができる。
【００１５】本発明方法では、印字と共にシリコン屑が
下方に落ちるためウェーハ上に飛び散りが残る事はな
い。
下方に落ちるためウェーハ上に飛び散りが残る事はな
い。
【００１６】上記ウェーハを水平に又は傾斜させて配置
し、ウェーハ面に対して垂直下方からレーザーを照射す
るのが好適である。
し、ウェーハ面に対して垂直下方からレーザーを照射す
るのが好適である。
【００１７】上記したウェーハの配置角度θは、ウェー
ハ面（印字面）が下方を向いていれば良く、即ち水平面
に対して０°≦θ＜９０°の範囲であればよいが、好ま
しくは０°≦θ≦４５°の範囲、更に好ましくは０°≦
θ≦２５°の範囲である。
ハ面（印字面）が下方を向いていれば良く、即ち水平面
に対して０°≦θ＜９０°の範囲であればよいが、好ま
しくは０°≦θ≦４５°の範囲、更に好ましくは０°≦
θ≦２５°の範囲である。
【００１８】印字の盛り上がりを左右対称にするには、
上記ウェーハを水平状態として配置するか又は配置角度
θをなるべく０°に近づけて配置する事が好ましい。
上記ウェーハを水平状態として配置するか又は配置角度
θをなるべく０°に近づけて配置する事が好ましい。
【００１９】本発明のソフトレーザーマーク印字装置
は、レーザーによってウェーハ表面に印字する装置であ
って、ウェーハを保持するウェーハ保持手段と、レーザ
ー発振器や反射板等からなるレーザー照射手段とを有
し、該ウェーハ保持手段に保持されたウェーハに対して
その下方から該レーザー照射手段を用いレーザーを照射
しウェーハ表面に印字を行うことを特徴とする。
は、レーザーによってウェーハ表面に印字する装置であ
って、ウェーハを保持するウェーハ保持手段と、レーザ
ー発振器や反射板等からなるレーザー照射手段とを有
し、該ウェーハ保持手段に保持されたウェーハに対して
その下方から該レーザー照射手段を用いレーザーを照射
しウェーハ表面に印字を行うことを特徴とする。
【００２０】上記ウェーハ保持手段及び/又はレーザー
照射手段には、角度調整機能を有しウェーハ配置角度の
調整及びそれに対応してレーザー照射位置を変更可能に
すると好ましい。
照射手段には、角度調整機能を有しウェーハ配置角度の
調整及びそれに対応してレーザー照射位置を変更可能に
すると好ましい。
【００２１】上記ウェーハを水平状態又は傾斜させて保
持し、そのウェーハの真下に設置したレーザー照射手段
からレーザーをウェーハ面に照射すると、下方に落ちる
飛び散り（シリコン屑）Ｄがレーザー発振器自身または
反射板（ミラー）等のレーザー照射手段を汚す場合があ
る。そこで、ソフトレーザーマーク印字装置としては更
にウェーハ保持手段とレーザー照射手段の間に、即ちウ
ェーハ保持手段の下方でかつレーザー照射手段よりも上
方に飛び散り（屑）Ｄを吸引する飛び散り吸引手段を設
けておくと好ましい。
持し、そのウェーハの真下に設置したレーザー照射手段
からレーザーをウェーハ面に照射すると、下方に落ちる
飛び散り（シリコン屑）Ｄがレーザー発振器自身または
反射板（ミラー）等のレーザー照射手段を汚す場合があ
る。そこで、ソフトレーザーマーク印字装置としては更
にウェーハ保持手段とレーザー照射手段の間に、即ちウ
ェーハ保持手段の下方でかつレーザー照射手段よりも上
方に飛び散り（屑）Ｄを吸引する飛び散り吸引手段を設
けておくと好ましい。
【００２２】このようにしておく事で、下方に落ちた屑
（飛び散り）Ｄがレーザー発振器又は、レーザー光の光
路に置いてある反射板（ミラー）等を汚す事はない。
（飛び散り）Ｄがレーザー発振器又は、レーザー光の光
路に置いてある反射板（ミラー）等を汚す事はない。
【００２３】本発明のソフトレーザーマーク印字方法及
び装置においては、レーザー光をウェーハの下方から照
射する事により、溶融したシリコンがウェーハ表面に付
着するのを防止し、又、レーザー出力を強くしたり、照
射回数を増やすことができ、ソフトレーザーマークの欠
点であったドットの印字深さを１μｍ以上（例えば６μ
ｍ程度）の深さに印字できる。また、パーティクルの発
生が防止でき更にレーザーマーキング後の研磨も不要で
ある。
び装置においては、レーザー光をウェーハの下方から照
射する事により、溶融したシリコンがウェーハ表面に付
着するのを防止し、又、レーザー出力を強くしたり、照
射回数を増やすことができ、ソフトレーザーマークの欠
点であったドットの印字深さを１μｍ以上（例えば６μ
ｍ程度）の深さに印字できる。また、パーティクルの発
生が防止でき更にレーザーマーキング後の研磨も不要で
ある。
【００２４】本発明のソフトレーザーマーク印字方法及
び装置をハードレーザーマーキングの代わりに使用する
事で、印字深さのコントロールが容易になり、印字深さ
が正確であるので、一旦レーザーマークを印字したウェ
ーハでも比較的容易に印字した部分がなくなるように加
工しなおすことができ、ウェーハ自身を再利用できる。
つまり不良ウェーハのモニター品への転用等を行いやす
い。
び装置をハードレーザーマーキングの代わりに使用する
事で、印字深さのコントロールが容易になり、印字深さ
が正確であるので、一旦レーザーマークを印字したウェ
ーハでも比較的容易に印字した部分がなくなるように加
工しなおすことができ、ウェーハ自身を再利用できる。
つまり不良ウェーハのモニター品への転用等を行いやす
い。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を説明
するが、本発明の技術思想から逸脱しない限り、種々の
変形が可能であることはいうまでもない。
するが、本発明の技術思想から逸脱しない限り、種々の
変形が可能であることはいうまでもない。
【００２６】図１は本発明のソフトレーザーマーク印字
装置の一つの実施の形態を示す側面的概略説明図であ
る。図２は本発明のソフトレーザーマーク印字装置の他
の実施の形態を示す側面的概略説明図である。図３は本
発明のソフトレーザーマーク印字装置の別の実施の形態
を示す側面的概略説明図である。
装置の一つの実施の形態を示す側面的概略説明図であ
る。図２は本発明のソフトレーザーマーク印字装置の他
の実施の形態を示す側面的概略説明図である。図３は本
発明のソフトレーザーマーク印字装置の別の実施の形態
を示す側面的概略説明図である。
【００２７】図１において、１０は本発明のソフトレー
ザーマーク印字装置で、ウェーハＷを水平状態で保持す
るウェーハ保持手段１２と、該ウェーハ保持手段１２の
下方に設けられたレーザー照射手段又は装置１４とを有
している。レーザー光ＬのウェーハＷへの照射として
は、図１のように、レーザー照射手段１４によって直接
ウェーハＷの面に照射することができるし、図２に示し
たように、レーザー発振器１５と反射板１６を有するレ
ーザー照射手段１４により反射板（ミラー）１６を介し
て反射されたレーザー光Ｌを照射してもよい。
ザーマーク印字装置で、ウェーハＷを水平状態で保持す
るウェーハ保持手段１２と、該ウェーハ保持手段１２の
下方に設けられたレーザー照射手段又は装置１４とを有
している。レーザー光ＬのウェーハＷへの照射として
は、図１のように、レーザー照射手段１４によって直接
ウェーハＷの面に照射することができるし、図２に示し
たように、レーザー発振器１５と反射板１６を有するレ
ーザー照射手段１４により反射板（ミラー）１６を介し
て反射されたレーザー光Ｌを照射してもよい。
【００２８】レーザー照射手段１４は、特に限定される
ものではなく一般的に市販されている半導体レーザー、
励起ＹＬＦレーザー等を光源としたレーザー発振器とレ
ーザー光の光路を調節する反射板等からなる。またウェ
ーハ保持手段１２は、ウェーハの一方の面（印字する面
の反対側の面）を真空吸着により吸着保持する真空チャ
ックや、ウェーハの外周端部を保持するエッジチャック
といわれる装置で保持すれば良い。
ものではなく一般的に市販されている半導体レーザー、
励起ＹＬＦレーザー等を光源としたレーザー発振器とレ
ーザー光の光路を調節する反射板等からなる。またウェ
ーハ保持手段１２は、ウェーハの一方の面（印字する面
の反対側の面）を真空吸着により吸着保持する真空チャ
ックや、ウェーハの外周端部を保持するエッジチャック
といわれる装置で保持すれば良い。
【００２９】このような構成とすれば、該ウェーハ保持
手段１２に保持されたウェーハＷに対してその垂直下方
から該レーザー照射手段１４によってレーザー光Ｌを照
射し、ウェーハＷの表面に印字を行うことができる。
手段１２に保持されたウェーハＷに対してその垂直下方
から該レーザー照射手段１４によってレーザー光Ｌを照
射し、ウェーハＷの表面に印字を行うことができる。
【００３０】このような態様で印字すると、印字深さを
深くするため比較的強い出力で印字しても、また複数回
繰り返し印字しても、レーザー照射によって溶けたシリ
コンが窪みの外に流れ出て盛り上がり部分が広がるよう
なこともなく、また飛び散ったシリコン屑Ｄがウェーハ
Ｗ上に付着することがなくなり、パーティクルの発生も
なく、盛り上りＥ部分の幅が小さく規定の直径を持つ窪
みＫの存在するきれいな印字加工を行なうことができ
る。
深くするため比較的強い出力で印字しても、また複数回
繰り返し印字しても、レーザー照射によって溶けたシリ
コンが窪みの外に流れ出て盛り上がり部分が広がるよう
なこともなく、また飛び散ったシリコン屑Ｄがウェーハ
Ｗ上に付着することがなくなり、パーティクルの発生も
なく、盛り上りＥ部分の幅が小さく規定の直径を持つ窪
みＫの存在するきれいな印字加工を行なうことができ
る。
【００３１】図１に示した態様で、ソフトレーザーマー
キングを行うと、下方に落ちる飛び散り（シリコン屑）
Ｄがレーザー照射手段１４（図１）、レーザー発振器や
反射板（ミラー）１６を汚す場合がある。このような汚
れの発生を防止するため、図２に示したように、レーザ
ー照射手段１４とウェーハＷとの間のレーザー光Ｌの光
路の周囲に飛び散り（屑）吸引手段又は装置１８を設置
し、落下する飛び散り（屑）Ｄを落下途中で吸引してし
まい、レーザー照射手段１４又は反射板（ミラー）の汚
れの発生を防止することができる。飛び散り吸引手段
は、例えばレーザー光を横切るように空気によるジェッ
ト気流を作る所謂エアカーテンのようなものや局所排気
が出来るバキューム機等を用いることができる。
キングを行うと、下方に落ちる飛び散り（シリコン屑）
Ｄがレーザー照射手段１４（図１）、レーザー発振器や
反射板（ミラー）１６を汚す場合がある。このような汚
れの発生を防止するため、図２に示したように、レーザ
ー照射手段１４とウェーハＷとの間のレーザー光Ｌの光
路の周囲に飛び散り（屑）吸引手段又は装置１８を設置
し、落下する飛び散り（屑）Ｄを落下途中で吸引してし
まい、レーザー照射手段１４又は反射板（ミラー）の汚
れの発生を防止することができる。飛び散り吸引手段
は、例えばレーザー光を横切るように空気によるジェッ
ト気流を作る所謂エアカーテンのようなものや局所排気
が出来るバキューム機等を用いることができる。
【００３２】図３は、ウェーハＷをウェーハ保持手段１
２によって保持（配置）角度θだけ傾斜させて保持し
（図３の例ではθ＝４５°）、ウェーハ面に対してレー
ザー照射装置１４によって垂直下方からレーザー光Ｌを
照射する態様を示している。レーザー照射はウェーハ面
に対し常に垂直に維持することが好ましい。このように
すれば印字する文字の変形等がなく従来と同じドット間
隔で印字が可能である。ウェーハ保持手段及びレーザー
照射手段には、ウェーハ配置角度に対応して角度等が調
整可能な機能を有していることが好ましい。なお、図１
におけるようにウェーハＷを水平状態に保持した場合に
は、この保持（配置）角度θは０°である。
２によって保持（配置）角度θだけ傾斜させて保持し
（図３の例ではθ＝４５°）、ウェーハ面に対してレー
ザー照射装置１４によって垂直下方からレーザー光Ｌを
照射する態様を示している。レーザー照射はウェーハ面
に対し常に垂直に維持することが好ましい。このように
すれば印字する文字の変形等がなく従来と同じドット間
隔で印字が可能である。ウェーハ保持手段及びレーザー
照射手段には、ウェーハ配置角度に対応して角度等が調
整可能な機能を有していることが好ましい。なお、図１
におけるようにウェーハＷを水平状態に保持した場合に
は、この保持（配置）角度θは０°である。
【００３３】ウェーハ外周部にマークを印字する場合、
ある一定角度、特に９０°に近い角度でウェーハを保持
した時には、ウェーハ外周部の下側部分で印字すると更
に付着を防止することができる。
ある一定角度、特に９０°に近い角度でウェーハを保持
した時には、ウェーハ外周部の下側部分で印字すると更
に付着を防止することができる。
【００３４】本発明方法による印字の対象となるウェー
ハとしては、半導体ウェーハ、例えばシリコンウェーハ
をあげることができる。このシリコンウェーハとして
は、一般的なシリコンウェーハの加工工程、つまり、主
な工程として単結晶インゴットをスライスして薄円板状
のウェーハを得るスライス工程と、該スライス工程によ
って得られたウェーハの割れ、欠けを防止するためにそ
の外周部を面取りする面取り工程と、このウェーハを平
坦化するラッピング工程と、面取り及びラッピングされ
たウェーハに残留する加工歪みを除去するエッチング工
程と、そのウェーハ表面を鏡面化する研磨（ポリッシン
グ）工程とからなる加工工程によって製造加工されたも
のを用いればよい。
ハとしては、半導体ウェーハ、例えばシリコンウェーハ
をあげることができる。このシリコンウェーハとして
は、一般的なシリコンウェーハの加工工程、つまり、主
な工程として単結晶インゴットをスライスして薄円板状
のウェーハを得るスライス工程と、該スライス工程によ
って得られたウェーハの割れ、欠けを防止するためにそ
の外周部を面取りする面取り工程と、このウェーハを平
坦化するラッピング工程と、面取り及びラッピングされ
たウェーハに残留する加工歪みを除去するエッチング工
程と、そのウェーハ表面を鏡面化する研磨（ポリッシン
グ）工程とからなる加工工程によって製造加工されたも
のを用いればよい。
【００３５】
【実施例】以下に本発明の実施例をあげて説明するが、
これらの実施例は例示的に示されるもので限定的に解釈
されるべきでない。
これらの実施例は例示的に示されるもので限定的に解釈
されるべきでない。
【００３６】〔実施例１：θ＝０°の場合（図１）〕Ｙ
ＬＦレーザーを用い、レーザーパワー６００μＪ、目標
印字深さ８μｍで行った。ドット径は約６０μｍでウェ
ーハのオリエンテーションフラット（オリフラ）部分に
印字した。
ＬＦレーザーを用い、レーザーパワー６００μＪ、目標
印字深さ８μｍで行った。ドット径は約６０μｍでウェ
ーハのオリエンテーションフラット（オリフラ）部分に
印字した。
【００３７】〔実施例２：θ＝４５°の場合（図３）〕
実施例１と同じ条件で、ウェーハの保持角度θを４５°
に変更し印字した。
実施例１と同じ条件で、ウェーハの保持角度θを４５°
に変更し印字した。
【００３８】〔比較例１：従来のレーザーを上方から照
射して印字する場合（図４）〕ウェーハをセットし、上
方からレーザーを照射する従来のレーザーマーク印字装
置でウェーハ表面に印字した。その他は実施例１と同じ
条件で印字した。
射して印字する場合（図４）〕ウェーハをセットし、上
方からレーザーを照射する従来のレーザーマーク印字装
置でウェーハ表面に印字した。その他は実施例１と同じ
条件で印字した。
【００３９】観察結果：比較例１では８μｍもの印字深
さで印字するとウェーハ表面に多くの飛び散りが観察さ
れたが、実施例１及び２においてはどちらも皆無であっ
た。比較例１で観察された飛び散りの様子は図５と同様
であった。このような飛び散りがウェーハ表面上に付着
したまま、後工程に送られるとパーティクルの発生によ
り歩留まり等が悪化してしまう。また盛り上がり部分の
幅も実施例１及び２の方が狭く、規定の直径の印字がき
れいにできる。
さで印字するとウェーハ表面に多くの飛び散りが観察さ
れたが、実施例１及び２においてはどちらも皆無であっ
た。比較例１で観察された飛び散りの様子は図５と同様
であった。このような飛び散りがウェーハ表面上に付着
したまま、後工程に送られるとパーティクルの発生によ
り歩留まり等が悪化してしまう。また盛り上がり部分の
幅も実施例１及び２の方が狭く、規定の直径の印字がき
れいにできる。
【００４０】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明によれば、飛
び散りを防止し、ソフトレーザーマーキングにより印字
深さの深い印字が可能となるという大きな効果が達成さ
れる。
び散りを防止し、ソフトレーザーマーキングにより印字
深さの深い印字が可能となるという大きな効果が達成さ
れる。
【図１】 本発明のソフトレーザーマーク印字装置の一
つの実施の形態を示す側面的概略説明図である。
つの実施の形態を示す側面的概略説明図である。
【図２】 本発明のソフトレーザーマーク印字装置の他
の実施の形態を示す側面的概略説明図である。
の実施の形態を示す側面的概略説明図である。
【図３】 本発明のソフトレーザーマーク印字装置の別
の実施の形態を示す側面的概略説明図である。
の実施の形態を示す側面的概略説明図である。
【図４】 従来のソフトレーザーマーク印字装置の１例
を示す側面的概略説明図である。
を示す側面的概略説明図である。
【図５】 従来方法によってソフトレーザーマーク印字
が行われたウェーハの表面状態を示す断面的説明図であ
る。
が行われたウェーハの表面状態を示す断面的説明図であ
る。
【図６】 ソフトレーザーマーキングによって印字され
たウェーハ表面の１例を示す平面図である。
たウェーハ表面の１例を示す平面図である。
１０：ソフトレーザーマーク印字装置、１２、２２：ウ
ェーハ保持手段、１４、２４：レーザー照射手段（装
置）、１５：レーザー発振器、１６：反射板、１８：飛
び散り吸引手段（装置）、２０：レーザーマーク印字装
置、L：レーザー光、Ｍ：符号、W：ウェーハ。
ェーハ保持手段、１４、２４：レーザー照射手段（装
置）、１５：レーザー発振器、１６：反射板、１８：飛
び散り吸引手段（装置）、２０：レーザーマーク印字装
置、L：レーザー光、Ｍ：符号、W：ウェーハ。
Claims (12)
- 【請求項１】 ソフトレーザーマーキングによってウェ
ーハ表面に印字する方法において、ウェーハの下方から
レーザーを照射しウェーハ表面に印字を行うことを特徴
とするソフトレーザーマーク印字方法。 - 【請求項２】 前記ウェーハを水平に又は傾斜させて配
置し、ウェーハ面に対して垂直下方からレーザーを照射
することを特徴とする請求項１記載のソフトレーザーマ
ーク印字方法。 - 【請求項３】 前記ウェーハの配置角度θを水平面に対
して０°≦θ＜９０°の範囲に設定することを特徴とす
る請求項２記載のソフトレーザーマーク印字方法。 - 【請求項４】 前記ウェーハの配置角度θを水平面に対
して０°≦θ≦４５°の範囲に設定することを特徴とす
る請求項２記載のソフトレーザーマーク印字方法。 - 【請求項５】 前記ウェーハの配置角度θを水平面に対
して０°≦θ≦２５°の範囲に設定することを特徴とす
る請求項２記載のソフトレーザーマーク印字方法。 - 【請求項６】 ソフトレーザーマーキングによってウェ
ーハ表面に印字する装置であって、ウェーハを保持する
ウェーハ保持手段と、該ウェーハに対してレーザーを照
射するレーザー照射手段とを有し、該ウェーハ保持手段
に保持されたウェーハに対してその下方から該レーザー
照射手段によってレーザーを照射しウェーハ表面に印字
を行うことを特徴とするソフトレーザーマーク印字装
置。 - 【請求項７】 前記ウェーハ保持手段及び/又はレーザ
ー照射手段が、角度調整機能を有していることを特徴と
するソフトレーザーマーク印字装置。 - 【請求項８】 前記ウェーハを水平に又は傾斜させて前
記ウェーハ保持手段に保持せしめ、ウェーハ面に対して
垂直下方から該レーザー照射手段によってレーザーを照
射しウェーハ表面に印字を行うことを特徴とする請求項
６又は７記載のソフトレーザーマーク印字装置。 - 【請求項９】 前記ウェーハの前記ウェーハ保持手段に
よる保持角度θが水平面に対して０°≦θ＜９０°の範
囲であることを特徴とする請求項７又は８記載のソフト
レーザーマーク印字装置。 - 【請求項１０】 前記ウェーハの前記ウェーハ保持手段
による保持角度θが水平面に対して０°≦θ≦４５°で
あることを特徴とする請求項７又は８記載のソフトレー
ザーマーク印字装置。 - 【請求項１１】 前記ウェーハの前記ウェーハ保持手段
による保持角度θが水平面に対して０°≦θ≦２５°の
範囲であることを特徴とする請求項７又は８記載のソフ
トレーザーマーク印字装置。 - 【請求項１２】 前記ウェーハ保持手段の下方でかつレ
ーザー照射手段よりも上方に飛び散り吸引手段を設けた
ことを特徴とする請求項６〜１１のいずれか１項記載の
ソフトレーザーマーク印字装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000358918A JP2002164264A (ja) | 2000-11-27 | 2000-11-27 | ソフトレーザーマーク印字方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000358918A JP2002164264A (ja) | 2000-11-27 | 2000-11-27 | ソフトレーザーマーク印字方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002164264A true JP2002164264A (ja) | 2002-06-07 |
Family
ID=18830750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000358918A Pending JP2002164264A (ja) | 2000-11-27 | 2000-11-27 | ソフトレーザーマーク印字方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002164264A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009271289A (ja) * | 2008-05-07 | 2009-11-19 | Fujifilm Corp | 凹部形成方法、凹凸製品の製造方法、発光素子の製造方法および光学素子の製造方法 |
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| JP2015154075A (ja) * | 2014-02-11 | 2015-08-24 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | ウェハーの製造方法及びそれによって製造されたウェハー |
| JP2021120160A (ja) * | 2020-01-31 | 2021-08-19 | ブラザー工業株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
Citations (6)
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-
2000
- 2000-11-27 JP JP2000358918A patent/JP2002164264A/ja active Pending
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