JPH11176708A - 半導体ウエハの識別方法 - Google Patents
半導体ウエハの識別方法Info
- Publication number
- JPH11176708A JPH11176708A JP34105197A JP34105197A JPH11176708A JP H11176708 A JPH11176708 A JP H11176708A JP 34105197 A JP34105197 A JP 34105197A JP 34105197 A JP34105197 A JP 34105197A JP H11176708 A JPH11176708 A JP H11176708A
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- JP
- Japan
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- wafer
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54406—Marks applied to semiconductor devices or parts comprising alphanumeric information
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54493—Peripheral marks on wafers, e.g. orientation flats, notches, lot number
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 設置スペース、設備コストを増大させず、且
つ半導体ウエハを表裏反転せずに、ウエハ裏面に印字し
た識別記号の視認が行える識別方法を得る。 【解決手段】 識別記号５を鏡面９ａに映した反転文字
でウエハ裏面に印字し、裏面を下側として水平方向に配
置したウエハ１の下方に一つの鏡面体９を設ける。反転
文字をこの鏡面体９に映して見ることで、正規の識別記
号として視認して、ウエハ１を識別する。
つ半導体ウエハを表裏反転せずに、ウエハ裏面に印字し
た識別記号の視認が行える識別方法を得る。 【解決手段】 識別記号５を鏡面９ａに映した反転文字
でウエハ裏面に印字し、裏面を下側として水平方向に配
置したウエハ１の下方に一つの鏡面体９を設ける。反転
文字をこの鏡面体９に映して見ることで、正規の識別記
号として視認して、ウエハ１を識別する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
に用いる半導体ウエハの識別方法に関するものである。
に用いる半導体ウエハの識別方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハ（ウエハ）は、育成した単
結晶インゴットを幾つかのブロックに分け、決められた
面にオリエーションフラットを入れた後、ブロックごと
にダイヤモンド内周刃で切断してつくられる。このよう
にしてつくられたウエハは、通常、後の各処理に対する
特性を安定させるため、複数を一つのロットとして処理
していく。このため、異種ロットとの見分けができるよ
うに例えばレーザーにより識別記号を印字する。
結晶インゴットを幾つかのブロックに分け、決められた
面にオリエーションフラットを入れた後、ブロックごと
にダイヤモンド内周刃で切断してつくられる。このよう
にしてつくられたウエハは、通常、後の各処理に対する
特性を安定させるため、複数を一つのロットとして処理
していく。このため、異種ロットとの見分けができるよ
うに例えばレーザーにより識別記号を印字する。
【０００３】ところで、近年、デバイスの高密度化に伴
って配線技術は、益々微細化、多層化の方向に進んでい
る。そのため、ウエハの表面上には何層もの膜が重ねら
れるとともに、全面にパターンが形成されることから、
ウエハを見分けるための識別記号が非常に見にくくなる
事態が生じる。また、レーザーを用いて識別記号をウエ
ハの表面に印字すると、溶融した物質がウエハ表面に飛
散し、半導体装置を破壊することがある。このため、ウ
エハの表面には、十分な深さで、明確な印字が行えない
問題もある。このような理由から、識別記号をウエハ裏
面に印字して、識別を行う技術が従来よりある。
って配線技術は、益々微細化、多層化の方向に進んでい
る。そのため、ウエハの表面上には何層もの膜が重ねら
れるとともに、全面にパターンが形成されることから、
ウエハを見分けるための識別記号が非常に見にくくなる
事態が生じる。また、レーザーを用いて識別記号をウエ
ハの表面に印字すると、溶融した物質がウエハ表面に飛
散し、半導体装置を破壊することがある。このため、ウ
エハの表面には、十分な深さで、明確な印字が行えない
問題もある。このような理由から、識別記号をウエハ裏
面に印字して、識別を行う技術が従来よりある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、識別記
号をウエハ裏面に印字した場合には、溶融した物質の半
導体装置への悪影響を抑えることができるため、明確な
印字が行える。しかしながら、裏面に識別記号を印字し
たウエハは、その視認のために、表裏を反転させなけれ
ばならない手間が生じた。これに対し、例えばＣＣＤカ
メラをウエハ裏面の下方に設け、これに接続した表示手
段によりウエハを反転せずに識別記号を視認することも
考えられるが、これら機器の設置スペースが必要になる
とともに、設備コストも増大させることになった。本発
明は上記状況に鑑みてなされたもので、設置スペース、
設備コストを増大させることなく、半導体ウエハを表裏
反転せずに、識別記号の視認が行える半導体ウエハの識
別方法を提供するものである。
号をウエハ裏面に印字した場合には、溶融した物質の半
導体装置への悪影響を抑えることができるため、明確な
印字が行える。しかしながら、裏面に識別記号を印字し
たウエハは、その視認のために、表裏を反転させなけれ
ばならない手間が生じた。これに対し、例えばＣＣＤカ
メラをウエハ裏面の下方に設け、これに接続した表示手
段によりウエハを反転せずに識別記号を視認することも
考えられるが、これら機器の設置スペースが必要になる
とともに、設備コストも増大させることになった。本発
明は上記状況に鑑みてなされたもので、設置スペース、
設備コストを増大させることなく、半導体ウエハを表裏
反転せずに、識別記号の視認が行える半導体ウエハの識
別方法を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明に係る半導体ウエハの識別方法は、識別記号を
鏡面に映した反転文字でウエハ裏面に印字し、裏面を下
側として水平方向に配置したウエハの下方に一つの鏡面
体を設け、前記反転文字を該鏡面体に映して見ることで
正規の識別記号として視認することを特徴とするもので
ある。
の本発明に係る半導体ウエハの識別方法は、識別記号を
鏡面に映した反転文字でウエハ裏面に印字し、裏面を下
側として水平方向に配置したウエハの下方に一つの鏡面
体を設け、前記反転文字を該鏡面体に映して見ることで
正規の識別記号として視認することを特徴とするもので
ある。
【０００６】この識別方法では、ウエハ裏面に、予め反
転文字で識別記号を印字してあるので、この反転文字が
鏡面体に映されると、正規の識別記号となる。このた
め、ウエハの裏面に印字した識別記号を鏡面体を用いて
視認することができるようになり、識別記号を視認する
ためにウエハを表裏反転させる必要がなくなる。
転文字で識別記号を印字してあるので、この反転文字が
鏡面体に映されると、正規の識別記号となる。このた
め、ウエハの裏面に印字した識別記号を鏡面体を用いて
視認することができるようになり、識別記号を視認する
ためにウエハを表裏反転させる必要がなくなる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体ウエハ
の識別方法の好適な実施の形態を図面を参照して説明す
る。図１は本発明に係る半導体ウエハの識別方法を説明
する図、図２は本発明に用いるウエハを裏面から視た平
面図、図３はウエハ裏面に印字した識別記号及び鏡面に
より映し出した識別記号を示す説明図である。
の識別方法の好適な実施の形態を図面を参照して説明す
る。図１は本発明に係る半導体ウエハの識別方法を説明
する図、図２は本発明に用いるウエハを裏面から視た平
面図、図３はウエハ裏面に印字した識別記号及び鏡面に
より映し出した識別記号を示す説明図である。
【０００８】半導体ウエハ（ウエハ）１の裏面には、例
えばオリエンテーションフラット３に沿って、識別記号
５を印字してある。識別記号５は、例えばレーザーによ
り印字することができる。この識別記号５は、図３
（Ａ）に示すように正規の識別記号を鏡面に映した鏡像
文字（反転文字）で印字してある。
えばオリエンテーションフラット３に沿って、識別記号
５を印字してある。識別記号５は、例えばレーザーによ
り印字することができる。この識別記号５は、図３
（Ａ）に示すように正規の識別記号を鏡面に映した鏡像
文字（反転文字）で印字してある。
【０００９】ウエハ１を識別する際に用いる真空吸着台
７の下方には鏡面体９を設けてあり、鏡面体９は鏡面９
ａが上側となるように配置してある。鏡面体９は、不図
示の支持台により高さ及び角度が任意に調節可能となっ
ている。真空吸着台７に裏面の中央部が吸着保持された
ウエハ１は、水平方向に配置され、裏面が鏡面９ａに対
向する。
７の下方には鏡面体９を設けてあり、鏡面体９は鏡面９
ａが上側となるように配置してある。鏡面体９は、不図
示の支持台により高さ及び角度が任意に調節可能となっ
ている。真空吸着台７に裏面の中央部が吸着保持された
ウエハ１は、水平方向に配置され、裏面が鏡面９ａに対
向する。
【００１０】ウエハ１は、真空吸着台７に保持された状
態で、裏面に印字された識別記号５が、この鏡面体９に
映し出されて読み取られる。従って、予め反転文字で印
字された識別記号５は、鏡面体９に映し出されることに
より、図３（Ｂ）に示すように反転文字を反転させた正
規の識別記号５’として読み取られることになる。
態で、裏面に印字された識別記号５が、この鏡面体９に
映し出されて読み取られる。従って、予め反転文字で印
字された識別記号５は、鏡面体９に映し出されることに
より、図３（Ｂ）に示すように反転文字を反転させた正
規の識別記号５’として読み取られることになる。
【００１１】この半導体ウエハの識別方法によれば、ウ
エハ１の裏面に予め識別記号５を反転文字で印字し、こ
の反転文字を鏡面体９で読み取るので、ウエハ１を反転
せずに、且つ高価なＣＣＤカメラ等の機器を用いずに、
裏面に印字した識別記号５を視認することができる。
エハ１の裏面に予め識別記号５を反転文字で印字し、こ
の反転文字を鏡面体９で読み取るので、ウエハ１を反転
せずに、且つ高価なＣＣＤカメラ等の機器を用いずに、
裏面に印字した識別記号５を視認することができる。
【００１２】図４は本発明に係る識別方法の他の実施形
態に用いるウエハの例を示す要部断面図である。この実
施形態では、ウエハ１の裏面に、この裏面より低くした
薄厚部１１を形成してある。薄厚部１１は、ウエハ外周
を含まずに形成した図４（Ａ）に示す凹部状のもの１１
ａ、或いはオリエンテーションフラット３及びその両端
の円弧部を含んで形成した図４（Ｂ）に示す段部状のも
の１１ｂであってもよい。
態に用いるウエハの例を示す要部断面図である。この実
施形態では、ウエハ１の裏面に、この裏面より低くした
薄厚部１１を形成してある。薄厚部１１は、ウエハ外周
を含まずに形成した図４（Ａ）に示す凹部状のもの１１
ａ、或いはオリエンテーションフラット３及びその両端
の円弧部を含んで形成した図４（Ｂ）に示す段部状のも
の１１ｂであってもよい。
【００１３】薄厚部１１には、上述した反転文字からな
る識別記号５を印字してある。薄厚部１１に印字したこ
の識別記号５は、上述の第一実施形態の場合と同様に、
真空吸着台７の下方に設けた鏡面体９を用いて視認する
ことができる。
る識別記号５を印字してある。薄厚部１１に印字したこ
の識別記号５は、上述の第一実施形態の場合と同様に、
真空吸着台７の下方に設けた鏡面体９を用いて視認する
ことができる。
【００１４】レーザーによる印字をウエハ裏面に行った
場合、溶融した部分が刻印の輪郭部で盛り上がるため、
裏面全体を保持台上に接触させて置くと、その盛り上が
り部により印字部分が保持台から浮き上がり、ウエハ表
面の平面度が低下することがある。この平面度の低下
は、例えばホトリソプロセスにおける焦点合わせを困難
にする原因となる。この実施形態によるウエハ１では、
裏面より低く形成した薄厚部１１に、識別記号５を印字
してあるので、仮に印字により溶融した部分が盛り上が
る事態が生じても、盛り上がり部を薄厚部１１の段差で
吸収することができ、ウエハ表面の平面度が低下するこ
とがない。
場合、溶融した部分が刻印の輪郭部で盛り上がるため、
裏面全体を保持台上に接触させて置くと、その盛り上が
り部により印字部分が保持台から浮き上がり、ウエハ表
面の平面度が低下することがある。この平面度の低下
は、例えばホトリソプロセスにおける焦点合わせを困難
にする原因となる。この実施形態によるウエハ１では、
裏面より低く形成した薄厚部１１に、識別記号５を印字
してあるので、仮に印字により溶融した部分が盛り上が
る事態が生じても、盛り上がり部を薄厚部１１の段差で
吸収することができ、ウエハ表面の平面度が低下するこ
とがない。
【００１５】この実施形態による半導体ウエハの識別方
法によれば、上述の実施形態の場合と同様に、ウエハ１
を反転せずに、且つ高価なＣＣＤカメラ等の機器を用い
ずに、裏面の識別記号５を視認できるのに加え、盛り上
がり部によるウエハ表面の平面度低下も防止することが
できる。
法によれば、上述の実施形態の場合と同様に、ウエハ１
を反転せずに、且つ高価なＣＣＤカメラ等の機器を用い
ずに、裏面の識別記号５を視認できるのに加え、盛り上
がり部によるウエハ表面の平面度低下も防止することが
できる。
【００１６】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る半導体ウエハの識別方法によれば、識別記号を反転文
字でウエハ裏面に印字し、この反転文字を鏡面体に映し
て見ることで正規の識別記号として視認するので、半導
体ウエハを表裏反転せずに、且つ設置スペース、設備コ
ストを増大させずにウエハを識別することができる。
る半導体ウエハの識別方法によれば、識別記号を反転文
字でウエハ裏面に印字し、この反転文字を鏡面体に映し
て見ることで正規の識別記号として視認するので、半導
体ウエハを表裏反転せずに、且つ設置スペース、設備コ
ストを増大させずにウエハを識別することができる。
【図１】本発明に係る半導体ウエハの識別方法を説明す
る図である。
る図である。
【図２】本発明に用いるウエハを裏面から視た平面図で
ある。
ある。
【図３】ウエハ裏面に印字した識別記号及び鏡面により
映し出した識別記号を示す説明図である。
映し出した識別記号を示す説明図である。
【図４】本発明に係る識別方法の他の実施形態に用いる
ウエハの例を示す要部断面図である。
ウエハの例を示す要部断面図である。
１…ウエハ、５…識別記号、５’…正規の識別記号、９
…鏡面体、９ａ…鏡面
…鏡面体、９ａ…鏡面
Claims (1)
- 【請求項１】 識別記号を鏡面に映した反転文字でウエ
ハ裏面に印字し、 裏面を下側として水平方向に配置したウエハの下方に一
つの鏡面体を設け、 前記反転文字を該鏡面体に映して見ることで正規の識別
記号として視認することを特徴とする半導体ウエハの識
別方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34105197A JPH11176708A (ja) | 1997-12-11 | 1997-12-11 | 半導体ウエハの識別方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34105197A JPH11176708A (ja) | 1997-12-11 | 1997-12-11 | 半導体ウエハの識別方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11176708A true JPH11176708A (ja) | 1999-07-02 |
Family
ID=18342788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34105197A Pending JPH11176708A (ja) | 1997-12-11 | 1997-12-11 | 半導体ウエハの識別方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11176708A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6953948B2 (en) * | 2000-01-07 | 2005-10-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor substrate and process for its production |
| JP2015099814A (ja) * | 2013-11-18 | 2015-05-28 | 株式会社ディスコ | ウェーハのｉｄマーク読取装置 |
| JP2015226043A (ja) * | 2014-05-30 | 2015-12-14 | 株式会社ディスコ | ウェーハｉｄ読み取り装置 |
-
1997
- 1997-12-11 JP JP34105197A patent/JPH11176708A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6953948B2 (en) * | 2000-01-07 | 2005-10-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor substrate and process for its production |
| JP2015099814A (ja) * | 2013-11-18 | 2015-05-28 | 株式会社ディスコ | ウェーハのｉｄマーク読取装置 |
| JP2015226043A (ja) * | 2014-05-30 | 2015-12-14 | 株式会社ディスコ | ウェーハｉｄ読み取り装置 |
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