CN115533348A - 标记装置和晶片生成装置 - Google Patents

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CN115533348A CN202210703381.4A CN202210703381A CN115533348A CN 115533348 A CN115533348 A CN 115533348A CN 202210703381 A CN202210703381 A CN 202210703381A CN 115533348 A CN115533348 A CN 115533348A
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Abstract

本发明提供标记装置和晶片生成装置,该标记装置和该晶片生成装置能够抑制操作者的工时增加同时能够追溯晶片的履历。该标记装置对在相当于要生成的晶片的厚度的深度形成有剥离层的锭进行标记,其中,该标记装置包含:读取单元,其读取形成于锭的锭信息;控制单元,其具有存储部,该存储部存储通过读取单元而读取的锭信息;以及标记单元,其根据存储部所存储的锭信息,在要生成的晶片上标记包含锭信息的记号。

Description

标记装置和晶片生成装置
技术领域
本发明涉及标记装置和晶片生成装置。
背景技术
通常作为从硅锭或化合物半导体锭切出晶片的手段,使用线切割机。线切割机通过在多个辊的周围卷绕多根切断用线而形成线列,将该切断用线相对于锭进行切入进给,由此在线位置进行切断。
但是,线切割机的切削裕度较大,为1mm左右,并且为了使切断后的正面平坦化,需要进行研磨或蚀刻等,因此作为晶片使用的材料量成为原本的锭的1/3左右,存在生产率差的课题。
因此,提出了如下的分离装置:使对于锭具有透过性的波长的激光束会聚至锭内部而进行照射,在切断预定面形成了剥离层之后,以该剥离层为起点而将晶片从锭分离(例如参照专利文献1)。
但是,无论在使用线切割机的情况下还是在使用激光束的照射的情况下,均存在如下的问题:从锭生成的晶片的履历未必明确,即使在对晶片形成器件的过程中在器件上产生缺陷,也无法追溯晶片的履历而追究器件的缺陷的原因。
为了解决该问题,提出了对晶片形成剥离层并且形成制造履历的方法(例如参照专利文献2)。
专利文献1:日本特开2020-72098号公报
专利文献2:日本特开2019-29382号公报
但是,专利文献2所示的方法由于每次都需要进行由操作者视认形成于锭的制造履历并存储于装置的动作,因此不仅不胜其烦,而且成为人为错误的温床。
发明内容
由此,本发明的目的在于提供能够抑制操作者的工时增加同时能够追溯晶片的履历的标记装置和晶片生成装置。
根据本发明的一个方式,提供标记装置,其对在相当于要生成的晶片的厚度的深度形成有剥离层的锭进行标记,其中,该标记装置具有:读取单元,其读取形成于该锭的锭信息;控制单元,其具有存储部,该存储部存储通过该读取单元而读取的该锭信息;以及标记单元,其根据该存储部所存储的该锭信息,在该要生成的晶片上标记包含该锭信息的信息。
根据本发明的另一方式,提供晶片生成装置,其从锭生成晶片,其中,该晶片生成装置具有:读取单元,其读取形成于该锭的锭信息;控制单元,其具有存储部,该存储部存储通过该读取单元而读取的该锭信息;激光束照射单元,其将对于该锭具有透过性的波长的激光束定位于距离该锭的上表面相当于要生成的晶片的厚度的深度而进行照射,形成剥离层;标记单元,其根据该存储部所存储的该锭信息,在该要生成的晶片上标记包含该锭信息的信息;以及剥离单元,其以通过该激光束照射单元而形成的剥离层为起点而将晶片从该锭剥离。
优选该锭信息形成于该锭的下表面,该读取单元通过从该锭的下表面侧拍摄该锭而读取该锭信息。
优选该晶片生成装置还具有对支承于托盘的锭进行搬送的搬送单元,该读取单元在该锭支承于该托盘的状态下读取形成于该锭的锭信息。
根据本发明,起到如下的效果:能够抑制操作者的工时增加同时能够追溯晶片的履历。
附图说明
图1是示出第1实施方式的标记装置的结构例的立体图。
图2是作为图1所示的标记装置的标记的对象的锭的立体图。
图3是图2所示的锭的侧视图。
图4是将图2所示的锭的一部分剥离而制造的晶片的立体图。
图5是示出在图2所示的锭中形成剥离层的状态的立体图。
图6是示出在图2所示的锭中形成剥离层的状态的剖视图。
图7是示出第2实施方式的晶片生成装置的结构例的立体图。
图8是示出对通过图7所示的晶片生成装置的锭搬送装置搬送的锭进行支承的托盘的立体图。
图9是示出图7所示的晶片生成装置的托盘、读取单元以及锭的立体图。
标号说明
1:标记装置;4:读取单元;30:标记单元;50:搬送单元;60:托盘;65:锭支承部;90:控制单元;93:存储部;100:晶片生成装置;111:激光束照射单元;121:剥离单元;200:锭;201:第1面(上表面);202:第2面(下表面);211:剥离层;213:深度;216:锭信息;217:激光束;218:聚光点;220:晶片;222:厚度。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。本发明并不被以下实施方式所记载的内容限定。另外,在以下所记载的构成要素中包含本领域技术人员能够容易想到的内容、实质上相同的内容。另外,以下所记载的结构可以适当组合。另外,可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行结构的各种省略、置换或变更。
[第1实施方式]
根据附图,对本发明的第1实施方式的标记装置1进行说明。图1是示出第1实施方式的标记装置的结构例的立体图。图2是作为图1所示的标记装置的标记的对象的锭的立体图。图3是图2所示的锭的侧视图。图4是将图2所示的锭的一部分剥离而制造的晶片的立体图。图5是示出在图2所示的锭中形成剥离层的状态的立体图。图6是示出在图2所示的锭中形成剥离层的状态的剖视图。
(锭)
第1实施方式的图1所示的标记装置1是对图2所示的锭200进行标记的装置。在第1实施方式中,作为第1实施方式的标记装置1的标记的对象的图2和图3所示的锭200由SiC(碳化硅)形成,整体形成为圆柱状。在第1实施方式中,锭200是六方晶单晶锭。
如图2和图3所示,锭200具有:第1面201,其形成为圆形状且为上表面;第2面202,其形成为第1面201的相反侧的圆形状且为下表面;以及周面203,其与第1面201的外缘和第2面202的外缘相连。另外,锭200在周面203上具有示出锭200的晶体取向的第1定向平面204以及与第1定向平面204垂直且示出锭200的晶体取向的第2定向平面205。定向平面204、205是平坦的平面,在锭200的俯视时,呈直线。第1定向平面204的长度204-1比第2定向平面205的长度205-1长。
另外,锭200具有:C轴208,其相对于第1面201的垂线206向朝向第2定向平面205的倾斜方向207倾斜偏离角α;以及c面209,其与C轴208垂直。c面209相对于锭200的第1面201倾斜偏离角α。C轴208相对于垂线206的倾斜方向207与第2定向平面205的延伸方向垂直且与第1定向平面204平行。
c面209在锭200中以锭200的分子水平设定无数个。在第1实施方式中,偏离角α设定为1°、4°或6°,但在本发明中,能够将偏离角α在例如1°~6°的范围内自由地设定而制造锭200。
锭200在第1面201通过磨削装置进行了磨削加工之后,通过研磨装置进行研磨加工,使第1面201形成为镜面。对于锭200,将第1面201侧的一部分剥离,剥离出的一部分生成为图4所示的晶片220。另外,锭200存在直径210不同的多个种类。
将锭200的包含第1面201的一部分作为晶片220剥离,对从锭200剥离的晶片220的剥离面221实施磨削加工、研磨加工等而制造图4所示的晶片220。晶片220在从锭200剥离之后,在正面上形成器件。在第1实施方式中,器件是MOSFET(Metal-oxide-semiconductorField-effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)、MEMS(Micro ElectroMechanical Systems,微机电系统)或SBD(Schottky Barrier Diode,肖特基势垒二极管),但在本发明中,器件不限于MOSFET、MEMS和SBD。另外,对晶片220的与锭200相同的部分标记相同的标号,并省略了说明。
图2和图3所示的锭200在形成了图3所示的剥离层211之后,将锭200的一部分即要生成的晶片220以剥离层211为起点分离、剥离。关于剥离层211,将对于锭200具有透过性的波长的脉冲状的激光束217(图5和图6所示)的聚光点218定位于距离锭200的第1面201相当于要生成的晶片220的厚度222(图4所示)的深度213(图6所示),一边使锭200相对于激光束217沿着第2定向平面205相对地移动,一边照射激光束217而形成剥离层211。
关于锭200,在照射激光束217时,如图5和图6所示,SiC分离成Si(硅)和C(碳),接着照射的脉冲状的激光束217被之前形成的C吸收,SiC连锁地分离成Si和C,沿着第2定向平面205在锭200的内部形成改质部214,并且生成从改质部214沿着c面209延伸的裂纹215。这样,当锭200被照射具有透过性的波长的脉冲状的激光束217时,在内部形成包含改质部214和从改质部214沿着c面209形成的裂纹215的剥离层211。
当锭200在第2定向平面205的全长的区域内形成剥离层211时,在相对于激光束217沿着第1定向平面204移动(以下记为转位进给)了规定的移动距离219之后,将激光束217的聚光点218定位于上述的深度213,一边相对于激光束217沿着第2定向平面205相对地移动一边照射激光束217,形成剥离层211。锭200交替地重复进行一边相对于激光束217沿着第2定向平面205移动一边照射激光束217以及转位进给,直至在第1面201的下方的整体中形成剥离层211为止,从而在第1面201的下方的整体中形成剥离层211。
另外,锭200在以剥离层211为起点而将一部分即晶片220剥离之后,通过磨削加工、研磨加工使锭200的剥离了晶片220后的剥离面212形成为镜面,剥离面212形成为第1面201,再次形成剥离层211,剥离晶片220。这样,锭200的厚度伴随晶片220的剥离而变薄,形成剥离层211而将晶片220剥离,直至成为规定的厚度为止。
另外,如图2所示,锭200在第2面202上形成有锭信息216。锭信息216示出与锭200相关的信息,在第1实施方式中,示出表示识别锭200彼此的各锭200的名称或标号的ID(identification)信息。
另外,在第1实施方式中,锭信息216为二维码,但也可以为一维码,可以印刷于第2面202或通过粘贴印刷好的贴纸等而形成于第2面202。在第1实施方式中,锭信息216形成于第2面202的中央,但在本发明中,形成锭信息216的位置不限于第2面202的中央。
另外,在本发明中,锭200的偏离角α可以为零度,锭200可以是由GaN(氮化镓)等SiC以外的材料形成的锭。
(标记装置)
对第1实施方式的标记装置1进行说明。标记装置1是对在相当于要生成的晶片220的厚度222的深度形成有剥离层211的锭200进行标记的装置。标记装置1具有装置主体2、设置于装置主体2的锭载置部3、读取单元4、保持工作台10、移动单元20、标记单元30、拍摄单元40以及控制单元90。
锭载置部3载置锭200。在第1实施方式中,锭载置部3配置于装置主体2的保持工作台10的旁边。在第1实施方式中,锭载置部3直接载置锭200的第2面202。
读取单元4读取形成于载置在锭载置部3的锭200的第2面202的锭信息216。在第1实施方式中,读取单元4设置于锭载置部3的下方,配置于与直接载置于锭载置部3的锭200的锭信息216在铅垂方向上面对的位置。在第1实施方式中,读取单元4具有多个对直接载置于锭载置部3的锭200的锭信息216进行拍摄的拍摄元件。拍摄元件例如是CCD(Charge-Coupled Device,电感耦合元件)拍摄元件或CMOS(Complementary MOS,互补金属氧化物半导体)拍摄元件。
读取单元4对直接载置于锭载置部3的锭200的锭信息216进行拍摄,将拍摄而获取的锭信息216的图像输出至控制单元90。读取单元4从锭200的第2面202侧拍摄锭200,由此对锭信息216进行拍摄,将拍摄而获取的锭信息216的图像输出至控制单元90,由此读取锭信息216。
另外,在第1实施方式中,在本发明中,也可以是:读取单元4由周知的条码读取器构成,按照锭信息216成为上侧的方式将锭200载置于锭载置部3而利用读取单元4从上侧读取锭信息216,使锭200上下翻转而搬送至保持工作台10并进行标记。
保持工作台10利用与水平方向平行的保持面11对锭200进行保持。保持工作台10的保持面11由多孔陶瓷等多孔质材料构成,与喷射器等吸引源连接。保持工作台10在保持面11上载置锭200的第2面202,通过吸引源吸引保持面11,由此在保持面11上吸引保持锭200。
标记单元30对保持工作台10所保持的锭200的要生成的晶片220进行标记。在第1实施方式中,标记单元30将对于锭200具有吸收性的波长的脉冲状的激光束的聚光点设定于保持工作台10所保持的锭200的第1面201,对锭200照射激光束而对锭200的第1面201进行标记。另外,在本发明中,标记单元30也可以将对于锭200具有透过性的波长的脉冲状的激光束的聚光点设定于保持工作台10所保持的锭200的内部,对锭200照射激光束而对晶片220的内部进行标记。
在第1实施方式中,如图1所示,标记单元30支承于从装置主体2立设的门状的框架5。标记单元30具有:振荡器,其射出用于标记锭200的脉冲状的激光束217;聚光器,其使从振荡器射出的激光束217会聚于保持工作台10的保持面11所保持的锭200的第1面201;以及聚光点移动单元,其使聚光器在铅垂方向上移动而变更聚光点的铅垂方向的位置。
移动单元20使标记单元30和拍摄单元40相对于保持工作台10在与保持面11平行的X轴方向、Y轴方向以及绕与平行于铅垂方向的Z轴方向平行的轴心相对地移动。在第1实施方式中,移动单元20具有:工作台移动单元21,其使保持工作台10沿着X轴方向移动;标记移动单元22,其使标记单元30和拍摄单元40在与X轴方向垂直的Y轴方向上移动;以及工作台旋转单元23,其使保持工作台10绕轴心旋转。工作台移动单元21对工作台旋转单元23进行支承,使保持工作台10连同工作台旋转单元23一起在X轴方向上移动。
拍摄单元40具有对保持工作台10所保持的锭200进行拍摄的拍摄元件。拍摄元件例如是CCD(Charge-Coupled Device,电感耦合元件)拍摄元件或CMOS(ComplementaryMOS,互补金属氧化物半导体)拍摄元件。拍摄单元40对保持工作台10的保持面11所保持的锭200进行拍摄,获取用于执行对准即进行锭200与标记单元30的对位的图像,将所获取的图像输出至控制单元90。在第1实施方式中,拍摄单元40支承于框架5。
控制单元90分别控制标记装置1的上述构成要素而使标记装置1实施对锭200的标记动作。另外,控制单元90是计算机,该控制单元90具有:运算处理装置,其具有CPU(central processing unit,中央处理器)那样的微处理器;存储装置,其具有ROM(readonly memory,只读存储器)或RAM(random access memory,随机存取存储器)那样的存储器;以及输入输出接口装置。控制单元90的运算处理装置按照存储于存储装置的计算机程序实施运算处理,将用于控制标记装置1的控制信号经由输入输出接口装置而输出至标记装置1的上述构成要素。
另外,控制单元90与由显示加工动作的状态或图像等的液晶显示装置等构成的显示单元和操作者登记加工内容信息等时使用的未图示的输入单元连接。输入单元由设置于显示单元的触摸面板和键盘等外部输入装置中的至少一个构成。
另外,控制单元90具有:读取部91,其根据读取单元4进行拍摄而获取的锭信息216的图像而生成锭信息216示出的ID信息;信息生成部92,其生成包含锭信息216示出的ID信息且形成于锭200的记号(相当于信息);以及存储部93,其存储通过读取单元4读取的锭信息216示出的ID信息。在第1实施方式中,存储部93存储读取部91所生成的ID信息。
另外,读取部91和信息生成部92的功能通过运算处理装置按照存储于存储装置的计算机程序实施运算处理而实现。存储部93的功能通过存储装置而实现。
下面说明上述结构的标记装置1对锭200的标记的动作即标记动作。关于标记装置1,通过操作者将加工条件登记于控制单元90,在锭载置部3载置锭200的第2面202。当标记装置1的控制单元90从操作者接受标记动作的开始指示时,开始标记动作。
在标记动作中,标记装置1的控制单元90利用读取单元4拍摄锭200的锭信息216,读取部91根据通过拍摄而获取的锭信息216的图像而生成锭信息216示出的ID信息,并将生成的ID信息存储于存储部93。
在标记动作中,标记装置1将锭200从锭载置部3搬送至保持工作台10的保持面11,控制单元90使吸引源进行动作而使锭200的第2面202吸引保持于保持工作台10的保持面11。在标记动作中,标记装置1的控制单元90对移动单元20进行控制而使保持工作台10移动至拍摄单元40的下方,利用拍摄单元40拍摄锭200。
标记装置1的控制单元90根据拍摄单元40进行拍摄而获取的锭200的图像,使标记单元30沿着铅垂方向与即将从锭200生成的晶片220的不形成器件的外缘部面对。在标记动作中,标记装置1的控制单元90通过信息生成部92生成包含ID信息的记号。
接着,在标记动作中,标记装置1的控制单元90一边使聚光点和锭200相对地移动一边将聚光点设定于保持工作台10的保持面11所保持的锭200的第1面201而从标记单元30向锭200照射激光束,在锭200的第1面201上形成包含ID信息的记号。这样,标记单元30根据存储于存储部93的锭信息216示出的ID信息,在预定从锭200剥离的要生成的晶片220上标记包含锭信息216示出的ID信息的记号。
在标记动作中,关于标记装置1的控制单元90,当在保持工作台10所保持的锭200的第1面201上形成包含ID信息的记号时,在控制移动单元20而使保持工作台10移动至锭载置部3的旁边之后,停止保持工作台10对锭200的吸引保持。在标记动作中,关于标记装置1的控制单元90,当将锭200从保持工作台10搬送至锭载置部3时,结束标记动作。
如以上所说明的那样,第1实施方式的标记装置1通过读取单元4读取形成于锭200的第2面202的锭信息216,根据所读取的锭信息216,在预定从锭200剥离的晶片220上形成包含锭信息216示出的ID信息的记号。因此,标记装置1在操作者未进行操作的情况下就能够在预定从锭200剥离的晶片220上形成上述的记号。
其结果是,起到如下的效果:第1实施方式的标记装置1在操作者未进行操作的情况下在预定从锭200剥离的晶片220上形成上述的记号,因此能够有助于降低人为错误,并且能够抑制操作者的工时增加同时能够在晶片220上形成上述的记号,能够追溯晶片220的履历。
[第2实施方式]
根据附图,对本发明的第2实施方式的晶片生成装置100进行说明。图7是示出第2实施方式的晶片生成装置的结构例的立体图。图8是示出对通过图7所示的晶片生成装置的锭搬送装置搬送的锭进行支承的托盘的立体图。图9是示出图7所示的晶片生成装置的托盘、读取单元以及锭的立体图。另外,图7至图9中,对与第1实施方式相同的部分标记相同的标号,并省略说明。
第2实施方式的晶片生成装置100是在锭200中形成剥离层211且在锭200的第1面201上形成了上述的记号之后以剥离层211为起点将晶片220从锭200剥离而从锭200生成晶片220的装置。如图7所示,晶片生成装置100具有锭搬送装置101、剥离层形成装置110、标记装置1、剥离装置120、转移装置130以及控制单元90。
锭搬送装置101将支承于托盘60的锭200在剥离层形成装置110、标记装置1以及剥离装置120的区域内进行搬送。锭搬送装置101具有:装置主体102;以及设置于装置主体102的上表面的带式输送机103,锭搬送装置101对支承着锭200的托盘60进行搬送。
如图8和图9所示,托盘60具有:矩形状的上壁61;配置于上壁61的下方的矩形状的下壁62;以及将上壁61和下壁62连结的矩形状的一对侧壁63。上壁61和下壁62相互隔开间隔而平行地配置,分别配置成与水平方向平行。一对侧壁63相互隔开间隔而平行地配置,分别配置成与铅垂方向平行。如图9所示,上壁61和下壁62在中央具有拍摄窗64。在第2实施方式中,拍摄窗64是贯通上壁61和下壁62且平面形状为圆形的孔。
上壁61具有在上表面上支承锭200的第2面202的锭支承部65。锭支承部65在拍摄窗64的周围设置有多个,形成为上表面与水平方向平行。在锭支承部65的上表面上形成有沿着各直径210的锭200的外缘的阶梯差66。在第1实施方式中,形成有两个阶梯差66。锭支承部65将锭200的第2面202载置在使外缘沿着阶梯差66的位置上,由此将锭200定位于规定的位置。
另外,当将锭200的第2面202载置在使外缘沿着锭支承部65的阶梯差66的位置上时,如图9所示,成为将锭信息216定位在拍摄窗64的内侧的状态。下壁62在上表面上支承从锭200剥离的晶片220。
带式输送机103在装置主体2的上表面上沿Y轴方向并排地设置有多个。在第1实施方式中,带式输送机103设置有三个,分别与剥离层形成装置110、标记装置1和剥离装置120以一对一的方式对应而设置。各带式输送机103与所对应的剥离层形成装置110、标记装置1和剥离装置120在X轴方向上隔开间隔而配置。
各带式输送机103具有:一对支承壁104,它们在X轴方向上隔开间隔而配置且分别沿Y轴方向延伸;多个辊105,它们在Y轴方向上隔开间隔以旋转自如的方式安装于各支承壁104的内表面;环形带106,其卷绕于辊105;以及未图示的电动机,其使辊105旋转。环形带106在多个辊105的外周循环移动,由此在Y轴方向上搬送托盘60。另外,在第2实施方式中,锭搬送装置101通过3个带式输送机103的环形带106搬送一个托盘60。另外,锭搬送装置101具有未图示的托盘止挡件,托盘止挡件对在各带式输送机103的环形带106上停止托盘60的搬送的状态和允许各带式输送机103的环形带106对托盘60进行搬送的状态进行自由切换。托盘止挡件允许各带式输送机103的环形带106对托盘60进行搬送,由此使托盘60能够在带式输送机103的环形带106间移动。
锭搬送装置101中,带式输送机103利用电动机使辊105旋转,使环形带106在多个辊105的外周循环移动,由此环形带106使托盘60在Y轴方向上移动。锭搬送装置101使托盘60在Y轴方向上移动,由此将支承于托盘60的锭200依次搬送至剥离层形成装置110、标记装置1和剥离装置120。
剥离层形成装置110、标记装置1和剥离装置120在Y轴方向上依次排列。剥离层形成装置110在锭200中形成剥离层211。另外,对剥离层形成装置110的与标记装置1相同的部分标记与标记装置1相同的标号,并省略了说明。
剥离层形成装置110具有:保持工作台10,其对锭200进行保持;激光束照射单元111,其对保持工作台10所保持的锭200照射激光束217而形成剥离层211;拍摄单元40,其对保持工作台10所保持的锭200进行拍摄;以及移动单元20,其使激光束照射单元111和拍摄单元40与保持工作台10相对地移动。
激光束照射单元111支承于框架5,将对于保持工作台10所保持的锭200具有透过性的波长的激光束217定位于距离锭200的第1面201相当于要生成的晶片220的厚度222的深度213而进行照射,在锭200的内部形成剥离层211。拍摄单元40对保持工作台10所保持的锭200进行拍摄,获取用于执行对准即进行锭200与激光束照射单元111的对位的图像,将所获取的图像输出至控制单元90。
剥离装置120以通过剥离层形成装置110的激光束照射单元111形成的剥离层211为起点而将通过标记装置的标记单元30形成有记号的晶片220从锭200剥离。另外,对剥离装置120的与标记装置1相同的部分标记与标记装置1相同的标号,并省略了说明。
剥离装置120具有:保持工作台10,其对锭200进行保持;剥离单元121,其对保持工作台10所保持的锭200赋予超声波振动而以剥离层211为起点使锭200断裂;以及移动单元20,其使剥离单元121和保持工作台10相对地移动。
剥离单元121支承于框架5,对保持工作台10所保持的锭200赋予超声波振动而以通过激光束照射单元111形成的剥离层211为起点使锭200断裂,从锭200剥离晶片220。
转移装置130在通过锭搬送装置101的各带式输送机103的环形带106进行搬送的托盘60与剥离层形成装置110、标记装置1和剥离装置120的保持工作台10之间的区域内搬送锭200。转移装置130具有多个(在第2实施方式中为三个)搬送单元50。
多个搬送单元50在Y轴方向上并排地配置,分别与剥离层形成装置110、标记装置1和剥离装置120对应。搬送单元50在锭搬送装置101与剥离层形成装置110、标记装置1和剥离装置120中的任意装置之间搬送锭200。与剥离层形成装置110对应的搬送单元50在通过与剥离层形成装置110对应的带式输送机103的环形带106搬送的托盘60的锭支承部65与剥离层形成装置110的保持工作台10之间搬送锭200,由此搬送支承于托盘60的锭200。
与标记装置1对应的搬送单元50在通过与标记装置1对应的带式输送机103的环形带106进行搬送的托盘60的锭支承部65与标记装置1的保持工作台10之间搬送锭200。
与剥离装置120对应的搬送单元50将锭200从通过与剥离装置120对应的带式输送机103的环形带106进行搬送的托盘60的锭支承部65搬送至剥离装置120的保持工作台10。与剥离装置120对应的搬送单元50将从剥离装置120的保持工作台10所保持的锭200以剥离层211为起点而剥离的晶片220搬送至通过与剥离装置120对应的带式输送机103的环形带106进行搬送的托盘60的下壁62的上表面。与剥离装置120对应的搬送单元50将剥离装置120的保持工作台10所保持且剥离了晶片220的锭200搬送至通过与剥离装置120对应的带式输送机103的环形带106进行搬送的托盘60的锭支承部65。
另外,搬送单元50例如是具有圆板状的搬送垫51的机器人拾取器,将锭200吸引保持于搬送垫51,对锭200进行搬送。
第2实施方式的晶片生成装置100中,将读取单元4配置于锭搬送装置101的装置主体102的上表面中的通过与标记装置1对应的带式输送机103的环形带106进行搬送的托盘60的下方。即,第2实施方式的晶片生成装置100具有读取单元4。在俯视图中,读取单元4定位于通过与标记装置1对应的带式输送机103的环形带106进行搬送的托盘60的拍摄窗64的内侧。读取单元4在通过转移装置130的搬送单元50搬入至标记装置1的保持工作台10之前与第1实施方式同样地读取托盘60的锭支承部65所支承的锭200的锭信息216。
控制单元90分别控制晶片生成装置100的上述构成要素而使晶片生成装置100实施从锭200生成晶片220的生成动作。另外,控制单元90是计算机,该控制单元90具有:运算处理装置,其具有CPU(central processing unit,中央处理器)那样的微处理器;存储装置,其具有ROM(read only memory,只读存储器)或RAM(random access memory,随机存取存储器)那样的存储器;以及输入输出接口装置。控制单元90的运算处理装置按照存储于存储装置的计算机程序实施运算处理,将用于控制晶片生成装置100的控制信号经由输入输出接口装置而输出至晶片生成装置100的上述构成要素。
接着,对上述结构的晶片生成装置100的从锭200生成晶片220的生成动作进行说明。关于晶片生成装置100,通过操作者将加工条件登记于控制单元90,在通过与剥离层形成装置110对应的带式输送机103的环形带106进行搬送的托盘60的锭支承部65的规定的位置上载置锭200的第2面202。当晶片生成装置100的控制单元90从操作者接受生成动作的开始指示时,开始生成动作。
在生成动作中,晶片生成装置100的控制单元90通过与剥离层形成装置对应的搬送单元50将锭200从托盘60搬送至保持工作台10的保持面11,通过吸引源的吸引力将锭200的第2面202吸引保持于保持工作台10的保持面11。在生成动作中,晶片生成装置100的控制单元90对移动单元20进行控制,使保持工作台10移动至拍摄单元40的下方,利用拍摄单元40对锭200进行拍摄,执行对准即进行激光束照射单元111与保持工作台10所保持的锭200的对位。
在生成动作中,晶片生成装置100的控制单元90对剥离层形成装置110进行控制,从激光束照射单元111向保持工作台10所保持的锭200等照射激光束217,在锭200的内部形成剥离层211。在生成动作中,晶片生成装置100的控制单元90在通过剥离层形成装置110在锭200中形成了剥离层211之后,使保持工作台10的吸引保持停止,控制搬送单元50和带式输送机103等,将形成有剥离层211的锭200搬送至通过与标记装置1对应的带式输送机103的环形带106进行搬送的托盘60的锭支承部65。
在生成动作中,晶片生成装置100的控制单元90利用读取单元4拍摄锭200的锭信息216,读取部91根据拍摄而获取的锭信息216的图像而生成锭信息216示出的ID信息,将所生成的ID信息存储于存储部93。在生成动作中,晶片生成装置100的控制单元90通过搬送单元50将锭200从托盘60搬送至保持工作台10的保持面11,与第1实施方式同样地通过标记装置1在锭200的第1面201即晶片220上形成上述的记号。
在生成动作中,晶片生成装置100的控制单元90控制搬送单元50和带式输送机103等,将形成有剥离层211和上述的记号的锭200搬送至剥离装置120的保持工作台10。在生成动作中,晶片生成装置100的控制单元90将锭200的第2面202吸引保持于剥离装置120的保持工作台10的保持面11,通过剥离单元121将超声波振动赋予至锭200,以剥离层211为起点而使锭200断裂。在生成动作中,晶片生成装置100的控制单元90在以剥离层211为起点而使锭200断裂之后,停止超声波振动的赋予和保持工作台10的吸引保持。
在生成动作中,晶片生成装置100的控制单元90通过与剥离装置120对应的搬送单元50将剥离装置120的保持工作台上的从锭200剥离的晶片220搬送至托盘60的下壁62的上表面,并将剥离装置120的保持工作台上的锭200搬送至托盘60的锭支承部65。晶片生成装置100形成剥离层211和记号而生成晶片220直至锭200成为规定的厚度为止。
第2实施方式的晶片生成装置100中,通过读取单元4读取形成于锭200的第2面202的锭信息216,根据所读取的锭信息216,在预定从锭200剥离的晶片220上形成包含锭信息216的记号,因此与第1实施方式的标记装置1同样地,在操作者未进行操作的情况下就能够在预定从锭200剥离的晶片220上形成上述的记号。其结果是,第2实施方式的晶片生成装置100与第1实施方式的标记装置1同样地起到如下的效果:能够抑制操作者的工时增加同时能够在晶片220形成上述的记号,能够追溯晶片220的履历。
另外,本发明并不限于上述实施方式。即,可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种变形并实施。另外,在本发明中,锭信息216不限于示出表示识别锭200彼此的各锭200的名称或标号的ID信息。
另外,在本发明中,除了设置用于在搬送至标记装置1之前读取锭信息216的读取单元4,还可以设置用于在搬送至剥离层形成装置110之前读取锭信息216的读取单元4。即,在本发明中,晶片生成装置100可以具有多个读取单元4。另外,在本发明中,标记装置1和晶片生成装置100还可以具有用于在标记结束后进行确认的读取单元。

Claims (4)

1.一种标记装置,其对在相当于要生成的晶片的厚度的深度形成有剥离层的锭进行标记,其中,
该标记装置具有:
读取单元,其读取形成于该锭的锭信息;
控制单元,其具有存储部,该存储部存储通过该读取单元而读取的该锭信息;以及
标记单元,其根据该存储部所存储的该锭信息,在该要生成的晶片上标记包含该锭信息的信息。
2.一种晶片生成装置,其从锭生成晶片,其中,
该晶片生成装置具有:
读取单元,其读取形成于该锭的锭信息;
控制单元,其具有存储部,该存储部存储通过该读取单元而读取的该锭信息;
激光束照射单元,其将对于该锭具有透过性的波长的激光束定位于距离该锭的上表面相当于要生成的晶片的厚度的深度而进行照射,形成剥离层;
标记单元,其根据该存储部所存储的该锭信息,在该要生成的晶片上标记包含该锭信息的信息;以及
剥离单元,其以通过该激光束照射单元而形成的剥离层为起点而将晶片从该锭剥离。
3.根据权利要求2所述的晶片生成装置,其中,
该锭信息形成于该锭的下表面,
该读取单元通过从该锭的下表面侧拍摄该锭而读取该锭信息。
4.根据权利要求2或3所述的晶片生成装置,其中,
该晶片生成装置还具有对支承于托盘的锭进行搬送的搬送单元,
该读取单元在该锭支承于该托盘的状态下读取形成于该锭的锭信息。
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