CN109202308B - 激光加工装置和激光加工方法 - Google Patents

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Abstract

提供激光加工装置和激光加工方法，能够抑制因激光束而使卡盘工作台破损。激光加工装置(1)包含：卡盘工作台(10)，其利用保持面(11)对单晶SiC锭(600)进行保持；激光束照射单元，其对卡盘工作台(10)所保持的单晶SiC锭(600)照射激光束；以及相机单元(30)，其对卡盘工作台(10)所保持的单晶SiC锭(600)进行拍摄。卡盘工作台(10)包含：多孔质玻璃板(12)，其构成保持面(11)；以及玻璃框部(13)，其由非多孔质玻璃形成，具有凹部(14)和负压传递路(15)，该凹部(14)供多孔质玻璃板(12)嵌合，该负压传递路(15)将负压传递至所嵌合的多孔质玻璃板(12)。

Description

激光加工装置和激光加工方法
技术领域
本发明涉及激光加工装置和激光加工方法。
背景技术
公知有下述等加工方法：沿着分割预定线(间隔道)对在硅晶片等上形成有器件的SiC晶片照射激光束，将形成器件的功能层局部去除，或者在SiC晶片内部形成作为断裂起点的改质层而将该SiC晶片分割成各个器件芯片(例如，参照专利文献1、专利文献2和专利文献3)。
除此之外，还开发了下述加工方法：在从由SiC(碳化硅)构成的单晶SiC锭切出由SiC构成的SiC晶片时，照射对于SiC具有透过性的波长的激光束，形成作为剥离起点的改质层而从单晶SiC锭剥离SiC晶片(例如，参照专利文献4)。
专利文献1：日本特许第3408805号公报
专利文献2：日本特开2006-190779号公报
专利文献3：日本特开2006-281434号公报
专利文献4：日本特开2017-041482号公报
关于专利文献1、专利文献2和专利文献3中记载的加工方法，有时重要的是进行激光加工直至SiC晶片的外周缘。关于专利文献1、专利文献2和专利文献3中记载的加工方法，在进行激光加工直至SiC晶片的外周缘的情况下，有可能因超过了SiC晶片的外周缘的激光束、透过了SiC晶片的激光束的透过光而使卡盘工作台破损。
另外，关于专利文献4所示的加工方法，除了有可能与专利文献1等同样地使卡盘工作台破损以外，要以表示单晶SiC锭的晶体取向的定向平面为基准而规定出角度来照射激光束。专利文献4所示的加工方法还存在下述课题：在利用相机单元对定向平面进行检测时，当定向平面重叠在卡盘工作台的由金属(例如不锈钢)构成的框部的表面上时，由框部的表面反射照明光，导致定向平面的边缘与框部的对比度变得不清晰，从而无法检测出定向平面。
发明内容
由此，本发明的目的在于提供激光加工装置和激光加工方法，能够抑制因激光束而使卡盘工作台破损。
根据本发明的一个方式，提供激光加工装置，其中，该激光加工装置具有：卡盘工作台，其利用保持面对被加工物进行保持；激光束照射单元，其对该卡盘工作台所保持的被加工物照射激光束；以及相机单元，其对该卡盘工作台所保持的该被加工物进行拍摄，该卡盘工作台包含：多孔质部件，其构成该保持面；以及玻璃框部，其由非多孔质玻璃形成，具有凹部和负压传递路，该凹部供该多孔质部件嵌合，该负压传递路将负压传递至所嵌合的该多孔质部件。
优选该多孔质部件由多孔质玻璃板构成。
优选该卡盘工作台在被设置成相对于该激光束照射单元移动自如的工作台基座上载置并安装该玻璃框部。
优选该激光束照射单元按照与该卡盘工作台的该保持面面对的方式具有聚光透镜，该聚光透镜对从激光振荡器振荡出的该激光束进行会聚。
优选该卡盘工作台所保持的被加工物将该多孔质玻璃板覆盖而外周缘被该玻璃框部支承，该玻璃框部使该相机单元射出的照明光透过。
优选该激光束的波长是对于该被加工物具有透过性的波长。
或者，该激光束的波长是对于该被加工物具有吸收性的波长。
根据本发明的另一方式，提供激光加工方法，其中，该激光加工方法具有如下的步骤：对准步骤，一边对卡盘工作台的保持面所保持的被加工物的外缘部和玻璃框部照射照明光，一边利用相机单元进行拍摄而实施对准，其中，所述卡盘工作台具有多孔质部件和所述玻璃框部，该多孔质部件构成该保持面，该玻璃框部由非多孔质玻璃形成，具有凹部和负压传递路，该凹部供该多孔质部件嵌合，该负压传递路将负压传递至所嵌合的该多孔质部件；以及激光加工步骤，在该对准步骤之后，照射对于该被加工物具有透过性或吸收性的波长的激光束而对该被加工物进行激光加工。
本申请发明的激光加工装置和激光加工方法起到如下的效果：能够抑制因激光束而使卡盘工作台破损。
附图说明
图1是示出第一实施方式的激光加工装置的结构例的立体图。
图2是示出图1所示的激光加工装置的加工对象的单晶SiC锭的立体图。
图3是图2所示的单晶SiC锭的侧视图。
图4是图1所示的激光加工装置的卡盘工作台的剖视图。
图5是示出图4所示的单晶SiC锭和卡盘工作台的俯视图。
图6是示出第一实施方式的激光加工方法的流程图。
图7是示出图6所示的激光加工方法的保持步骤的俯视图。
图8是以局部剖面示出在图6所示的激光加工方法的对准步骤中相机单元对单晶SiC锭的外缘部进行拍摄的状态的侧视图。
图9是示出图8所示的相机单元拍摄得到的图像的一例的图。
图10是示出图6所示的激光加工方法的对准步骤后的单晶SiC锭和卡盘工作台的俯视图。
图11是以局部剖面示出图6所示的激光加工方法的激光加工步骤的侧视图。
图12是示出在图6所示的激光加工方法的激光加工步骤中在单晶SiC锭的内部所形成的改质层和裂纹的俯视图。
图13是示出第二实施方式的激光加工装置的结构例的立体图。
图14是以局部剖面示出第二实施方式的激光加工方法的激光加工步骤的侧视图。
图15是以局部剖面示出第二实施方式的变形例的激光加工装置实施激光加工步骤的状态的侧视图。
图16是对第一实施方式的激光加工装置的保持着单晶SiC锭的卡盘工作台进行拍摄而得到的图像。
图17是对保持着单晶SiC锭的以往的卡盘工作台进行拍摄而得到的图像。
标号说明
1、1-2、1-3：激光加工装置；10、10-2：卡盘工作台；11：保持面；12、12-2：多孔质玻璃板(多孔质部件)；13：玻璃框部；14：凹部；15：负压传递路；19：工作台基座；20、20-3：激光束照射单元；21：激光振荡器；22：聚光透镜；30：相机单元；200：SiC晶片(被加工物)；300、300-3：激光束；400：照明光；600：单晶SiC锭(被加工物)；ST2：对准步骤；ST3：激光加工步骤。
具体实施方式
参照附图，对用于实施本发明的方式(实施方式)进行详细说明。本发明并不被以下实施方式所记载的内容限定。另外，在以下所记载的构成要素中包含本领域技术人员能够容易想到的内容、实质上相同的内容。另外，以下所记载的结构可以适当组合。另外，可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行结构的各种省略、置换或变更。
[第一实施方式]
根据附图对本发明的第一实施方式的激光加工装置和激光加工方法进行说明。图1是示出第一实施方式的激光加工装置的结构例的立体图。图2是示出图1所示的激光加工装置的加工对象的单晶SiC锭的立体图。图3是图2所示的单晶SiC锭的侧视图。图4是图1所示的激光加工装置的卡盘工作台的剖视图。图5是示出图2所示的单晶SiC锭和卡盘工作台的俯视图。
第一实施方式的激光加工装置1是对作为被加工物的单晶SiC锭600进行激光加工的装置。激光加工装置1是对单晶SiC锭600进行切片而从单晶SiC锭600切出SiC晶片的装置。
作为第一实施方式的激光加工装置1的加工对象的锭600由SiC(碳化硅)构成，如图2和图3所示，该锭600具有：第一面(上表面)601；以及与第一面601相反的一侧的第二面(背面)602。单晶SiC锭600的上表面601作为激光束300(图11所示)的照射面，因此研磨成镜面。另外，单晶SiC锭600具有：第一定向平面603；以及与第一定向平面603垂直的第二定向平面604。第一定向平面603的长度形成得比第二定向平面604的长度长。
单晶SiC锭600具有：c轴606，其相对于上表面601的垂线605向第二定向平面604方向倾斜偏离角α；以及c面607，其与c轴606垂直。c面607相对于单晶SiC锭600的上表面601倾斜偏离角α。通常在六方晶单晶SiC锭600中，与较短的第二定向平面604的延伸方向垂直的方向为c轴606的倾斜方向。c面607在单晶SiC锭600中按照单晶SiC锭600的分子水平设定有无数个。在第一实施方式中，偏离角α设定为4°。但是，偏离角α并不限于4°，在本发明中，可以在例如1°～6°的范围内自由设定偏离角α而制造单晶SiC锭600。
如图1所示，激光加工装置1具有：卡盘工作台10，其利用保持面11对单晶SiC锭600进行保持；激光束照射单元20，其对卡盘工作台10所保持的单晶SiC锭600照射激光束300；以及相机单元30，其对卡盘工作台10所保持的单晶SiC锭600进行拍摄。另外，激光加工装置1具有：X轴移动单元40，其使卡盘工作台10与激光束照射单元20在X轴方向上相对移动；Y轴移动单元50，其使卡盘工作台10与激光束照射单元20在Y轴方向上相对移动；旋转单元60，其使卡盘工作台10绕与Z轴方向平行的中心轴线旋转；以及控制单元100，其对各构成要素进行控制。
卡盘工作台10为圆盘形状，如图4和图5所示，卡盘工作台10具有：多孔质玻璃板12，其是构成保持面11的多孔质部件，该保持面11对单晶SiC锭600进行保持；以及玻璃框部13，其围绕多孔质玻璃板12且由非多孔质玻璃形成。构成多孔质玻璃板12的多孔质玻璃使上述激光束300等光透过。多孔质玻璃板12形成为圆板状，并且设置有由多孔质玻璃形成而能够吸引流体的孔。卡盘工作台10的多孔质玻璃板12形成为被保持面11所保持的单晶SiC锭600覆盖的大小。另外，在第一实施方式中，构成保持面11的多孔质部件是由多孔质玻璃形成的多孔质玻璃板12，但在本发明中，也可以由多孔陶瓷等其他种类的多孔质部件形成多孔质玻璃板12。
玻璃框部13由使上述激光束300等光透过且具有气密性的玻璃构成，并且具有：凹部14，其供多孔质玻璃板12嵌合；以及负压传递路15，其将负压传递至所嵌合的多孔质玻璃板12。负压传递路15具有：空间16，其形成在玻璃框部13内；以及传递孔17，其在空间16内开口且与未图示的真空吸引源连结。空间16由玻璃框部13和多孔质玻璃板12密闭。传递孔17是在空间16开口且贯通玻璃框部13的孔。卡盘工作台10通过利用真空吸引源进行吸引而在保持面11上对单晶SiC锭600进行吸引、保持。
另外，卡盘工作台10借助旋转单元60将玻璃框部13载置并安装在工作台基座19上，该工作台基座19设置成通过X轴移动单元40在X轴方向上相对于激光束照射单元20移动自如。
X轴移动单元40是使卡盘工作台10在X轴方向上移动而将卡盘工作台10在X轴方向上进行加工进给的加工进给单元。X轴移动单元40使工作台基座19在X轴方向上移动。Y轴移动单元50是使卡盘工作台10在Y轴方向上移动而将卡盘工作台10进行分度进给的分度进给单元。X轴移动单元40和Y轴移动单元50具有：滚珠丝杠41、51，它们被设置成绕轴心旋转自如：脉冲电动机42、52，它们使滚珠丝杠41、51绕轴心旋转；以及导轨43、53，它们将卡盘工作台10支承为在X轴方向和Y轴方向上移动自如。旋转单元60设置在工作台基座19上，并且将卡盘工作台10支承为绕中心轴线旋转自如。
激光束照射单元20对卡盘工作台10所保持的SiC晶片200实施激光加工。激光束照射单元20对卡盘工作台10所保持的单晶SiC锭600照射对于单晶SiC锭600具有透过性的波长(例如为1064nm等)的激光束300，在单晶SiC锭600的内部形成改质层301(图11所示)。另外，改质层301是指处于密度、折射率、机械强度或其他物理特性与周围的特性不同的状态的区域，可以例示出熔融处理区域、裂纹区域、绝缘破坏区域、折射率变化区域和这些区域混在的区域等。
激光束照射单元20具有：激光振荡器21，其振荡出激光束300；聚光透镜22，其将从激光振荡器21振荡出的激光束300会聚在单晶SiC锭600的期望的位置；以及反射镜23，其将从激光振荡器21振荡出的激光束300朝向聚光透镜22反射；等等。激光束照射单元20按照与卡盘工作台10的保持面11面对的方式具有聚光透镜22。激光束照射单元20安装在支承柱4的前端，该支承柱4与从激光加工装置1的装置主体2竖立设置的壁部3相连。
相机单元30配设在与激光束照射单元20在X轴方向上并列的位置。在第一实施方式中，相机单元30安装在支承柱4的前端。相机单元30具有CCD(Charge Coupled Device：电荷耦合器件)相机，其一边在Z轴方向上对卡盘工作台10所保持的单晶SiC锭600照射照明光400(图8所示)一边对单晶SiC锭600进行拍摄。
控制单元100分别对上述的各构成要素进行控制而使激光加工装置1实施对于单晶SiC锭600的激光加工动作。控制单元100包含计算机系统。控制单元100具有：运算处理装置，其具有CPU(central processing unit：中央处理器)那样的微处理器；存储装置，其具有ROM(read only memory：只读存储器)或RAM(random access memory：随机存取存储器)那样的存储器；以及输入输出接口装置。
控制单元100的运算处理装置按照存储在存储装置的计算机程序实施运算处理，将用于控制激光加工装置1的控制信号经由输入输出接口装置而输出至激光加工装置1的上述构成要素。另外，控制单元100与由显示加工动作的状态或图像等的液晶显示装置等构成的未图示的显示单元、或操作者在登记加工内容信息等时使用的未图示的输入单元连接。输入单元由设置在显示单元的触控面板和键盘等中的至少一个构成。
接着，对第一实施方式的激光加工方法进行说明。图6是示出第一实施方式的激光加工方法的流程图。
如图6所示，激光加工方法具有保持步骤ST1、对准步骤ST2以及激光加工步骤ST3。操作者对输入单元进行操作而将加工内容信息登记在控制单元100，操作者在激光加工前的单晶SiC锭600的下表面602将多孔质玻璃板12覆盖的状态下将激光加工前的单晶SiC锭600载置于保持面11上，由操作者指示开始加工动作，在该情况下实施激光加工方法。
(保持步骤)
图7是示出图6所示的激光加工方法的保持步骤的俯视图。
保持步骤ST1是利用卡盘工作台10的保持面11对单晶SiC锭600进行保持的步骤。在保持步骤ST1中，控制单元100对真空吸引源进行驱动而将单晶SiC锭600吸引保持在卡盘工作台10上。在第一实施方式中，在保持步骤ST1中，当控制单元100将单晶SiC锭600吸引、保持于卡盘工作台10时，如图7所示，卡盘工作台10所保持的单晶SiC锭600覆盖多孔质玻璃板12且外周缘被玻璃框部13支承。加工方法在保持步骤ST1之后，进入至对准步骤ST2。
(对准步骤)
图8是以局部剖面示出在图6所示的激光加工方法的对准步骤中相机单元对单晶SiC锭的外缘部进行拍摄的状态的侧视图。图9是示出图8所示的相机单元拍摄得到的图像的一例的图。图10是示出图6所示的激光加工方法的对准步骤之后的单晶SiC锭和卡盘工作台的俯视图。
对准步骤ST2是实施对准的步骤，一边对卡盘工作台10的保持面11所保持的单晶SiC锭600的外缘部和玻璃框部13照射照明光400，一边利用相机单元30进行拍摄，检测出单晶SiC锭600的要进行激光加工的加工区域。在对准步骤ST2中，如图8所示，控制单元100一边利用相机单元30对SiC晶片200的外缘部中的第二定向平面604和玻璃框部13照射照明光400，一边利用相机单元30进行拍摄而实施对准。在第一实施方式中，在对准步骤ST2中，控制单元100例如如图7中用圆圈所示那样对第二定向平面604的两个部位进行拍摄。在对准步骤ST2中，控制单元100根据由相机单元30拍摄得到的在图9中示出一例的图像500检测出与第二定向平面604平行的方向。
另外，关于图9所示的图像500，相机单元30沿着Z轴方向照射照明光400，单晶SiC锭600的上表面601反射照明光400，因此SiC晶片200如图9中白底所示那样变亮，玻璃框部13使照明光400透过，因此卡盘工作台10的玻璃框部13如图9中平行斜线所示那样变暗。在对准步骤ST2中，控制单元100如图10所示那样利用旋转单元60将单晶SiC锭600定位于第二定向平面604与X轴方向平行的位置。加工方法在对准步骤ST2之后，进入到激光加工步骤ST3。
(激光加工步骤)
图11是以局部剖面示出图6所示的激光加工方法的激光加工步骤的侧视图。图12是示出在图6所示的激光加工方法的激光加工步骤中在单晶SiC锭的内部所形成的改质层和裂纹的俯视图。
激光加工步骤ST3是在对准步骤ST2之后照射对于单晶SiC锭600具有透过性的波长的激光束300而对单晶SiC锭600进行激光加工的步骤。在激光加工步骤ST3中，控制单元100由激光束照射单元20将对于单晶SiC锭600具有透过性的波长的激光束300的聚光点302设定在距离上表面601与要从单晶SiC锭600切出的SiC晶片的厚度对应的深度。控制单元100一边利用X轴移动单元40使卡盘工作台10在X轴方向上移动，一边交替进行照射激光束300的改质层形成步骤以及不照射激光束300而使卡盘工作台10在Y轴方向上移动规定的量的转位步骤。
在改质层形成步骤中，控制单元100例如按照使激光束照射单元20相对于卡盘工作台10从图11中虚线所示的位置相对地移动到实线所示的位置的方式一边使卡盘工作台10沿着图11中的箭头移动一边照射激光束300。并且，在改质层形成步骤中，控制单元100如图12所示那样在单晶SiC锭600的内部形成与X轴方向平行的改质层301和从改质层301沿着c面607传播的裂纹310。当控制单元100在单晶SiC锭600的内部的整个面的区域内形成改质层301和裂纹310时，激光加工方法结束。另外，对于单晶SiC锭600，使夹着改质层301和裂纹310而彼此处于相反侧的部分绕轴心相对地向反方向旋转，并对单晶SiC锭600赋予超声波振动，从而从单晶SiC锭600切出SiC晶片。
如以上所说明的那样，在第一实施方式的激光加工装置1和激光加工方法中，卡盘工作台10的多孔质玻璃板12由多孔质玻璃构成，并且玻璃框部13由玻璃构成，因此激光束300透过卡盘工作台10。另外，激光束300的聚光点302设定在SiC晶片200的内部，因此透过卡盘工作台10的激光束300会发散。其结果是，激光加工装置1能够抑制因激光束300的照射而使卡盘工作台10破损。
另外，在第一实施方式的激光加工装置1和激光加工方法中，激光束300透过卡盘工作台10，从而能够抑制卡盘工作台10对激光束300的反射。其结果是，激光加工装置1能够抑制激光束照射单元20的聚光透镜22等的破损。
另外，在第一实施方式的激光加工装置1和激光加工方法中，卡盘工作台10的玻璃框部13由玻璃构成，因此相机单元30的照明光400透过卡盘工作台10。另外，相机单元30的照明光400被单晶SiC锭600反射。因此，相机单元30拍摄得到的图像500中单晶SiC锭600与卡盘工作台10的明亮度的对比度变大，能够准确地计算出单晶SiC锭600的第二定向平面604。其结果是，激光加工装置1能够抑制对准的误差。
另外，在第一实施方式的激光加工装置1和激光加工方法中，卡盘工作台10的多孔质玻璃板12由多孔质玻璃构成，并且玻璃框部13由比重为2.5(g/cm3)左右的玻璃构成，不使用例如比重约为8(g/cm3)左右的不锈钢等金属而利用玻璃来形成卡盘工作台10。因此，激光加工装置1和激光加工方法能够实现卡盘工作台10的轻量化，特别是在以500mm/s以上的高速使卡盘工作台10移动的激光加工装置1中，能够减轻对X轴移动单元40及Y轴移动单元50的负荷。
[第二实施方式]
根据附图对本发明的第二实施方式的激光加工装置和激光加工方法进行说明。图13是示出第二实施方式的激光加工装置的结构例的立体图。图14是以局部剖面示出第二实施方式的激光加工方法的激光加工步骤的侧视图。图13和图14中在与第一实施方式相同的部分标记相同的标号，并省略了说明。
第二实施方式的图13所示的激光加工装置1-2是对作为被加工物的SiC晶片200进行激光加工的装置。作为第二实施方式的激光加工装置1-2的加工对象的SiC晶片200在第二实施方式中是以硅、蓝宝石、砷化镓等为基板的圆板状的半导体SiC晶片或光器件SiC晶片。如图13所示，SiC晶片200在由正面201的交叉(在第一实施方式中为垂直)的多条分割预定线202划分的多个区域分别形成有器件203。SiC晶片200在背面204上粘贴有作为保护部件的粘接带210。粘接带210在外周安装有环状框架211。
另外，第二实施方式的激光加工装置1-2中，构成卡盘工作台10-2的保持面11的多孔质部件是由多孔质玻璃构成的多孔质玻璃板12-2，形成为直径大于SiC晶片200的外径的圆板状。这样，在本发明中，在构成卡盘工作台10-2的保持面11的多孔质部件直径大于被加工物的情况下，使用由多孔质玻璃形成的多孔质玻璃板12-2。另外，激光加工装置1-2具有：盒支承台71，其对收纳被环状框架211支承的多个SiC晶片200的盒70进行支承；以及未图示的搬送单元，其在被盒支承台71支承的盒70与卡盘工作台10之间对SiC晶片200进行搬送，在卡盘工作台10的周围设置有多个对环状框架211进行夹持的夹持部18。
第二实施方式的激光加工方法与第一实施方式同样地，具有保持步骤ST1、对准步骤ST2以及激光加工步骤ST3，操作者对输入单元进行操作而将加工内容信息登记在控制单元100，操作者将收纳有多张激光加工前的SiC晶片200的盒70设置在盒支承台71上，由操作者指示开始加工动作，在该情况下实施激光加工方法。
在第二实施方式的激光加工方法的保持步骤ST1中，控制单元100利用搬送单元从盒70中取出一张激光加工前的SiC晶片200，并隔着粘接带210载置于卡盘工作台10的保持面11。在保持步骤ST1中，控制单元100对真空吸引源进行驱动而将SiC晶片200吸引保持在卡盘工作台10上，利用夹持部18对环状框架211进行夹持。在第二实施方式中，在保持步骤ST1中，粘贴在SiC晶片200上的粘接带210将多孔质玻璃板12和玻璃框部13覆盖。
在第二实施方式的激光加工方法的对准步骤ST2中，控制单元100将SiC晶片200的加工区域定位于相机单元30的正下方，对相机单元30拍摄得到的图像实行用于进行SiC晶片200的分割预定线202与激光束照射单元20的对位的图案匹配等图像处理，执行对准。
第二实施方式的激光加工方法的激光加工步骤ST3是沿着各分割预定线202照射对于SiC晶片200具有透过性的波长的激光束300，利用激光束300在SiC晶片200的内部形成作为断裂起点的改质层301的步骤。
在第二实施方式的激光加工方法的激光加工步骤ST3中，控制单元100根据对准步骤ST2的对准结果，利用X轴移动单元40和Y轴移动单元50使激光束照射单元20与卡盘工作台10沿着各分割预定线202相对地移动，同时将激光束300的聚光点302设定在SiC晶片200的内部，从激光束照射单元20照射激光束300。
在第二实施方式的激光加工方法的激光加工步骤ST3中，控制单元100例如按照使激光束照射单元20相对于卡盘工作台10从图14中虚线所示的位置相对地移动到实线所示的位置的方式一边使卡盘工作台10沿着图14中的箭头移动一边照射激光束300。在激光加工步骤ST3中，控制单元100在SiC晶片200的内部形成沿着分割预定线202的改质层301。当控制单元100沿着所有的分割预定线202形成改质层301时，将沿着所有的分割预定线202形成有改质层301的SiC晶片200收纳在盒70内，加工方法结束。
第二实施方式的激光加工装置1-2和激光加工方法与第一实施方式同样地，卡盘工作台10-2的多孔质玻璃板12-2由多孔质玻璃构成，并且玻璃框部13由玻璃构成，因此激光束300透过卡盘工作台10-2。其结果是，激光加工装置1-2和激光加工方法与第一实施方式同样地，能够抑制因激光束300的照射而使卡盘工作台10-2破损，能够抑制激光束照射单元20的聚光透镜22等的破损。
另外，第二实施方式的激光加工装置1-2和激光加工方法与第一实施方式同样地，利用玻璃来形成卡盘工作台10-2，因此能够实现卡盘工作台10-2的轻量化，特别是在以500mm/s以上的高速使卡盘工作台10-2移动的激光加工装置1-2中，能够减轻对X轴移动单元40及Y轴移动单元50的负荷。
[变形例]
根据附图对本发明的第二实施方式的变形例的激光加工装置和激光加工方法进行说明。图15是以局部剖面示出第二实施方式的变形例的激光加工装置实施激光加工步骤的状态的侧视图。图15中在与第一实施方式和第二实施方式相同的部分标记相同的标号，并省略了说明。
第二实施方式的变形例的激光加工装置1-3由激光束照射单元20-3照射对于SiC晶片200具有吸收性的波长(例如355nm)的激光束300-3，除此以外，与第二实施方式的激光加工装置1-2的结构相同。第二实施方式的变形例的激光加工方法在激光加工步骤ST3中如图15所示那样将激光束300-3照射至SiC晶片200的各分割预定线202而实施烧蚀加工，在各分割预定线202形成激光加工槽303，除此以外，与第二实施方式的激光加工方法相同。另外，在第二实施方式的变形例中，激光加工槽303将SiC晶片200半切割，但在本发明中，也可以进行全切割。
第二实施方式的变形例的激光加工装置1和激光加工方法与第二实施方式同样地，卡盘工作台10的多孔质玻璃板12由多孔质玻璃构成，并且玻璃框部13由玻璃构成，因此激光束300-3和照明光400透过卡盘工作台10。其结果是，激光加工装置1和激光加工方法与第二实施方式同样地，能够抑制因激光束300-3的照射而使卡盘工作台10破损，能够抑制激光束照射单元20-3的聚光透镜22等的破损。
接着，本发明的发明人利用相机单元30对第一实施方式的激光加工装置1的卡盘工作台10以及围绕多孔质部件的框部由金属构成的以往的卡盘工作台在保持着单晶SiC锭600的状态下进行拍摄。图16是对第一实施方式的激光加工装置的保持着单晶SiC锭的卡盘工作台进行拍摄而得到的图像。图17是对保持着单晶SiC锭的以往的卡盘工作台进行拍摄而得到的图像。图16和图17均是对图7中的圆圈包围的部分进行拍摄而得到的图像。根据图16和图17可知，与以往的卡盘工作台相比，第一实施方式的激光加工装置1的卡盘工作台10的单晶SiC锭600与玻璃框部13的明亮度的对比度变大。因此，根据图16和图17可知，卡盘工作台10通过具有由玻璃构成的玻璃框部13，能够抑制对准的误差。
另外，本发明并不限于上述实施方式。即，可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种变形并实施。

Claims (8)

1.一种激光加工装置，其中，该激光加工装置具有：
卡盘工作台，其利用保持面对被加工物进行保持；
激光束照射单元，其对该卡盘工作台所保持的被加工物照射激光束；以及
相机单元，其对该卡盘工作台所保持的该被加工物进行拍摄，
该卡盘工作台包含：
多孔质部件，其构成该保持面；以及
玻璃框部，其由使该激光束透过且具有气密性的非多孔质玻璃形成，具有凹部和负压传递路，该凹部供该多孔质部件嵌合，该负压传递路将负压传递至所嵌合的该多孔质部件，
该负压传递路具有：
空间，其形成在该玻璃框部内，并由该玻璃框部和该多孔质部件密闭；以及
传递孔，其在该空间内开口且与真空吸引源连结。
2.根据权利要求1所述的激光加工装置，其中，
该多孔质部件为多孔质玻璃板。
3.根据权利要求2所述的激光加工装置，其中，
该卡盘工作台在被设置成相对于该激光束照射单元移动自如的工作台基座上载置并安装该玻璃框部。
4.根据权利要求2所述的激光加工装置，其中，
该激光束照射单元按照与该卡盘工作台的该保持面面对的方式具有聚光透镜，该聚光透镜对从激光振荡器振荡出的该激光束进行会聚。
5.根据权利要求2所述的激光加工装置，其中，
该卡盘工作台所保持的被加工物将该多孔质玻璃板覆盖而外周缘被该玻璃框部支承，该玻璃框部使该相机单元射出的照明光透过。
6.根据权利要求2所述的激光加工装置，其中，
该激光束的波长是对于该被加工物具有透过性的波长。
7.根据权利要求2所述的激光加工装置，其中，
该激光束的波长是对于该被加工物具有吸收性的波长。
8.一种激光加工方法，其中，该激光加工方法具有如下的步骤：
对准步骤，一边对卡盘工作台的保持面所保持的被加工物的外缘部和玻璃框部照射照明光，一边利用相机单元进行拍摄而实施对准，其中，所述卡盘工作台具有多孔质部件和所述玻璃框部，该多孔质部件构成所述保持面，该玻璃框部由使激光束透过且具有气密性的非多孔质玻璃形成，具有凹部和负压传递路，该凹部供该多孔质部件嵌合，该负压传递路将负压传递至所嵌合的该多孔质部件，该负压传递路具有空间和传递孔，该空间形成在该玻璃框部内，并由该玻璃框部和该多孔质部件密闭，该传递孔在该空间内开口且与真空吸引源连结；以及
激光加工步骤，在该对准步骤之后，照射对于该被加工物具有透过性或吸收性的波长的激光束而对该被加工物进行激光加工。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3234992B1 (de) * 2016-01-29 2018-09-26 JENOPTIK Optical Systems GmbH Verfahren und vorrichtung zum herauslösen eines mikro-chips aus einem wafer und aufbringen des mikro-chips auf ein substrat
WO2019208359A1 (ja) * 2018-04-27 2019-10-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板処理方法
US11897056B2 (en) * 2018-10-30 2024-02-13 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing device and laser processing method
JP7285067B2 (ja) * 2018-10-30 2023-06-01 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
US10562130B1 (en) 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10576585B1 (en) 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
JP7218055B2 (ja) * 2019-01-25 2023-02-06 株式会社ディスコ チャックテーブル
DE102019201438B4 (de) * 2019-02-05 2024-05-02 Disco Corporation Verfahren zum Herstellen eines Substrats und System zum Herstellen eines Substrats
KR102191836B1 (ko) 2019-04-30 2020-12-18 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
JP7350438B2 (ja) * 2019-09-09 2023-09-26 株式会社ディスコ チャックテーブル及びチャックテーブルの製造方法
JP7148816B2 (ja) * 2019-09-30 2022-10-06 日亜化学工業株式会社 発光素子の製造方法
CN113547225A (zh) * 2020-04-22 2021-10-26 鸿鎷科技有限公司 具有石英底座的精密陶瓷工作台
CN114101927A (zh) * 2021-11-30 2022-03-01 郑路平 激光加工设备

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101851060A (zh) * 2009-03-30 2010-10-06 三星钻石工业股份有限公司 基板固定装置
CN102151996A (zh) * 2010-01-20 2011-08-17 株式会社迪思科 激光加工装置
TW201340249A (zh) * 2012-02-22 2013-10-01 Disco Corp 夾頭台及使用夾頭台之晶圓之雷射加工方法
CN103586585A (zh) * 2012-08-17 2014-02-19 株式会社迪思科 激光加工装置
CN103715127A (zh) * 2012-10-02 2014-04-09 株式会社迪思科 卡盘工作台
JP2014222773A (ja) * 2010-11-16 2014-11-27 株式会社東京精密 レーザダイシング装置及び方法
JP2015170697A (ja) * 2014-03-06 2015-09-28 株式会社東京精密 レーザーダイシング装置及びレーザーダイシング方法
CN105081559A (zh) * 2014-05-09 2015-11-25 株式会社迪思科 激光加工装置
JP2016064418A (ja) * 2014-09-24 2016-04-28 株式会社ディスコ レーザー加工装置
CN105895574A (zh) * 2015-02-12 2016-08-24 株式会社迪思科 加工装置的卡盘台
CN106042199A (zh) * 2015-04-06 2016-10-26 株式会社迪思科 加工装置
TW201640609A (zh) * 2015-02-07 2016-11-16 創意科技股份有限公司 被加工物保持裝置及雷射切割加工方法
CN107350641A (zh) * 2016-05-09 2017-11-17 株式会社迪思科 激光加工装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0294426A (ja) * 1988-09-30 1990-04-05 Canon Inc Ｘ線マスク構造体及びその製造方法
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
JP4694845B2 (ja) 2005-01-05 2011-06-08 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
US7284396B2 (en) * 2005-03-01 2007-10-23 International Gemstone Registry Inc. Method and system for laser marking in the volume of gemstones such as diamonds
JP4705450B2 (ja) 2005-03-11 2011-06-22 株式会社ディスコ ウェーハの保持機構
JP5554617B2 (ja) * 2010-04-12 2014-07-23 株式会社ディスコ 保持テーブル
JP5829881B2 (ja) * 2011-10-07 2015-12-09 株式会社ディスコ 切削装置
JP2013230478A (ja) * 2012-04-27 2013-11-14 Disco Corp レーザー加工装置及びレーザー加工方法
JP6138503B2 (ja) * 2013-02-04 2017-05-31 株式会社ディスコ チャックテーブル
CN103182603B (zh) * 2013-03-18 2015-11-04 张立国 一种激光扫描加工装置
JP6104025B2 (ja) * 2013-04-11 2017-03-29 株式会社ディスコ レーザー加工装置及びレーザー加工方法
JP6399913B2 (ja) * 2014-12-04 2018-10-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6494451B2 (ja) * 2015-07-06 2019-04-03 株式会社ディスコ チャックテーブル及び洗浄装置
JP6486240B2 (ja) 2015-08-18 2019-03-20 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101851060A (zh) * 2009-03-30 2010-10-06 三星钻石工业股份有限公司 基板固定装置
CN102151996A (zh) * 2010-01-20 2011-08-17 株式会社迪思科 激光加工装置
JP2014222773A (ja) * 2010-11-16 2014-11-27 株式会社東京精密 レーザダイシング装置及び方法
TW201340249A (zh) * 2012-02-22 2013-10-01 Disco Corp 夾頭台及使用夾頭台之晶圓之雷射加工方法
CN103586585A (zh) * 2012-08-17 2014-02-19 株式会社迪思科 激光加工装置
CN103715127A (zh) * 2012-10-02 2014-04-09 株式会社迪思科 卡盘工作台
JP2015170697A (ja) * 2014-03-06 2015-09-28 株式会社東京精密 レーザーダイシング装置及びレーザーダイシング方法
CN105081559A (zh) * 2014-05-09 2015-11-25 株式会社迪思科 激光加工装置
JP2016064418A (ja) * 2014-09-24 2016-04-28 株式会社ディスコ レーザー加工装置
TW201640609A (zh) * 2015-02-07 2016-11-16 創意科技股份有限公司 被加工物保持裝置及雷射切割加工方法
CN105895574A (zh) * 2015-02-12 2016-08-24 株式会社迪思科 加工装置的卡盘台
CN106042199A (zh) * 2015-04-06 2016-10-26 株式会社迪思科 加工装置
CN107350641A (zh) * 2016-05-09 2017-11-17 株式会社迪思科 激光加工装置

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