CN103586585A - 激光加工装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种激光加工装置，能够抑制在激光加工时产生的碎片附着在吸尘构件的吸引路。激光加工装置的特征在于，具有加工头（36），该加工头（36）用于对被加工物照射激光光束，加工头包括：吸尘构件（70），其配置于聚光透镜（39）和被加工物之间，对由聚光透镜聚光后的激光光束照射到被加工物而产生的碎片进行收集，吸尘构件具有吸引路（78），该吸引路（78）的一端与吸引源连接，而另一端则朝被加工物的上表面开口，激光加工装置还具有清洗液供给构件（82），该清洗液供给构件（82）用于将清洗液供给到吸引路。

Description

激光加工装置

技术领域

本发明涉及对晶片等被加工物的表面照射激光光束，从而实施烧蚀加工的激光加工装置。

背景技术

通过激光加工装置对表面形成有IC（Integrated Circuit：集成电路）、LSI（Large Scale Integration：大规模集成电路）等器件的半导体晶片、或在表面形成有LED（Light Emitting Diode：发光二极管）等光器件的光器件晶片的分割预定线照射激光光束，从而在晶片的表面形成沿着分割预定线的激光加工槽。

对具有沿着分割预定线的激光加工槽的晶片施加外力，由此将晶片分割成一个个器件。将一个一个器件组装到便携电话、PC（Personal Computer：个人计算机）、LED灯等电子设备，由此制造出各种电子设备。

在该加工工序中，公知了这样的内容：当对半导体晶片或光器件晶片照射相对于晶片具有吸收性的波长的激光光束时，称为碎片的细微的粉尘产生和飞散而堆积在器件的表面，使器件的品质降低。

作为其对策，提出了在预先涂布保护膜后实施激光加工，连保护膜一起将附着在保护膜上的碎片清洗除去的加工方法、和具有沿着聚光用物镜的光轴喷出空气的喷出口并且具有从喷出口的四周吸引碎片进行吸尘的吸尘器的加工装置（例如，参照专利文献1、专利文献2、专利文献3、以及专利文献4）。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2007-69249号公报

专利文献2：日本特开2011-189400号公报

专利文献3：日本特开2006-032419号公报

专利文献4：日本特开2011-121099号公报

发明内容

但是，在实际加工时，保护膜自身气化而附着堆积在吸引碎片的机构。这时，需要除去堆积的碎片以避免堆积的碎片再次下落到晶片，从而需要频繁的保养，或沿着聚光用物镜的光轴喷出的空气没有充分地发挥其功能，而碎片附着在聚光用物镜等光学系统部件。

在连续加工晶片时，包括保护膜的飞散物的碎片堆积在吸尘器的吸引路而粘合为冰柱状。当碎片一旦粘合在吸引路时，即使清洗也很难除去碎片。当碎片粘合在吸引路时，产生这样的问题：由于碎片导致吸引路的吸引力降低，无法充分地对在加工晶片时产生的碎片进行吸尘。

本发明是鉴于上述而完成的发明，其目的在于提供一种激光加工装置，能够抑制在激光加工时产生的碎片附着在聚光器等光学部件以及吸引路，即使碎片的一部分附着在吸引路也能够清洗吸引路，能够防止碎片粘合在吸引路。

根据第一方面记载的发明，提供一种激光加工装置，其特征在于，具有：保持构件，其用于保持被加工物；以及激光光束照射构件，其包括：激光光束振荡构件；和将上述激光光束振荡构件振荡出的激光光束照射到被加工物的加工头，该激光光束照射构件对保持在上述保持构件的被加工物实施烧蚀加工，上述加工头包括：聚光透镜，其用于对从上述激光光束振荡构件振荡出的激光光束进行聚光；以及吸尘构件，其配置于上述聚光透镜和被加工物之间，对由上述聚光透镜聚光后的激光光束照射到被加工物而产生的碎片进行收集，上述吸尘构件具有吸引路，该吸引路的一端与吸引源连接，而另一端则向保持于上述保持构件的被加工物的上表面开口，上述激光加工装置还具有清洗液供给构件，该清洗液供给构件用于将清洗液供给到上述吸引路。

优选的是，上述清洗液供给构件具有：清洗液喷出口，其朝向上述吸引路开口；以及清洗液供给路，其一端与上述清洗液喷出口连通，其另一端与清洗液供给源连接。

优选的是，上述清洗液供给构件具有蓄积清洗液的清洗液蓄积槽，在预定的时机将上述加工头浸泡在上述清洗液蓄积槽，并且在上述加工头浸泡在上述清洗液蓄积槽的状态下使上述吸引源工作，由此清洗上述吸引路。

根据第四方面记载的发明，提供一种激光加工装置的吸引路的清洗方法，其特征在于，具有：加工步骤，对被加工物实施烧蚀加工；退避步骤，在实施了上述加工步骤后，使上述加工头从被加工物退避；以及清洗步骤，在实施了上述退避步骤后，使上述清洗液供给构件工作来清洗上述吸引路。

发明效果

本发明的激光加工装置能够抑制在激光加工时产生的碎片附着在聚光器等光学部件以及吸引路，并且由于具有即使碎片的一部分附着在吸引路也能够将清洗液供给到吸引路的清洗液供给构件，所以能够清洗吸引路能够防止碎片粘合在吸引路。

附图说明

图1是表示本发明第1实施方式的激光加工装置的结构例的立体图。

图2是示意性地表示激光加工装置的激光光束照射构件与卡盘工作台等的结构的图。

图3是表示激光加工装置的保护送风构件的结构的立体图。

图4是本发明第2实施方式的沿着图3中的IV-IV线的剖视图。

图5是激光加工装置的激光加工方法的流程图。

标号说明

2   激光加工装置

4   卡盘工作台（保持构件）

6   激光光束照射构件

8   保护送风构件

10  碎片排出构件

12  控制构件

34  清洗液蓄积槽

35  清洗液供给喷嘴

36  加工头

37  激光光束振荡构件

38  聚光器

40  透明部件

41  聚光透镜

46  保护送风机构

52  缩径部

68  气帘送风喷出机构

70  吸尘构件

76  吸引口

78  吸引路

80  吸引源

82  清洗液供给构件

82A 清洗液供给构件

84  清洗液喷出口

86  清洗液供给路

88  清洗液供给源

具体实施方式

参照附图同时对用于实施本发明的方式（实施方式）进行详细地说明。参照图1，示出了表示本发明第1实施方式的激光加工装置的结构例的立体图。

激光加工装置2将保护膜P（图4等所示）暂时覆盖到晶片（相当于被加工物）W，然后使卡盘工作台（相当于保持构件）4、与激光光束照射构件6相对移动，其中上述卡盘工作台4保持覆盖了该保护膜P的晶片W，由此对晶片W实施烧蚀加工，从而在晶片W形成加工槽S（图4所示）。

激光加工装置2包括：保持晶片W的卡盘工作台4、激光光束照射构件6的加工头36、未图示的摄像构件、配设在加工头36的碎片排出构件10、以及控制构件12。

另外，激光加工装置2还包括：收纳盒14，其用于收纳激光加工前后的晶片W；临时放置构件16，其用于临时性地装载激光加工前后的晶片W；以及保护膜形成兼清洗构件18，其用于将保护膜P覆盖到激光加工前的晶片W且从激光加工后的晶片W除去保护膜P。

另外，激光加工装置2包括：未图示的X轴移动构件，其用于使卡盘工作台4和激光光束照射构件6在X轴方向相对移动；未图示的Y轴移动构件，其用于使卡盘工作台4和激光光束照射构件6在Y轴方向相对移动；以及未图示的Z轴移动构件，其用于使卡盘工作台4和激光光束照射构件6在Z轴方向相对移动。

收纳盒14收纳多个经粘接带T粘贴在环状框架F的晶片W。收纳盒14装载在收纳盒升降机15上，该收纳盒升降机15在Z轴方向升降自如地设置在激光加工装置的装置主体20。

临时放置构件16包括：搬出搬入构件22，其用于从收纳盒14取出激光加工前的晶片W并且将激光加工后的晶片W插入到收纳盒14内；以及一对轨道24，其用于临时性地装载激光加工前后的晶片W。

利用第1搬送构件26来搬送一对轨道24上的激光加工前的晶片W至保护膜形成兼清洗构件18，该保护膜形成兼清洗构件18将保护膜P覆盖到该激光加工前的晶片W。另外，利用第2搬送构件28来搬送激光加工后的晶片W至保护膜形成兼清洗构件18，该保护膜形成兼清洗构件18通过清洗除去该激光加工后的晶片W的保护膜P。

保护膜形成兼清洗构件18具有旋转工作台30，该旋转工作台30装载并保持激光加工前后的晶片W。旋转工作台30与收纳在激光加工装置的装置主体20的旋转工作台驱动源连接。

保护膜形成兼清洗构件18将激光加工前的晶片W保持在旋转工作台30后，利用旋转工作台驱动源产生的旋转力来使晶片W旋转。并且，保护膜形成兼清洗构件18从未图示的涂布喷嘴向晶片W的表面WS喷射包括PVA（聚乙烯醇）、PEG（聚乙二醇）、或PEO（聚氧化乙烯）等水溶性树脂的液态树脂，由此进行涂布，通过使液态树脂硬化形成保护膜P。

保护膜形成兼清洗构件18将激光加工后的晶片W保持在旋转工作台30后，利用旋转工作台驱动源产生的旋转力来使晶片W旋转。并且，保护膜形成兼清洗构件18从未图示的清洗喷嘴向晶片W的表面WS喷射清洗液，由此除去保护膜P并且清洗晶片W的表面WS。

另外，激光加工前的晶片W通过涂布喷嘴覆盖有保护膜P，通过第2搬送构件28被装载到卡盘工作台4上。另外，激光加工后的晶片W通过清洗喷嘴来除去保护膜P，通过第1搬送构件26被装载到临时放置构件16的轨道24上。

利用第2搬送构件28来将保护膜形成兼清洗构件18的旋转工作台30上的激光加工前的形成有保护膜P的晶片W装载至卡盘工作台4，由卡盘工作台4保持该晶片W。

卡盘工作台4是构成表面的部分由多孔陶瓷等形成的圆盘形状，卡盘工作台4经未图示的真空吸引路径与吸引源连接，通过吸引装载在表面的晶片W来保持晶片W。

另外，卡盘工作台4相对于未图示的工作台移动基座能够装卸，上述未图示的工作台移动基座设置在激光加工装置的装置主体20。工作台移动基座设置成通过X轴移动构件在X轴方向移动自如且设置成通过Y轴移动构件在Y轴方向移动自如，并且设置成通过未图示的基座驱动源绕中心轴线（与Z轴平行）旋转自如。

另外，卡盘工作台4的周围设置有夹紧装置32。通过未图示的空气致动器来使夹紧装置32工作，由此固定晶片W周围的环状框架F。

在第1实施方式的激光加工装置中，与卡盘工作台4相邻地设置有清洗液供给构件82。清洗液供给构件82包括清洗液蓄积槽34以及用于供给清洗液的清洗液供给喷嘴35。清洗液蓄积槽34中蓄积有用于清洗加工头36的清洗液。

激光光束照射构件6对保持在卡盘工作台4的晶片W的表面WS照射激光光束L（图2等所示），通过烧蚀加工形成加工槽S。

参照图2，示出了示意性地表示激光加工装置的激光光束照射构件6与卡盘工作台4等的结构的图。激光光束照射构件6包括振荡出激光光束L的激光光束振荡构件37和加工头36。

加工头36包括：聚光器38，其将由激光光束振荡构件37振荡出的激光光束L照射到晶片W的表面WS；以及吸尘构件70，其用于对后述的碎片进行收集。

激光光束振荡构件37通过重复频率调整构件43，根据晶片W的种类、加工方式等来适当调整振荡出的激光光束L的重复频率。作为激光光束振荡构件37例如能够使用YAG激光振荡器或YVO4激光振荡器等。

加工头36所包括的聚光器38构成为包括以下等部分：全反射镜39，其对由激光光束振荡构件37振荡出的激光光束L的前进方向进行变更；以及聚光透镜41，其用于对激光光束L进行聚光。

省略了图示的摄像构件对保持在卡盘工作台4的晶片W的表面WS进行拍摄。摄像构件设置成相对于保持在卡盘工作台4的晶片W通过Z轴移动构件与激光光束照射构件6一体地在Z轴方向移动自如。

摄像构件具有未图示的CCD照相机。CCD照相机是对保持在卡盘工作台4的晶片W进行拍摄从而得到图像的装置。摄像构件将CCD照相机所得到的图像的信息输出到控制构件12。

参照图3以及图4，示出了表示激光加工装置的保护送风构件8的结构的立体图以及本发明第2实施方式的沿着图3中的IV-IV线的剖视图。保护送风构件8具有：壳体44，其通过托架（图3所示）42安装在激光光束照射构件6的聚光器38；透明部件40，其安装在壳体44；以及保护送风机构46，其使壳体44内保持为正压。

壳体44在上下设置有激光光束L通过的上方的开口48以及下方的开口50。另外，壳体44具有朝向下方开的口50逐渐减小直径的漏斗状的圆锥形状的缩径部52。即，壳体44的缩径部52的内侧的空间形成为漏斗状的圆锥形状。

壳体44的下方的开口50具有容许激光光束L通过的面积。另外，在本实施方式中，下方的开口50的直径是4mm。在本实施方式中，壳体44由多个层叠的平板状的层叠板54和最下方的层叠板56构成。

透明部件40配设于壳体44的上方的开口48且激光光束L能够透过该透明部件40。透明部件40具有容许激光光束L通过的面积。透明部件40由激光光束L能够透过的材料构成，且，形成为平板状，并且封闭壳体44的上方的开口48。

保护送风机构46在通过壳体44内的激光光束L的周围喷出从聚光器38侧向加工点K侧流动的气体，使壳体44内保持为正压，防止包含碎片的气体介质从下方的开口50流入。如图3以及图4所示，保护送风机构46具有多个喷出口60、供给路62（图3所示）、以及未图示的气体供给源等。

多个喷出口60无偏向地均匀（在周向等间隔）地配设在透明部件40的周围。喷出口60配设在透明部件40的下方周围。多个喷出口60的一端在壳体44内表面开口，且另一端向设置于壳体44内的连通空间64开口。

另外，从喷出口60喷出的气体以不会撞到透明部件40的程度比水平略微向下地朝向通过壳体44内的激光光束L喷出。即，喷出口60的在壳体44的内表面开口的一端配设于透明部件40的下方，并随着从另一端朝向一端而比水平略微向下地延伸。在本实施方式中，设置有8个喷出口60。

图3所示的供给路62经连通空间64与多个喷出口60连接。气体供给源经供给路62与多个喷出口60连接，并将加压后的气体供给到多个喷出口60。

碎片排出构件10配设于保护送风构件8的壳体44的下方，用于吸引并排除碎片。如图3以及图4所示，碎片排出构件10具有：一体地设置于壳体44的间隔壁66（图4所示）、气帘送风喷出机构68、以及吸尘构件70。

间隔壁66包围在加工点K产生的碎片的飞散范围（图4中虚线所示）的周围。间隔壁66设置在构成壳体44的最下方的层叠板56。间隔壁66包围壳体44的下方的开口50的周围。

气帘送风喷出机构68通过从形成加工槽S的方向（激光加工时，激光光束L在晶片W的表面WS上相对移动的方向即箭头X1的前方）与晶片W的表面WS平行喷出的气体，来覆盖壳体44的下方的开口50，从而阻断碎片向壳体44的侵入。

气帘送风喷出机构68具有：送风用喷出口72，其设置于喷嘴部件58，上述喷嘴部件58安装在层叠板56；供给路74；未图示的气体供给源，其用于向送风用喷出口72供给气体。

送风用喷出口72在设置于喷嘴部件58的间隔壁66的内表面（内侧）且在壳体44的下方的开口50附近开口。送风用喷出口72与晶片W的表面WS平行地延伸。

气体供给源经设置在壳体44内的供给路74与送风用喷出口72连接，将加压后的气体供给到送风用喷出口72。从气帘送风喷出机构68喷出加压后的气体（空气送风）。

吸尘构件70设置在由气帘送风喷出机构68喷出的气体的下游侧，且一边吸引气体，一边吸引在加工点K附近产生的碎片。如图4所示，吸尘构件70具有：在间隔壁66开口的吸引口76、与吸引口76连通的吸引路78、以及吸引源80。

吸引口76在设置于构成壳体44的最下方的层叠板56的间隔壁66的内表面（内侧）开口，并配设于保护送风构件8的壳体44的下方。在本实施方式中，吸引口76与送风用喷出口72相对。即，吸尘构件70与送风用喷出口72夹着激光光束L设置于相反侧。

吸引路78配设于构成壳体44的最下方的层叠板56，吸引路78从吸引口76向斜上方延伸并与吸引源80连通。吸引源80经吸引路78与吸引口76连接，并从吸引口76吸引气体。即，吸引路78设置于由气帘送风喷出机构68喷出的气体的下游侧，且一边吸引气体一边吸引在加工点K附近产生的碎片。

吸尘构件70具有吸引路78，该吸引路78一端与吸引源80连接，而另一端朝晶片的上表面开口。在吸引路78的周围配设有供给清洗液的清洗液供给构件82A，上述清洗液用于清洗吸引路78。

清洗液供给构件82A没有特别限定，但是包括：多个清洗液喷出口84，其朝吸引路78开口；以及清洗液供给路86，其一端与各清洗液喷出口84连接，另一端与清洗液供给源88连接。

这里，作为被加工物的晶片W是由激光加工装置2进行激光加工的被加工物，在本实施方式中是以硅、蓝宝石、镓等作为母材的圆板状的半导体晶片、或光器件晶片。如图1所示，晶片W的形成于表面WS的多个器件通过多条间隔道被格子状地划分开来。

如图1所示，晶片W的形成有多个器件的表面WS的相反侧的背面粘贴于粘接带T，环状框架F粘贴于在晶片W粘贴的粘接带T，由此晶片W被固定于环状框架F。另外，在晶片W的表面WS形成有由Low-k（低介电质）（主要是多孔材料）构成的未图示的所谓Low-k膜来作为层间绝缘膜材料。

控制构件12分别对构成激光加工装置2的上述结构要素进行控制。控制构件12使激光加工装置2进行针对晶片W的加工动作。

另外，控制构件12在使激光加工装置2进行针对晶片W的加工动作时，即，当从激光光束照射构件6向晶片W的表面WS照射激光光束L时，使气体从保护送风机构46的与气体供给源连接的喷出口60喷出，使气体从碎片排出构件10的气帘送风喷出机构68的与气体供给源连接的送风用喷出口72喷出，同时使吸尘构件70的吸引源80从吸引口76吸引气体。

控制构件12进一步在预定的时机控制清洗液供给构件82A，将清洗液供给到吸引路78从而清洗吸引路78。

接下来，对使用了激光加工装置2的晶片W的激光加工方法进行说明。参照图5，表示激光加工装置的激光加工方法的流程图。首先，将粘接带T粘贴到形成有器件的表面WS的背面，另外，将环状框架F粘贴到粘接带T。并且，将经粘接带T粘贴在环状框架F的晶片W收纳到收纳盒14内。

并且，作业员将加工信息登记到控制构件12，当存在由作业员发出的开始加工动作的指示时，激光加工装置2开始加工动作。在加工动作中，在图5中的步骤ST1中，控制构件12利用搬出搬入构件22将激光加工前的晶片W从收纳盒14搬出到临时放置构件16，并装载到临时放置构件16的一对轨道24上，然后，利用第1搬送构件26搬送到保护膜形成兼清洗构件18的旋转工作台30，并保持在旋转工作台30。

并且，控制构件12使旋转工作台30下降，然后一边使旋转工作台30绕中心轴线旋转，一边使液态树脂从涂布喷嘴喷出到旋转工作台30上的晶片W。

于是，利用离心力使液态树脂涂布到保持在旋转工作台30的晶片W的整个面。在经过预定时间后，停止旋转工作台30的旋转，并停止来自涂布喷嘴的液态树脂的涂布。涂布在晶片W的表面WS的液态树脂硬化，由此晶片W的表面WS被由液态树脂构成的保护膜P覆盖。

像这样，步骤ST1实施了如下的保护膜覆盖步骤：将液态树脂涂布在晶片W的表面WS从而形成保护膜P。当保护膜P的覆盖结束时，控制构件12使旋转工作台30上升，使第2搬送构件28将覆盖有保护膜P的晶片W从旋转工作台30搬送到卡盘工作台4，并保持在卡盘工作台4，然后前进至步骤ST2。

接下来，控制构件12利用X轴移动构件以及Y轴移动构件来使卡盘工作台4移动，将保持在卡盘工作台4的晶片W定位到摄像构件的下方，使摄像构件摄像。摄像构件将拍摄到的图像的信息输出到控制构件12。

并且，控制构件12执行这样的图案匹配等图像处理：用于进行保持在卡盘工作台4的晶片W的间隔道、与照射激光光束L的激光光束照射构件6的聚光器38的位置对准，来完成使聚光器38与间隔道在X轴方向排成列的校准，然后前进至步骤ST3。

接下来，控制构件12根据由步骤ST2检测出的校准信息，利用X轴移动构件以及Y轴移动构件来使卡盘工作台4移动，利用基座驱动源使卡盘工作台4绕中心轴线旋转，使间隔道排列成与X轴（图4所示）平行。

然后，控制构件12从激光光束照射构件6的聚光器38照射激光光束L，同时利用X轴移动构件使保持晶片W的卡盘工作台4以预定的加工进给速度移动。即，控制构件12使激光光束L在晶片W的表面WS上向箭头X1（图4所示）的方向相对移动。

其结果为，如图4所示，在照射了激光光束L的预定间隔道，晶片W以及保护膜P的一部分被烧蚀加工，从而形成加工槽S。预定的间隔道的另一端到达聚光器38的正下方之后，停止来自激光光束照射构件6的激光光束L的照射，并且停止基于X轴移动构件的卡盘工作台4的移动。

控制构件12一边使卡盘工作台4在Y轴方向分度进给，一边依次对间隔道照射激光光束L，在这些间隔道形成加工槽S，从而在晶片W的全部间隔道形成加工槽S。

像这样，步骤ST3中，实施如下的加工槽形成步骤：在实施步骤ST2后，沿晶片W的间隔道从保护膜P侧向晶片W的表面WS照射激光光束L，从而在晶片W形成加工槽S。

另外，在作为加工槽形成步骤的步骤ST3中，向预定的间隔道照射激光光束L而形成加工槽S，同时使气体从保护送风构件8的保护送风机构46的与气体供给源连接的喷出口60喷出。因此，壳体44内保持为比外部气体压力高的正压。

另外，喷出口60随着朝向壳体44的内表面而比水平略微向下延伸，多个喷出口60无偏向地均匀地配设在透明部件40的周围，因此，壳体44内的气体在透明部件40的周围无偏向地均匀地朝向下方的开口50向下流动。即，在保护送风构件8的壳体44内朝向下方的开口50且在透明部件40的周围产生无偏向的所谓向下气流。

另外，由于壳体44的缩径部52形成为朝向下方的开口50而直径逐渐减小的漏斗状，所以随着朝向壳体44的下方，上述的向下气流的流速变快。因此，能够防止包含由于激光加工而在加工点K附近产生的碎片的气体介质从下方的开口50流入到壳体44内。

另外，在作为加工槽形成步骤的步骤ST3中，使气体从保护送风构件8的保护送风机构46的喷出口60喷出，同时使气体从碎片排出构件10的气帘送风喷出机构68的送风用喷出口72喷出，并且使吸尘构件70的吸引源80从吸引口76吸引气体。

像这样，由于使气体从碎片排出构件10的气帘送风喷出机构68的送风用喷出口72喷出，所以利用从送风用喷出口72喷出的气体来堵塞壳体44该下方的开口50，并且包含在加工点K产生的碎片的气体介质被通过吸引口76吸引到吸引源80。

在图4所示的第2实施方式中，控制构件12进一步控制清洗液供给构件82A，将清洗液供给到吸引路78从而清洗吸引路78。清洗吸引路78的预定时机没有特别限定。

在对晶片W实施了烧蚀加工之后，优选的是，使加工头36从晶片W退避，使清洗液供给构件82A工作来清洗吸引路78。作为代替实施方式，也可以在对晶片W实施烧蚀加工期间，一直使清洗液供给构件82A工作来清洗吸引路78。

具体来说，在清洗液供给构件82A由清洗液喷出口84、清洗液供给路86以及清洗液供给源88构成的图4所示的第2实施方式中，控制构件12在预定时机从清洗液供给源88向清洗液供给路86供给清洗液。供给到清洗液供给路86的清洗液从清洗液喷出口84供给到吸引路78。由此，吸引路78被清洗。

另一方面，在清洗液供给构件82由清洗液蓄积槽34以及清洗液供给喷嘴35构成的图1所示的第1实施方式中，控制构件12在预定时机使加工头36浸泡在清洗液蓄积槽34。在将加工头36浸泡在清洗液蓄积槽34的状态下使吸引源80工作、或一边使吸引源80工作一边使加工头36浸泡在清洗液蓄积槽34，由此向吸引路78供给清洗液，从而清洗吸引路78。

控制构件12当清洗液蓄积槽34中清洗液不足时，从清洗液供给喷嘴35向清洗液蓄积槽34供给清洗液。预定时机没有特别限定，但是可以是间隔一定时间，也可以是间隔一定的晶片数量。

另外，如果在激光加工装置2设置清洗液供给构件82则不需要设置清洗液供给构件82A，如果在激光加工装置2设置清洗液供给构件82A则不需要设置清洗液供给构件82。即，在激光加工装置2设置清洗液供给构件82与清洗液供给构件82A的至少一方即可。

另外，在作为加工槽形成步骤的步骤ST3中，由于送风用喷出口72相比于吸引口76设置于箭头X1的前方，所述箭头X1是在激光加工时激光光束L在晶片W的表面WS上相对移动的方向，所以利用从送风用喷出口72喷出的气体能够可靠地堵塞下方的开口50，由此能够可靠地防止包含由于激光加工而在加工点K附近产生的碎片的气体介质从下方的开口50流入到壳体44内。

当在所有的间隔道形成有加工槽S时，控制构件12利用X轴移动构件使卡盘工作台4移动到原位置（home position），利用第2搬送构件28将卡盘工作台4上的实施了激光加工的晶片W搬送到保护膜形成兼清洗构件18的旋转工作台30上，并保持在旋转工作台30。

并且，控制构件12使旋转工作台30下降，然后一边使旋转工作台30绕中心轴线旋转，一边使清洗液从清洗喷嘴喷出到旋转工作台30上的晶片W。于是，由于保护膜P由水溶性树脂构成，所以利用清洗液以及离心力，将保护膜P与在激光加工时附着的碎片一起从晶片W的表面WS除去（冲走）。

当保护膜P的除去结束时，控制构件12停止旋转工作台30绕中心轴线的旋转以及来自清洗喷嘴的清洗液的供给，然后使旋转工作台30上升，利用第1搬送构件26将晶片W搬送到临时放置构件16。控制构件12利用搬出搬入构件22将实施了激光加工等的晶片W从临时放置构件16搬入到装载于收纳盒升降机15上的收纳盒14内。

如上所述，根据本实施方式的激光加工装置2，通过漏斗状的壳体44和保护送风机构46，使壳体44内保持为正压同时在壳体44内产生向下气流，由此能够防止来自下方的开口50的包含碎片的气体介质流入到壳体44内，能够利用清洗液供给构件82A来清洗吸引路78。

因此，保护聚光器38以及吸引路78不被碎片附着，并且能够抑制气体介质中的因碎片的附着而导致的透明部件40的模糊的产生。因此，能够抑制在激光加工时产生的碎片附着在聚光器38、和透明部件40等光学部件以及吸引路78。

在上述的实施方式中，暂时覆盖保护膜P，然后实施激光加工，但是本发明不限于此，也可以不一定暂时覆盖保护膜P。另外，在上述的实施方式中，使喷射到晶片W的表面WS的包括PVA、PEG、或PEO等水溶性树脂的液态树脂硬化，由此形成保护膜P。

然而，在本发明中，也可以在不使液态树脂完全硬化（干燥）的情况下对保护膜P实施烧蚀加工。这时，没有完全干燥的保护膜P变成大量的碎片，但是在本发明中，由于具有上述的保护送风构件8，所以能够防止透明部件40模糊。

另外，在本发明中，也可以适当变更X轴移动构件、Y轴移动构件以及Z轴移动构件的结构。也可以构成为：将Z轴移动构件设置到清洗液蓄积槽34，由此能够在Z轴方向移动。

并非通过以上的实施方式所记载的内容限定本发明的内容。另外，以上所记载的结构要素包括本领域人员能够容易地想到的结构和实质上相同的结构。

另外，以上所记载的结构可以适当组合。另外，在不脱离本发明的宗旨的范围内可以进行结构的各种省略、置换或变更。

Claims (4)

1.一种激光加工装置，其特征在于，具有：

保持构件，其用于保持被加工物；以及

激光光束照射构件，其包括：激光光束振荡构件；和将上述激光光束振荡构件振荡出的激光光束照射到被加工物的加工头，该激光光束照射构件对保持在上述保持构件的被加工物实施烧蚀加工，

上述加工头包括：聚光透镜，其用于对从上述激光光束振荡构件振荡出的激光光束进行聚光；以及吸尘构件，其配置于上述聚光透镜和被加工物之间，对由上述聚光透镜聚光后的激光光束照射到被加工物而产生的碎片进行收集，

上述吸尘构件具有吸引路，该吸引路的一端与吸引源连接，而另一端则向保持于上述保持构件的被加工物的上表面开口，

上述激光加工装置还具有清洗液供给构件，该清洗液供给构件用于将清洗液供给到上述吸引路。

2.根据权利要求1所述的激光加工装置，其特征在于，

上述清洗液供给构件具有：清洗液喷出口，其朝向上述吸引路开口；以及清洗液供给路，其一端与上述清洗液喷出口连通，其另一端与清洗液供给源连接。

3.根据权利要求1所述的激光加工装置，其特征在于，

上述清洗液供给构件具有蓄积清洗液的清洗液蓄积槽，在预定的时机将上述加工头浸泡在上述清洗液蓄积槽，并且在上述加工头浸泡在上述清洗液蓄积槽的状态下使上述吸引源工作，由此清洗上述吸引路。

4.一种权利要求1～3中的任一项所述的激光加工装置的上述吸引路的清洗方法，其特征在于，具有：

加工步骤，对被加工物实施烧蚀加工；

退避步骤，在实施了上述加工步骤后，使上述加工头从被加工物退避；以及

清洗步骤，在实施了上述退避步骤后，使上述清洗液供给构件工作来清洗上述吸引路。

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