JP6483404B2 - レーザー加工装置 - Google Patents

Description

本発明は、レーザー加工装置に関する。

半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等の板状の被加工物に対し吸収性を有する波長のレーザー光線を照射し、アブレーション加工によってレーザー加工溝を形成する加工方法が知られている。このレーザー加工溝によってＬｏｗ−ｋ膜を剥離させることなく分断したり、光デバイスウエーハの破断起点を形成したりする。

しかしながら、レーザー光線の照射によって、被加工物が溶融し、いわゆるデブリと呼ばれる微細な粉塵が発生し、デブリが飛散してデバイスに付着することでデバイスの機能を低下させてしまう恐れがある。そこで、デブリ除去対策として、たとえば集光用対物レンズの光軸に沿ってエアを噴出する噴出口を備え、噴出口の周りからデブリを吸引する粉塵排出手段を備えたレーザー加工装置が提案されている（例えば、特許文献１、２参照）。

特開２００７−６９２４９号公報 特開２０１１−１２１０９９号公報

しかし、特許文献１及び特許文献２に記載のレーザー加工装置は、十分なデブリの集塵はできず、デブリが被加工物の表面に付着する虞があった。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、その目的は、加工点で発生したデブリが被加工物の表面に付着することを抑制することができるレーザー加工装置を提供することにある。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のレーザー加工装置は、板状の被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物に集光レンズで集光したレーザー光線を照射して加工するレーザー光線照射手段と、該レーザー光線を被加工物に照射することで加工点に発生するデブリが被加工物へ付着するのを防ぐデブリ付着防止手段と、を備えるレーザー加工装置であって、該デブリ付着防止手段は、平坦な下面を有し、被加工物に照射される該レーザー光線が通過する貫通穴を設け、該加工点の近傍に配設される本体部と、該本体部の下面に形成された開口と流体供給源とを接続する流体供給路と、該貫通穴を囲繞して該チャックテーブルに保持された被加工物の表面とわずかな隙間を持って略並行に延在する該下面の該貫通穴を挟んで該流体供給路が接続された該開口と対応した位置に設けられた吸引開口と、該吸引開口と吸引源とを接続する吸引路と、を備え、流体が該開口から該本体部の下面と被加工物の表面との該隙間に供給されて被加工物の表面に高速で流れる該流体の層を形成し、該開口から供給され該加工点上を通過した該流体を該吸引開口から吸引し、該加工点で発生したデブリを収集することを特徴とする。

そこで、本願発明のレーザー加工装置では、加工点の近傍に被加工物とわずかな隙間を持って平行に対面する下面から流体を供給するデブリ付着防止手段を備えるため、加工点付近の被加工物の表面に高速で流れる流体の層を形成することができ、加工点で発生し飛散したデブリが流体の層によって被加工物の表面に付着することを抑制することができるという効果を奏する。

図１は、実施形態１に係るレーザー加工装置の構成例を示す斜視図である。 図２は、図１に示されたレーザー加工装置の要部の断面図である。 図３は、図１に示されたレーザー加工装置の加工中の状況を示す平面図である。 図４は、実施形態２に係るレーザー加工装置の要部の断面図である。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るレーザー加工装置を図面に基いて説明する。図１は、実施形態１に係るレーザー加工装置の構成例を示す斜視図である。図２は、図１に示されたレーザー加工装置の要部の断面図である。図３は、図１に示されたレーザー加工装置の加工中の状況を示す平面図である。

実施形態１に係るレーザー加工装置１は、板状の被加工物Ｗを保持するチャックテーブル１０と、レーザー光線照射手段２０とを相対移動させることで、被加工物Ｗにアブレーション加工を施して、被加工物Ｗにレーザー加工溝Ｒ（図３に示す）を形成するものである。実施形態１に係るレーザー加工装置１は、被加工物Ｗの外縁部にレーザー加工溝Ｒを形成するものである。

実施形態１では、被加工物Ｗは、レーザー加工装置１により加工される加工対象であり、シリコン、サファイア、ガリウムなどを母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。被加工物Ｗは、表面ＷＳに積層されたＬｏｗ−ｋ膜によって、格子状に形成される複数の分割予定ラインで区画された領域にデバイスＤが形成されたデバイス領域ＤＲと、デバイス領域ＤＲを囲繞する外周余剰領域ＧＲを備える。なお、図１中の一点鎖線よりも内側がデバイス領域ＤＲであり、外側が外周余剰領域ＧＲである。図１では、デバイス領域ＤＲと外周余剰領域ＧＲとの境界を、便宜上一点鎖線で示している。

Ｌｏｗ−ｋ膜は、ＳｉＯＦ、ＢＳＧ（ＳｉＯＢ）等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜が被加工物Ｗの表面ＷＳに積層されて構成されている。被加工物Ｗは、デバイスＤが複数形成されている表面ＷＳの反対側の裏面に粘着テープＴが貼着され、粘着テープＴの外縁が環状フレームＦに貼着されることで、環状フレームＦの開口に粘着テープＴで支持される。

レーザー加工装置１は、図１に示すように、板状の被加工物Ｗを保持するチャックテーブル１０と、チャックテーブル１０に保持された被加工物Ｗの表面ＷＳにレーザー加工溝Ｒを形成するレーザー光線照射手段２０と、被加工物Ｗの表面ＷＳを撮像する撮像手段３０と、Ｘ軸移動手段４０と、Ｙ軸移動手段５０と、デブリ付着防止手段６０と、図示しない制御手段とを含んで構成される。

チャックテーブル１０は、加工前の被加工物Ｗが保持面１０ａ上に載置されて、粘着テープＴを介して環状フレームＦの開口に貼着された被加工物Ｗを保持するものである。チャックテーブル１０は、保持面１０ａを構成する部分がポーラスセラミック等から形成された円盤形状であり、図示しない真空吸引経路を介して図示しない真空吸引源と接続され、保持面１０ａに載置された被加工物Ｗを吸引することで保持する。なお、チャックテーブル１０は、Ｘ軸移動手段４０によりＸ軸方向に加工送りされ、かつ回転駆動源（図示せず）により中心軸線（Ｚ軸と平行である）回りに回転されるとともに、Ｙ軸移動手段５０によりＹ軸方向に割り出し送りされる。また、チャックテーブル１０の周囲には、エアーアクチュエータにより駆動して被加工物Ｗの周囲の環状フレームＦを挟持するクランプ部１１が複数設けられている。

レーザー光線照射手段２０は、チャックテーブル１０に保持された被加工物Ｗに集光レンズ２２（図２に示す）で集光したレーザー光線Ｌ（図２に示す）を照射して加工するものである。レーザー光線照射手段２０は、被加工物Ｗに対し、被加工物Ｗが吸収性を有する波長（例えば、３５５ｎｍ）のレーザー光線Ｌを照射し、被加工物Ｗにアブレーション加工を施して、被加工物Ｗの表面ＷＳにレーザー加工溝Ｒを形成するものである。

レーザー光線照射手段２０は、図２に示すように、装置本体２の柱部３に支持されたケーシング２１と、ケーシング２１内に設けられた図示しないレーザー光線発振部と、集光レンズ２２などを備えている。レーザー光線発振部は、周知のレーザー発振器と、１／２波長板と、ビームスプリッタと、ビーム調整手段などを備えて構成され、レーザー光線Ｌを集光レンズ２２に発振する。

集光レンズ２２は、チャックテーブル１０の保持面１０ａに対向してケーシング２１の先端部に設けられている。集光レンズ２２は、レーザー光線Ｌをチャックテーブル１０に保持された被加工物Ｗの表面ＷＳ上に集光する。

撮像手段３０は、レーザー光線照射手段２０のケーシング２１に取り付けられて、レーザー光線照射手段２０によってレーザー加工すべき加工領域を撮像するものである。撮像手段３０は、撮像して得た画像を制御手段に出力する。

デブリ付着防止手段６０は、レーザー光線Ｌを被加工物Ｗに照射することで、被加工物Ｗの表面ＷＳにおいてレーザー光線Ｌが照射される加工点Ｐ（図２及び図３に示す）に発生するデブリＧ（図２に示す）が被加工物Ｗの表面ＷＳの特にデバイスＤに付着するのを防ぐものである。デブリ付着防止手段６０は、図１及び図２に示すように、レーザー光線照射手段２０のケーシング２１の先端部に取り付けられている。

デブリ付着防止手段６０は、図２に示すように、本体部６１と、流体供給部６２とを備える。本体部６１は、レーザー光線照射手段２０のケーシング２１の先端部に取り付けられた取付部材６３と、Ｚ軸方向に取付部材６３とチャックテーブル１０に保持された被加工物Ｗの表面ＷＳとの間に位置する下側部材６４と、取付部材６３と下側部材６４とを連結する連結部材６５とを備えている。下側部材６４は、チャックテーブル１０に保持された被加工物Ｗの表面ＷＳと対向し、かつ平坦に形成された下面６４ａを有している。下面６４ａは、本体部６１の下面であり、チャックテーブル１０に保持された被加工物Ｗの表面ＷＳとわずかな隙間Ｃ（図２に示す）を持って、チャックテーブル１０に保持された被加工物Ｗの表面ＷＳと略平行に対面している。また、実施形態１では、下面６４ａと被加工物Ｗの表面ＷＳとの間の隙間Ｃは、略４０μｍ程度であり、本発明では、後述する流体供給源６８から供給される流体により隙間Ｃ内の加工点Ｐに発生するデブリＧを吹き飛ばして、デブリＧが被加工物Ｗの表面ＷＳに付着することを抑制できる流体の層を形成できるのであれば、１０μｍ〜２００μｍ程度であるのが望ましい。

また、本体部６１は、取付部材６３及び下側部材６４がレーザー光線照射手段２０から被加工物Ｗに照射されるレーザー光線Ｌを避けて、加工点Ｐの近傍に配設される。なお、実施形態１では、デブリ付着防止手段６０は、図３に示すように、下側部材６４の外周面から凹に形成されて、レーザー光線Ｌを通すことができる切欠き６４ｂを形成することで、本体部６１の下側部材６４をレーザー光線照射手段２０から被加工物Ｗに照射されるレーザー光線Ｌを避けて、加工点Ｐの近傍に配設される。

流体供給部６２は、本体部６１の下面６４ａと被加工物Ｗの表面ＷＳとの間に流体を供給するものである。流体供給部６２は、図２に示すように、本体部６１の下側部材６４を貫通しかつ本体部６１の下面６４ａに形成された開口６６と、開口６６に連なる流体供給路６７とを備える。開口６６は、その断面において、開口面積が一定に形成され、かつ下側に向かうにしたがって徐々に加工点Ｐに近付くようにＺ軸方向に対して傾いて形成されている。流体供給路６７は、管状に形成され、かつ開口６６と流体供給源６８とを接続するものであり、取付部材６３を貫通して設けられている。流体供給路６７は、流体供給源６８からの流体を開口６６に導くためのものである。なお、実施形態１では、流体供給源６８は、流体としての加圧された空気を流量２５〜３００ｌ／ｍｉｎで開口６６に供給し、開口６６は、直径３〜３０ｍｍ程度の大きさに形成されている。なお、流体供給源６８の流量及び開口６６の面積は、加工点Ｐに発生するデブリＧを吹き飛ばして、デブリＧが被加工物Ｗの表面ＷＳに付着することを抑制できる程度の流量、面積であればよい。

制御手段は、レーザー加工装置１を構成する上述した構成要素をそれぞれ制御するものである。制御手段は、被加工物Ｗに対するアブレーション加工動作をレーザー加工装置１に行わせるものである。なお、制御手段は、例えばＣＰＵ等で構成された演算処理装置やＲＯＭ、ＲＡＭ等を備える図示しないマイクロプロセッサを主体として構成されており、加工動作の状態を表示する表示手段や、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる操作手段と接続されている。

次に、本実施形態に係るレーザー加工装置１の加工動作について説明する。まず、オペレータが加工内容情報を登録し、オペレータがレーザー光線照射手段２０から離間したチャックテーブル１０の保持面１０ａ上に被加工物Ｗを載置し、加工動作の開始指示があった場合に、レーザー加工装置１が加工動作を開始する。加工動作では、制御手段は、チャックテーブル１０の保持面１０ａに被加工物Ｗを吸引保持し、クランプ部１１で環状フレームＦを挟持する。制御手段は、Ｘ軸移動手段４０及びＹ軸移動手段５０によりチャックテーブル１０をレーザー光線照射手段２０の下方に向かって移動させ、撮像手段３０の下方にチャックテーブル１０に保持された被加工物Ｗを位置付け、撮像手段３０に撮像させる。撮像手段３０は、撮像した画像の情報を制御手段に出力する。そして、制御手段が、チャックテーブル１０に保持された被加工物Ｗの外縁部と、レーザー光線照射手段２０との位置合わせを行なうためのパターンマッチング等の画像処理を実施し、チャックテーブル１０に保持された被加工物Ｗとレーザー光線照射手段２０との相対位置を調整する。この際、レーザー光線照射手段２０よりも開口６６が被加工物Ｗの中央寄りに位置するように、被加工物Ｗとレーザー光線照射手段２０との相対位置を調整するのが望ましい。

そして、制御手段は、流体供給源６８から流体を開口６６を通して、本体部６１の下面６４ａと被加工物Ｗの表面ＷＳとの間に供給し、これらの隙間Ｃ内に高速で流れる流体の層を形成する。そして、制御手段は、Ｘ軸移動手段４０、回転駆動源、Ｙ軸移動手段５０に、被加工物Ｗの外縁部とレーザー光線照射手段２０とを被加工物Ｗの外縁部に沿って相対的に移動させながらレーザー光線照射手段２０からレーザー光線Ｌを被加工物Ｗの表面ＷＳに向けて照射する。こうして、レーザー加工装置１では、流体が開口６６から本体部６１の下面６４ａと被加工物Ｗの表面ＷＳとの隙間Ｃに供給されて、被加工物Ｗの表面ＷＳに高速で流れる流体の層を形成して、レーザー光線Ｌを照射する。なお、本発明では、流体の層の流速は、加工点Ｐに発生するデブリＧを吹き飛ばして、デブリＧが被加工物Ｗの表面ＷＳに付着することを抑制できる程度の流速であればよい。

そして、レーザー光線照射手段２０からレーザー光線Ｌが照射される加工点Ｐではアブレーション加工がおこなわれ、被加工物Ｗの移動とともにレーザー加工溝Ｒが形成される。また、加工点Ｐでは、デブリＧが発生し、発生したデブリＧは、図３に示すように、開口６６から流れる流体により形成される層により加工点Ｐから吹き飛ばされて、被加工物Ｗの表面ＷＳに付着することが抑制される。

被加工物Ｗの外縁部の全周にレーザー加工溝Ｒを形成した後、制御手段は、レーザー光線照射手段２０からのレーザー光線Ｌの照射を停止し、チャックテーブル１０をレーザー光線照射手段２０から離間した位置に移動させた後、チャックテーブル１０の吸引保持及びクランプ部１１の挟持を解除する。そして、オペレータが外縁部の全周にレーザー加工溝Ｒが形成された被加工物Ｗをチャックテーブル１０上から取り除くとともに、レーザー加工前の被加工物Ｗを再度、チャックテーブル１０上に載置し、前述の工程を繰り返して、被加工物Ｗにレーザー加工溝Ｒを形成する。

以上のように、実施形態１に係るレーザー加工装置１によれば、加工点Ｐの近傍に被加工物Ｗとわずかな隙間Ｃを持って平行に対面する下面６４ａから流体を供給するデブリ付着防止手段６０を備える。このために、加工点Ｐ付近の被加工物Ｗの表面ＷＳ上には高速に流れる流体の層を形成することができ、加工点Ｐで発生し飛散したデブリＧを流体の層によって吹き飛ばすことができ、被加工物Ｗの表面ＷＳに付着することを抑制することができる。また、実施形態１では、レーザー光線照射手段２０よりも開口６６が被加工物Ｗの中央寄りに位置するように、被加工物Ｗとレーザー光線照射手段２０との相対位置を調整して、レーザー光線照射手段２０からレーザー光線Ｌを照射して、被加工物Ｗの外縁部にレーザー加工溝Ｒを形成するのが望ましい。この場合、加工点Ｐに発生したデブリＧが被加工物Ｗのデバイス領域ＤＲ上を通過することなく、外縁側に吹き飛ばされるので、デブリＧが被加工物Ｗの表面ＷＳに付着することをより確実に抑制することができる。

〔実施形態２〕
本発明の実施形態２に係るレーザー加工装置を図面に基いて説明する。図４は、実施形態２に係るレーザー加工装置の要部の断面図である。なお、図４において、実施形態１と同一部分には、同一符号を付して説明を省略する。

実施形態２に係るレーザー加工装置１は、被加工物Ｗのすべての分割予定ラインにレーザー加工溝Ｒを形成するものである。実施形態２に係るレーザー加工装置１のデブリ付着防止手段６０は、図４に示すように、本体部６１の取付部材６３の中央部にレーザー光線照射手段２０のケーシング２１の先端部を取り付けている。デブリ付着防止手段６０は、下側部材６４の中央部にレーザー光線照射手段２０が照射するレーザー光線Ｌが通過する貫通穴６９を形成している。

デブリ付着防止手段６０は、下側部材６４に貫通穴６９を設けることで、本体部６１を被加工物Ｗに照射されるレーザー光線Ｌを避けて加工点Ｐの近傍に配設する。デブリ付着防止手段６０の本体部６１の下側部材６４の下面６４ａが、レーザー光線Ｌが通過する貫通穴６９を囲繞して、レーザー光線照射手段２０よりも流体供給部６２の開口６６から離れた側に延在している。なお、実施形態２では、貫通穴６９は、被加工物Ｗの表面ＷＳに近付くのにしたがって徐々に小径となるように、断面テーパ状に形成されている。

また、実施形態２に係るレーザー加工装置１のデブリ付着防止手段６０は、流体吸引部７０を備えている。流体吸引部７０は、本体部６１の下面６４ａと被加工物Ｗの表面ＷＳとの間の流体をデブリＧとともに吸引するものである。流体吸引部７０は、図４に示すように、本体部６１の下側部材６４を貫通しかつ本体部６１の下面６４ａに形成された吸引開口７１と、吸引開口７１に連なる吸引路７２とを備える。

吸引開口７１は、貫通穴６９を挟んで流体供給路６７が接続された開口６６と対応した位置に設けられている。実施形態２では、吸引開口７１は、開口６６との間に貫通穴６９を挟む位置に設けられている。吸引開口７１は、その断面において、開口面積が一定に形成され、かつ下側に向かうにしたがって徐々に加工点Ｐ即ち開口６６に近付くようにＺ軸方向に対して傾いて形成されている。吸引路７２は、管状に形成され、かつ吸引開口７１と吸引源７３とを接続するものであり、取付部材６３を貫通して設けられている。吸引路７２は、吸引源７３の吸引力により本体部６１の下面６４ａと被加工物Ｗの表面ＷＳとの間の流体を吸引源７３に導くためのものである。こうして、吸引開口７１は、吸引路７２によって吸引源７３と接続している。なお、実施形態２では、吸引源７３による空気の流量及び吸引開口７１の面積は、加工点Ｐに発生するデブリＧを吸引して、デブリＧが被加工物Ｗの表面ＷＳに付着することを抑制できる程度の流量、面積であればよい。

実施形態２に係るレーザー加工装置１は、加工動作では、制御手段が撮像手段３０の撮像した画像の情報に基づいて、チャックテーブル１０に保持された被加工物Ｗの分割予定ラインと、レーザー光線照射手段２０との位置合わせを行なうためのパターンマッチング等の画像処理を実施し、チャックテーブル１０に保持されたウエーハＷとレーザー光線照射手段２０との相対位置を調整する。

そして、制御手段は、流体供給源６８から流体を開口６６を通して、本体部６１の下面６４ａと被加工物Ｗの表面ＷＳとの間に供給するとともに、吸引源７３により本体部６１の下面６４ａと被加工物Ｗの表面ＷＳとの間の流体を吸引開口７１を通して吸引源７３に吸引する。そして、制御手段は、Ｘ軸移動手段４０、回転駆動源、Ｙ軸移動手段５０によりチャックテーブル１０とレーザー光線照射手段２０とを相対的に移動させながら、デバイス領域ＤＲ内のすべての分割予定ラインにレーザー光線照射手段２０からレーザー光線Ｌを照射する。

そして、レーザー光線照射手段２０からレーザー光線Ｌが照射される加工点Ｐではアブレーション加工がおこなわれ、被加工物Ｗの移動とともにレーザー加工溝Ｒが形成される。また、開口６６から供給され加工点Ｐ上を通過した流体を吸引開口７１から吸引する。また、加工点Ｐでは、デブリＧが発生し、発生したデブリＧは、開口６６から供給され加工点Ｐ上を通過した流体により形成される層により加工点Ｐから吹き飛ばされて、吸引開口７１を通して吸引されて、被加工物Ｗの表面ＷＳに付着することが抑制される。こうして、実施形態２に係るレーザー加工装置１は、加工点Ｐで発生したデブリＧを収集する。

被加工物Ｗのすべての分割予定ラインにレーザー加工溝Ｒを形成した後、制御手段は、レーザー光線照射手段２０からのレーザー光線Ｌの照射を停止し、チャックテーブル１０をレーザー光線照射手段２０から離間した位置に移動させた後、チャックテーブル１０の吸引保持及びクランプ部１１の挟持を解除する。そして、オペレータがすべての分割予定ラインにレーザー加工溝Ｒが形成された被加工物Ｗをチャックテーブル１０上から取り除くとともに、レーザー加工前の被加工物Ｗを再度、チャックテーブル１０上に載置し、前述の工程を繰り返して、被加工物Ｗにレーザー加工溝Ｒを形成する。

以上のように、実施形態２に係るレーザー加工装置１によれば、実施形態１の効果にくわえ、吸引源７３に接続された吸引開口７１が加工点Ｐを通過したデブリＧを含んだ流体を吸引する。このために、レーザー加工装置１は、加工点Ｐに発生し飛散したデブリＧを加工点Ｐから速やかに吹き飛ばし吸引することができ、確実にデブリＧの被加工物Ｗの表面ＷＳへの付着を抑制することができる。また、吸引する場合には、エジェクタを利用してエアー供給のみで吸引力を発生させてもよい。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。

１ レーザー加工装置
１０ チャックテーブル
２０ レーザー光線照射手段
２２ 集光レンズ
６０ デブリ付着防止手段
６１ 本体部
６４ａ 下面
６６ 開口
６７ 流体供給路
６８ 流体供給源
６９ 貫通穴
７１ 吸引開口
７２ 吸引路
７３ 吸引源
Ｗ 被加工物
ＷＳ 表面
Ｃ 隙間
Ｇ デブリ
Ｌ レーザー光線
Ｐ 加工点

Claims (1)

1. 板状の被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物に集光レンズで集光したレーザー光線を照射して加工するレーザー光線照射手段と、該レーザー光線を被加工物に照射することで加工点に発生するデブリが被加工物へ付着するのを防ぐデブリ付着防止手段と、を備えるレーザー加工装置であって、
   該デブリ付着防止手段は、
   平坦な下面を有し、被加工物に照射される該レーザー光線が通過する貫通穴を設け、該加工点の近傍に配設される本体部と、
   該本体部の下面に形成された開口と流体供給源とを接続する流体供給路と、
   該貫通穴を囲繞して該チャックテーブルに保持された被加工物の表面とわずかな隙間を持って略並行に延在する該下面の該貫通穴を挟んで該流体供給路が接続された該開口と対応した位置に設けられた吸引開口と、
   該吸引開口と吸引源とを接続する吸引路と、を備え、
   流体が該開口から該本体部の下面と被加工物の表面との該隙間に供給されて被加工物の表面に高速で流れる該流体の層を形成し、
   該開口から供給され該加工点上を通過した該流体を該吸引開口から吸引し、該加工点で発生したデブリを収集することを特徴とするレーザー加工装置。

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