JP7102157B2 - 切断装置及び切断品の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、切断装置及び切断品の製造方法に関する。
半導体パッケージの製造は、例えば、パッケージ基板を切断して製造される。パッケージ基板の切断においては、例えば、基板を、吸引によりテーブル上に保持して切断する(特許文献1等)。
特開2011-114145号公報
しかしながら、パッケージ基板を切断して製造された半導体パッケージ(製品)のサイズが小さいと、吸引によるテーブル上への保持力が不十分となるおそれがある。具体的には、切断後の製品がテーブルから外れてしまい、歩留まり低下、製品不良等を引き起こすおそれがある。
そこで、本発明は、切断対象物の切断後においてもテーブル上への保持力が強い切断装置及び切断品の製造方法を提供することを目的とする。
前記目的を達成するために、本発明の切断装置は、
テーブルと、気圧保持機構と、切断機構とを含み、
前記テーブルにより、切断対象物が吸引されて保持され、
前記気圧保持機構により、前記切断対象物が保持された前記テーブルの外側の気圧が、大気圧よりも高い気圧に保持され、
前記切断機構により、前記テーブルに保持された前記切断対象物が切断されることを特徴とする。
本発明の切断品の製造方法は、
テーブルにより、切断対象物を吸引して保持する切断対象物保持工程と、
前記切断対象物が保持された前記テーブルの外側の気圧を、大気圧よりも高い気圧に保持する気圧保持工程と、
前記テーブルに保持された前記切断対象物を切断する切断工程と、
を含むことを特徴とする。
本発明によれば、切断対象物の切断後においてもテーブル上への保持力が強い切断装置及び切断品の製造方法を提供することができる。
図1は、本発明の切断品の製造方法の一例における一工程を模式的に示す工程断面図である。 図2は、図1と同じ切断品の製造方法における別の一工程を模式的に示す工程断面図である。 図3は、図1と同じ切断品の製造方法におけるさらに別の一工程を模式的に示す工程断面図である。 図4は、図1と同じ切断品の製造方法におけるさらに別の一工程を模式的に示す工程断面図である。 図5は、図1と同じ切断品の製造方法におけるさらに別の一工程を模式的に示す工程断面図である。 図6は、図1と同じ切断品の製造方法におけるさらに別の一工程を模式的に示す工程断面図である。 図7は、本発明の切断装置の一例の構成を模式的に示す平面図である。 図8は、本発明の切断装置の別の一例の構成を模式的に示す平面図である。
つぎに、本発明について、例を挙げてさらに詳細に説明する。ただし、本発明は、以下の説明により限定されない。
本発明の切断装置は、例えば、
さらに、切断室を含み、
前記切断室内では、前記気圧保持機構により前記テーブルの外側の気圧が大気圧よりも高い気圧に保持された状態とされ、前記テーブルに保持された前記切断対象物が前記切断機構により切断されて切断品が製造される、
切断装置であってもよい。
本発明の切断装置は、例えば、
さらに、切断室と、加圧室と、減圧室とを含み、
前記切断室内で、前記切断対象物が切断されて切断品が製造され、
前記加圧室は、前記切断室の切断対象物搬入側に配置され、
前記減圧室は、前記切断室の切断品搬出側に配置され、
前記加圧室と前記切断室とが接続され、かつ、前記加圧室及び前記切断室内部が大気圧よりも高い気圧に保持された状態で、前記切断対象物が、前記加圧室から前記切断室に搬入され、
前記減圧室と前記切断室とが接続された状態で、前記切断品が、前記切断室から前記減圧室に搬出され、その後、前記減圧室と前記切断室との接続が遮断され、かつ、前記減圧室内部が前記切断対象物切断時よりも低い気圧に減圧された状態で、前記切断品が、前記減圧室内部から外部に搬出される、
切断装置であってもよい。
本発明の切断装置は、例えば、
前記気圧保持機構が、格納室と、操作部とを含み、
前記格納室内部に、前記テーブルと前記切断機構とが格納され、
前記操作部により、前記格納室内部の気圧が、大気圧よりも高い気圧に保持される、
切断装置であってもよい。
本発明の切断装置は、例えば、前記気圧保持機構により、前記切断対象物が保持された前記テーブルの外側の気圧が、1.1×10Pa以上に保持されてもよい。
本発明の切断品の製造方法は、例えば、
切断室を用い、
前記切断工程を、前記切断室内で行なう、
切断品の製造方法であってもよい。
本発明の切断品の製造方法は、例えば、
切断室と、加圧室と、減圧室とを用い、
前記切断工程を、前記切断室内で行ない、
さらに、切断対象物搬入工程と、切断品搬出工程とを含み、
前記切断対象物搬入工程は、前記加圧室と前記切断室とが接続され、かつ、前記加圧室及び前記切断室内部が大気圧よりも高い気圧に保持された状態で、前記切断対象物を前記加圧室から前記切断室に搬入する工程であり、
前記切断品搬出工程は、前記減圧室と前記切断室とが接続された状態で、前記切断工程で前記切断対象物が切断された切断品を、前記切断室から前記減圧室に搬出し、その後、前記減圧室と前記切断室との接続を遮断してから、前記減圧室内部が前記切断対象物切断時よりも低い気圧に減圧された状態で、前記切断品を前記減圧室内部から外部に搬出する工程である、
切断品の製造方法であってもよい。
本発明において、「大気圧よりも高い気圧」は、例えば、1atm(1.01325×10Pa)よりも高い気圧であってもよい。また、前記「大気圧よりも高い気圧」は、例えば、本発明の切断装置使用時における周囲の雰囲気圧(大気圧)よりも高い気圧であってもよく、又は、本発明の切断品の製造方法使用時における周囲の雰囲気圧(大気圧)よりも高い気圧であってもよい。また、前記「大気圧よりも高い気圧」は、少しでも大気圧よりも高い気圧であれば本発明の効果を得ることができるが、例えば、1.1×10Pa以上、1.2×10Pa以上、1.3×10Pa以上、1.4×10Pa以上、1.5×10Pa以上、2.0×10Pa以上、3.0×10Pa以上、又は4.0×10Pa以上であってもよく、例えば、1.0×10Pa(1.0MPa)以下、9.0×10Pa以下、8.0×10Pa以下、7.0×10Pa以下、6.0×10Pa以下、又は5.0×10Pa以下であってもよい。
本発明において、切断対象物は、特に限定されない。例えば、前記切断対象物は、パッケージ基板等であってもよいが、これに限定されず任意である。
本発明において、切断品は、特に限定されないが、例えば、樹脂成形品でもよい。前記樹脂成形品は、特に限定されず、例えば、単に樹脂を成形した樹脂成形品でもよいし、チップ等の部品を樹脂封止した樹脂成形品でもよい。本発明において、樹脂成形品は、例えば、電子部品等であってもよい。また、本発明において、切断品は、例えば、完成品の製品であってもよいが、未完成の半製品であってもよい。
本発明において、樹脂としては、特に制限されず、例えば、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂などの熱硬化性樹脂であってもよいし、熱可塑性樹脂であってもよい。また、熱硬化性樹脂あるいは熱可塑性樹脂を一部に含んだ複合材料であってもよい。
また、一般に、「電子部品」は、樹脂封止する前のチップをいう場合と、チップを樹脂封止した状態をいう場合とがあるが、本発明において、単に「電子部品」という場合は、特に断らない限り、前記チップが樹脂封止された電子部品(完成品としての電子部品)をいう。本発明において、「チップ」は、樹脂封止する前のチップをいい、具体的には、例えば、IC、半導体チップ、電力制御用の半導体素子等のチップが挙げられる。本発明において、樹脂封止する前のチップは、樹脂封止後の電子部品と区別するために、便宜上「チップ」という。しかし、本発明における「チップ」は、樹脂封止する前のチップであれば、特に限定されず、チップ状でなくてもよい。
本発明では、例えば、シリコン、化合物半導体等の基板上に回路素子、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)等の機能素子が配置された半導体ウェーハ(semiconductor wafer )を切断対象物とし、それを切断(個片化)して切断品としてもよい。また、本発明では、例えば、抵抗体、コンデンサ、センサ、表面弾性波デバイス等の機能素子を含むセラミックス基板、ガラス基板等を切断対象物とし、それを切断(個片化)してチップ抵抗、チップコンデンサ、チップ型のセンサ、表面弾性波デバイス等の製品(切断品)を製造してもよい。また、本発明では、例えば、樹脂成形品を切断対象物とし、それを切断(個片化)してレンズ、光学モジュール、導光板等の光学部品(切断品)を製造してもよい。また、本発明では、例えば、樹脂成形品を切断対象物とし、それを切断(個片化)して製品(切断品)としてもよい。また、本発明では、例えば、ガラス板を切断対象物とし、それを切断(個片化)し、様々な電子機器のカバー等として使用されるガラス板(切断品)を製造してもよい。さらに、本発明において、切断対象物は、これらに限定されず、前述のとおり、任意であり、切断品も、前述のとおり、特に限定されず任意である。
また、本発明において、切断対象物及び切断品の形状も、特に限定されず、任意である。例えば、切断対象物の形状は、長手方向と短手方向とを有する矩形であってもよいし、正方形、円形等であってもよい。
また、本発明において、「載置」、「配置」又は「設置」は、「固定」を含む。
以下、本発明の具体的な実施例を図面に基づいて説明する。各図は、説明の便宜のため、適宜省略、誇張等をして模式的に描いている。
本実施例では、成形型及び樹脂成形装置の一例と、それを用いた樹脂成形品の製造方法の一例とについて説明する。
図1~6の工程断面図に、本発明の切断装置の一例における一部の構成と、前記切断装置を用いた切断品の製造方法における各工程とを、模式的に示す。
まず、図1に示すとおり、テーブル(治具)10を準備する。ここで、図1から6に図示する治具10は、実際には、テーブルの一部を構成するものであるが、図1から6を参照する説明では、便宜上、「テーブル10」と記載する。治具10を含むテーブル全体については、図示を省略する。図示のとおり、テーブル10は、その上部に溝11を有するとともに、上面(切断対象物保持面)から下面まで貫通する貫通孔12を有する。溝11は、後述するように、その内部に切断用の刃を通すための溝である。また、貫通孔12は、後述するように、切断対象物及びそれを切断して製造された切断品を、吸引してテーブル10の上面に保持するための貫通孔である。
つぎに、図2に示すとおり、テーブル10の上面に、パッケージ基板(切断対象物)20を載置する。図示のとおり、パッケージ基板20は、基板21の一方の面が樹脂(硬化樹脂)22で樹脂成形されている。パッケージ基板20は、基板21及び樹脂22のみから形成されていてもよいが、さらに、他の部材(部品)を含んでいてもよい。そして、前記他の部材が、樹脂22により封止(樹脂封止)されていてもよい。前記他の部材としては、特に限定されないが、例えば、電子部品、半導体部品等に用いられる一般的な部材でもよく、具体的には、例えば、チップ、ワイヤ等があげられる。また、同図では、パッケージ基板20は、樹脂22の側がテーブル10の上面に接するように載置されている。
つぎに、図3に示すとおり、吸引機構(図示せず)により、テーブル10内部の空気を、矢印X1の方向(テーブル10の内部方向)に吸引し、テーブル10の内部を減圧する。これにより、パッケージ基板20を吸引してテーブル10上面に保持する(切断対象物保持工程)。なお、前記吸引機構は、特に限定されないが、例えば、吸引ポンプ、又は真空エジェクタ等であってもよい。さらに、図示のとおり、気圧保持機構(図示せず)により、パッケージ基板20が保持されたテーブル10の外側の気圧を、大気圧よりも高い気圧に保持する(気圧保持工程)。これにより、パッケージ基板20に、矢印Y1の方向(テーブル10の方向)の圧力が加わり、テーブル10に押付けられる。この矢印Y1方向の圧力により、パッケージ基板20のテーブル10上への保持力がさらに強くなる。
つぎに、図4に示すとおり、回転刃30を、パッケージ基板20上方の、溝11に対応する位置に配置する。図示のとおり、回転刃30は、刃本体31の両面が、一対のフランジ(固定部材)32により挟まれて構成されている。回転刃30は、本実施例の切断装置における「切断機構」の一部である。回転刃30は、前記切断機構に設けられた回転軸(図示せず)の先端に取付けられている。
つぎに、図5に示すとおり、回転刃30を回転させることにより、パッケージ基板20(基板21及び樹脂22)を切断する(切断工程)。このとき、図示のとおり、刃本体31を、パッケージ基板20を貫通させて溝11に食い込ませることにより、パッケージ基板20を完全に切断できる。
そして、図6に示すとおり、パッケージ基板20を、全ての所定位置(図において、溝11の位置)で切断することにより、パッケージ部品(切断品)20bを製造することができる。切断品20bは、図示のとおり、切断された基板21bの一方の面が、切断された樹脂(硬化樹脂)22bにより樹脂成形されている。このとき、図6に示すように、貫通孔12の上端は、切断品20bで塞がれた(密閉された)ままである。このため、切断品20bには、矢印X1方向(テーブル10の内部方向)の吸引による力が加わったままである。さらに、切断品20bには、矢印Y1の方向(テーブル10の方向)の圧力が加わり、テーブル10に押付けられている。これにより、切断品20bのテーブル10上への保持力がさらに強くなり、切断品20bがテーブル10上から外れることを抑制又は防止できる。
なお、切断品20bは、そのまま流通可能な製品であってもよいが、未完成の半製品であってもよい。前記半製品は、例えば、さらに加工することにより製品としてもよい。前記製品は、特に限定されないが、例えば、前述のように、電子部品、半導体部品等があげられる。
従来のパッケージ基板の切断方法(特許文献1等)では、切断後の切断品(部品)のサイズが小さいと(例えば、1辺の長さが2mm以下であると)、テーブル(治具)による保持力(吸着力)が不十分で、切断品がテーブルから外れてしまい、歩留まり低下、製品不良等を引き起こすおそれがあった。具体的には、例えば、切断品の飛び(飛散)、パッケージ基板のコーナー部でのチッピング(欠け)等が起こり、これらが歩留まり低下、製品不良等の原因となるおそれがあった。特に、1つの切断品がテーブル上から外れると、それにより、前記切断品を吸引しているテーブル上の孔が開放されるおそれがある。そして、テーブル内の空間が1つにつながっている場合、前記孔の開放により、テーブル内の前記空間の減圧が解除され、他の全ての切断品における前記テーブル上への保持力が低下するおそれがある。すなわち、1つの切断品がテーブル上から外れるのみでも、それにより、他の全ての切断品が前記テーブル上から外れてしまうおそれがある。
これに対し、本発明によれば、切断対象物が保持されたテーブルの外側の気圧が、大気圧よりも高い気圧に保持される。これにより、切断品の前記テーブル上への保持力が強化され、小サイズの切断品でも強固に保持(固定)できる。したがって、本発明によれば、前述の歩留まり低下、製品不良等の問題を抑制又は防止でき、切断品の生産性向上が可能である。
以上、本発明の切断装置及びそれを用いた切断品の製造方法の一例について説明した。しかし、本発明は、本実施例のみには限定されない。例えば、本実施例では、パッケージ基板を切断し、電子部品、半導体部品等の製品又はその半製品を製造する例を説明した。しかし、本発明において、前記切断対象物は、前述のとおり、パッケージ基板に限定されず、任意の切断対象物に適用可能である。また、前記切断品も、前述のとおり、電子部品、半導体部品等に限定されず、任意である。また、例えば、本発明の切断装置は、前記気圧保持機構により、前記切断対象物が保持された前記テーブルの外側の気圧が、大気圧よりも高い気圧に保持されること以外は、一般的な切断装置と同様又はそれに準じた構成であってもよい。本発明の切断品の製造方法は、例えば、前記切断対象物が保持された前記テーブルの外側の気圧を、大気圧よりも高い気圧に保持する前記「気圧保持工程」を行なう以外は、パッケージ基板等の一般的な切断方法と同様又はそれに準じて行なってもよい。パッケージ基板等の一般的な切断方法としては、例えば、特開2016-143861号公報等に記載の方法と同様又はそれに準じた方法でもよい。前記切断対象物が保持された前記テーブルの外側の気圧を、大気圧よりも高い気圧に保持するための具体的な装置の構成、方法等も、特に限定されないが、例えば、後述する実施例2又は3のとおりでもよい。
本発明は、例えば、一辺が2mm以下、又は1mm以下等の小さい切断品の製造に好適に用いることができる。しかし、本発明は、これに限定されず、どのような大きさの切断品の製造に用いてもよい。
つぎに、本発明の別の実施例について説明する。
本実施例では、本発明の切断装置及び切断品の製造方法の、実施例1とは別の一例について説明する。
図7の平面図に、本実施例の切断装置の構成を模式的に示す。図示のとおり、この切断装置1000は、Aエリア、Bエリア及びCエリアの3つのエリア(領域)を含む。Aエリアは、加圧室1100を含む。Bエリアは、切断室1200を含む。Cエリアは、減圧室1300を含む。加圧室1100は、切断室1200の切断対象物搬入側に配置されている。減圧室1300は、切断室1200の切断品搬出側に配置されている。そして、後述するように、切断室1200内で、切断対象物が切断されて切断品が製造される。また、加圧室1200と切断室1100とが接続され、かつ、加圧室1200及び切断室1100内部が大気圧よりも高い気圧に保持された状態で、切断対象物が、加圧室1100から切断室1200に搬入される。さらに、減圧室1300と切断室1200とが接続された状態で、切断された前記切断対象物(切断品)が、前記切断室から前記減圧室に搬出される。そして、その後、前記減圧室と前記切断室との接続が遮断されてから、減圧室1300内部が前記切断対象物切断時よりも低い気圧に減圧された状態で、切断された前記切断対象物(切断品)が、減圧室1300内部から外部に搬出される。なお、前記切断品が減圧室1300内部から外部に搬出される時の気圧は、例えば、大気圧とほぼ同じでもよい。詳しくは後述する。切断室1200、加圧室1100及び減圧室1300は、例えば、スパッタリング装置等の成膜装置の真空チャンバ、搬入側ロードロック室及び搬出側ロードロック室と同様の構造を用いることができる。ただし、切断室、加圧室及び減圧室は、内部空間が大気圧よりも高い気圧に保持可能なように設計されている。
図7の切断装置1000において、Aエリアには、さらに、基板供給機構(切断対象物供給機構)1010、制御部1020及びゲートバルブ1030が含まれる。基板供給機構1010には、パッケージ基板(切断対象物)20が保管されており、加圧室1100にパッケージ基板20を供給可能である。なお、パッケージ基板20は、実施例1で説明したパッケージ基板20と同様でもよい。制御部1020は、切断装置1000全体の動作を制御可能である。制御部1020による制御方法は、特に限定されないが、例えば、コンピュータプログラム等を用いてもよい。ゲートバルブ1030は、加圧室1100と切断室1200とを接続するように配置されている。ゲートバルブ1030を開くことで、加圧室1100内の空間と切断室1200内の空間とをつなげることができる。ゲートバルブ1030を閉じることで、加圧室1100内の空間と切断室1200内の空間との接続を遮断してこれらを分離することができる。
Bエリアには、さらに、テーブル10、気圧調整器1210、排水減圧器1220、スピンドル1230、蛇腹1241及び1242、受け板1250、排水流動部1260並びに排出口1270が含まれる。テーブル10は、実施例1(図1~6)で説明したテーブル10と同様であり、前述の吸引機構(図示せず)に接続されている。気圧調整器1210は、例えば、外部の空気圧縮システムからの配管に接続された圧縮空気の流入量を調整可能な調整弁と、減圧の際に用いる開閉弁とを有する。なお、前記圧縮システム、配管、調整弁及び開閉弁は、図示を省略している。気圧調整器1210により、加圧室1100、切断室1200及び減圧室1300の内部の気圧が調整される。気圧調整器1210により、後述するように、パッケージ基板(切断対象物)20が保持されたテーブル10の外側の気圧(切断室1200内部の気圧)を、大気圧よりも高い気圧に保持することができる。すなわち、気圧調整器1210及び切断室1200は、切断装置1000における「気圧保持機構」に該当する。また、例えば、減圧時には、前記減圧用の開閉弁を開いて、切断装置1000が設置された施設に設けられた排気ダクトから排気させるようにすることができる。スピンドル1230には、実施例1(図1~6)で説明した回転刃30(図7では、図示せず)が取り付けられている。スピンドル1230は、回転刃30とともに、前後左右及び上下に移動可能である。スピンドル1230により、回転刃30を回転させてパッケージ基板20を切断することができる。すなわち、スピンドル1230は、回転刃30とともに、切断装置1000における「切断機構」を構成する。また、回転刃30による摩擦熱をとるために、ノズル(図示せず)により冷却水を回転刃30にかけて冷却しながら、後述する切断工程を行なうことができる。前記ノズルは、例えば、スピンドル1230に設けることができる。前記冷却水は、例えば、室温(常温)の水であってもよい。前記冷却水は、使用後は、排水として切断室1200の外に排出することができる。その際、排水減圧器1220により、前記排水の圧力が減圧される。蛇腹1241の左端及び1242の右端は、それぞれ、切断室1200内部に固定されている。蛇腹1241の右端及び1242の左端は、それぞれ、受け板1250に接続されている。受け板1250は、パッケージ基板20及び切断品20bを載置し、搬送することができる。また、蛇腹1241及び1242を伸縮させることで、受け板1250を左右方向(切断対象物の搬入方向及び切断品の搬出方向に垂直な方向)に移動させることができる。排水流動部1260は、前記排水が流動する部分である。排出口1270からは、前記排水を切断室1200の外に排出することができる。
Cエリアには、さらに、ゲートバルブ1330、検査テーブル1400及びトレイ1500が含まれる。ゲートバルブ1330は、減圧室1300と切断室1200とを接続するように配置されている。ゲートバルブ1330を開くことで、減圧室1300内の空間と切断室1200内の空間とをつなげることができる。ゲートバルブ1330を閉じることで、減圧室1300内の空間と切断室1200内の空間との接続を遮断してこれらを分離することができる。検査テーブル1400では、パッケージ部品(切断品)20bが検査され、良品と不良品とに分離される。トレイ1500には、切断品20bのうち良品が収納されて保管(ストック)される。
図7の切断装置を用いた切断品の製造方法は、例えば、以下のようにして行なうことができる。まず、気圧調整器1210を用いて切断室1200内に圧縮空気を供給し、切断室1200内部を大気圧よりも高い気圧にする。その後、後述する切断工程が終了するまで、切断室1200内部を大気圧よりも高い気圧に保持しておく(気圧保持工程)。
一方、加圧室1100内部に、基板供給機構1010によりパッケージ基板20を搬入する。このとき、加圧室1100は開放されて内部と外部とがつながっているので、加圧室1100内部の圧力は、大気圧と同じままである。
つぎに、加圧室1100を密閉状態とする。その後、気圧調整器1210を用いて加圧室1100内に圧縮空気を供給して加圧する。これにより、加圧室1100内部の気圧を切断室1200内部の気圧とほぼ同じにする。加圧室1100内部の気圧が切断室1200内部の気圧とほぼ同じになったら、気圧調整器1210による圧縮空気の供給を停止する。その状態で、加圧室1100と切断室1200との間のゲートバルブ1030を開けてパッケージ基板20を切断室1200内に搬入する(切断対象物搬入工程)。その後、ゲートバルブ1030を閉じて加圧室1100内部と切断室1200内部との接続を遮断してこれらを分離する。
つぎに、切断室1200内に搬入されたパッケージ基板(切断対象物)20をテーブル(治具)10により吸引して保持する(切断対象物保持工程)。その後、パッケージ基板20を、スピンドル1230及び回転刃30(切断機構)により切断する(切断工程)。これにより、パッケージ基板(切断対象物)20が切断されて個片化されたパッケージ部品(切断品)20bを製造することができる。これら切断対象物保持工程及び切断工程は、例えば、実施例1(図1~6)と同様にして行なってもよいし、一般的なパッケージ基板の切断方法と同様又はそれに準じて行なってもよい。
なお、前記切断工程は、例えば、前述のとおり、ノズル(図示せず)により冷却水を回転刃30にかけて冷却しながら行なうことができる。前記冷却水は、使用後は、前述のとおり、排水として排水流動部1260を流動させ、排出口1270から切断室1200の外に排出することができる。
一方、気圧調整器1210を用いて減圧室1300内に圧縮空気を供給して加圧する。そして、減圧室1300の内部の気圧が切断室1200内部の気圧とほぼ同じになったら、気圧調整器1210による圧縮空気の供給を停止する。この操作は、前記切断工程(パッケージ基板20の切断)終了後に行なうこともできるが、前記切断工程が終了する前に(例えば、前記切断工程と並行して)行なうと、効率がよい。
そして、前記切断工程(パッケージ基板20の切断)が終了し、かつ、減圧室1300の内部の気圧が切断室1200内部の気圧とほぼ同じになった状態で、ゲートバルブ1330を開く。この状態で、パッケージ部品(切断品)20bを切断室1200から搬出し、減圧室1300内に収納する。その後、ゲートバルブ1330を閉じて減圧室1300内の空間と切断室1200内の空間との接続を遮断してこれらを分離する。さらに、気圧調整器1210を用いて減圧室1300内の空気を外部に排出して減圧する。減圧室1300内の気圧が大気圧とほぼ同じになったら、パッケージ部品(切断品)20bを減圧室1300の外部に搬出する(切断品搬出工程)。その後、パッケージ部品(切断品)20bを検査テーブル1400で検査し、トレイ1500に収納する。
なお、本実施例(実施例2)の変形例として、例えば、図7の切断装置1000から加圧室1100及び減圧室1300を省略した構成とすることができる。この場合、例えば、ゲートバルブ1030及びゲートバルブ1330の開閉により、切断室1200内部空間と外部空間とを連結(接続)又は分離可能であってもよい。そして、この場合、基板供給機構(切断対象物供給機構)1010から、加圧室1100を介さずに切断室1200にパッケージ基板(切断対象物)20が搬入され、かつ、切断室1200から、減圧室1300を介さずに外部にパッケージ部品(切断品)20bが搬出されることになる。したがって、切断対象物搬入工程では、切断室1200の内部が大気圧の状態で、切断室1200に設けられた搬入部からパッケージ基板(切断対象物)20を搬入する。その後に切断室1200を密閉状態とし、気圧調整器1210を用いて圧縮空気を切断室1200内に供給して、切断室1200内の気圧を大気圧よりも高い状態とする。この切断室1200内の気圧が大気圧よりも高い状態で、前記切断工程を行なう。切断品搬出工程は、前記切断工程の後に、気圧調整器1210を用いて切断室1200内の空気を外部に排出して減圧し、切断室1200内の気圧が大気圧とほぼ同じになったら、パッケージ部品(切断品)20bを切断室1200に設けられた搬出部からの外部に搬出する。これら以外は、図7の切断装置1000から加圧室1100及び減圧室1300を省略した変形例における切断品の製造方法は、図7の切断装置1000を用いた切断品の製造方法と同様に行なうことができる。
つぎに、本発明のさらに別の実施例について説明する。
本実施例では、本発明の切断装置及び切断品の製造方法の、実施例1及び2とは別の一例について説明する。
図8の平面図に、本実施例の切断装置の構成を模式的に示す。図示のとおり、この切断装置1000bは、実施例2(図7)の切断装置と同様、Aエリア、Bエリア及びCエリアの3つのエリア(領域)を含む。この切断装置1000bは、加圧室1100、切断室1200、及び減圧室1300を含まず、Aエリア、Bエリア及びCエリアの3つのエリアが1つにつながっている。したがって、この切断装置1000bは、ゲートバルブ1030及び1330を含まない。また、この切断装置1000bは、Aエリア、Bエリア及びCエリアの3つのエリア全体が、格納室2000内部に格納されている。気圧調整器1210及び排水減圧器1220は、格納室2000の外側に配置されている。さらに、格納室2000の外側には、操作部2100が配置されている。操作部2100により、格納室2000内部の気圧が、大気圧よりも高い気圧に保持される。このため、操作部2100及び格納室2000は、切断装置1000bにおける「気圧保持機構」に該当する。また、切断品の製造方法を実施しない時は、例えば、操作部2100により、格納室2000内部の気圧を大気圧とほぼ同じにすることもできる。格納室2000は、開閉可能である。切断品の製造方法を実施する時は、格納室2000を閉じて、格納室2000内部の空間と外部の空間とを分離することができる。一方、切断品の製造方法を実施しない時は、格納室2000を開いて、格納室2000内部の空間と外部の空間とをつなげることもできる。これら以外は、図8の切断装置1000bは、図7(実施例2)の切断装置1000と同様である。
格納室2000は、例えば、内部のメンテナンス作業が可能なスペースを確保したサイズでもよい。具体的には、例えば、格納室2000内部に人が立ち入ることにより、切断装置1000bのメンテナンス作業が可能であってもよい。格納室2000の構造は特に限定されないが、例えば、気密性の高い業務用冷蔵庫又は冷凍庫と同様の構造を用いることができる。ただし、気密性を維持するためのものではない断熱材等は、省略可能である。また、操作部2100は、例えば、格納室2000内部と無線又は有線により通信することにより、切断装置1000bを操作できる。具体的には、例えば、操作部2100と制御部1020とを無線又は有線により通信することにより、切断装置1000b全体の動作を制御してもよい。また、操作部2100の形態も、特に限定されない。例えば、図8では、操作部2100は、格納室2000の壁部外側に取付けられた操作パネルとして図示している。しかし、操作部2100は、これに限定されず。例えば、タブレット端末等であってもよい。
図8の切断装置1000bを用いた切断品の製造方法は、例えば、実施例2で説明した全ての工程を、格納室2000内部を大気圧よりも高い気圧に保持した状態で行なうことができる。例えば、気圧調整機構(図示せず、例えば圧縮ポンプ等)を用いて格納室2000内部に圧縮空気を供給し、格納室2000内部を大気圧よりも気圧に保持してもよい。前述のとおり、この切断装置1000bは、加圧室1100、切断室1200、及び減圧室1300を含まず、Aエリア、Bエリア及びCエリアの3つのエリアが1つにつながっている。したがって、パッケージ基板(切断対象物)20及びパッケージ部品(切断品)20bを搬送する際に、加圧室1100、切断室1200、及び減圧室1300の気圧を変化させる工程が不要である。これ以外は、図8の切断装置1000bを用いた切断品の製造方法は、図7(実施例2)の切断装置1000を用いた切断品の製造方法と同様にして行なうことができる。
なお、前記気圧調整機構は、特に限定されず、例えば、切断装置1000bが設置された施設(例えば工場等)に設けられた既存の空気圧縮システム等を用いてもよい。また、例えば、前記既存の空気圧縮システムとは別に、空気圧縮機及びレシーバタンクを含む空気圧縮システムを設けてもよい。このようにすると、格納室2000内部を速やかに高圧にすることができるので好ましい。
また、前述のとおり、切断品の製造方法を実施しない時は、例えば、操作部2100により、格納室2000内部の気圧を大気圧とほぼ同じにすることもできる。例えば、切断装置1000bのメンテナンス時には、前記気圧調整機構を用いて格納室2000内部の空気を外部に排出し、格納室2000内部の気圧を大気圧と同程度に減圧してもよい。これにより、メンテナンス作業者が高圧室内で作業することを回避できる。
実施例2(図7)の切断装置1000を用いた切断品の製造方法は、前述のとおり、1回毎に、加圧室1100、切断室1200、及び減圧室1300の気圧を変化させる工程が必要である。これに対し、本実施例(図8)の切断装置1000bを用いた切断品の製造方法は、前述のとおり、加圧室1100、切断室1200、及び減圧室1300の気圧を変化させる工程が不要である。このため、本実施例(図8)の切断装置1000bによれば、切断品の製造方法を、実施例2(図7)の切断装置1000よりもさらに効率よく行なうことができる。一方、本実施例(図8)の切断装置1000bは、格納室2000を設置するためのスペースが必要である。
なお、図8の格納室2000は、前述のとおり、内部のメンテナンス作業(例えば、メンテナンス作業者の立ち入り)が可能なスペースを確保したサイズであるとして説明したが、これに限定されない。すなわち、本実施例(実施例3)の変形例として、例えば、切断装置本体の外側全体を覆うカバー部を設け、前記カバー部を「格納室」とし、その内部を密閉状態とすることが可能な構成としてもよい。
さらに、本発明は、上述の実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、必要に応じて、任意にかつ適宜に組み合わせ、変更し、又は選択して採用できるものである。
10 テーブル(治具)
11 溝
12 貫通孔
20 パッケージ基板(切断対象物)
20b パッケージ部品(切断品)
21 基板
21b 切断された基板
22 樹脂(硬化樹脂)
22b 切断された樹脂(硬化樹脂)
30 回転刃(切断機構)
31 刃本体
32 フランジ(固定部材)
1000、1000b 切断装置
1010 基板供給機構(切断対象物供給機構)
1020 制御部
1030 ゲートバルブ
1100 加圧室
1200 切断室(気圧保持機構)
1210 気圧調整器(気圧保持機構)
1220 排水減圧器
1230 スピンドル(切断機構)
1241、1242 蛇腹
1250 受け板
1260 排水流動部
1270 排出口
1300 減圧室
1330 ゲートバルブ
1400 検査テーブル
1500 トレイ
2000 格納室(気圧保持機構)
2100 操作部(気圧保持機構)
X1 テーブル10による吸引方向を表す矢印
Y1 パッケージ基板20に圧力がかかる方向を表す矢印

Claims (4)

  1. テーブルと、気圧保持機構と、切断機構と、切断室と、加圧室と、減圧室とを含み、
    前記テーブルにより、切断対象物が吸引されて保持され、
    前記気圧保持機構により、前記切断対象物が保持された前記テーブルの外側の気圧が、大気圧よりも高い気圧に保持され、
    前記切断機構により、前記テーブルに保持された前記切断対象物が切断され
    前記切断室内では、前記気圧保持機構により前記テーブルの外側の気圧が大気圧よりも高い気圧に保持された状態とされ、前記テーブルに保持された前記切断対象物が前記切断機構により切断されて切断品が製造され、
    前記加圧室は、前記切断室の切断対象物搬入側に配置され、
    前記減圧室は、前記切断室の切断品搬出側に配置され、
    前記加圧室と前記切断室とが接続され、かつ、前記加圧室及び前記切断室内部が大気圧よりも高い気圧に保持された状態で、前記切断対象物が、前記加圧室から前記切断室に搬入され、
    前記減圧室と前記切断室とが接続された状態で、前記切断品が、前記切断室から前記減圧室に搬出され、その後、前記減圧室と前記切断室との接続が遮断され、かつ、前記減圧室内部が前記切断対象物切断時よりも低い気圧に減圧された状態で、前記切断品が、前記減圧室内部から外部に搬出されることを特徴とする切断装置。
  2. 前記気圧保持機構が、格納室と、操作部とを含み、
    前記格納室内部に、前記テーブルと前記切断機構とが格納され、
    前記操作部により、前記格納室内部の気圧が、大気圧よりも高い気圧に保持される、
    請求項1記載の切断装置。
  3. 前記気圧保持機構により、前記切断対象物が保持された前記テーブルの外側の気圧が、1.1×10Pa以上に保持される、請求項1又は記載の切断装置。
  4. テーブルにより、切断対象物を吸引して保持する切断対象物保持工程と、
    前記切断対象物が保持された前記テーブルの外側の気圧を、大気圧よりも高い気圧に保持する気圧保持工程と、
    前記テーブルに保持された前記切断対象物を切断室内で切断する切断工程と、
    を含み、
    さらに、加圧室を用いる切断対象物搬入工程と、減圧室を用いる切断品搬出工程とを含み、
    前記切断対象物搬入工程は、前記加圧室と前記切断室とが接続され、かつ、前記加圧室及び前記切断室内部が大気圧よりも高い気圧に保持された状態で、前記切断対象物を前記加圧室から前記切断室に搬入する工程であり、
    前記切断品搬出工程は、前記減圧室と前記切断室とが接続された状態で、前記切断工程で前記切断対象物が切断された切断品を、前記切断室から前記減圧室に搬出し、その後、前記減圧室と前記切断室との接続を遮断してから、前記減圧室内部が前記切断対象物切断時よりも低い気圧に減圧された状態で、前記切断品を前記減圧室内部から外部に搬出する工程であることを特徴とする切断品の製造方法。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7222941B2 (ja) * 2020-02-10 2023-02-15 Towa株式会社 加工装置
JP7354069B2 (ja) * 2020-08-26 2023-10-02 Towa株式会社 切断装置、及び、切断品の製造方法
JP2022083106A (ja) * 2020-11-24 2022-06-03 Towa株式会社 切断装置及び切断品の製造方法
JP2022083118A (ja) * 2020-11-24 2022-06-03 Towa株式会社 切断装置及び切断品の製造方法
JP2023010304A (ja) * 2021-07-09 2023-01-20 Towa株式会社 加工装置、及び加工品の製造方法
CN115339001B (zh) * 2022-08-30 2023-07-18 惠州市乐恩智能玻璃有限公司 一种气动式玻璃盖板打孔加工用吸料装置
CN117300205B (zh) * 2023-11-28 2024-02-02 山西省定襄县龙门锻压有限公司 一种流量计法兰孔加工装置及使用方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003007648A (ja) 2001-06-18 2003-01-10 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェーハの分割システム
JP2008103648A (ja) 2006-10-23 2008-05-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法
JP2011044476A (ja) 2009-08-19 2011-03-03 Disco Abrasive Syst Ltd 硬質ウエーハの研削方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001044143A (ja) 1999-07-30 2001-02-16 Sony Corp 基体の切断方法及び半導体装置の製造方法
JP4257072B2 (ja) 2002-05-21 2009-04-22 Towa株式会社 基板の固定装置及び固定方法
JP5709370B2 (ja) 2009-11-26 2015-04-30 株式会社ディスコ 切削装置及び切削方法
JP5878292B2 (ja) * 2010-12-24 2016-03-08 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
JP5649125B2 (ja) * 2011-07-01 2015-01-07 Necエンジニアリング株式会社 テープ貼付装置
KR20140071680A (ko) * 2012-12-04 2014-06-12 서울바이오시스 주식회사 기판 분리용 장치 및 이를 이용한 기판 분리 방법
JP6340277B2 (ja) * 2014-07-18 2018-06-06 株式会社ディスコ 加工装置
JP6312554B2 (ja) * 2014-08-13 2018-04-18 株式会社ディスコ パッケージ基板の加工方法
JP6382039B2 (ja) * 2014-09-04 2018-08-29 Towa株式会社 切断装置並びに吸着機構及びこれを用いる装置
JP6483404B2 (ja) * 2014-11-04 2019-03-13 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6462414B2 (ja) 2015-02-27 2019-01-30 株式会社ディスコ 分割装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003007648A (ja) 2001-06-18 2003-01-10 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェーハの分割システム
JP2008103648A (ja) 2006-10-23 2008-05-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法
JP2011044476A (ja) 2009-08-19 2011-03-03 Disco Abrasive Syst Ltd 硬質ウエーハの研削方法

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