KR102674905B1 - 웨이퍼의 가공 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 디바이스에 데브리(debris)가 부착되는 것을 억제할 수 있는 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
웨이퍼의 가공 방법은, 웨이퍼의 적층체를 보호막으로 피복하는 보호막 피복 단계(ST1)와, 스트리트의 폭 방향의 양단에 레이저 빔을 조사하여, 스트리트에 2줄의 레이저 가공홈을 형성하는 제1 레이저 가공 단계(ST3)와, 스트리트를 따라 레이저 빔을 조사함으로써 2줄의 레이저 가공홈 사이의 적층체를 보호막과 함께 제거하는 제2 레이저 가공 단계(ST4)와, 스트리트의 기재(基材)가 노출된 영역을 절삭 블레이드로 절삭하는 절삭 단계(ST5)와, 보호막 피복 단계(ST1)를 실시한 후, 제1 레이저 가공 단계(ST3)를 실시하기 전에, 2줄의 레이저 가공홈이 형성되는 위치보다 스트리트의 내측에 레이저 빔을 조사하여 보호막을 제거하는 보호막 제거 단계(ST2)를 포함한다.

Description

웨이퍼의 가공 방법{METHOD FOR PROCESSING WAFER}
본 발명은 기재(基材) 상에 적층체가 적층되고, 미리 정해진 폭을 가진 교차하는 복수의 스트리트를 구비한 웨이퍼의 가공 방법에 관한 것이다.
교차하는 복수의 스트리트로 구획된 영역에 각각 디바이스가 형성된 웨이퍼를 개개의 디바이스로 분할하는 방법으로서, 레이저 가공에 의해 발생하는 데브리(debris)의 부착 방지를 위해서, 레이저 가공을 실시하기 전에 웨이퍼의 표면을 보호막으로 피복하여, 레이저 가공에 의해 웨이퍼를 개개의 디바이스로 분할하는 가공 방법이 제안되어 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).
특허문헌 1에 나타난 가공 방법은, 디바이스가 저유전율 절연막(이하, Low-k막이라고 함)을 포함하고 있고, Low-k막의 박리 방지를 위해서, 스트리트의 폭 방향의 양단에 레이저 가공에 의해 2줄의 레이저 가공홈을 형성한 후, 스트리트의 폭 방향의 중앙을 절삭 블레이드로 절삭 가공한다.
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2005-64230호 공보
그러나, 특허문헌 1에 나타난 가공 방법은, TEG(Test Elements Group)와 Low-k막 중 적어도 한쪽이 적층된 스트리트의 폭 방향의 중앙을 절삭할 때에, TEG나 Low-k막에 의한 절삭 블레이드의 눈 막힘이 발생해 버린다. 그래서, 웨이퍼를 절삭 블레이드로 절삭하기 전에, 2줄의 레이저 가공홈 사이에 레이저 빔을 조사하여 TEG나 Low-k막 등의 적층체를 제거하는 가공 방법이 고려된다.
그러나, 특허문헌 1에 나타난 가공 방법은, 2줄의 레이저 가공홈을 형성할 때에, 레이저 빔의 충격으로 레이저 가공홈의 폭 방향의 양단의 보호막의 박리가 발생하는, 즉 스트리트를 넘어 디바이스에 이르는 보호막의 박리가 발생한다. 2줄의 레이저 가공홈 사이에 레이저 빔을 조사하는 가공 방법은, 보호막이 박리되어 디바이스의 상면이 노출된 웨이퍼를 가공하면, 레이저 빔의 조사로 발생한 데브리가 보호막의 박리에 의해 노출된 디바이스의 상면에 고착되어 버린다고 하는 문제가 있다.
본 발명은 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 디바이스에 데브리가 부착되는 것을 억제할 수 있는 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것이다.
전술한 과제를 해결하여, 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 웨이퍼의 가공 방법은, 기재 상에 적층체가 적층되고, 미리 정해진 폭을 가진 복수의 스트리트를 구비한 웨이퍼의 가공 방법으로서, 상기 적층체의 표면을 보호막으로 피복하는 보호막 피복 단계와, 상기 보호막 피복 단계를 실시한 후, 스트리트의 내측에서 상기 스트리트의 폭 방향의 양단에 레이저 빔을 각각 집광시킨 상태에서 상기 스트리트를 따라 레이저 빔을 조사하여, 상기 스트리트에 2줄의 레이저 가공홈을 형성하는 제1 레이저 가공 단계와, 상기 제1 레이저 가공 단계를 실시한 후, 상기 스트리트를 따라 레이저 빔을 조사함으로써 상기 2줄의 레이저 가공홈 사이의 적층체를 보호막과 함께 제거하여 상기 기재를 노출시키는 제2 레이저 가공 단계와, 상기 제2 레이저 가공 단계를 실시한 후, 상기 스트리트의 상기 기재가 노출된 영역을 절삭 블레이드로 절삭하는 절삭 단계를 포함하고, 상기 보호막 피복 단계를 실시한 후, 상기 제1 레이저 가공 단계를 실시하기 전에, 상기 2줄의 레이저 가공홈이 형성되는 위치보다 상기 스트리트의 내측에서 상기 스트리트의 폭 방향으로 늘어선 2점에 레이저 빔을 집광시킨 상태에서 상기 스트리트를 따라 레이저 빔을 조사하여 상기 2줄의 레이저 가공홈이 형성되는 위치를 포함하는 영역의 적어도 상기 보호막을 제거하는 보호막 제거 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 웨이퍼의 가공 방법에 있어서, 상기 보호막 제거 단계와 상기 제1 레이저 가공 단계에서는 동일한 조건으로 상기 레이저 빔을 조사해도 좋다.
본 발명의 웨이퍼의 가공 방법은, 디바이스에 데브리가 부착되는 것을 억제할 수 있다고 하는 효과를 발휘한다.
도 1은 실시형태 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법의 가공 대상인 웨이퍼의 일례를 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼의 주요부의 단면도이다.
도 3은 실시형태 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법의 흐름을 도시한 플로우차트이다.
도 4는 도 3에 도시된 웨이퍼의 가공 방법에서 이용되는 레이저 가공 장치의 구성예를 도시한 사시도이다.
도 5는 도 3에 도시된 웨이퍼의 가공 방법의 보호막 피복 단계를 도시한 측단면도이다.
도 6은 도 3에 도시된 웨이퍼의 가공 방법의 보호막 제거 단계를 도시한 측단면도이다.
도 7은 도 3에 도시된 웨이퍼의 가공 방법의 보호막 제거 단계의 웨이퍼의 주요부를 도시한 단면도이다.
도 8은 도 3에 도시된 웨이퍼의 가공 방법의 보호막 제거 단계 후의 웨이퍼의 주요부를 도시한 단면도이다.
도 9는 도 3에 도시된 웨이퍼의 가공 방법의 보호막 제거 단계 후의 웨이퍼의 주요부를 도시한 평면도이다.
도 10은 도 3에 도시된 웨이퍼의 가공 방법의 제1 레이저 가공 단계의 웨이퍼의 주요부를 도시한 단면도이다.
도 11은 도 3에 도시된 웨이퍼의 가공 방법의 제1 레이저 가공 단계 후의 웨이퍼의 주요부를 도시한 단면도이다.
도 12는 도 3에 도시된 웨이퍼의 가공 방법의 제1 레이저 가공 단계 후의 웨이퍼의 주요부를 도시한 평면도이다.
도 13은 도 3에 도시된 웨이퍼의 가공 방법의 제2 레이저 가공 단계의 웨이퍼의 주요부를 도시한 단면도이다.
도 14는 도 3에 도시된 웨이퍼의 가공 방법의 절삭 단계의 웨이퍼의 주요부를 도시한 단면도이다.
본 발명을 실시하기 위한 형태(실시형태)에 대해, 도면을 참조하면서 상세히 설명한다. 이하의 실시형태에 기재한 내용에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하에 기재한 구성 요소에는, 당업자가 용이하게 상정할 수 있는 것, 실질적으로 동일한 것이 포함된다. 또한, 이하에 기재한 구성은 적절히 조합하는 것이 가능하다. 또한, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성의 여러 가지 생략, 치환 또는 변경을 행할 수 있다.
〔실시형태 1〕
본 발명의 실시형태 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법을 도면에 기초하여 설명한다. 도 1은 실시형태 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법의 가공 대상인 웨이퍼의 일례를 도시한 사시도이다. 도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼의 주요부의 단면도이다. 도 3은 실시형태 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법의 흐름을 도시한 플로우차트이다.
실시형태 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법은, 도 1에 도시된 웨이퍼(1)의 가공 방법이다. 실시형태 1에서는, 웨이퍼(1)는, 실리콘, 사파이어, 또는 갈륨비소 등을 기재(2)로 하는 원판형의 반도체 웨이퍼나 광디바이스 웨이퍼이다. 웨이퍼(1)는, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 기재(2)를 구비하고, 기재(2) 상에 적층체(3)가 적층되어 있다. 또한, 웨이퍼(1)는, 미리 정해진 폭을 갖고 또한 교차하는 복수의 스트리트(4)와, 교차하는 복수의 스트리트(4)로 구획된 영역에 각각 형성된 디바이스(5)를 구비한다. 실시형태 1에 있어서, 적층체(3)는, 저유전율 절연막(이하, Low-k막이라고 함)을 포함한다. 한편, 본 발명에 있어서, 적층체(3)는, Low-k막만이 아니라, Low-k막에 더하여 배선층을 포함해도 좋다.
디바이스(5)는, IC(Integrated Circuit), 또는 LSI(Large Scale Integration) 등이다. 디바이스(5)는, 금속 등으로 구성된 회로를 형성하는 배선층과, 배선층을 지지하는 Low-k막을 포함한다. Low-k막은, 디바이스(5)를 구성하고, 층간 절연막으로서 이용되는 막이다. 또한, 실시형태 1에서는, 웨이퍼(1)는, 스트리트(4)의 기재(2) 상에 적층체(3)가 적층되어 있다.
또한, 본 발명에서는, 웨이퍼(1)는, 적층체로서, 스트리트(4)에 도시하지 않은 TEG(Test Elements Group) 등의 금속이 부분적으로 형성되어도 좋다. TEG는, 디바이스(5)에 발생하는 설계상이나 제조상의 문제를 찾아내기 위한 평가용의 소자이며, 표면에 금속을 포함하는 전극 패드를 갖고 있다. TEG는, 웨이퍼(1)의 종별 등에 따라, 임의로 배치된다.
실시형태 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법은, 웨이퍼(1)의 각 스트리트(4)의 폭 방향의 양단에 레이저 가공홈(9)을 형성한 후에, 레이저 가공홈(9) 사이를 절삭하여, 웨이퍼(1)를 개개의 디바이스(5)로 분할하는 방법이다. 본 발명에서 말하는 레이저 가공홈(9)은, 적층체(3) 및 기재(2)에 대해 흡수성을 갖는 파장의 레이저 빔(200)이 조사되어 형성되고, 스트리트(4)의 폭 방향의 단부로부터 미리 정해진 거리(400) 떨어진 개소의 적층체(3)와 기재(2)의 일부를 제거한 것이다. 한편, 미리 정해진 거리(400)는, 레이저 가공홈(9) 사이를 절삭할 때의 절삭 여유를 확보하기 위해서 최대한 짧고, 또한 디바이스(5)에 대한 레이저 빔(200)의 열의 영향을 최대한 억제할 수 있는[디바이스(5)의 원하는 성능을 확보할 수 있을 정도] 거리이다. 즉, 레이저 가공홈(9)은, 레이저 빔(200)이 조사되어, 기재(2)의 일부와 적층체(3)가 어블레이션 가공되어 형성되는 것이며, 디바이스(5)의 원하는 성능을 확보할 수 있을 정도로 디바이스(5)에 대한 레이저 빔(200)의 열의 영향을 억제할 수 있는 범위에서, 스트리트(4)의 폭 방향의 단부 쪽에 형성되는 것이다. 한편, 실시형태 1에 있어서, 미리 정해진 거리(400)는, 수 ㎛ 이상이고 또한 10 ㎛ 이하이며, 예컨대, 7 ㎛이다.
웨이퍼의 가공 방법은, 도 3에 도시된 바와 같이, 보호막 피복 단계(ST1)와, 보호막 제거 단계(ST2)와, 제1 레이저 가공 단계(ST3)와, 제2 레이저 가공 단계(ST4)와, 절삭 단계(ST5)를 포함한다. 웨이퍼의 가공 방법은, 보호막 피복 단계(ST1)와, 보호막 제거 단계(ST2)와, 제1 레이저 가공 단계(ST3)와, 제2 레이저 가공 단계(ST4)에 있어서, 도 4에 도시된 레이저 가공 장치(20)를 이용한다. 다음으로, 본 명세서는, 레이저 가공 장치(20)를 설명한다.
(레이저 가공 장치)
도 4는 도 3에 도시된 웨이퍼의 가공 방법에서 이용되는 레이저 가공 장치의 구성예를 도시한 사시도이다. 레이저 가공 장치(20)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 장치 본체(21)와, 척 테이블(30)과, 레이저 빔 조사 유닛(40)과, 촬상 유닛(50)과, X축 이동 유닛(60)과, Y축 이동 유닛(70)과, 보호막 피복 세정 유닛(80)과, 반송 유닛(90)과, 제어 유닛(100)을 주로 구비하고 있다.
척 테이블(30)은, 원반 형상이며, 웨이퍼(1)를 유지하는 유지면(31)이 다공성 세라믹 등으로 형성되어 있다. 또한, 척 테이블(30)은, X축 이동 유닛(60)에 의해 X축 방향으로 이동 가능하고 회전 구동원(32)에 의해 연직 방향을 따른 Z축 방향과 평행한 축심 주위로 회전 가능하게 설치되어 있다. 척 테이블(30)은, 유지면(31)에 웨이퍼(1)의 적층체(3)의 뒤쪽의 이면(12)측이 배치된다. 척 테이블(30)은, 유지면(31)이 도시하지 않은 진공 흡인원과 접속되고, 진공 흡인원에 의해 흡인됨으로써, 웨이퍼(1)의 이면(12)측을 흡인 유지한다.
레이저 빔 조사 유닛(40)은, 척 테이블(30)에 유지된 웨이퍼(1)에 대해 대향하여 배치되어 있다. 레이저 빔 조사 유닛(40)은, 각 스트리트(4)를 따라 웨이퍼(1)에 대해 흡수성을 갖는 레이저 빔(200)을 조사하여, 웨이퍼(1)를 어블레이션 가공하는 것이다. 레이저 빔 조사 유닛(40)은, 장치 본체(21)로부터 세워 설치한 벽부(22)에 연속된 지지 기둥(23)의 선단에 부착되어 있다. 또한, 레이저 빔 조사 유닛(40)은, 렌즈 등으로 구성되고, 또한 레이저 빔(200)의 집광점의 Z축 방향의 위치를 조정 가능한 광학계를 구비한다.
촬상 유닛(50)은, 척 테이블(30)에 유지된 웨이퍼(1)를 촬상하는 것이며, 실시형태 1에서는, 레이저 빔 조사 유닛(40)과 X축 방향으로 병렬하는 위치에 배치되어 있다. 실시형태 1에서는, 촬상 유닛(50)은, 지지 기둥(23)의 선단에 부착되어 있다. 촬상 유닛(50)은, CCD(Charge Coupled Device) 등의 촬상 소자 등을 구비한다. 촬상 유닛(50)은, 촬상 소자가 촬상하여 얻은 화상을 제어 유닛(100)에 출력한다.
X축 이동 유닛(60)은, 척 테이블(30)을 X축 방향으로 이동시키는 것이다. Y축 이동 유닛(70)은, 척 테이블(30)을 Y축 방향으로 이동시키는 것이다. X축 이동 유닛(60), 및 Y축 이동 유닛(70)은, 축심 주위로 회전 가능하게 설치된 주지의 볼 나사(61, 71), 볼 나사(61, 71)를 축심 주위로 회전시키는 주지의 펄스 모터(62, 72) 및 척 테이블(30)을 X축 방향, 또는 Y축 방향으로 이동 가능하게 지지하는 주지의 가이드 레일(63, 73)을 구비한다.
보호막 피복 세정 유닛(80)은, 웨이퍼(1)의 적층체(3)의 표면에 보호막(6)(도 6 등에 도시함)을 피복하고, 웨이퍼(1)의 표면을 세정하여, 보호막(6)을 제거하는 것이다. 보호막 피복 세정 유닛(80)은, 웨이퍼(1)의 이면(12)측을 흡인 유지하여, Z축 방향과 평행한 축심 주위로 회전하는 스피너 테이블(81)과, 스피너 테이블(81)에 유지된 웨이퍼(1)의 적층체(3)의 표면에 수용성의 보호막 용액(7)(도 5에 도시함)을 공급하는 보호막 용액 공급 노즐(82)과, 스피너 테이블(81)에 유지된 웨이퍼(1)의 표면에 순수(純水) 등의 세정액을 공급하는 세정액 공급 노즐(83)을 구비한다.
반송 유닛(90)은, 척 테이블(30)과 보호막 피복 세정 유닛(80)의 스피너 테이블(81) 사이에서 웨이퍼(1)를 반송하는 것이다. 반송 유닛(90)은, 장치 본체(21)의 벽부(22)에 고정되고 또한 X축 방향과 평행한 볼 나사(91)와, 볼 나사(91)와 평행하게 배치된 가이드 레일(92)과, 볼 나사(91)의 일단에 연결되어 볼 나사(91)를 회동시키는 펄스 모터(93)와, 일단부가 가이드 레일(92)에 미끄럼 접촉하고 볼 나사(91)에 나사 결합되는 너트(도시하지 않음)를 내부에 구비한 슬라이드판(94)을 구비한다. 반송 유닛(90)은, 볼 나사(91)의 회동에 따라 슬라이드판(94)이 가이드 레일(92)에 가이드되어 X축 방향으로 이동한다. 슬라이드판(94)의 하단부에는, 웨이퍼(1)를 흡착하여 유지하는 유지부(95)가 승강 가능하게 설치되어 있다.
제어 유닛(100)은, 레이저 가공 장치(20)의 전술한 구성 요소를 각각 제어하여, 웨이퍼(1)에 대한 가공 동작을 레이저 가공 장치(20)에 실시시키는 것이다. 한편, 제어 유닛(100)은, 컴퓨터이다. 제어 유닛(100)은, CPU(central processing unit)와 같은 마이크로 프로세서를 갖는 연산 처리 장치와, ROM(read only memory) 또는 RAM(random access memory)과 같은 메모리를 갖는 기억 장치와, 입출력 인터페이스 장치를 갖는다.
제어 유닛(100)의 연산 처리 장치는, 기억 장치에 기억되어 있는 컴퓨터 프로그램에 따라 연산 처리를 실시하여, 레이저 가공 장치(20)를 제어하기 위한 제어 신호를, 입출력 인터페이스 장치를 통해 레이저 가공 장치(20)의 전술한 구성 요소에 출력한다. 또한, 제어 유닛(100)은, 가공 동작의 상태나 화상 등을 표시하는 표시 유닛 및 오퍼레이터가 가공 내용 정보 등을 등록할 때에 이용하는 입력 유닛이 접속되어 있다. 입력 유닛은, 표시 유닛에 설치된 터치 패널과, 키보드 등의 외부 입력 장치 중 적어도 하나에 의해 구성된다.
본 명세서는, 다음으로, 실시형태 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법의 각 단계를 설명한다. 실시형태 1에 있어서, 보호막 피복 단계(ST1), 보호막 제거 단계(ST2), 제1 레이저 가공 단계(ST3), 제2 레이저 가공 단계(ST4)는, 제어 유닛(100)이 오퍼레이터로부터의 가공 내용 정보를 접수하여, 보호막 피복 세정 유닛(80)의 스피너 테이블(81)에 웨이퍼(1)가 배치되고, 오퍼레이터로부터의 가공 동작 개시 지시를 접수하면, 레이저 가공 장치(20)에 의해 순서대로 실시된다.
(보호막 피복 단계)
도 5는 도 3에 도시된 웨이퍼의 가공 방법의 보호막 피복 단계를 도시한 측단면도이다. 보호막 피복 단계(ST1)는, 웨이퍼(1)의 적층체(3)의 표면을 보호막(6)으로 피복하는 단계이다.
실시형태 1에 있어서, 보호막 피복 단계(ST1)에서는, 도 5에 도시된 바와 같이, 레이저 가공 장치(20)는, 웨이퍼(1)의 이면(12)측을 보호막 피복 세정 유닛(80)의 스피너 테이블(81)에 흡인 유지한다. 한편, 실시형태 1에서는, 웨이퍼(1)는, 기재(2)의 이면(12)에 외주 가장자리가 환형 프레임(11)에 접착된 점착 테이프(10)가 접착되어, 환형 프레임(11)에 의해 지지되어 있다. 이 때문에, 보호막 피복 단계(ST1)에서는, 레이저 가공 장치(20)는, 점착 테이프(10)를 통해 스피너 테이블(81)에 웨이퍼(1)를 흡인 유지하고, 스피너 테이블(81) 주위의 클램프부(84)로 환형 프레임(11)을 클램프한다.
보호막 피복 단계(ST1)에서는, 레이저 가공 장치(20)는, 스피너 테이블(81)을 축심 주위로 회전시키면서, 웨이퍼(1)의 표면에 보호막 용액 공급 노즐(82)로부터 수용성의 보호막 용액(7)을 도포한다. 수용성의 보호막 용액(7)은, 폴리비닐알코올(polyvinyl alcohol: PVA) 또는 폴리비닐피롤리돈(polyvinyl pyrrolidone: PVP) 등의 수용성의 액상 수지를 포함하고, 바람직하게는 레이저 빔의 흡수 효율을 향상시키기 위한 이산화티탄 등을 포함하는 금속 산화물의 미립자를 포함한다.
보호막 피복 단계(ST1)에서는, 웨이퍼(1)의 적층체(3)의 표면에 수용성의 보호막 용액(7)을 도포한 후, 보호막 용액(7)을 건조나 가열하여 경화시켜, 도 6에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(1)의 적층체(3)의 표면 전체에 보호막 용액(7)이 경화되어 구성된 보호막(6)을 피복한다. 웨이퍼의 가공 방법은, 웨이퍼(1)의 표면 전체에 보호막(6)을 피복하면, 스피너 테이블(81)의 웨이퍼(1)의 흡인 유지 및 클램프부(84)의 환형 프레임(11)의 클램프를 해제하여, 반송 유닛(90)으로 웨이퍼(1)를 스피너 테이블(81)로부터 척 테이블(30)에 반송하고, 보호막 제거 단계(ST2)로 진행한다.
(보호막 제거 단계)
도 6은 도 3에 도시된 웨이퍼의 가공 방법의 보호막 제거 단계를 도시한 측단면도이다. 도 7은 도 3에 도시된 웨이퍼의 가공 방법의 보호막 제거 단계의 웨이퍼의 주요부를 도시한 단면도이다. 도 8은 도 3에 도시된 웨이퍼의 가공 방법의 보호막 제거 단계 후의 웨이퍼의 주요부를 도시한 단면도이다. 도 9는 도 3에 도시된 웨이퍼의 가공 방법의 보호막 제거 단계 후의 웨이퍼의 주요부를 도시한 평면도이다.
보호막 제거 단계(ST2)는, 보호막 피복 단계(ST1)를 실시한 후, 제1 레이저 가공 단계(ST3)를 실시하기 전에, 각 스트리트(4)의 폭 방향의 양단부의 적어도 보호막(6)을 제거하는 단계이다. 보호막 제거 단계(ST2)에서는, 레이저 가공 장치(20)는, 보호막(6)에 의해 표면이 피복된 웨이퍼(1)의 이면(12)측을 점착 테이프(10)를 통해 척 테이블(30)에 흡인 유지하고, 클램프부(33)로 환형 프레임(11)을 클램프한다. 보호막 제거 단계(ST2)에서는, 레이저 가공 장치(20)는, 촬상 유닛(50)으로 척 테이블(30)에 유지된 웨이퍼(1)를 촬상하여, 웨이퍼(1)와 레이저 빔 조사 유닛(40)의 위치 맞춤을 행하는 얼라인먼트를 수행한다.
보호막 제거 단계(ST2)에서는, 레이저 가공 장치(20)는, X축 이동 유닛(60), Y축 이동 유닛(70) 및 회전 구동원(32)에 각 스트리트(4)의 폭 방향의 단부와 레이저 빔 조사 유닛(40)을 스트리트(4)를 따라 상대적으로 이동시키면서, 도 6에 도시된 바와 같이, 레이저 빔 조사 유닛(40)으로부터 보호막(6) 및 웨이퍼(1)에 대해 흡수성을 갖는 파장의 레이저 빔(200)을 각 스트리트(4)의 폭 방향의 단부에 조사한다.
보호막 제거 단계(ST2)에서는, 레이저 가공 장치(20)는, 도 7에 도시된 바와 같이, 레이저 빔(200)의 집광점(201)을 보호막(6)의 내부에 설정하고, 모든 스트리트(4)의 폭 방향의 양단부에 레이저 빔(200)을 순서대로 조사하여, 모든 스트리트(4)의 폭 방향의 양단부에 어블레이션 가공을 실시한다. 보호막 제거 단계(ST2)에서는, 레이저 가공 장치(20)는, 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 스트리트(4)의 폭 방향의 양단부의 적어도 보호막(6)을 제거하여, 모든 스트리트(4)의 양단부의 적층체(3)를 노출시키는 적층체 노출홈(8)을 형성한다. 즉, 보호막 제거 단계(ST2)에서는, 레이저 가공 장치(20)가, 각 스트리트(4)에 2줄의 적층체 노출홈(8)을 형성한다. 한편, 실시형태 1에서는, 보호막 제거 단계(ST2)에서는, 레이저 가공 장치(20)가, 각 스트리트(4)에 보호막(6), 적층체(3) 및 기재(2)의 일부를 제거하여, 적층체 노출홈(8)을 형성하고 있다. 그러나, 본 발명에서는, 적층체 노출홈(8)은, 보호막(6)이 레이저 빔(200)에 대해 충분히 흡수성을 갖는 경우에는 보호막(6)만 제거하여 형성되어도 좋고, 보호막(6)이 레이저 빔(200)에 대해 흡수성이 그다지 없고, 적층체(3)가 흡수성이 있는 경우에는, 적층체(3)에 레이저 빔(200)을 조사하여 적층체(3)를 어블레이션함으로써 보호막(6)도 제거하여 형성되어도 좋다. 적층체 노출홈(8)은, 보호막(6)도 적층체(3)도 흡수성이 없는 경우에는, 기재(2)에 레이저 빔(200)을 조사하여 기재(2)를 어블레이션함으로써 기재(2)의 일부와 적층체(3)와 보호막(6)을 제거하여 형성된다. 또한, 보호막 제거 단계(ST2)에 있어서, 레이저 가공 장치(20)가 레이저 빔(200)을 조사하는 위치는, 스트리트(4)의 양단부로부터 미리 정해진 거리(400)보다 떨어진 위치이며, 레이저 빔(200)의 조사에 의해 보호막(6)이 박리되어도, 보호막(6)이 박리되는 개소가 스트리트(4)의 외측, 즉 디바이스(5)에 도달하지 않는 위치이다.
한편, 도 8 및 도 9에서는, 보호막 제거 단계(ST2)에 있어서, 스트리트(4)의 폭 방향의 양단부의 보호막(6)에 더하여, 적층체(3) 및 기재(2)의 일부를 제거하고 있다. 요컨대, 보호막 제거 단계(ST2)에 있어서, 본 발명은 스트리트(4)의 폭 방향의 양단부의 보호막(6)을 제거할 수 있고, 스트리트(4)의 외측에서 보호막(6)이 박리되지 않는 것이면, 보호막(6)만을 제거해도 좋고, 보호막(6)과 적층체(3)의 일부를 제거해도 좋으며, 보호막(6)과 적층체(3)와 기재(2)의 일부를 제거해도 좋다. 또한, 보호막 제거 단계(ST2)에 있어서, 레이저 가공 장치(20)가 적층체 노출홈(8)을 형성하는 위치는, 스트리트(4)의 양단부로부터 미리 정해진 거리(400)보다 떨어진 위치이다.
한편, 실시형태 1에 있어서, 보호막 제거 단계(ST2)의 가공 조건인 레이저 빔(200)의 파장은, 355 ㎚이고, 레이저 빔(200)의 출력은, 1 W이며, 레이저 빔(200)의 반복 주파수는, 200 ㎑이고, 레이저 빔(200)의 집광점(201)의 스폿 직경은, 10 ㎛ 정도이며, 레이저 빔 조사 유닛(40)과 웨이퍼(1)의 상대적인 이동 속도는, 400 ㎜/sec이다. 이와 같이, 실시형태 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법의 보호막 제거 단계(ST2)의 가공 조건은, 각 스트리트(4)의 폭 방향의 양단부의 보호막(6)과 적층체(3)를 제거하여 기재(2)를 노출시키는 종래의 가공 방법에 있어서, 레이저 가공홈(9)을 형성하는 가공 조건보다 레이저 빔의 출력이 약하다. 웨이퍼의 가공 방법은, 모든 스트리트(4)에 2줄의 적층체 노출홈(8)을 형성하면, 제1 레이저 가공 단계(ST3)로 진행한다. 한편, 도 9는 좌우 방향과 평행한 스트리트(4)에 형성된 적층체 노출홈(8)을 도시하며, 상하 방향과 평행한 스트리트(4)에 형성된 적층체 노출홈(8)을 생략하고 있다.
(제1 레이저 가공 단계)
도 10은 도 3에 도시된 웨이퍼의 가공 방법의 제1 레이저 가공 단계의 웨이퍼의 주요부를 도시한 단면도이다. 도 11은 도 3에 도시된 웨이퍼의 가공 방법의 제1 레이저 가공 단계 후의 웨이퍼의 주요부를 도시한 단면도이다. 도 12는 도 3에 도시된 웨이퍼의 가공 방법의 제1 레이저 가공 단계 후의 웨이퍼의 주요부를 도시한 평면도이다.
제1 레이저 가공 단계(ST3)는, 보호막 피복 단계(ST1) 및 보호막 제거 단계(ST2)를 실시한 후, 스트리트(4)의 내측에서 스트리트(4)의 폭 방향의 양단부에 레이저 빔(200)을 각각 집광시킨 상태에서 스트리트(4)를 따라 레이저 빔(200)을 조사하여, 스트리트(4)에 2줄의 레이저 가공홈(9)을 형성하는 단계이다. 제1 레이저 가공 단계(ST3)에서는, 레이저 가공 장치(20)는, X축 이동 유닛(60), Y축 이동 유닛(70) 및 회전 구동원(32)에 각 스트리트(4)의 폭 방향의 단부와 레이저 빔 조사 유닛(40)을 스트리트(4)를 따라 상대적으로 이동시키면서 레이저 빔 조사 유닛(40)으로부터 보호막(6) 및 웨이퍼(1)에 대해 흡수성을 갖는 파장의 레이저 빔(200)을 각 스트리트(4)의 폭 방향의 단부에 조사한다.
제1 레이저 가공 단계(ST3)에서는, 레이저 가공 장치(20)는, 도 10에 도시된 바와 같이, 레이저 빔(200)의 집광점(201)을 적층체(3)의 상면에 설정하고, 레이저 빔(200)을 적층체 노출홈(8) 내이며 또한 보호막 제거 단계(ST2)보다 폭 방향의 단부 쪽의 위치에 조사한다. 제1 레이저 가공 단계(ST3)에서는, 레이저 가공 장치(20)는, 모든 스트리트(4)의 폭 방향의 양단부의 적층체 노출홈(8) 내에서 노출되는 적층체(3)에 어블레이션 가공을 실시한다. 제1 레이저 가공 단계(ST3)에서는, 레이저 가공 장치(20)는, 도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이, 스트리트(4)의 폭 방향의 양단부의 적층체 노출홈(8) 내에서 노출되는 적어도 적층체(3)를 제거하여, 모든 스트리트(4)의 양단부의 적층체 노출홈(8) 내에 기재(2)를 노출시키는 레이저 가공홈(9)을 형성한다. 즉, 제1 레이저 가공 단계(ST3)에서는, 레이저 가공 장치(20)가, 각 스트리트(4)에 2줄의 레이저 가공홈(9)을 형성한다.
한편, 도 11 및 도 12에서는, 제1 레이저 가공 단계(ST3)에 있어서, 스트리트(4)의 폭 방향의 양단부의 적층체 노출홈(8) 내의 적층체(3)와 기재(2)의 일부를 제거한 예를 도시하고 있으나, 본 발명은 스트리트(4)의 폭 방향의 양단부의 적층체 노출홈(8) 내의 적층체(3)만을 제거해도 좋다. 요컨대, 제1 레이저 가공 단계(ST3)에 있어서, 본 발명은 스트리트(4)의 폭 방향의 양단부의 적층체 노출홈(8) 내의 적층체(3)를 제거할 수 있는 것이면, 적층체(3)만을 제거해도 좋고, 적층체(3)와 기재(2)의 일부를 제거해도 좋다. 또한, 실시형태 1에서는, 도 11 및 도 12는 보호막(6)이 적층체(3)보다 박리되기 쉽기 때문에, 적층체 노출홈(8)의 폭을 레이저 가공홈(9)의 폭보다 넓게 도시하고 있다.
또한, 제1 레이저 가공 단계(ST3)에 있어서, 레이저 가공 장치(20)가 레이저 빔(200)을 적층체 노출홈(8) 내이며 또한 보호막 제거 단계(ST2)보다 폭 방향의 단부 쪽이고 스트리트(4)의 양단부로부터 미리 정해진 거리(400)보다 떨어진 위치에 조사한다. 이에 의해, 보호막 제거 단계(ST2)는, 2줄의 레이저 가공홈(9)이 형성되는 위치보다 스트리트(4)의 폭 방향의 내측에서 스트리트(4)의 폭 방향으로 늘어선 2점에 레이저 빔(200)을 집광시킨 상태에서 스트리트(4)를 따라 레이저 빔(200)을 조사하게 된다. 또한, 보호막 제거 단계(ST2)는, 2줄의 레이저 가공홈(9)이 형성되는 위치를 포함하는 영역의 적어도 보호막(6)을 제거하게 된다. 또한, 실시형태 1에서는, 제1 레이저 가공 단계(ST3)에 있어서, 레이저 가공 장치(20)는, 스트리트(4)의 양단부로부터 미리 정해진 거리(400) 떨어진 위치에 레이저 가공홈(9)을 형성하고 있다.
또한, 실시형태 1에 있어서, 제1 레이저 가공 단계(ST3)의 가공 조건인 레이저 빔(200)의 파장은, 355 ㎚이고, 레이저 빔(200)의 출력은, 1.3 W이며, 레이저 빔(200)의 반복 주파수는, 200 ㎑이고, 레이저 빔(200)의 집광점(201)의 스폿 직경은, 10 ㎛ 정도이며, 레이저 빔 조사 유닛(40)과 웨이퍼(1)의 상대적인 이동 속도는, 400 ㎜/sec이다. 이와 같이, 실시형태 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법의 보호막 제거 단계(ST2)와 제1 레이저 가공 단계(ST3)에서는, 같은 정도의 조건으로, 레이저 빔(200)을 조사한다. 웨이퍼의 가공 방법은, 모든 스트리트(4)에 2줄의 레이저 가공홈(9)을 형성하면, 제2 레이저 가공 단계(ST4)로 진행한다.
(제2 레이저 가공 단계)
도 13은 도 3에 도시된 웨이퍼의 가공 방법의 제2 레이저 가공 단계의 웨이퍼의 주요부를 도시한 단면도이다. 제2 레이저 가공 단계(ST4)는, 제1 레이저 가공 단계(ST3)를 실시한 후, 스트리트(4)를 따라, 레이저 빔(210)을 조사함으로써, 2줄의 레이저 가공홈(9) 사이의 적층체(3)를 보호막(6)과 함께 제거하여 2줄의 레이저 가공홈(9) 사이의 기재(2)를 노출시키는 단계이다.
제2 레이저 가공 단계(ST4)에서는, 레이저 가공 장치(20)는, X축 이동 유닛(60), Y축 이동 유닛(70) 및 회전 구동원(32)에 각 스트리트(4)의 폭 방향의 중앙과 레이저 빔 조사 유닛(40)을 스트리트(4)를 따라 상대적으로 이동시키면서 레이저 빔 조사 유닛(40)으로부터 보호막(6) 및 웨이퍼(1)에 대해 흡수성을 갖는 파장의 레이저 빔(210)을 각 스트리트(4)의 폭 방향의 중앙에 조사한다.
제2 레이저 가공 단계(ST4)에서는, 레이저 가공 장치(20)는, 도 13에 도시된 바와 같이, 레이저 빔(210)의 적층체(3) 상에서의 폭(211)을 2줄의 레이저 가공홈(9)의 내연끼리의 거리(9-1)보다 크고 또한 2줄의 레이저 가공홈(9)의 외연끼리의 거리(9-2)보다 작게 성형하여, 레이저 빔(210)을 스트리트(4)의 폭 방향의 중앙에 조사한다. 제2 레이저 가공 단계(ST4)에서는, 레이저 가공 장치(20)는, 레이저 빔(210)을 스트리트(4)의 폭 방향의 중앙에 조사함으로써, 스트리트(4)의 2줄의 레이저 가공홈(9) 사이의 보호막(6), 적층체(3) 및 기재(2)에 어블레이션 가공을 실시한다. 제2 레이저 가공 단계(ST4)에서는, 레이저 가공 장치(20)는, 스트리트(4)의 폭 방향의 중앙의 2줄의 레이저 가공홈(9) 사이의 보호막(6), 적층체(3) 및 기재(2)의 일부를 제거한다.
한편, 제2 레이저 가공 단계(ST4)에서는, 레이저 가공 장치(20)는, 마스크로 스트리트(4)의 폭 방향으로 신장하여 폭(211)을 갖는 레이저 빔(210)으로 성형하여 조사하지만, 본 발명에서는, 제거하고 싶은 폭보다 성형된 레이저 빔(210)의 스트리트(4)의 폭 방향의 길이가 짧은 경우에는, 반드시 1번만이 아니라, 레이저 빔(210)을 폭 방향으로 이동시키면서 복수 회 가공해도 좋고, 통상의 레이저 빔(200)으로 복수 라인[통상의 가공을 스트리트(4)의 폭 방향에서 복수 회 반복함] 조사하여 가공해도 좋으며, 레이저 빔(200)을 분기하여 복수 점에 집광시켜 가공해도 좋다.
한편, 실시형태 1에서는, 제2 레이저 가공 단계(ST4)에 있어서, 스트리트(4)의 폭 방향의 중앙의 2줄의 레이저 가공홈(9) 사이의 보호막(6) 및 적층체(3)만을 제거하고 있으나, 본 발명은 스트리트(4)의 폭 방향의 중앙의 2줄의 레이저 가공홈(9) 사이의 기재(2)의 일부를 제거해도 좋다. 요컨대, 제2 레이저 가공 단계(ST4)에 있어서, 본 발명은 스트리트(4)의 폭 방향의 중앙의 2줄의 레이저 가공홈(9) 사이의 보호막(6) 및 적층체(3)를 제거할 수 있는 것이면, 보호막(6) 및 적층체(3)만을 제거해도 좋고, 보호막(6) 및 적층체(3)에 더하여 기재(2)의 일부를 제거해도 좋다.
또한, 실시형태 1에 있어서, 제2 레이저 가공 단계(ST4)의 가공 조건인 레이저 빔(210)의 파장은, 355 ㎚이고, 레이저 빔(210)의 출력은, 3 W∼5 W이며, 레이저 빔(210)의 반복 주파수는, 40 ㎑이고, 집광 스폿의 사이즈는, 스트리트(4)의 폭 방향의 길이가 211 ㎛이며, 스트리트(4)의 신장 방향의 길이가 약 10 ㎛ 정도이고, 레이저 빔 조사 유닛(40)과 웨이퍼(1)의 상대적인 이동 속도는, 600 ㎜/sec이다. 이와 같이, 실시형태 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법의 제2 레이저 가공 단계(ST4)의 가공 조건은, 보호막 제거 단계(ST2) 및 제1 레이저 가공 단계(ST3)의 가공 조건보다 레이저 빔(210)의 출력이 강하다. 제2 레이저 가공 단계(ST4)에 있어서, 레이저 가공 장치(20)는, 모든 스트리트(4)의 2줄의 레이저 가공홈(9) 사이의 보호막(6) 및 적층체(3)를 제거하면, 웨이퍼(1)를 보호막 피복 세정 유닛(80)에 의해 세정하여, 보호막(6)을 제거하고, 절삭 단계(ST5)로 진행한다.
(절삭 단계)
도 14는 도 3에 도시된 웨이퍼의 가공 방법의 절삭 단계의 웨이퍼의 주요부를 도시한 단면도이다. 절삭 단계(ST5)는, 제2 레이저 가공 단계(ST4)를 실시한 후, 스트리트(4)의 기재(2)가 노출된 영역(4-1)을 절삭 블레이드(300)로 절삭하는 단계이다.
실시형태 1에 있어서, 절삭 단계(ST5)에서는, 절삭 장치(301)가, 도 14에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(1)의 이면(12)측을 점착 테이프(10)를 통해 척 테이블에 흡인 유지하고, 클램프부로 환형 프레임(11)을 클램프한다. 절삭 단계(ST5)에서는, 절삭 장치(301)가 촬상 유닛으로 척 테이블에 유지된 웨이퍼(1)를 촬상하여, 웨이퍼(1)와 절삭 블레이드(300)의 위치 맞춤을 행하는 얼라인먼트를 수행한다. 한편, 실시형태 1에 있어서, 절삭 블레이드(300)의 두께(300-1)는, 각 스트리트(4)의 기재(2)가 노출된 영역(4-1)의 폭(4-2)보다 얇다.
절삭 단계(ST5)에서는, 절삭 장치(301)가, 각 스트리트(4)를 따라 웨이퍼(1)와 절삭 블레이드(300)를 상대적으로 이동시키면서 절삭 블레이드(300)를 점착 테이프(10)에 도달할 때까지 웨이퍼(1)에 절입시켜, 웨이퍼(1)를 각 디바이스(5)로 분할한다. 웨이퍼의 가공 방법은, 모든 스트리트(4)에 절삭 블레이드(300)를 절입시키면, 종료된다. 한편, 개개의 디바이스(5)로 분할된 웨이퍼(1)는, 세정 유닛 등에 의해 세정되어, 절삭 부스러기가 제거된 후, 개개의 디바이스(5)가 점착 테이프(10)로부터 픽업된다. 한편, 실시형태 1에서는, 제2 레이저 가공 단계(ST4)에 있어서, 레이저 가공 장치(20)가 웨이퍼(1)를 보호막 피복 세정 유닛(80)에 의해 세정하여 보호막(6)을 제거하고 있으나, 본 발명은 제2 레이저 가공 단계(ST4)에 있어서 레이저 가공 장치(20)가 웨이퍼(1)를 보호막 피복 세정 유닛(80)에 의해 세정하지 않고, 절삭 단계(ST5) 후에, 웨이퍼(1)를 세정 유닛 등에 의해 세정하여, 보호막(6)을 제거해도 좋다.
실시형태 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법은, 제1 레이저 가공 단계(ST3)에 있어서 2줄의 레이저 가공홈을 형성하기 전에, 미리 보호막 제거 단계(ST2)에 있어서 스트리트(4)에 레이저 빔(200)을 조사하여, 보호막(6)을 제거한 2줄의 적층체 노출홈(8)을 스트리트(4)의 폭 방향의 양단부에 형성한다. 실시형태 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법은, 제1 레이저 가공 단계(ST3)에 있어서, 적층체 노출홈(8)에 레이저 빔(200)을 조사하여 적층체(3)를 제거하여, 레이저 가공홈(9)을 형성한다. 즉, 실시형태 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법은, 모든 스트리트(4)에 대해, 반드시, 단부로부터 미리 정해진 거리(400)보다 떨어진 적층체 노출홈(8)을 스트리트(4)의 폭 방향의 양단부에 형성하고, 그 후에, 적층체 노출홈(8)보다 단부 쪽에 레이저 가공홈(9)을 형성한다. 이 때문에, 실시형태 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법은, 제1 레이저 가공 단계(ST3)에 있어서, 레이저 빔(200)을 보호막(6)에 조사하지 않기 때문에, 보호막(6)의 박리가 발생하지 않는다. 즉, 실시형태 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법은, 스트리트(4)의 폭을 넘어 보호막(6)이 박리되는 것을 억제한다.
그 후, 실시형태 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법은, 제2 레이저 가공 단계(ST4)에 있어서, 적층체(3)를 제거한 2줄의 레이저 가공홈(9) 사이에 레이저 빔(200)을 조사한다. 실시형태 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법은, 제2 레이저 가공 단계(ST4) 시에 발생한 데브리가, 스트리트(4) 밖으로도 비산하지만, 스트리트(4) 밖에는 보호막(6)이 피복되어 있기 때문에, 디바이스(5)의 상면에 고착되는 일이 없다. 그 결과, 웨이퍼의 가공 방법은, 기재(2)에 적층체(3)가 적층되고, 레이저 가공 전에 보호막(6)이 피복되는 웨이퍼(1)여도, 디바이스(5)에 데브리가 부착되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 실시형태 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법은, 보호막 제거 단계(ST2)의 가공 조건이, 처음에 레이저 가공홈(9)을 형성하는 종래의 가공 방법의 가공 조건보다 레이저 빔(200)의 출력이 약하기 때문에, 보호막 제거 단계(ST2) 후의 보호막(6)의 박리를 억제할 수 있다. 또한, 실시형태 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법은, 보호막 제거 단계(ST2)에 있어서, 제1 레이저 가공 단계(ST3)보다 스트리트(4)의 폭 방향의 내측에 레이저 빔(200)을 조사하기 때문에, 만일 보호막 제거 단계(ST2)에 있어서 보호막(6)이 박리되어도, 보호막(6)이 박리된 개소가 스트리트(4)의 외측, 즉 디바이스(5)에 도달하는 것을 억제할 수 있다.
한편, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니다. 즉, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지로 변형하여 실시할 수 있다. 실시형태 1은, 모든 스트리트(4)에 대해, 반드시, 단부로부터 미리 정해진 거리(400)보다 떨어진 적층체 노출홈(8)을 스트리트(4)의 폭 방향의 양단부에 형성하고, 그 후에, 적층체 노출홈(8)보다 단부 쪽에 레이저 가공홈(9)을 형성하고 있다. 그러나, 본 발명은 적어도 하나의 스트리트(4)에 대해, 단부로부터 미리 정해진 거리(400)보다 떨어진 적층체 노출홈(8)을 스트리트(4)의 폭 방향의 양단부에 형성하고, 그 후에, 적층체 노출홈(8)보다 단부 쪽에 레이저 가공홈(9)을 형성해도 좋다. 또한, 전술한 실시형태 1에서는, 보호막 제거 단계(ST2)에서 레이저 빔(200)을 조사하는 조건과, 제1 레이저 가공 단계(ST3)에서 레이저 빔(200)을 조사하는 조건이 상이하지만, 본 발명은 보호막 제거 단계(ST2)와 제1 레이저 가공 단계(ST3)에서는 동일한 조건으로 레이저 빔(200)을 조사해도 좋다.
1: 웨이퍼 2: 기재
3: 적층체 4: 스트리트
4-1: 영역 5: 디바이스
6: 보호막 9: 레이저 가공홈
200: 레이저 빔 210: 레이저 빔
300: 절삭 블레이드 ST1: 보호막 피복 단계
ST2: 보호막 제거 단계 ST3: 제1 레이저 가공 단계
ST4: 제2 레이저 가공 단계 ST5: 절삭 단계

Claims (2)

  1. 기재(基材) 상에 적층체가 적층되고, 미리 정해진 폭을 가진 복수의 스트리트를 구비한 웨이퍼의 가공 방법에 있어서,
    상기 적층체의 표면을 보호막으로 피복하는 보호막 피복 단계와,
    상기 보호막 피복 단계를 실시한 후, 스트리트의 내측에서 상기 스트리트의 폭 방향의 양단에 레이저 빔을 각각 집광시킨 상태에서 상기 스트리트를 따라 레이저 빔을 조사하여, 상기 스트리트에 2줄의 레이저 가공홈을 형성하는 제1 레이저 가공 단계와,
    상기 제1 레이저 가공 단계를 실시한 후, 상기 스트리트를 따라 레이저 빔을 조사함으로써 상기 2줄의 레이저 가공홈 사이의 적층체를 보호막과 함께 제거하여 상기 기재를 노출시키는 제2 레이저 가공 단계와,
    상기 제2 레이저 가공 단계를 실시한 후, 상기 스트리트의 상기 기재가 노출된 영역을 절삭 블레이드로 절삭하는 절삭 단계를 포함하고,
    상기 보호막 피복 단계를 실시한 후, 상기 제1 레이저 가공 단계를 실시하기 전에, 상기 2줄의 레이저 가공홈이 형성되는 위치보다 상기 스트리트의 내측에서 상기 스트리트의 폭 방향으로 늘어선 2점에 레이저 빔을 집광시킨 상태에서 상기 스트리트를 따라 레이저 빔을 조사하여 상기 2줄의 레이저 가공홈이 형성되는 위치를 포함하는 영역의 적어도 상기 보호막을 제거하는 보호막 제거 단계를 포함하는, 웨이퍼의 가공 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 보호막 제거 단계와 상기 제1 레이저 가공 단계에서는 동일한 조건으로 상기 레이저 빔을 조사하는, 웨이퍼의 가공 방법.
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