JP2013026440A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体ウエハのダイシングにおける溶融異物を低減する。
【解決手段】半導体ウエハ７の表面７ｂに第１保護膜を形成し、その後、スクライブ領域７ｆ内においてチップ領域７ｄ，７ｅに沿って第１レーザ光および第２レーザ光をそれぞれ走査することで溝７ｓ，７ｔをそれぞれ形成し、その後、溝７ｓ，７ｔのそれぞれに保護膜７ｕを配置し、第１レーザ光および第２レーザ光によって形成された溝７ｓ，７ｔを保護膜７ｕで覆った状態で、溝７ｓ，７ｔの間の領域にレーザ光１８を走査することにより、スクライブ領域７ｆの一部を除去する。
【選択図】図８

Description

本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、レーザを用いたウエハダイシングに適用して有効な技術に関する。

ウエーハの加工面にレーザー光線を吸収する樹脂被膜を被覆する樹脂被膜被覆工程と、該樹脂被膜を通してウエーハの加工面にレーザー光線を照射するレーザー光線照射工程と、該レーザー光線照射工程終了後に該樹脂被膜を除去する樹脂被膜除去工程とを含むレーザー加工技術が、例えば特開２００５−１５０５２３号公報（特許文献１）に開示されている。

特開２００５−１５０５２３号公報

薄型の半導体ウエハ、あるいは低誘電率膜を有する半導体ウエハのダイシング方法として、例えばレーザを用いたダイシング方法（レーザのみ使用した方法、あるいはレーザとダイシングブレードを併用した方法など）が有効とされている。

そこで、本願発明者は、レーザにより半導体ウエハを切断（溶断）することを検討したところ、以下の問題を発見した。

すなわち、半導体ウエハを切断するために照射するレーザの照射条件（出力、照射幅など）は、半導体ウエハの表面（あるいは内部）に改質領域（改質層）を形成する場合に比べて厳しい（高い）ため、レーザが照射された箇所の周囲にクラックが発生し易いことがわかった。

そこで、本願発明者は、ダイシング領域内においてレーザが照射される部分からチップ領域に向かってクラックが進展するのを抑制するために、図３６、図３７に示すように、事前に、シールリング５５間のダイシング領域５０内において、かつダイシング領域５０に沿って複数回（例えば、２回）、レーザ５１を照射することにより改質領域５３を形成しておくことを検討した。なお、このときのレーザ５１の照射条件は上記の照射条件に比べて低いものであるため、このレーザ照射工程によりクラックは発生し難い。

上記のように、実際に切断する箇所の両脇にクラック進展防止用の改質領域５３をダイシング領域５０に沿って２箇所（２本）形成しておくことで、クラックが発生したとしても、個片化（取得）される半導体チップを保護することができる。

しかし、上記のような製造工程を採用することで、新たに、以下の課題を本願発明者は見い出した。

まず、レーザを用いるダイシング方法では、レーザが照射された部分からデブリ（溶融異物）が発生し、その周囲に飛散するため、レーザを照射する前に、予め半導体ウエハの表面に保護膜を形成しておき、レーザ照射完了後に、デブリが付着した保護膜を除去することが検討されている（前記特許文献１参照）。

しかし、本願発明者が検討したように、複数回（例えば、２回）、レーザ照射工程を行う場合、最初のレーザ照射工程により形成される改質領域（溝）５３は、保護膜５４から露出した状態となる。そのため、図３８、図３９に示すように、次のレーザ照射工程により発生したデブリ５６が、先のレーザ照射工程により形成された改質領域（デブリ５２が堆積した領域）５３内に堆積（付着）することがわかった。

保護膜５４の表面に付着したデブリ５６については、この保護膜５４の除去工程により一緒に除去することができるものの、保護膜５４で覆われていない部分（特に、溝内）に付着したデブリ５６については、除去することが困難である。

なお、個片化（取得）される半導体チップにデブリ５６が残存していると、後の工程において半導体チップに衝撃が加わった際、この付着していたデブリ５６が改めて飛散し、例えば半導体チップの表面に形成された電極パッドに付着する恐れがあるため、できるだけデブリ５６を除去しておくことが必要である。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体ウエハのダイシングにおける溶融異物を低減することができる技術を提供することにある。

また、本発明の他の目的は、半導体装置の信頼性を向上させることができる技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。

代表的な実施の形態による半導体装置の製造方法は、半導体ウエハの表面に第１保護膜を形成する工程、半導体ウエハの主面の切断領域内に第１および第２チップ領域に沿って第１および第２レーザ光をそれぞれ走査して第１および第２凹部をそれぞれ形成する工程、前記第１および第２凹部のそれぞれに第２保護膜を配置し、平面視において前記第１および第２凹部の間の領域に第３レーザ光を走査することにより、前記切断領域の一部を除去する工程、前記第１および第２保護膜を除去する工程を含み、前記第３レーザ光の出力は、前記第１および第２レーザ光の出力よりも高い。

また、代表的な他の実施の形態による半導体装置の製造方法は、表面上に設けられた第１チップ領域と、前記第１チップ領域の隣に配置された第２チップ領域と、前記第１チップ領域と前記第２チップ領域との間に設けられた切断領域とを備えた半導体ウエハを準備する工程、前記切断領域内に、前記第１および第２チップ領域に沿ってレーザ光を走査することにより、前記切断領域の一部を除去する工程を含み、前記レーザ光を走査するレーザ照射部と一緒に移動自在な吸い込み部が前記レーザ照射部の進行方向の後段側に設けられ、前記レーザ光の走査によって発生した異物を前記吸い込み部によって吸い込む。

さらに、代表的な他の実施の形態による半導体装置の製造方法は、半導体ウエハの表面にフィルム状の保護膜を貼り付ける工程、半導体ウエハの主面の切断領域内に第１および第２チップ領域に沿って第１および第２レーザ光をそれぞれ走査して第１および第２凹部をそれぞれ形成する工程、前記第１および第２凹部の間の領域に第３レーザ光を走査することにより前記切断領域の一部を除去する工程、剥離テープの接着層を前記保護膜と、前記第１および前記第２凹部のそれぞれの内部に貼り付け、前記剥離テープを前記半導体ウエハから剥がすことで前記保護膜を除去する工程を含む。

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。

半導体ウエハのダイシングにおける溶融異物の低減化を図ることができる。

半導体装置の信頼性を向上させることができる。

本発明の実施の形態１の半導体ウエハの構造の一例を示す拡大部分断面図である。 本発明の実施の形態１のウエハダイシングまでの組み立ての一例を示す製造フロー図である。 図２に示す組み立ての保護膜塗布工程における塗布時の状態の一例を示す斜視図である。 図３に示す塗布を行った後のウエハの構造の一例を示す部分平面図と部分断面図である。 図２に示す組み立てのレーザダイシング工程における第１レーザ照射時の状態の一例を示す部分断面図である。 図５に示す第１レーザ照射時の詳細手順の一例を示す部分概念図である。 図６に示す第１レーザ照射後のウエハ構造の一例を示す部分平面図と部分断面図である。 図２に示す組み立てのレーザダイシング工程における第２レーザ照射時の状態の一例を示す部分断面図である。 図８に示す第２レーザ照射後のウエハ構造の一例を示す部分平面図と部分断面図である。 図２に示す組み立てのブレードダイシング工程におけるブレードダイシング時の状態の一例を示す部分断面図である。 図１０に示すダイシング後の構造の一例を示す部分断面図である。 図１１に示す個片化された半導体チップを用いて組み立てられた半導体装置の構造の一例を封止体を透過して示す平面図である。 図１２のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。 図１２の半導体装置の構造の一例を示す裏面図である。 図１２の半導体装置の組み立てで用いられるリードフレームの構造の一例を示す平面図である。 図１５のリードフレームの構造の一例を示す側面図である。 図１２の半導体装置の組み立てにおけるダイボンディング後の構造の一例を示す平面図である。 図１７のダイボンディング後の構造の一例を示す側面図である。 図１２の半導体装置の組み立てにおけるワイヤボンディング後の構造の一例を示す平面図である。 図１９のワイヤボンディング後の構造の一例を示す側面図である。 図１２の半導体装置の組み立ての樹脂モールド工程における金型クランプ時の構造の一例を示す部分断面図である。 図１２の半導体装置の組み立てにおける樹脂モールド後の構造の一例を示す平面図である。 図２２の樹脂モールド後の構造の一例を示す側面図である。 図１２の半導体装置の組み立てにおける個片化後の構造の一例を示す側面図である。 本発明の実施の形態１の変形例における第１レーザ照射時の詳細手順を示す部分概念図である。 本発明の実施の形態２の第１レーザ照射時の手順の一例を示す部分概念図である。 本発明の実施の形態３のウエハダイシングまでの組み立ての一例を示す製造フロー図である。 図２７に示す組み立てのＢＧテープ貼り工程におけるテープ貼り付け後の構造の一例を示す部分断面図である。 図２７に示す組み立てのレーザダイシング工程における第１レーザ照射時の構造の一例を示す部分断面図である。 図２７に示す組み立ての保護フィルム除去工程における剥離テープ貼り付け状態の一例を示す部分断面図である。 図２７に示す組み立てのレーザダイシング工程における変形例の第１レーザ照射時の構造を示す部分断面図である。 本発明の実施の形態３のウエハダイシングまでの組み立ての他の変形例を示す製造フロー図である。 図３２に示す組み立ての保護フィルム除去工程における剥離テープ貼り付け状態を示す部分断面図である。 本発明の第１変形例における半導体ウエハの構造を示す拡大部分断面図である。 本発明の第２変形例における半導体ウエハの主要部の構造を示す拡大部分断面図である。 比較例の組み立てにおける第１レーザ照射後のウエハ構造を示す部分平面図である。 図３６のウエハ構造を示す部分断面図である。 比較例の組み立てにおける第２レーザ照射後のウエハ構造を示す部分平面図である。 図３８のウエハ構造を示す部分断面図である。

以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。

さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。

また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。

また、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。

また、以下の実施の形態において、構成要素等について、「Ａからなる」、「Ａよりなる」、「Ａを有する」、「Ａを含む」と言うときは、特にその要素のみである旨明示した場合等を除き、それ以外の要素を排除するものでないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１の半導体ウエハの構造の一例を示す拡大部分断面図、図２は本発明の実施の形態１のウエハダイシングまでの組み立ての一例を示す製造フロー図、図３は図２に示す組み立ての保護膜塗布工程における塗布時の状態の一例を示す斜視図、図４は図３に示す塗布を行った後のウエハの構造の一例を示す部分平面図と部分断面図である。また、図５は図２に示す組み立てのレーザダイシング工程における第１レーザ照射時の状態の一例を示す部分断面図、図６は図５に示す第１レーザ照射時の詳細手順の一例を示す部分概念図、図７は図６に示す第１レーザ照射後のウエハ構造の一例を示す部分平面図と部分断面図、図８は図２に示す組み立てのレーザダイシング工程における第２レーザ照射時の状態の一例を示す部分断面図である。さらに、図９は図８に示す第２レーザ照射後のウエハ構造の一例を示す部分平面図と部分断面図、図１０は図２に示す組み立てのブレードダイシング工程におけるブレードダイシング時の状態の一例を示す部分断面図、図１１は図１０に示すダイシング後の構造の一例を示す部分断面図である。

本実施の形態１は、半導体装置の組み立て工程で、主に半導体ウエハのダイシングについて説明するものであり、ここではその一例として、薄型の半導体ウエハ、あるいは低誘電率膜を有する半導体ウエハをダイシングする場合を取り上げて説明するが、ただし、薄型の半導体ウエハあるいは低誘電率膜を有する半導体ウエハに限定されるものではない。さらに、本実施の形態１では、例えばレーザを用いたダイシング技術（レーザのみ使用した方法、あるいはレーザとダイシングブレードを併用した方法等）について説明する。

まず、図１に示す半導体ウエハ７の構成について説明すると、表面（主面、素子形成面）７ｂおよび表面７ｂとは反対側の裏面７ｃを有し、かつベース基板となるシリコン基板（基板）７ａと、シリコン基板７ａの表面７ｂ上に設けられたチップ領域（第１チップ領域）７ｄと、シリコン基板７ａの表面７ｂ上に設けられ、かつチップ領域７ｄの隣に配置されたチップ領域（第２チップ領域）７ｅと、シリコン基板７ａの表面７ｂ上に、かつ平面視においてチップ領域７ｄとチップ領域７ｅとの間に設けられたスクライブ領域（切断領域）７ｆとを備えている。

また、シリコン基板７ａの表面７ｂには、配線層や低誘電率膜を有する層間絶縁膜７ｇが形成され、さらに層間絶縁膜７ｇの上層は、表面７ｂの配線層となっており、表面配線７ｈ、ボンディングパッド７ｉ、テスト用パターン７ｊ及びシールリング７ｋ等の導体パターンが形成されている。

これら導体パターンは、表面７ｂに形成されたパッシベーション膜７ｍによって覆われているが、ボンディングパッド７ｉとテスト用パターン７ｊはその一部が露出している。また、各チップ領域７ｄ，７ｅにおけるボンディングパッド７ｉより内側（チップ中央寄り）の領域は、ポリイミド等から成る表面保護膜７ｎによって更に覆われて保護されている。

また、シールリング７ｋは、層間絶縁膜７ｇに形成された接続プラグ７ｐを介して基板表面の拡散層７ｑに電気的に接続している。

なお、層間絶縁膜７ｇは、低誘電率膜を有していない絶縁膜であってもよい。

半導体ウエハ７上の平面視においては、各チップ領域７ｄ，７ｅもしくはそれらの一部を囲むようにシールリング７ｋが形成されており、チップ領域７ｄに形成されたシールリング７ｋと、チップ領域７ｅに形成されたシールリング７ｋとの間の領域が、ダイシング用のスクライブ領域７ｆとなっている。

スクライブ領域７ｆには、その一部にテスト用パターン７ｊが形成されている。このテスト用パターン７ｊは、半導体素子等が正しく形成されているか否かを電気的にテストする際に用いるものである。

次に、図２に従って、半導体ウエハ準備工程〜ダイボンド工程までの組み立てを説明する。なお、本実施の形態１では、半導体ウエハの切断に際して、レーザダイシングとブレードダイシングを併用する場合を一例として説明する。

まず、図２のステップＳ１に示すＢＧテープ貼りにより、半導体ウエハ７の表面７ｂ側にＢＧ（Back Grinding)テープを貼り、その後、ステップＳ２の裏面研削に示すように、半導体ウエハ７の裏面７ｃを所定量研削して半導体ウエハ７の厚さを薄くする。

その後、ステップＳ３に示すウエハマウント・ＢＧテープ剥離を行う。すなわち、ダイシング用の治具への半導体ウエハ７のマウントを行い、その後、表面７ｂ側に貼り付けた前記ＢＧテープを剥離する。

次に、半導体ウエハ７のダイシングを行う。まず、ステップＳ４に示す保護膜塗布を行う。ここでは、例えば、図３に示すスピンコート法によって半導体ウエハ７の表面７ｂに図４に示すように保護膜（第１保護膜）７ｒを形成する。すなわち、回転テーブル１２上に載置した半導体ウエハ７を回転テーブル１２により回転させながら、半導体ウエハ７の表面７ｂにシリンジ（ノズルでもよい）１３を介して液状の保護部材１４を塗布することにより、図４に示すように、半導体ウエハ７の表面７ｂに保護膜７ｒを形成する。

なお、保護部材１４の成分は、水溶性である。つまり、水溶性の材質の部材で保護部材１４を形成することにより、ダイシング後の保護膜７ｒの除去をスピン洗浄によって容易に行うことができる。

その後、図２のステップＳ５に示すレーザダイシングを行う。本実施の形態１では、レーザグルービングを適用し、また、最終的な切断をブレードダイシングで行う場合を説明する。すなわち、レーザとダイシングブレードを併用する場合を説明する。

また、本実施の形態１では、ステップＳ５のレーザダイシングにおいて、レーザ照射（第２レーザ照射）時のクラック進展を防ぐために、予め小さい出力でレーザ照射（第１レーザ照射、第１のレーザ照射工程）を行って改質層（溝）を形成し、その後、切断のためのレーザ照射（第２レーザ照射、第２のレーザ照射工程）を行う。その際、最初に小さい出力で改質層を形成するための第１レーザ照射を行い、その後、第１レーザ照射によって形成された溝を保護膜で埋めてから第２レーザ照射を行う。

まず、レーザグルービングでは、スクライブ領域７ｆに細い２本の溝（凹部）を形成する。すなわち、図５に示すように、スクライブ領域７ｆ内において、かつ平面視においてチップ領域７ｄおよびチップ領域７ｅに沿ってレーザ光（第１レーザ光：１ｓｔパス）１６およびレーザ光（第２レーザ光：２ｎｄパス）１７をそれぞれ走査（照射）する第１レーザ照射（第１のレーザ照射工程）を行い、これにより溝（第１凹部）７ｓおよび溝（第２凹部）７ｔをそれぞれ形成する。これらの溝７ｓ，７ｔは改質層となる。

その後、第２レーザ照射（第２のレーザ照射工程）を行う。

本実施の形態１では、前述のように第１レーザ照射と第２レーザ照射の２段階でレーザ照射を行うが、第１レーザ照射は、小さな出力で、かつレーザの照射幅も小さく、改質層を形成するためのものである。すなわち、最初から大きな出力のレーザを照射すると、図１に示す層間絶縁膜７ｇが膜剥がれとなる虞れがあるため、最初に小さな出力のレーザを照射することで、発生するデブリ（溶融異物）１０の大きさも、図５に示すように小さくすることができるとともに、層間絶縁膜７ｇの膜剥がれも低減または防止することができる。層間絶縁膜７ｇに低誘電率膜が含まれている場合には、低誘電率膜は脆く、かつ剥がれ易いため、非常に有効である。

また、第１レーザ照射では、小さな出力のレーザを２回（１ｓｔパス：レーザ光１６、２ｎｄパス：レーザ光１７）走査することで、改質層をスクライブ領域７ｆの中央付近（後の第２のレーザ照射工程において第３レーザ光が照射される領域）の両側に形成することができ、第２レーザ照射で大きな出力のレーザを照射した際や、最終的にブレードダイシングを行う際に２つの溝７ｓ，７ｔが改質層の壁となってチップクラックの進展を防止することができる。

さらに、小さな出力のレーザを２回走査することで、２つの溝７ｓ，７ｔがスクライブ領域７ｆの中央付近の両側に形成されるため、最終的にブレードダイシングを行う際にブレード（後述する図１０参照）１１が蛇行することを防止できる。

なお、第１レーザ照射において走査するレーザ光１６，１７の照射条件は、例えば出力：１．０〜３．０Ｗ（ワット）、照射幅（レーザ径）：１０〜３０μｍ、周波数：１００ｋＨｚ〜２００ｋＨｚである。

第１レーザ照射後、溝７ｓ，７ｔのそれぞれの内部（内面）に第２保護膜を配置（形成）する。本実施の形態１では、例えば、図６に示すように、レーザ照射部（レーザガン）１５のレーザ走査方向（進行方向）１５ａにおける後方（後段側）に保護膜供給用のノズル１９が配置されたレーザ照射装置を使用する。これにより、レーザ光１６（もしくはレーザ光１７）を照射した直後にノズル１９から液状の保護部材１４を供給（塗布）して保護膜（第２保護膜）７ｕを形成する。このとき、本実施の形態１では、図７に示すように、少なくとも第１レーザ照射（第１のレーザ照射工程）により形成された溝（凹部）７ｓ，７ｔ内と、この溝７ｓ、７ｔの周辺のうちの第１保護膜７ｒから露出する部分にのみ、第２保護膜７ｕを形成することについて説明している。しかしながら、第２レーザ照射（第２のレーザ照射工程）の前に溝（凹部）７ｓ，７ｔ内が保護膜で塞がれていればよく、第１レーザ照射（第１のレーザ照射工程）を全て完了した後に、シリコン基板７ａの全表面７ｂ上に第２保護膜７ｕを形成してもよい。ただし、第１レーザ照射の出力は、第２レーザ照射の出力よりも小さいとはいえ、ある切断領域に形成された溝（例えば、溝７ｓ）内に、他の切断領域に溝（例えば、溝７ｔ）を形成する際に発生したデブリが飛散する恐れがあるため、より確実にデブリの付着を抑制するためには、図６のように、溝（例えば、溝７ｓ）を形成した直後（例えば、溝７ｔを形成する前）に第２保護膜７ｕを形成することが好ましい。

すなわち、レーザ照射部１５の進行方向１５ａの後方近傍の位置でレーザ照射部１５に追従するノズル１９から液状の保護部材１４を供給するため、図５の溝７ｓ（溝７ｔ）を形成した直後に保護膜７ｕを形成することができ、したがって、図７に示すように、溝７ｓ，７ｔの内部（内面）に保護膜７ｕを配置（充填）することができる。

なお、レーザ加工の直後に保護膜７ｕを形成することで、図７の平面構造に示すように、保護膜７ｕの引けの発生を無くすことができる。また、図７の断面構造に示すデブリ１０は、レーザ光１６（レーザ光１７）で直接溶かして形成されたものであるため、剥がれ難くなっている。

その後、平面視において、図８に示すように溝７ｓと溝７ｔの間の領域にレーザ光（第３レーザ光：３ｒｄパス）１８を走査（照射）する第２レーザ照射（第２のレーザ照射工程）を行う。これにより、図９に示すようにスクライブ領域７ｆの一部を除去する。

すなわち、第１レーザ照射でのレーザ光１６とレーザ光１７によって形成された溝７ｓ，７ｔを保護膜７ｕで塞いだ状態で、第２レーザ照射でのレーザ光１８（３ｒｄパス）の照射を行ってスクライブ領域７ｆの一部を除去する。

ここで、第２レーザ照射において走査するレーザ光１８の照射条件は、例えば出力：３．０〜５．０Ｗ（ワット）、照射幅（レーザ径）：３０〜８０μｍ、周波数：３０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚであり、第１レーザ照射でのレーザ光１６，１７の出力よりも第２レーザ照射のレーザ光１８の出力の方が高く、かつ照射領域の幅（照射幅）も大きい。すなわち、レーザ光１６，１７よりレーザ光１８の方が強い（加工力が高い）レーザとなっている。

本実施の形態１では、第１レーザ照射により改質層（溝７ｓ，７ｔ）が形成されているため、加工力が高い第２レーザ照射を行っても改質層（溝７ｓ，７ｔ）が壁となり、その結果、クラックの進展を防ぐことができる。

なお、レーザ光１６，１７より強力なレーザ光１８によって発生した図９に示すデブリ２０は、一度離れてその後に保護膜７ｕ上に付着したものであるため、剥がれ易くなっている。

第２レーザ照射のレーザ光１８を照射した後、図２のステップＳ６に示す保護膜除去を行う。ここでは、半導体ウエハ７を洗浄することで、保護膜７ｒ及び保護膜７ｕを除去する。

なお、保護膜７ｒ及び保護膜７ｕは水溶性であるため、洗浄によって容易に保護膜７ｒ及び保護膜７ｕを除去することができる。

さらに、保護膜７ｒ及び保護膜７ｕを除去することで、これらの保護膜７ｒ，７ｕに付着しているデブリ２０（１０）も一緒に除去することができる。すなわち、複数回、レーザ照射を行う場合であっても、デブリ２０が飛散することを防止できる。もしくはデブリ２０の飛散を低減することができる。

本実施の形態１のレーザ照射では、第１レーザ照射で形成された溝７ｓ，７ｔを、保護膜７ｕによって塞いだ状態で第２レーザ照射を行う。したがって、溝７ｓ，７ｔが保護膜７ｕによって塞がっているため、第１レーザ照射のレーザ光１６，１７で発生したデブリ１０が飛散することはない。さらに、第２レーザ照射のレーザ光１８で発生したデブリ２０は、保護膜７ｕ上に付着しており、したがって、洗浄によって保護膜７ｕを除去した際に一緒に除去することができる。なお、第１レーザ照射で発生するデブリ１０の頻度は、そのレーザ光１６，１７の出力が小さいため、第２レーザ照射の出力の大きなレーザ光１８のデブリ２０に比較して少ない。

すなわち、本実施の形態１のレーザ照射では、出力の大きなレーザ光１８によって発生する多数のデブリ２０が、洗浄しにくい溝７ｓ，７ｔに入り込んで内面に付着することを回避することができ、発生頻度が高いデブリ２０は洗浄によって保護膜７ｕとともに除去することができる。

以上のように本実施の形態１の半導体装置の製造方法では、半導体ウエハ７を切断するためのレーザ照射において、デブリ（溶融異物）１０，２０を低減することができ、さらにデブリ１０，２０の残存を低減化することができる。

保護膜７ｒ，７ｕを除去した後、図２のステップＳ７に示すブレードダイシングを行う。ここでは、平面視において、図１０に示すように、溝７ｓおよび溝７ｔの間のスクライブ領域７ｆにブレード１１を走行させ、半導体ウエハ７を切断し、図１１に示すように個々の半導体チップ１に個片化して複数の半導体チップ１を取得する。さらに、ブレードダイシング後、複数の半導体チップ１を固定する図１１に示すダイシングテープ２１を有する治具を搬送する、もしくは複数の半導体チップ１のうちの１つをピックアップして配線基板やリードフレーム等の基材のチップ搭載部に搭載する。

つまり、図２のステップＳ８に示すように、ＵＶ（Ultraviolet)照射を行って図１１のダイシングテープ２１から複数の半導体チップ１を剥離して取得し、その後、複数の半導体チップ１を図２のステップＳ９に示すようにダイボンド工程に搬送する、もしくは、複数の半導体チップ１のうちの１つをダイシングテープ２１からピックアップして配線基板やリードフレーム等のチップ搭載部に搭載する。

その際、本実施の形態１の半導体装置の製造方法では、レーザ照射時の半導体ウエハ７（または半導体チップ１）の表面へのデブリ１０，２０の付着を低減することができるため、半導体ウエハ７もしくは個片化された半導体チップ１が次工程への搬送中に振動したり、衝撃が加わったとしても、ウエハ表面やチップ表面から剥離したり、脱落することを低減でき、あるいは半導体チップ１のボンディングパッド１ｃの表面に付着することを防止できる。

つまり、デブリ１０，２０の発生が低減化されていることで、デブリ１０，２０が改めて飛散することを防止できる。

なお、図２のステップＳ５におけるレーザダイシングで、第１レーザ照射後の第２レーザ照射（レーザ光１８の照射）前に保護膜７ｕを形成する際に、スピンコート法によって保護膜７ｕを形成してもよい。すなわち、第１レーザ照射（レーザ光１６，１７の照射）後、溝７ｓ，７ｔの内面に保護膜７ｕを形成するのを、スピンコート法によって形成してもよい。

また、第２レーザ照射（レーザ光１８の照射）後のブレードダイシングは、実施せずに、レーザダイシング工程の第２レーザ照射によって半導体ウエハ７（切断領域７ｆの一部およびシリコン基板７ａの一部）を切断（溶断）し、この第２レーザ照射により複数の半導体チップ１を取得してもよい。すなわち、ブレードダイシングは、必ずしも行わなくてもよく、その場合、図２に示す組み立てフローでは、ステップＳ７のブレードダイシングを省略することができ、半導体ウエハ７のダイシング完了までの製造のスループットを向上させることができる。

次に、前述の取得した半導体チップ１が組み込まれた半導体装置の組み立てについて説明する。

図１２は図１１に示す個片化された半導体チップを用いて組み立てられた半導体装置の構造の一例を封止体を透過して示す平面図、図１３は図１２のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図１４は図１２の半導体装置の構造の一例を示す裏面図、図１５は図１２の半導体装置の組み立てで用いられるリードフレームの構造の一例を示す平面図、図１６は図１５のリードフレームの構造の一例を示す側面図である。また、図１７は図１２の半導体装置の組み立てにおけるダイボンディング後の構造の一例を示す平面図、図１８は図１７のダイボンディング後の構造の一例を示す側面図、図１９は図１２の半導体装置の組み立てにおけるワイヤボンディング後の構造の一例を示す平面図、図２０は図１９のワイヤボンディング後の構造の一例を示す側面図である。さらに、図２１は図１２の半導体装置の組み立ての樹脂モールド工程における金型クランプ時の構造の一例を示す部分断面図、図２２は図１２の半導体装置の組み立てにおける樹脂モールド後の構造の一例を示す平面図、図２３は図２２の樹脂モールド後の構造の一例を示す側面図、図２４は図１２の半導体装置の組み立てにおける個片化後の構造の一例を示す側面図である。

まず、本実施の形態１の半導体装置の構造について説明する。

図１２〜図１４に示す本実施の形態１の半導体装置は、外部端子となる複数のリード２ａそれぞれの一部が、平面視において、前記半導体装置の裏面側の周縁部に配置された周辺配置型（ペリフェラルタイプ）のものであり、ここでは、半導体チップ等を樹脂で封止する樹脂封止型のＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded Package) ５を一例として取り上げて説明する。

前記ＱＦＮ５の詳細構成について説明すると、図１２〜図１４に示す平面形状が略四角形の板状のチップ搭載部であるダイパッド２ｄ（タブともいう）と、ダイパッド２ｄを支持する（ダイパッド２ｄと連結する）複数の吊りリード２ｃと、ダイパッド２ｄの周囲に配置され、かつ複数の吊りリード２ｃのうちの互いに隣り合う吊りリード２ｃ間に配置された複数のリード２ａと、表面（主面）１ａに複数のボンディングパッド（電極パッド）１ｃが形成された半導体チップ１と、半導体チップ１の複数のボンディングパッド１ｃと複数のリード２ａとをそれぞれ電気的に接続する複数のワイヤ３とを有している。

ここで、半導体チップ１は、図１３に示すように、表面１ａと、表面１ａとは反対側の裏面１ｂとを有しており、内部には半導体集積回路が形成されている。また、表面１ａに形成された複数のボンディングパッド１ｃは、図１２に示すように、四角形の表面１ａの４つの辺それぞれに沿って表面１ａの周縁部に並んで配置されている。

さらに、図１３に示すように、半導体チップ１は、その裏面１ｂがダイパッド２ｄのチップ搭載面である上面２ｄａと対向するように、この上面２ｄａに接着材であるダイボンド材６を介して搭載されており、図１２に示すように、複数のボンディングパッド１ｃと、これらにそれぞれ対応する複数のリード２ａとが、複数のワイヤ３を介してそれぞれ電気的に接続されている。

また、ＱＦＮ５は、図１２〜図１４に示すように、半導体チップ１、複数のワイヤ３、ダイパッド２ｄの一部、リード２ａの一部を封止する封止体４を有している。なお、封止体４は、封止用樹脂によって形成されており、図１２及び図１４に示すように、封止体４の平面形状は、略四角形から成る。

なお、ＱＦＮ５は、後述するその組み立てのモールド工程において、図１５に示すリードフレーム２の１つのデバイス領域２ｊごとに図２１に示す樹脂成形金型のキャビティ部８ａで覆って樹脂モールドを行う、所謂個片モールド方式で組み立てられたものであり、この場合、図１２及び図１４に示すように封止体４の角部は面取りされた形状となっている。

また、図１２及び図１３に示すように、ＱＦＮ５では、ダイパッド２ｄの上面２ｄａと反対側の下面２ｄｂは封止体４の下面４ｂに露出している。すなわち、ＱＦＮ５は、ダイパッド露出型（タブ露出型）の半導体パッケージである。さらに、ダイパッド２ｄの上面２ｄａが半導体チップ１の表面１ａより大きく、所謂大タブ構造となっている。

また、ＱＦＮ５は、周辺配置型（ペリフェラルタイプ）であるため、リード２ａそれぞれの封止体４から露出する複数のアウター部２ｂは、図１４に示すように、封止体４の下面４ｂの周縁部に並んで配置されている。

また、図１３に示すように、各リード２ａは、外部端子として封止体４の下面４ｂに露出するアウター部２ｂと、封止体４内に埋め込まれる部分であり、かつワイヤ３が接続されるインナー部２ｅとを有しており、各リード２ａのアウター部２ｂのダイパッド２ｄ側と反対側の一端は切断面として封止体４の側面４ａに露出している。

また、ＱＦＮ５では、複数の吊りリード２ｃのそれぞれは、図１に示すように、平面視において、ダイパッド２ｄのそれぞれの角部から封止体４のそれぞれの角部に向かって延在している。

すなわち、半導体チップ１が搭載された略四角形のダイパッド２ｄの４つの角部には吊りリード２ｃが連結されており、したがって、ＱＦＮ５では、ダイパッド２ｄはその対角線上に配置された４本の吊りリード２ｃによって角部で支持されている。

これにより、複数のリード２ａは、隣り合う２つの吊りリード２ｃによって区切られた領域、すなわち隣り合った２本の吊りリード２ｃの間の領域に、半導体チップ１の４つの辺それぞれに対応して並んで配置されている。

なお、４本の吊りリード２ｃは、図１４に示すように、ダイパッド２ｄとともに封止体４の下面４ｂに露出している。

また、図１３に示すように、インナー部２ｅにはワイヤ３が接続されている。

ここで、ＱＦＮ５において、各リード２ａ及びダイパッド２ｄは、例えば、銅合金から成るが、銅合金以外の鉄−ニッケル合金等から成ってもよく、また、ワイヤ３は、例えば、金線（金ワイヤ）等である。さらに、封止体４は、例えば、エポキシ系樹脂等の封止用樹脂によって形成されている。

次に、本実施の形態１のＱＦＮ（半導体装置）５の製造方法について説明する。

まず、図１５及び図１６に示すようなデバイス領域２ｊが複数形成された多連で、かつ薄板状のリードフレーム２を準備する。デバイス領域２ｊは、１つのＱＦＮ５が形成される領域であり、ここでは、１つのデバイス領域２ｊごとに封止体４が形成される、所謂個片モールド方式を採用した組み立てについて説明する。そこで、１つのダイパッド（チップ搭載部）２ｄと、このダイパッド２ｄを支持する複数の吊りリード２ｃと、ダイパッド２ｄの周囲に配置され、かつ複数の吊りリード２ｃのうちの互いに隣り合う吊りリード２ｃ間に配置された複数のリード２ａとを有するリードフレーム２を準備する。

なお、各デバイス領域２ｊは、枠部２ｋによって囲まれ、複数のリード２ａや複数の吊りリード２ｃは枠部２ｋによって支持されている。

その後、ダイボンドを行う。ダイボンド工程では、図１７及び図１８に示すように、図１２及び図１３に示す表面（主面）１ａ、表面１ａに形成された複数のボンディングパッド（電極パッド）１ｃ、及び表面１ａとは反対側の裏面１ｂを有する半導体チップ１を準備し、この半導体チップ１を、裏面１ｂがダイパッド２ｄの上面２ｄａと対向するように、ダイパッド２ｄの上面２ｄａに搭載する。

その際、図１３に示すように、ダイボンド材６を介して半導体チップ１をダイパッド２ｄの上面２ｄａに搭載する。

その後、ワイヤボンディングを行う。ワイヤボンディング工程では、図１９及び図２０に示すように、図１３の半導体チップ１の複数のボンディングパッド１ｃと複数のリード２ａを、複数のワイヤ３を介してそれぞれ電気的に接続する。

ワイヤボンディング終了後、樹脂モールドを行う。モールド工程では、半導体チップ１及び複数のワイヤ３を樹脂で封止することにより、リードフレーム２上に封止体４を形成する。その際、複数のリード２ａのそれぞれのアウター部２ｂが封止体４の下面４ｂから露出するように、樹脂で半導体チップ１及び複数のワイヤ３を封止する。

本実施の形態のＱＦＮ５の組み立ては、個片モールド方式であるため、図２１に示すように、まず、ワイヤボンディング完了後のリードフレーム２を樹脂モールド用の下型９上に配置し、その後、図１５に示す各デバイス領域２ｊをそれぞれに対応する上型８のキャビティ部８ａで覆った状態で各キャビティ部８ａにゲート部８ｂから樹脂を注入して樹脂封止を行う。

これにより、各デバイス領域２ｊに対応した図２２及び図２３に示す封止体４が複数形成される。

なお、モールド時の金型の温度は、例えば、１７０〜１８０℃である。

樹脂モールド終了後、リードフレーム２の個片化を行って、図２４に示すように、各ＱＦＮ５を取得し、それぞれのＱＦＮ５の組み立て完了となる。

本実施の形態１のＱＦＮ５の組み立てにおいても、レーザダイシングによって個片化されて取得した半導体チップ１を用いて組み立てる際に、半導体チップ１でのデブリ１０，２０の発生が低減化されていることで、デブリ１０，２０が改めて飛散することを防止できる。

したがって、ＱＦＮ（半導体装置）５の信頼性を向上させることができる。

次に、本実施の形態１の変形例について説明する。

図２５は本発明の実施の形態１の変形例における第１レーザ照射時の詳細手順を示す部分概念図である。

図２５に示す変形例は、図２のステップＳ５のレーザダイシング工程の第１レーザ照射で、レーザ照射部１５を介してレーザ光１６もしくはレーザ光１７を走査する際に、レーザ照射部１５のレーザ走査方向（進行方向）１５ａに対してレーザ照射の直前（前段）に保護部材１４を半導体ウエハ７に塗布可能なノズル（第１ノズル）２２と、レーザ走査方向（進行方向）１５ａに対してレーザ照射の直後（後段）に保護部材１４を塗布可能なノズル（第２ノズル）２３とを有するものであり、レーザ照射部１５とノズル２２とノズル２３とを有するレーザ照射装置を用いるものである。

その際、ノズル２２およびノズル２３は、レーザ照射部１５と一緒に移動可能なようにレーザ照射部１５と一体で形成されていることが好ましく、これにより、レーザ照射部１５のレーザ走査方向１５ａに対してレーザ照射の直前の前方、及びレーザ照射の直後の後方に保護部材１４をそれぞれ塗布して半導体ウエハ７に保護膜７ｒ及び保護膜７ｕを形成することができる。

これにより、スピンコート法に比べて、半導体ウエハ７に形成する保護膜７ｒ，７ｕをムラ無く形成することができる。

さらに、スピンコート法によって保護膜７ｒや保護膜７ｕを塗布するのではなく、レーザ照射時にレーザ照射の直前と直後に保護膜７ｒや保護膜７ｕを塗布するため、保護膜塗布工程を省略することができ、レーザ照射工程におけるスループットを向上させることができる。

（実施の形態２）
図２６は本発明の実施の形態２の第１レーザ照射時の手順の一例を示す部分概念図である。

本実施の形態２は、実施の形態１と同様に半導体ウエハのレーザダイシング時のデブリの付着を低減化することが可能なレーザダイシング方法について説明するものである。

すなわち、図２のステップＳ５のレーザダイシング工程において、図２６に示すように、レーザ照射時に、レーザ照射部１５と一緒に移動自在な吸い込み口（吸い込み部）２４がレーザ照射部１５のレーザ走査方向（進行方向）１５ａの後段側（後方）に設けられており、レーザ光１６（レーザ光１７についても同様）の走査（照射）によって発生したデブリ（溶融異物）１０を吸い込み口２４によって吸い込む（吸引する）ものである。

つまり、レーザ照射部１５と一緒に移動自在な吸い込み口２４によって、レーザ照射時にその場でデブリ１０を吸い込むものであり、これによってデブリ１０の半導体ウエハ７への付着を低減または防止するものである。

さらに、本実施の形態２では、レーザ照射部１５と一緒に移動自在なエア供給ノズル（エア吹き出しノズル）２６が、レーザ照射部１５のレーザ走査方向（進行方向）１５ａの前段側（前方）に設けられている。そのため、レーザ照射部１５による半導体ウエハ７へのレーザ光１６の照射時に、エア供給ノズル２６から吸い込み口２４に向けてエア２５を噴流させることで、強制的にデブリ１０の飛散方向を定めることができる。

すなわち、レーザ照射時に、エア供給ノズル２６からエア２５をレーザ照射箇所に吹き付けることにより、エアカーテン２７が形成されてデブリ１０を吸い込み口２４に向けて流動させることができるため、レーザ照射によって飛散しようとするデブリ１０が吸い込み口２４で吸い込まれ易くなる。

なお、本実施の形態２では、吹き付けるエア２５として、冷気（例えば、１０℃以下）を使用しており、これにより、発生したデブリ１０の気化を防ぐことができ、吸い込み口２４での吸引効率をより向上することができる。

なお、レーザ照射部１５と、このレーザ照射部１５に追従（連動）して移動自在なエア供給ノズル２６及び吸い込み口２４は、一体に形成されていることが好ましい。

本実施の形態２によれば、レーザ照射時に発生したデブリ１０をその場で吸い込み口２４によって吸い込むことで、デブリ１０が飛散することを抑制することができ、これによって、デブリ１０の半導体ウエハ７への付着を低減または防止することができる。

また、レーザダイシングを行う際に、半導体ウエハ７への保護膜形成が不要になるため、保護膜塗布（形成）工程と保護膜除去工程を無くすことができ、半導体ウエハ７のダイシング工程のスループットを向上させることができる。

さらに、レーザダイシングのための保護膜は不要になるため、前記実施の形態１に比べて、製造コスト（材料費を含む）の増加を抑制することができる。

ただし、一度、付着（固着）したデブリ１０は容易に除去できない場合もあるため、個片化（取得）される半導体チップ１にデブリ１０が残存するのをより確実に防ぐには、前記実施の形態１のように、先のレーザ照射（第１レーザ照射）工程により露出した部分（溝７ｓ，７ｔ）を新たに覆ってから、次のレーザ照射（第２レーザ照射）を行うことが好ましい。

なお、本実施の形態２の組み立てでは、レーザダイシング以外の工程については、実施の形態１の図２の組み立てフローと同様である（保護膜塗布工程及び保護膜除去工程は無し）ため、その重複説明は省略する。

（実施の形態３）
図２７は本発明の実施の形態３のウエハダイシングまでの組み立ての一例を示す製造フロー図、図２８は図２７に示す組み立てのＢＧテープ貼り工程におけるテープ貼り付け後の構造の一例を示す部分断面図、図２９は図２７に示す組み立てのレーザダイシング工程における第１レーザ照射時の構造の一例を示す部分断面図である。また、図３０は図２７に示す組み立ての保護フィルム除去工程における剥離テープ貼り付け状態の一例を示す部分断面図、図３１は図２７に示す組み立てのレーザダイシング工程における変形例の第１レーザ照射時の構造を示す部分断面図、図３２は本発明の実施の形態３のウエハダイシングまでの組み立ての他の変形例を示す製造フロー図、図３３は図３２に示す組み立ての保護フィルム除去工程における剥離テープ貼り付け状態を示す部分断面図である。さらに、図３４は本発明の第１変形例における半導体ウエハの構造を示す拡大部分断面図、図３５は本発明の第２変形例における半導体ウエハの主要部の構造を示す拡大部分断面図である。

本実施の形態３は、実施の形態１では半導体ウエハに形成する保護膜が、水溶性の溶液の保護部材から成る膜であったのに対して、前記保護膜をフィルム状の膜とするものである。

まず、図２７のステップＳ１１に示すＢＧテープ貼りにより、図２８に示すように半導体ウエハ７の表面７ｂ側にＢＧテープ２９を貼る。その際、ＢＧテープ２９は、保護フィルム２８と一体型のものが好ましく、本実施の形態３では保護フィルム２８と一体型のＢＧテープ２９を用いる場合を説明する。すなわち、半導体ウエハ７の表面（主面）７ｂに保護フィルム（フィルム状の保護膜）２８を介在させてＢＧテープ２９を貼る。これにより、半導体ウエハ７の表面７ｂに保護フィルム２８が貼り付けられ、さらにその上にＢＧテープ２９が貼り付けられた状態となる。

なお、保護フィルム２８は、透過性を有していることが好ましい。

その後、ステップＳ１２の裏面研削に示すように、半導体ウエハ７の裏面７ｃを所定量研削して半導体ウエハ７の厚さを薄くする。

その後、ステップＳ１３に示すウエハマウントにより、図２９に示すダイシングテープ３０への半導体ウエハ７のマウントを行い、その後、ステップＳ１４に示すＢＧテープ剥離により、表面７ｂ側に貼り付けたＢＧテープ２９を剥離する。

その後、ステップＳ１５に示すレーザダイシングを行う。本実施の形態３でも、レーザグルービングを適用し、また、最終的な切断をブレードダイシングで行う場合を説明する。

レーザグルービングでは、まず、スクライブ領域７ｆに細い２本の溝（凹部、改質層）を形成する。すなわち、図２９に示すように、スクライブ領域７ｆ内において、かつ平面視においてチップ領域７ｄおよびチップ領域７ｅに沿ってレーザ光（第１レーザ光）１６およびレーザ光（第２レーザ光）１７をそれぞれ走査（照射）する第１レーザ照射を行い、これにより溝（第１凹部）７ｓおよび溝（第２凹部）７ｔをそれぞれ形成する。これらの溝７ｓ，７ｔは改質層となる。

その後、第２レーザ照射を行う。

つまり、本実施の形態３においても、第１レーザ照射と第２レーザ照射の２段階でレーザ照射を行うが、実施の形態１と同様に、第１レーザ照射は、小さな出力で、かつ照射幅も小さいレーザであり、このようなレーザを２回（１ｓｔパス：レーザ光１６、２ｎｄパス：レーザ光１７）走査する。これにより、改質層をスクライブ領域７ｆの中央付近（後の第２のレーザ照射工程において第３レーザ光が照射される領域）の両側に形成することができ、第２レーザ照射で大きな出力のレーザを照射した際や、最終的にブレードダイシングを行う際に２つの溝７ｓ，７ｔが改質層の壁となってチップクラックの進展を防止することができる。

さらに、小さな出力のレーザを２回走査することで、２つの溝７ｓ，７ｔがスクライブ領域７ｆの中央付近の両側に形成されるため、最終的にブレードダイシングを行う際にブレード（図１０参照）１１が蛇行することを防止できる。なお、第１レーザ照射において走査するレーザ光１６，１７の照射条件は、実施の形態１の条件と同様である。

第１レーザ照射後、平面視において、溝７ｓと溝７ｔの間の領域に図８に示すレーザ光（第３レーザ光：３ｒｄパス）１８を走査（照射）する第２レーザ照射を行うことにより、スクライブ領域７ｆの一部を除去する。

ここで、第２レーザ照射において走査するレーザ光１８の照射条件も、実施の形態１の条件と同様である。

第２レーザ照射後、図２７のステップＳ１６に示す保護フィルム除去を行う。ここでは、図３０に示すように、剥離テープ３１の接着層３１ａを、保護フィルム２８と、溝７ｓ，７ｔのそれぞれの内部（内面）に貼り付け、剥離テープ３１を半導体ウエハ７から剥がすことで、保護フィルム２８を除去する。その際、保護フィルム２８の除去とともに、保護フィルム２８上や半導体ウエハ７の表面７ｂに付着したデブリ（溶融異物）１０（２０）も除去する。

なお、半導体ウエハ７の表面７ｂ全面に剥離テープ３１を貼り付け、保護フィルム２８ごと剥離する。その際、剥離テープ３１の接着層３１ａを溝７ｓ，７ｔ内まで埋め込ませてから剥離することで、溝７ｓ，７ｔ内に付着したデブリ１０（２０）も保護フィルム２８とともに除去することができる。すなわち、溝（改質領域）７ｓ，７ｔの内部にも剥離テープ３１の接着層３１ａを貼り付け、その後、剥離テープ３１を剥がすことで、保護フィルム２８と合わせてデブリ１０（２０）も除去することができる。

保護フィルム２８を除去した後、図２７のステップＳ１７に示すブレードダイシングを行う。ここでは、実施の形態１と同様に、平面視において図１０に示す溝７ｓおよび溝７ｔの間のスクライブ領域７ｆにブレード１１を走行させ、半導体ウエハ７を切断し、図１１に示すように個々の半導体チップ１に個片化して複数の半導体チップ１を取得する。さらに、ブレードダイシング後、複数の半導体チップ１を固定する図３０に示すダイシングテープ３０を有する治具を搬送する、もしくは複数の半導体チップ１のうちの１つをピックアップして配線基板やリードフレーム等の基材のチップ搭載部に搭載する。

以上のように本実施の形態３においても、実施の形態１と同様に、半導体ウエハ７を切断するためのレーザ照射（レーザダイシング）において、レーザ照射によって形成された溝７ｓ，７ｔ内に付着したデブリ１０を低減することができ、さらにデブリ１０の残存を低減化することができる。また、レーザ照射時の半導体ウエハ７（または半導体チップ１）の表面へのデブリ１０の付着・残存を低減することができるため、実施の形態１と同様に、半導体ウエハ７もしくは個片化された半導体チップ１が次工程への搬送中に振動したり、衝撃が加わったとしても、デブリ１０がウエハ表面やチップ表面から剥離したり、脱落することを低減でき、あるいは半導体チップ１のボンディングパッド１ｃの表面に付着することを防止できる。

さらに、保護膜をフィルム状の保護膜（保護フィルム２８）とすることで、レーザダイシングを行う際に、実施の形態１のようにレーザ照射後の保護膜形成を行わなくて済むため、前記実施の形態１に比べて半導体ウエハ７のダイシング工程のスループットを向上させることができる。また、レーザ照射後の保護膜形成を行わないため、前記実施の形態１に比べて製造コスト（材料費を含む）の増加を抑制することができる。

ただし、一度、付着（固着）したデブリ１０は容易に除去できない場合もあるため、個片化（取得）される半導体チップ１にデブリ１０が残存するのをより確実に防ぐには、前記実施の形態１のように、先のレーザ照射（第１レーザ照射）工程により露出した部分（溝７ｓ，７ｔ）を新たに覆ってから、次のレーザ照射（第２レーザ照射）を行うことが好ましい。

また、保護フィルム２８が、透過性を有している材料から成ることにより、ブレードダイシング時に半導体ウエハ７の上方からアライメント用マークを認識することができ、ブレードダイシング時の位置合わせのずれを抑制することができる。

次に、図３１の変形例について説明する。図３１の変形例は、図２７のステップＳ１４のＢＧテープ剥離を行わない（ＢＧテープ未剥離）でステップＳ１５のレーザダイシングを行うものである。

すなわち、本実施の形態３では、保護膜として保護フィルム２８を使用しており、最終的に洗浄では保護フィルム２８は除去できないため、剥離テープ３１を使用して保護フィルム２８の除去を行う。したがって、ステップＳ１４のＢＧテープ剥離を実施せずに、図３１に示すようにＢＧテープ２９を残した状態でレーザ照射を行い、最終的に図３０に示す剥離テープ３１によってＢＧテープ２９と保護フィルム２８を一緒に除去することで、ＢＧテープ剥離工程を無くすことができ、組み立てのスループットの向上を図ることができる。

次に、図３２に示す変形例について説明すると、図３２の変形例は、保護フィルム除去工程をダイシング工程の後に実施するものである。

すなわち、図３２のステップＳ１５のレーザダイシング、及びステップＳ１６のブレードダイシングを行ってダイシングを終えた後、ステップＳ１７の保護フィルム除去工程を実施する。つまり、レーザダイシングとブレードダイシングを行ってダイシングを終えた後に、図３３に示すように、半導体ウエハ７の表面７ｂ及び溝７ｓ，７ｔの内部に剥離テープ３１の接着層３１ａを貼り付け、その後、剥離テープ３１を剥がすことで保護フィルム２８とデブリ１０も除去することができる。

このようにダイシング完了後に半導体ウエハ７の表面７ｂに剥離テープ３１を貼り、その後、剥離テープ３１とともに保護フィルム２８とデブリ１０の除去を行ってもよい。

以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。

例えば、前記実施の形態１，２及び３では、レーザダイシングを行う場合のデブリを低減化する対策について説明したが、図３４の第１変形例及び図３５の第２変形例は、ブレードダイシングのみを行う場合のデブリの低減化対策を示すものである。

まず、図３４に示す第１変形例は、半導体ウエハ７の表面（主面）７ｂのスクライブ領域７ｆに、チッピング防止用の壁部３２を設けたものである。すなわち、半導体ウエハ７のスクライブ領域７ｆの中央付近（後の工程においてブレードで切断・分離する箇所）の両側（スクライブ領域７ｆ内の両端付近）に、ウエハ厚さ方向の基板表面から表面７ｂ付近に至る壁部３２を層間絶縁膜形成段階のプロセス工程で設けたものである。これにより、ブレードダイシング時のブレード１１（図１０参照）の走行による応力進展（切断領域からチップ領域に向かう進展）を防止できるとともに、ダイシングにレーザを使用しないため、デブリそのものの発生を無くすことができる。

なお、壁部３２は、例えばポリイミドもしくはＳｉＯ₂等から成ることが好ましい。

次に、図３５の第２変形例は、半導体ウエハ７において、チップ領域３５を覆う保護膜３６よりもフィラの含有量が多い保護膜３３でスクライブ領域３４を覆い、この状態でブレード３７を用いてダイシングを行うものである。

なお、スクライブ領域３４を覆う保護膜３３は、例えば、ポリイミド膜等であり、フィラの含有量を多くすることで、ダイシング性を良好にする硬質の保護膜３３を形成できる。

保護膜３３を硬くすることが困難な場合には、ダイシング時に半導体ウエハ７を冷却することで保護膜３３を硬くして膜剥がれを防止する。

図３５の第２変形例においても、ダイシングにレーザを使用しないため、デブリそのものの発生を無くすことができる。

また、前記実施の形態１，２及び３では、半導体装置がＱＦＮの場合を一例として説明したが、前記半導体装置は、ＱＦＮに限定されるものではなく、他の構造の半導体装置であってもよい。

本発明は、ウエハダイシングが行われる半導体装置の製造技術に利用可能である。

１ 半導体チップ
１ａ 表面
１ｂ 裏面
１ｃ ボンディングパッド
２ リードフレーム
２ａ リード
２ｂ アウター部
２ｃ 吊りリード
２ｄ ダイパッド
２ｄａ 上面
２ｄｂ 下面
２ｅ インナー部
２ｊ デバイス領域
２ｋ 枠部
３ ワイヤ
４ 封止体
４ａ 側面
４ｂ 下面
５ ＱＦＮ（半導体装置）
６ ダイボンド材
７ 半導体ウエハ
７ａ シリコン基板（基板）
７ｂ 表面
７ｃ 裏面
７ｄ，７ｅ チップ領域
７ｆ スクライブ領域（切断領域）
７ｇ 層間絶縁膜
７ｈ 表面配線
７ｉ ボンディングパッド
７ｊ テスト用パターン
７ｋ シールリング
７ｍ パッシベーション膜
７ｎ 表面保護膜
７ｐ 接続プラグ
７ｑ 拡散層
７ｒ 保護膜
７ｓ，７ｔ 溝（凹部）
７ｕ 保護膜
８ 上型
８ａ キャビティ部
８ｂ ゲート部
９ 下型
１０ デブリ
１１ ブレード
１２ 回転テーブル
１３ シリンジ
１４ 保護部材
１５ レーザ照射部
１５ａ レーザ走査方向（進行方向）
１６，１７，１８ レーザ光
１９ ノズル
２０ デブリ
２１ ダイシングテープ
２２，２３ ノズル
２４ 吸い込み口（吸い込み部）
２５ エア
２６ エア供給ノズル（エア吹き出しノズル）
２７ エアカーテン
２８ 保護フィルム（フィルム状の保護膜）
２９ ＢＧテープ
３０ ダイシングテープ
３１ 剥離テープ
３１ａ 接着層
３２ 壁部
３３ 保護膜
３４ スクライブ領域
３５ チップ領域
３６ 保護膜
３７ ブレード
５０ ダイシング領域
５１ レーザ
５２ デブリ
５３ 改質領域
５４ 保護膜
５５ シールリング
５６ デブリ

Claims (12)

1. 以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
   （ａ）表面および前記表面とは反対側の裏面を有する基板と、前記基板の前記表面上に設けられた第１チップ領域と、前記基板の前記表面上に設けられ、かつ前記第１チップ領域の隣に配置された第２チップ領域と、前記基板の前記表面上に、かつ平面視において前記第１チップ領域と前記第２チップ領域との間に設けられた切断領域と、を備えた半導体ウエハを準備する工程；
   （ｂ）前記工程（ａ）の後、前記半導体ウエハの前記表面に第１保護膜を形成する工程；
   （ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記切断領域内に、かつ平面視において前記第１および第２チップ領域に沿って第１および第２レーザ光をそれぞれ走査し、第１および第２凹部をそれぞれ形成する工程；
   （ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記第１および第２凹部のそれぞれに第２保護膜を配置し、平面視において前記第１および第２凹部の間の領域に第３レーザ光を走査することにより、前記切断領域の一部を除去する工程；
   （ｅ）前記工程（ｄ）の後、前記第１および第２保護膜を除去する工程；
   （ｆ）前記工程（ｅ）の後、前記工程（ｄ）から本工程（ｆ）までの間に取得した複数の半導体チップを搬送する工程；
   ここで、
   前記工程（ｄ）で走査する前記第３レーザ光の出力は、前記工程（ｃ）で走査する前記第１および第２レーザ光の出力よりも高い。
2. 請求項１において、
   前記工程（ｂ）で、前記半導体ウエハを回転させながら、前記半導体ウエハの前記表面に液状の保護部材を塗布することにより、前記第１保護膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 請求項１において、
   レーザ光を走査するレーザ照射部を介して前記第１もしくは第２レーザ光を走査する際に、前記レーザ照射部の進行方向に対してレーザ照射の直前に保護部材を前記半導体ウエハに塗布可能な第１ノズルと、前記進行方向に対してレーザ照射の直後に保護部材を塗布可能な第２ノズルとを有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 請求項３において、
   前記第１および第２ノズルは、前記レーザ照射部と一緒に移動可能なように前記レーザ照射部と一体で形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 請求項１において、
   前記工程（ｅ）で、前記半導体ウエハを洗浄することにより、前記第１および第２保護膜を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 請求項１において、
   前記工程（ｅ）と前記工程（ｆ）の間で、平面視において前記第１および第２凹部の間の領域にブレードを走行させ、前記半導体ウエハを切断し、複数の半導体チップを取得することを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 請求項１において、
   前記第３レーザ光の照射領域の幅は、前記第１および第２レーザ光の照射領域の幅より大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
   （ａ）表面および前記表面とは反対側の裏面を有する基板と、前記基板の前記表面上に設けられた第１チップ領域と、前記基板の前記表面上に設けられ、かつ前記第１チップ領域の隣に配置された第２チップ領域と、前記基板の前記表面上に、かつ平面視において前記第１チップ領域と前記第２チップ領域との間に設けられた切断領域と、を備えた半導体ウエハを準備する工程；
   （ｂ）前記工程（ａ）の後、前記切断領域内に、かつ平面視において前記第１および第２チップ領域に沿ってレーザ光を走査することにより、前記切断領域の一部を除去する工程；
   （ｃ）前記工程（ｂ）の後、本工程（ｃ）の前までに取得した複数の半導体チップを搬送する工程；
   ここで、
   前記工程（ｂ）で前記レーザ光を走査するレーザ照射部と一緒に移動自在な吸い込み部が前記レーザ照射部の進行方向の後段側に設けられ、前記レーザ光の走査によって発生した異物を前記吸い込み部によって吸い込む。
9. 請求項８において、
   前記レーザ照射部と一緒に移動自在なエア吹き出しノズルが、前記レーザ照射部の進行方向の前段側に設けられ、前記レーザ照射部による前記半導体ウエハへの前記レーザ光の照射時に、前記エア吹き出しノズルから前記吸い込み部に向けてエアを噴流させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
10. 以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
    （ａ）表面および前記表面とは反対側の裏面を有する基板と、前記基板の前記表面上に設けられた第１チップ領域と、前記基板の前記表面上に設けられ、かつ前記第１チップ領域の隣に配置された第２チップ領域と、前記基板の前記表面上に、かつ平面視において前記第１チップ領域と前記第２チップ領域との間に設けられた切断領域と、を備えた半導体ウエハを準備する工程；
    （ｂ）前記工程（ａ）の後、前記半導体ウエハの前記表面にフィルム状の保護膜を貼り付ける工程；
    （ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記切断領域内に、かつ平面視において前記第１および第２チップ領域に沿って第１および第２レーザ光をそれぞれ走査し、第１および第２凹部をそれぞれ形成する工程；
    （ｄ）前記工程（ｃ）の後、平面視において前記第１および第２凹部の間の領域に第３レーザ光を走査することにより、前記切断領域の一部を除去する工程；
    （ｅ）前記工程（ｄ）の後、剥離テープの接着層を、前記保護膜と、前記第１および前記第２凹部のそれぞれの内部に貼り付け、前記剥離テープを前記半導体ウエハから剥がすことで、前記保護膜を除去する工程；
    （ｆ）前記工程（ｅ）の後、本工程（ｆ）の前までに取得した複数の半導体チップを搬送する工程。
11. 請求項１０において、
    前記工程（ｅ）の前、もしくは前記工程（ｅ）と前記工程（ｆ）の間で、平面視において前記第１および第２凹部の間の領域にブレードを走行させ、前記半導体ウエハを切断し、前記複数の半導体チップを取得することを特徴とする半導体装置の製造方法。
12. 請求項１１において、
    前記フィルム状の保護膜は、透過性を有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。

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