JP5732356B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、半導体チップが搭載された基板をダイシングブレードで切断する半導体装置に適用して有効な技術に関するものである。

特開２００７−８３３９２号公報（特許文献１）には、配線基板上に半導体チップが搭載された半導体装置を吸着治具に固定した状態で、回転刃により切断するシンギュレーション装置（切断装置）が記載されている。

特開２００７−８３３９２号公報

配線基板（インタポーザ）の複数のデバイス領域のそれぞれに半導体チップを搭載し、半導体チップを封止した後、デバイス領域毎に分割して複数の半導体装置を取得する半導体装置の製造方法がある。デバイス領域毎に分割する個片化工程では、例えば前記特許文献１に記載されるように、ダイシングブレード（回転刃）を用いて切断する方法を適用する技術がある。本願発明者は、ダイシングブレードを用いた個片化工程について検討を行い、以下の課題を見出した。

すなわち、ダイシングブレードで配線基板を切断すると、髭状の異物や切断された配線基板の端材が発生し、これらの異物が個片化工程以降の製造工程において不具合の発生原因となることが判った。ダイシングブレードを用いる個片化工程では、切断対象物をダイシングステージ上に配置（固定）した状態で、ダイシングブレードを切断対象物の切断領域（ダイシング領域）に進入させる。このとき、切断対象物の切断領域の部材はダイシングブレードにより切削加工され大部分が細かい切削屑となって排出されるが、一部が髭状の異物として切断対象物の近傍に残留する。本願発明者がこの髭状の異物について調査した所、配線基板の絶縁層を構成する材料（絶縁層材料）に由来することが判った。また、配線基板の複数のデバイス領域の周囲には、複数のデバイス領域を取り囲むように配置される枠部が必要であり、個片化工程の後、この枠部が端材としてダイシングステージ上に残る。

このような髭状の異物や端材は、個片化工程以降の製造工程において不具合の発生原因となる。例えば、個片化された組立体（半導体装置、半導体パッケージ）を治具で吸着して搬送する場合に、治具と組立体の間に上記異物や端材が介在すると、吸着保持することが困難になる（吸着不良の原因となる）。また、仮に組立体を吸着できたとしても、組立体と共に異物や端材が次工程に搬送され、次工程において不具合の原因となる。また、仮に組立体を吸着でき、かつ、異物や端材が次工程に搬送されない場合でも、例えばダイシングステージ上に上記異物や端材が残留すれば、次の切断対象物を切断する際に不具合が発生する原因となる。

上記の通り、ダイシングブレードを用いた個片化工程において発生する髭状の異物や端材は、個片化工程以降の製造工程において不具合の発生原因となるため、半導体相違の製造を効率的に行う観点から、この異物や端材を確実に除去することが好ましい。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体装置の製造効率を向上させる技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。

すなわち、本願発明の一態様である半導体装置の製造方法は、複数のデバイス領域のそれぞれに半導体チップが搭載された配線基板を含む切断対象物を、治具を介して処理台上に固定した状態でダイシングブレードにより分割する個片化工程を含んでいる。また、前記個片化工程には、前記切断対象物の切断領域と前記治具の間に前記ダイシングブレードを挿入する空間がある状態でダイシングブレードを走行させて、前記切断領域を切断する切断工程が含まれる。また、前記切断工程の後、前記ダイシングブレードを覆うケースから離れた位置に配置されるノズルから前記切断対象物に向かって液体を供給しながら前記処理台を移動させる異物除去工程が含まれる。ここで、前記切断工程では前記ノズルからの前記液体の供給は停止されている。

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下の通りである。

すなわち、本願発明の一態様によれば、基板の切断不良を防止ないしは抑制できる。

本発明の一実施の形態の半導体装置の表面を示す平面図である。 図１に示す半導体装置の裏面を示す平面図である。 図１に示す半導体装置の表面側の内部構造を示す平面図である。 図３のＡ−Ａ線に沿った断面図である。 図３に示す配線基板の表面側を示す平面図である。 図５に示すＢ部の拡大平面図である。 図６のＣ−Ｃ線に沿った拡大断面図である。 図１〜図４に示す半導体装置の組み立てフローを示す説明図である。 図８に示す基板準備工程で準備する配線基板の全体構造を示す平面図である。 図９に示すＤ部の拡大平面図である。 図１０に示す配線基板の裏面側を示す拡大平面図である。 図１０のＥ−Ｅ線に沿った拡大断面図である。 図１０に示す配線基板上に半導体チップを搭載した状態を示す拡大平面図である。 図１３のＦ−Ｆ線に沿った拡大断面図である。 図１３に示す半導体チップと配線基板を、ワイヤボンディングにより電気的に接続した状態を示す拡大平面図である。 図１４に示す半導体チップと配線基板を、ワイヤボンディングにより電気的に接続した状態を示す拡大断面図である。 図１６に示す配線基板を成形金型でクランプした状態を示す拡大断面図である。 図１７に示すキャビティ内に封止用樹脂を供給した状態を示す拡大断面図である。 図１５に示す半導体チップおよびワイヤを樹脂封止した状態を示す拡大平面図である。 図１９のＦ−Ｆ線に沿った断面図である。 図２０に示す配線基板の裏面に、半導体装置の外部電極（外部接続端子）となる複数の半田ボールを形成（接合）した状態を示す拡大断面図である。 図８に示す個片化工程の詳細なフローを示す説明図である。 図８に示す個片化工程を行う装置（ダイシング装置）の概要構成を示す説明図である。 図２３に示すダイシング治具の上面を示す拡大平面図である。 図２４のＧ部の拡大平面図である。 図２５に示すダイシング治具上に図２１に示す配線基板を配置した状態を示す拡大断面図である。 図２３に示すダイサー部の詳細を示す平面図である。 図２７のＨ−Ｈ線に沿った断面構造を模式的に示す説明図である。 図２８に示す配線基板をダイシング領域に沿って切断した状態を示す拡大断面図である。 図２８に示すダイシングブレード周辺の構造を示す説明図である。 図２８に示すステージを移動させて配線基板を切断している状態を模式的に示す説明図である。 図２８に示す排出部において搬送部で配線基板およびダイシング治具を保持した状態を示す拡大断面図である。 図３２に示すダイシング治具上から個片化された半導体装置をピックアップする状態を示す拡大断面図である。 図２２に示すＸ方向切断工程またはＹ方向切断工程時のダイシング装置内の動作について示す拡大断面図である。 図２２に示す異物洗浄工程時のダイシング装置内の動作について示す拡大断面図である。 図３５に示す異物除去用ノズルの構造を示す断面図である。 図３５に示す異物除去用ノズルの上面図である。 図４に対する変形例である半導体装置を示す断面図である。 図２９に対する変形例である基板切断工程を示す拡大断面図である。 図３９に示す切削加工部周辺を拡大して示す拡大断面図である。 図４０のＪ−Ｊ線に沿った断面図である。 図２４に示すダイシング治具に対する変形例であるダイシングテープに配線基板を接着固定した状態を示す平面図である。 図４２のＫ−Ｋ線に沿った断面図である。 図４３に示すテープ材に固定した状態で配線基板を切断する際のダイシング領域周辺を示す拡大断面図である。 図４に対する他の変形例である半導体装置を示す断面図である。 図３０に対する変形例を示す説明図である。 図３１に対する変形例を示す説明図である。

（本願における記載形式・基本的用語・用法の説明）
本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のセクション等に分けて記載するが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、記載の前後を問わず、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しの説明を省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。

同様に実施の態様等の記載において、材料、組成等について、「ＡからなるＸ」等といっても、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、Ａ以外の要素を含むものを排除するものではない。たとえば、成分についていえば、「Ａを主要な成分として含むＸ」等の意味である。たとえば、「シリコン部材」等といっても、純粋なシリコンに限定されるものではなく、ＳｉＧｅ（シリコン・ゲルマニウム）合金やその他シリコンを主要な成分とする多元合金、その他の添加物等を含む部材も含むものであることはいうまでもない。また、金めっき、Ｃｕ層、ニッケル・めっき等といっても、そうでない旨、特に明示した場合を除き、純粋なものだけでなく、それぞれ金、Ｃｕ、ニッケル等を主要な成分とする部材を含むものとする。

さらに、特定の数値、数量に言及したときも、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、その特定の数値を超える数値であってもよいし、その特定の数値未満の数値でもよい。

また、実施の形態の各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。

また、添付図面においては、却って、煩雑になる場合または空隙との区別が明確である場合には、断面であってもハッチング等を省略する場合がある。これに関連して、説明等から明らかである場合等には、平面的に閉じた孔であっても、背景の輪郭線を省略する場合がある。更に、断面でなくとも、空隙でないことを明示するために、ハッチングを付すことがある。

＜半導体装置＞
まず、本実施の形態に係る半導体装置の構造の概要について説明する。図１は、本実施の形態の半導体装置の表面を示す平面図、図２は図１に示す半導体装置の裏面を示す平面図である。また、図３は、図１に示す半導体装置の表面側の内部構造を示す平面図である。また、図４は、図３のＡ−Ａ線に沿った断面図である。

本実施の形態では、配線基板（基板）１０上に半導体チップ２が搭載され、配線基板１０上に形成された樹脂体（封止体）４により半導体チップ２が封止された樹脂モールドタイプの半導体装置１について説明する。

半導体装置１は、配線基板１０の表面１０ａ上に搭載される半導体チップ２、半導体チップ２と配線基板１０を電気的に接続する複数の導電性部材（本実施の形態ではワイヤ３）、半導体チップ２および複数のワイヤ３を封止する樹脂体４、および配線基板１０の裏面１０ｂ側に形成され、且つ、半導体チップ２と電気的に接続される半田ボール（半田材）５を有している。なお、半田ボール５は、半導体装置１と実装基板（マザーボード）とを電気的に接続するための外部電極（外部接続端子）である。

配線基板１０上への半導体チップ２の実装方式は、複数のパッド２ｃが形成された主面２ａ側を配線基板１０の表面１０ａと対向させ、複数のバンプ電極を介して実装する、フェイスダウン実装方式（フリップチップ実装方式）と、図４に示すように主面２ａの反対側に位置する裏面２ｂを表面１０ａと対向させて実装する、フェイスアップ実装方式に大別される。本実施の形態では、フェイスアップ実装方式を用いており、半導体チップ２と配線基板１０を電気的に接続する導電性部材として、図４に示すように、例えばワイヤ３を使用している。フェイスアップ実装方式は、フェイスダウン実装方式と比較して、製造コストを低減できるというメリットがある。

フェイスアップ実装方式では、半導体チップ２と配線基板１０をワイヤボンディング方式により、電気的に接続する。すなわち、半導体チップ２の主面２ａ上に形成された複数のパッド（電極、チップ電極）２ｃと、配線基板１０の表面１０ａ側に露出するように、平面視において半導体チップ２の周囲に配置される複数のボンディングリード（端子、ボンディングパッド）１１を、複数のワイヤ３を介して電気的に接続する。ワイヤボンディング方式は、ワイヤ３の接合部（パッド２ｃやボンディングリード１１との接合部）を容易に視認することができるので、接続不良が発生しても、これを容易に発見することができる。しかし、ワイヤ３が露出した状態では、衝撃等によりワイヤ３に変形が生じた場合に短絡などの原因となるため、複数のワイヤ３の変形を防止する必要がある。そこで、図４に示すように、配線基板１０の表面１０ａ上に樹脂体４を形成し、半導体チップ２およびワイヤ３を封止することで、ワイヤ３を保護している。

また、配線基板１０の表面１０ａの反対側に位置する裏面１０ｂには、複数の半田ボール５が形成されている。複数の半田ボール５は、配線基板１０に形成された複数の配線１２を介して表面１０ａ側に形成されたボンディングリード１１と電気的に接続されている。このため、半導体装置１を実装基板（図示は省略）に実装する際には、半田ボール５を実装基板の端子（図示は省略）に接合して電気的に接続する。つまり、半田ボール５は半導体装置１の外部電極（外部接続端子）となる。

また、図２に示すように、複数の半田ボール５は、配線基板１０の裏面１０ｂ側に行列状に配置されている。つまり、半導体装置１は、複数の外部電極が配線基板１０の裏面（実装面）１０ｂ側に行列状に配置される、所謂、エリアアレイ型の半導体装置である。エリアアレイ型の半導体装置は、配線基板１０の裏面１０ｂ側を外部電極の配置スペースとして有効に活用することができる。このため、例えば、ＱＦＰ（Quad Flat Package）やＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded Package）など、半導体チップを搭載する基材としてリードフレームを用いた半導体装置と比較して、外部電極の数を増やす事ができる点で有利である。

なお、エリアアレイ型の半導体装置としては、本実施の形態の半導体装置１のように、外部電極として半田ボール５が取り付けられたＢＧＡ（Ball Grid Array）型半導体装置の他、例えば、半田などの接合部材を取り付けるためのランド１３が露出した、ＬＧＡ（Land Grid Array）型の半導体装置などもある。また、図示しない実装基板に容易に実装するため、ＬＧＡ型であっても、ランド１３の露出面に薄く半田材を塗布する場合もある。

本実施の形態の半田ボール５は、鉛（Ｐｂ）を実質的に含まない、所謂、鉛フリー半田からなり、例えば錫（Ｓｎ）のみ、錫−ビスマス（Ｓｎ−Ｂｉ）、または錫−銅−銀（Ｓｎ−Ｃｕ−Ａｇ）などである。ここで、鉛フリー半田とは、鉛（Ｐｂ）の含有量が０．１ｗｔ％以下のものを意味し、この含有量は、ＲｏＨｓ（Restriction of Hazardous Substances）指令の基準として定められている。以下、本実施の形態において、半田、あるいは半田ボールについて説明する場合には、特にそうでない旨明示した場合を除き、鉛フリー半田を指す。

＜配線基板＞
次に、図２〜図４に示す配線基板１０の詳細について説明する。図５は図３に示す配線基板の表面側を示す平面図、図６は、図５に示すＢ部の拡大平面図、図７は図６のＣ−Ｃ線に沿った拡大断面図である。

図７に示すように、配線基板１０は、上面（主面）１４ａ、上面１４ａの反対側に位置する下面（裏面）１４ｂ、および上面１４ａと下面１４ｂの間に位置する側面１４ｃ（図４参照）を有する絶縁層（コア層）１４を有している。絶縁層１４は、例えば、ガラス繊維または炭素繊維に樹脂を含浸させたプリプレグからなる。また、絶縁層１４の上面１４ａおよび下面１４ｂは、それぞれ絶縁膜（ソルダレジスト膜、保護膜）１６、１７に覆われている。絶縁膜１６、１７は、絶縁層１４の上面１４ａや下面１４ｂに形成される複数の配線１２を覆うように形成され、複数の配線１２間の短絡や、断線などを防止する保護膜である。したがって、絶縁膜（上面側絶縁膜）１６は、配線基板１０の最上面である表面１０ａに、絶縁膜（下面側絶縁膜）１７は、配線基板１０の最下面である裏面１０ｂに、それぞれ形成されている。

なお、本願では、配線基板１０の最上面である絶縁膜１６の上面と、配線基板１０の最上層配線が形成される絶縁層１４の上面１４ａを区別して説明する。すなわち、図７に示すように、配線基板１０の表面１０ａとは、配線基板１０の最上層に配置される絶縁膜１６の上面（最表面）を指し、配線基板１０内部の絶縁層の上面１４ａとは区別される。同様に、配線基板１０の裏面１０ｂとは、配線基板１０の最下層に配置される絶縁膜１７の下面（最表面）を指し、配線基板１０内部の絶縁層の下面１４ｂとは区別される。

図５に示すように、配線基板１０は、平面視において四角形を成す。配線基板１０の表面１０ａには、半導体チップ２（図３参照）を搭載するチップ搭載領域１０ｃが設けられている。本実施の形態では、チップ搭載領域１０ｃは、平面視において配線基板１０の外形に沿った四角形を成し、例えば、表面１０ａの中央部に配置されている。チップ搭載領域１０ｃの周囲には、上面１４ａに、複数のボンディングリード（端子、ボンディングパッド）１１が形成されている。複数のボンディングリード１１は、例えば、銅（Ｃｕ）からなり、その表面には、めっき膜（図示は省略）が形成されている。めっき膜は、本実施の形態では、例えば、ニッケル（Ｎｉ）膜上に金（Ａｕ）膜が積層された積層膜となっている。

また、図５に示すように、複数のボンディングリード１１は、チップ搭載領域１０ｃの各辺に沿って配置されている。なお、本実施の形態では、チップ搭載領域１０ｃの各辺（換言すれば、半導体チップ２の各辺）に沿って、それぞれ１列で複数のボンディングリード１１が配置されている。しかし、ボンディングリードの配列は図５に示す態様に限定されず、例えば、チップ搭載領域１０ｃの各辺（換言すれば、半導体チップ２の各辺）に沿って、複数列で配置することもできる。この場合、ボンディングリード１１の配置スペースの増加を抑制し、かつ、多くのボンディングリード１１を配置することができるので、小型で、狭ピッチで、さらに多ピンの半導体装置に適用して有効である。

各ボンディングリード１１は、図７に示すように絶縁層１４の上面１４ａを覆う絶縁膜１６に形成された開口部１６ａにおいて、絶縁膜１６から露出している。本実施の形態では、図６に示すように、絶縁膜１６のボンディングリード１１と重なる位置に、ボンディングリード１１よりも小さい開口部１６ａが形成され、ボンディングリード１１の一部が露出している。

また、各ボンディングリード１１は、配線基板１０の複数の配線層に形成された配線１２を介して絶縁層１４の下面１４ｂに形成されたランド（端子、電極）１３と電気的に接続されている。詳しくは、配線基板１０は、複数の配線層を有している。図４および図７では、上面１４ａに形成される配線層と下面１４ｂに形成される配線層からなる２層の配線層を示している。各配線層には、例えば、銅（Ｃｕ）からなる複数の配線１２が形成され、上面１４ａおよび下面１４ｂのうちの一方の面（本実施の形態では、上面１４ａ）側から他方の面（本実施の形態では、下面１４ｂ）側に向かって形成されたビア（孔）１５ａ内の配線（ビア内配線、層間配線）１５を介して各配線層の配線１２が電気的に接続されている。ビア１５ａは、上面１４ａから下面１４ｂまで貫通するように形成されており、上面１４ａに形成された配線１２ａと下面１４ｂに形成された配線１２ｂを、配線１５を介して電気的に接続している。図７に示すように、絶縁層１４の上面１４ａに形成されたボンディングリード１１は、同じく上面１４ａに形成された複数の配線（最上層配線）１２ａと一体に形成されている。一方、絶縁層１４の下面１４ｂに形成されるランド１３は、同じく下面１４ｂに形成された配線（最下層配線）１２ｂと一体に形成されている。つまり、複数のボンディングリード１１に接続される導電経路は、配線１２、１５を介して下面１４ｂ側に引き出され、複数のランド１３と電気的に接続されている。各ランド１３は、図７に示すように絶縁層１４の下面１４ｂを覆う絶縁膜１７に形成された、開口部１７ａにおいて、絶縁膜１７から露出している。本実施の形態では、絶縁膜１７のランド１３と重なる位置に、ランド１３よりも小さい開口部１７ａが形成され、ランド１３の一部が露出している。そして、図４に示すように、複数のランド１３には、外部電極である複数の半田ボール５が接合するので、複数のボンディングリード１１は、複数の半田ボール５と電気的に接続される。

複数のランド１３は、例えば、銅（Ｃｕ）からなり、その表面には、めっき膜（図示は省略）が形成されている。めっき膜は、本実施の形態では、例えば、ニッケル（Ｎｉ）膜上に金（Ａｕ）膜が積層された積層膜となっている。また、図示は省略するが、複数のランド１３は、下面１４ｂにおいて、図２に示す半田ボール５と同様に行列状（アレイ状、マトリクス状）に配置されている。言い換えれば、行列状に配置される複数のランド１３の露出部のそれぞれに、半田ボール５が接合されている。

図６および図７では、ボンディングリード１１よりも配線基板１０の外周側（図６あるいは図７が記載される紙面に対して左側）に向かって延在する配線１２を示している。この配線１２は、絶縁層１４（図７）の上面１４ａ上に配線１２やボンディングリード１１を電解めっき法により形成する際の給電線１２ｃである。

なお、本実施の形態では、絶縁層１４の上面１４ａおよび下面１４ｂに配線１２が形成された、２層の配線層を有する配線基板を示している。しかし、配線基板１０の配線層数は２層には限定されず、例えば、絶縁層１４内に複数層の配線層（配線１２）を形成する、所謂、多層配線基板とすることもできる。この場合、最上層配線層と最下層配線層の間に、さらに配線層を形成することにより、配線を引き回すスペースを増加させることができるので、端子数が多い半導体装置に適用して特に有効である。

＜半導体チップ＞
次に、配線基板１０上に搭載する半導体チップ２について説明する。図４に示すように本実施の形態の半導体チップ２は、主面（第１主面）２ａ、主面２ａの反対側に位置する裏面（第２主面）２ｂ、およびこの主面２ａと裏面２ｂとの間に位置する側面を有している。また、図３に示すように半導体チップ２の平面形状（主面２ａ、裏面２ｂの形状）は略四角形からなる。

半導体チップ２の主面２ａ上には、複数のパッド（電極、チップ電極）２ｃが形成されている。複数のパッド２ｃは、半導体チップ２の各辺に沿って主面２ａ上の周縁部側にそれぞれ配置されている。

また、半導体チップ２の主面２ａには、それぞれダイオードやトランジスタなどの複数の半導体素子（回路素子）が形成され、半導体素子上に形成された図示しない配線（配線層）を介して、複数のパッド２ｃとそれぞれ電気的に接続されている。このように半導体チップ２は、主面２ａに形成された複数の半導体素子とこれら複数の半導体素子を電気的に接続する配線により集積回路を構成している。

なお、半導体チップ２の半導体素子形成面である主面２ａを持つ基材（半導体基板）は、例えば、シリコン（Ｓｉ）からなる。また、主面２ａ上の最表面には絶縁膜であるパッシベーション膜（図示は省略）が形成されており、複数のパッド２ｃのそれぞれの表面は、このパッシベーション膜に形成された開口部において、絶縁膜から露出している。

また、このパッド２ｃは金属からなり、本実施の形態では、例えばアルミニウム（Ａｌ）からなる。さらに、このパッド２ｃの表面には、めっき膜が形成されており、本実施の形態では、例えばニッケル（Ｎｉ）膜を介して、金（Ａｕ）膜が形成された多層構造の積層めっき膜である。

また、本実施の形態では、半導体チップ２は、裏面２ｂを配線基板１０の表面１０ａと対向させた状態で、チップ搭載領域１０ｃ上に搭載する、所謂フェイスアップ実装方式により搭載する。半導体チップ２は、接着材６を介してチップ搭載領域１０ｃの表面１０ａ上に固定される。接着材６は、配線基板１０の表面１０ａに半導体チップ２をしっかりと固定できるものであれば、特に限定されないが、本実施の形態では、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂を用いている。

また、図３および図４に示すように、半導体チップ２は複数のワイヤ３を介してそれぞれ配線基板１０と電気的に接続されている。詳しくは、ワイヤ３の一方の端部は、半導体チップ２の主面２ａ上のパッド２ｃに接続され、他方は、配線基板１０のボンディングリード１１に接続されている。本実施の形態では、ワイヤ３は金（Ａｕ）からなり、半導体チップ２のパッド２ｃおよび配線基板１０のボンディングリード１１の表面に形成された金めっき膜と、Ａｕ−Ａｕ接合を介して接合されている。

＜樹脂体＞
次に、半導体チップ２、複数のワイヤ３、および複数のボンディングリード１１を封止する樹脂体４について説明する。図４に示すように、本実施の形態の樹脂体４は、配線基板１０の表面１０ａ上に形成され、半導体チップ２、複数のワイヤ３、および複数のボンディングリード１１を封止している。樹脂体４は、例えばエポキシ系の熱硬化性樹脂に例えばシリカなどのフィラ材を添加し、半導体チップ２および複数のワイヤ３を封止した後で硬化させることで形成される。

また詳細は後述するが、本実施の形態の半導体装置１は複数のデバイス領域を一つのキャビティで覆った状態で一括封止する、所謂ＭＡＰ（Mold Array Package）方式で製造された半導体装置である。このため、配線基板１０の表面１０ａ全体が樹脂体４により覆われている。

＜半導体装置の製造工程＞
次に、図１〜図４に示す半導体装置１の製造工程について、説明する。本実施の形態における半導体装置１は、図８に示す組立てフローに沿って製造される。図８は、図１〜図４に示す半導体装置の組み立てフローを示す説明図である。各工程の詳細については、図９〜３８を用いて、以下に説明する。

１．基板準備工程
まず、図８に示す基板準備工程（Ｓ１）として、図９に示すような配線基板２０を準備する。図９は、図８に示す基板準備工程で準備する配線基板の全体構造を示す平面図、図１０は図９に示すＤ部の拡大平面図、図１１は図１０に示す配線基板の裏面側を示す拡大平面図である。また、図１２は、図１０のＥ−Ｅ線に沿った拡大断面図である。

図９に示すように、本工程で準備する配線基板（基板）２０は、枠部（枠体）２０ｂの内側に複数のデバイス領域２０ａを備えている。詳しくは、複数のデバイス領域２０ａが行列状に配置されている。デバイス領域２０ａの数は、図９に示す態様に限定されないが、本実施の形態の配線基板２０は、例えば、行列状（図９では７行×１６列）に配置された１１２個のデバイス領域２０ａを備えている。つまり、配線基板２０は、複数のデバイス領域２０ａを有する、所謂、多数個取り基板である。

各デバイス領域２０ａは、図５に示す配線基板１０に相当し、図５〜図７を用いて説明した配線基板１０の各部材が形成されている。例えば、図１０に示すように、各デバイス領域２０ａの表面１０ａには、チップ搭載領域１０ｃと、チップ搭載領域１０ｃの周囲に並べて配置され、絶縁膜１６から露出する複数のボンディングリード（端子、ボンディングパッド）１１が形成されている。また、図１１に示すように、配線基板２０の裏面１０ｂには、各デバイス領域２０ａに、絶縁膜１７から露出する複数のランド１３が行列状に配置されている。

また、各デバイス領域２０ａ（複数のデバイス領域２０ａのうちの互いに隣り合うデバイス領域間）の周囲には、図８に示す個片化工程（Ｓ７）で配線基板２０を切断する予定領域であるダイシング領域（ダイシングライン、切断領域）２０ｃが配置されている。図９に示すように、ダイシング領域２０ｃは、隣り合うデバイス領域２０ａの間、および枠部２０ｂとデバイス領域２０ａの間、に各デバイス領域２０ａを取り囲むように配置されている。各デバイス領域２０ａは、例えば一辺の長さが５ｍｍ〜２０ｍｍの四角形を成す。ダイシング領域２０ｃは四角形を成す複数のデバイス領域２０ａそれぞれの周囲に配置されるので、例えば、図９に示すように、配線基板２０は、Ｘ方向に沿って延びる複数のダイシング領域２０ｃ１と、Ｘ方向と交差（図９では直交）するＹ方向に沿って延びる複数のダイシング領域２０ｃ２と、を備える。そしてダイシング領域２０ｃ１とダイシング領域２０ｃ２を格子状に交差させることで、複数のデバイス領域２０ａを区画している。また、枠形状を成すダイシング領域２０ｃの幅は、例えば２００μｍ〜４００μｍとなっている。

ここで、ダイシング領域２０ｃとは、後述する個片化工程（Ｓ７）において、ダイシングブレード（回転刃）によって切削加工が施される予定領域であって、個片化工程では、ダイシング領域２０ｃ内の一部を切削加工する。また、ダイシングブレードと配線基板２０の位置合わせ精度や、切削加工時の熱影響などを考慮して、ダイシング領域２０ｃの幅は、ダイシングブレードの幅よりも広くなっている。このため、完成した半導体装置１（図１参照）の配線基板１０（図１参照）の周縁部には、このダイシング領域２０ｃの切削されなかった残部が残っている場合がある。

図９〜図１２に示す配線基板２０は、例えば以下のように製造する。まず、コア材である絶縁層１４を準備して、図１２に示すように、上面１４ａから下面１４ｂに向かってビア（孔、貫通孔）１５ａを形成した後、ビア１５ａ内に導体を埋め込んで配線１５を形成する。

次に、絶縁層１４の上面１４ａ、および下面１４ｂにそれぞれ配線パターンを形成する。詳しくは、絶縁層１４の上面１４ａに複数の配線１２および複数のボンディングリード１１を、下面１４ｂに複数の配線１２および複数のランド１３を形成する。配線パターンの形成方法は、例えば、セミアディティブ法を用いた電解めっきにより形成する。

次に、絶縁層１４の上面１４ａを覆う絶縁膜１６、および下面１４ｂを覆う絶縁膜１７をそれぞれ形成する。絶縁膜１６、１７は、絶縁層１４の上面１４ａあるいは下面１４ｂに形成される配線１２を覆うように配置（塗布）し、これを硬化させて形成する。このため、絶縁膜１６、１７の表面は、配線１２の形状に倣った凹凸を有している。つまり、絶縁膜１６、１７の表面の平坦度は、絶縁層１４の上面１４ａあるいは下面１４ｂの平坦度と比較して低くなっている。

次に、絶縁膜１６に開口部１６ａ、絶縁膜１７に開口部１７ａを形成し、複数のボンディングリード１１および複数のランド１３をそれぞれ露出させる。開口部１６ａ、１７ａは、例えば、エッチングにより形成する。

次に、ダイシング領域２０ｃにエッチング処理を施し、絶縁膜１６、１７、およびダイシング領域２０ｃ内の配線１２（給電線１２ｃ）を取り除く。これにより、ダイシング領域２０ｃには、図１２に示す開口溝１６ｂ、１７ｂが形成され、絶縁層１４の上面１４ａあるいは下面１４ｂが絶縁膜１６、１７から露出する。また、開口溝１６ｂ、１７ｂは、ダイシング領域２０ｃに沿って形成され、ダイシング領域２０ｃ内の配線１２（給電線１２ｃ）を取り除くことにより、デバイス領域２０ａ内の各ボンディングリード１１は、それぞれ電気的に分離される。また、デバイス領域２０ａ内の各ランド１３も、それぞれ電気的に分離される。したがって、配線基板２０の各デバイス領域２０ａについて、例えば導通試験などの電気的試験を行うことができる。ただし、本実施の形態に対する変形例として、開口溝１６ｂ、１７ｂを形成するためのエッチングは行わず、ダイシング領域２０ｃ内の配線１２（給電線１２ｃ）およびこれを覆う絶縁膜１６、１７を残した状態でダイボンディング工程に供することもできる。この場合、後述する個片化工程（基板切断工程）では、ダイシング領域２０ｃ内の絶縁層１４に加えて、ダイシング領域２０ｃ内の配線１２（給電線１２ｃ）およびこれを覆う絶縁膜１６、１７に対して切削加工を施すことになる。このように、開口溝１６ｂ、１７ｂを形成するためのエッチングを省略した場合、配線基板２０が完成した段階でデバイス領域２０ａ毎の電気的試験を行うことは難しいが、製造工程は簡略化することができる。したがって、配線基板２０の端子数が少ない場合、あるいは配線構造が単純な場合には、製造効率を向上させる観点から好ましい。

２．半導体チップ準備工程
また、図８に示す半導体チップ準備工程（Ｓ２）として、図３に示す半導体チップ２を準備する。本工程では、例えば、シリコンからなる半導体ウエハ（図示は省略）の主面側に、複数の半導体素子やこれに電気的に接続される配線層からなる半導体ウエハを準備する。その後、半導体ウエハのダイシングラインに沿って、ダイシングブレードを走らせて（図示は省略）半導体ウエハを切断し、図５に示す半導体チップ２を複数個取得する。

３．ダイボンディング工程
次に、図８に示すダイボンディング工程（Ｓ３）について説明する。図１３は、図１０に示す配線基板上に半導体チップを搭載した状態を示す拡大平面図、図１４は図１３のＦ−Ｆ線に沿った拡大断面図である。

本工程では、半導体チップ２をチップ搭載領域１０ｃ上に搭載（接着）する（チップ搭載工程）。図１４に示すように、本実施の形態では、半導体チップ２の裏面２ｂが、チップ搭載領域１０ｃの表面１０ａと対向するように、接着材６を介してチップ搭載領域１０ｃ上に搭載する（フェイスアップ実装）。

本実施の形態では、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂である接着材６を介して半導体チップ２を搭載するが、接着材６は、硬化（熱硬化）させる前には流動性を有するペースト材である。このようにペースト材をダイボンド材として用いる場合には、まず、チップ搭載領域１０ｃ上に、接着材６を塗布し、その後、半導体チップ２の裏面２ｂを配線基板２０の表面１０ａに接着する。そして、接着後に、接着材６を硬化させる（例えば熱処理を施す）と、図１４に示すように、半導体チップ２は接着材６を介してチップ搭載領域１０ｃ上に固定される。なお、本実施の形態では、接着材６に、熱硬化性樹脂からなるペースト材を用いる実施態様について説明したが、種々の変形例を適用することができる。例えば、ペースト材ではなく、両面に接着層を備えるテープ材（フィルム材）である接着材を、予め半導体チップ２の裏面２ｂに貼り付けておき、テープ材を介して半導体チップ２をチップ搭載領域１０ｃ上に搭載しても良い。

４．ワイヤボンディング工程
次に、図８に示すワイヤボンディング工程（Ｓ４）について説明する。図１５は、図１３に示す半導体チップと配線基板を、ワイヤボンディングにより電気的に接続した状態を示す拡大平面図、図１６は、図１４に示す半導体チップと配線基板を、ワイヤボンディングにより電気的に接続した状態を示す拡大断面図である。

本工程では、図１５および図１６に示すように、配線基板２０と複数の半導体チップ２とを、複数のワイヤ３を介してそれぞれ電気的に接続する。詳しくは、半導体チップ２の主面上に形成された複数のパッド２ｃと、配線基板２０の表面１０ａ側に形成され、絶縁膜１６から露出する複数のボンディングリード１１を、複数のワイヤ３を介してそれぞれ電気的に接続する。本実施の形態では、半導体チップ２のパッド２ｃを第１ボンド側、配線基板２０のボンディングリード１１を第２ボンド側とする、所謂、正ボンディング方式によりワイヤボンディングを行い、パッド２ｃとボンディングリード１１を電気的に接続する。ワイヤ３は、金属からなり、本実施の形態では、例えば金（Ａｕ）からなる。そのため、前記したように、半導体チップ２のパッド２ｃの表面に金（Ａｕ）を形成しておくことで、ワイヤ３とパッド２ｃとの接合性を向上できるので、ワイヤボンディング不良を防止することができる。

５．封止工程
次に、図８に示す封止工程（Ｓ５）について説明する。図１７は、図１６に示す配線基板を成形金型でクランプした状態を示す拡大断面図である。また、図１８は、図１７に示すキャビティ内に封止用樹脂を供給した状態を示す拡大断面図である。また、図１９は、図１５に示す半導体チップおよびワイヤを樹脂封止した状態を示す拡大平面図、図２０は、図１９のＦ−Ｆ線に沿った断面図である。なお、図１７では一つのキャビティ３１ｂ内に複数のデバイス領域２０ａが配置された状態を示すため、図１６とは縦横の縮尺を変更し、模式的に示している。

本工程では、まず、図１７に示す成形金型３０を準備する（金型準備工程）。成形金型３０は、下面（金型面）３１ａ、および下面３１ａに形成されたキャビティ（凹部、窪み部）３１ｂを有する上金型（金型）３１と、この上金型３１の下面（金型面）３１ａと対向する上面（金型面）３２ａを有する下金型（金型）３２とを備えている。キャビティ３１ｂは、４つの角部が面取りされた略四角形の平面形状（矩形状、四辺形）を成す。また、上金型３１には、キャビティ３１ｂへの封止用樹脂４ａ（図１８参照）の供給口であるゲート部（図示は省略）、およびゲート部とは異なる位置（例えば対向する位置）に配置されるエアベント部（図示は省略）が、それぞれ形成されている。ゲート部は、例えば、キャビティ３１ｂの一つの角部に形成され、キャビティ３１ｂの側面に接続されている。また、エアベント部はゲート部とは異なる角部に形成され、キャビティ３１ｂの側面に接続されている。このように、ゲート部をキャビティ３１ｂの側面に配置する方式はサイドゲート方式と呼ばれる。

次に、成形金型３０の下金型３２上に配線基板２０を配置する（基材配置工程）。ここで、下金型３２と組み合わせる上金型３１に形成されたキャビティ３１ｂは、配線基板２０の各デバイス領域２０ａよりも面積が大きく、複数のデバイス領域２０ａを覆うように一つのキャビティ３１ｂが配置される。言い換えれば、キャビティ３１ｂの周縁部は配線基板２０の枠部２０ｂ上に配置される。

次に、上金型３１と下金型３２の距離を近づけて、配線基板２０を上金型３１と下金型３２でクランプする（クランプ工程）。これにより、キャビティ３１ｂ内、ゲート部、およびエアベント部以外の領域では、上金型３１（上金型３１の下面３１ａ）と、配線基板２０の表面１０ａが密着する。また、下金型３２（下金型３２の上面３２ａ）と、配線基板２０の裏面１０ｂが密着する。なお、クランプ工程での密着性を向上させるため、上金型３１の下面３１ａ側に、例えば、ポリイミド樹脂などの柔らかい樹脂から成るフィルムを貼り付けて、該フィルムを介して密着させることもできる。この場合、後述する基板取り出し工程で、フィルムと樹脂体４を容易に剥離することができる。

次に、図１８に示すようにキャビティ３１ｂ内に封止用樹脂４ａを供給し、これを硬化させることにより樹脂体４を形成する（封止体形成工程）。本工程では、図示しないポット部に配置された樹脂タブレットを加熱軟化させて、ゲート部からキャビティ３１ｂ内に封止用樹脂４ａを供給する、トランスファモールド方式により形成する。樹脂タブレットは、例えば熱硬化性樹脂であるエポキシ系の樹脂からなり、硬化温度よりも低い温度では、加熱することにより軟化して、流動性が向上する特性を有している。したがって、例えば図示しないプランジャで軟化した樹脂タブレットを押しこむと、軟化した封止用樹脂４ａが成形金型３０に形成されたゲート部からキャビティ３１ｂ内（詳しくは、配線基板２０の表面１０ａ側）に流れ込む。キャビティ３１ｂ内の気体は、封止用樹脂４ａが流入する圧力によりエアベント部から排出され、キャビティ３１ｂ内は、封止用樹脂４ａで満たされる。この結果、配線基板２０の表面１０ａ側に搭載された複数の半導体チップ２および複数のワイヤ３は、封止用樹脂４ａで一括して封止される。またこの時、配線基板２０のボンディングリード１１（図１６参照）も封止される。その後、キャビティ３１ｂ内を加熱することにより、封止用樹脂４ａを加熱硬化（仮硬化）させて、樹脂体４を形成する。

次に、前記した封止体形成工程で用いた成形金型３０から複数の樹脂体４が形成された配線基板２０を取り出す（基板取り出し工程）。本工程では、図１８に示す上金型３１と下金型３２を引き離して、配線基板２０を取り出す。

次に、成形金型３０から取り出した配線基板２０をベーク炉（図示は省略）に搬送し、再び配線基板２０を熱処理する（ベーク工程、本硬化工程）。成形金型３０内で加熱された封止用樹脂４ａは、樹脂中の硬化成分の半分以上（例えば約７０％程度）が硬化する、所謂、仮硬化と呼ばれる状態となる。この仮硬化の状態では、樹脂中の全ての硬化成分が硬化している訳ではないが、半分以上の硬化成分が硬化しており、この時点で半導体チップ２やワイヤ３は封止されている。しかし、樹脂体４の強度の安定性などの観点からは全ての硬化成分を完全に硬化させることが好ましいので、ベーク工程で、仮硬化した樹脂体４を再度加熱する、所謂、本硬化を行う。このように、封止用樹脂４ａを硬化させる工程を２回に分けることにより、次に成形金型３０に搬送される次の配線基板２０に対して、いち早く封止工程を施すことができる。このため、製造効率を向上させることができる。

上記の封止工程を施すことで、図１９に示すように、複数のデバイス領域２０ａにそれぞれ搭載された半導体チップ２（図２０参照）、複数のワイヤ３（図２０参照）を一括して封止する樹脂体（封止体）４が形成される。

６．ボールマウント工程
次に、図８に示すボールマウント工程（Ｓ６）について説明する。図２１は、図２０に示す配線基板の裏面に、半導体装置の外部電極（外部接続端子）となる複数の半田ボールを形成（接合）した状態を示す拡大断面図である。

本工程では、図２１に示す配線基板２０の裏面１０ｂ側に形成された複数のランド１３のそれぞれに複数の半田ボール（半田材）５を搭載する。詳しく説明すると、まず、図２１に示すように配線基板２０の上下を反転させて、配線基板２０の裏面１０ｂにおいて、絶縁膜１７から露出する複数のランド１３に複数の半田ボール５をそれぞれ配置する。続いて、半田ボール５を配置した配線基板２０に熱処理（リフロー）を施し、複数の半田ボール５をそれぞれ溶融させて複数のランド１３とそれぞれ接合する。リフロー工程では、配線基板２０をリフロー炉に配置して、半田ボール５の融点よりも高い温度、例えば、２６０℃以上まで加熱する。絶縁膜１７は、ソルダレジスト膜であるため、隣り合う半田ボール５同士の接合（ブリッジ）を防止することができる。

なお、本工程では半田ボール５とランド１３を確実に接合するため、例えば、フラックスと呼ばれる活性剤を用いて接合する。フラックスは、例えば、半田ボール５の表面に形成された酸化膜と接触することで、これを取り除くことができるので、半田ボール５の濡れ性を向上させることができる。このようにフラックスを用いて接合した場合には、熱処理後にフラックス成分の残渣を取り除くための洗浄を行う。

７．個片化工程
次に、図８に示す個片化工程（Ｓ７）について説明する。図２２は、図８に示す個片化工程の詳細なフローを示す説明図、図２３は、図８に示す個片化工程を行う装置（ダイシング装置）の概要構成を示す説明図である。本実施の形態の個片化工程では、図２２に示すフローに沿って、図２１に示す配線基板２０をデバイス領域２０ａ毎に分割し、個片化された複数の組立体（図１〜図４に示す半導体装置１）を取得する。以下図２２に示すフローに沿って説明する。

７−１．ダイシング装置準備工程
図２２に示すダイシング装置準備工程（Ｓ７１）では、例えば図２３に示すダイシング装置ＤＭを準備する。ダイシング装置ＤＭは、ダイシングブレードを用いた切断処理を複数回行って切断対象物に対して個片化処理を施すダイサー部（個片化処理部、ダイシング装置）５０を備えている。またダイシング装置ＤＭは、ダイサー部５０の隣に位置し、ダイサー部５０に搬送する切断対象物（配線基板２０）をダイシング治具４１上に配置する基板準備部（切断対象物準備部）５１を備えている。また、ダイシング装置ＤＭは、ダイサー部５０の隣に位置し、ダイサー部５０で個片化された組立体（半導体装置１）をそれぞれ個別に取り出すピックアップ処理部（後処理部）５２を備えている。また、ダイシング装置ＤＭは、ダイシング治具４１およびダイシング治具４１上に配置された配線基板２０を保持した状態で、基板準備部５１からダイサー部５０まで搬送する搬送部５３を備えている。また、ダイシング装置ＤＭは、個片化された状態でダイシング治具４１上に配置された複数の半導体装置（個片化された組立体）１およびダイシング治具４１を保持した状態でダイサー部５０からピックアップ処理部まで搬送する搬送部５４を備えている。なお、本実施の形態では、ダイサー部５０、基板準備部５１、ピックアップ処理部５２、および搬送部５３、５４を含めてダイシング装置ＤＭとして説明するが、図２１に示す配線基板２０および樹脂体４を切断し個片化する処理は、図２３に示すダイサー部５０において行うので、ダイサー部５０をダイシング装置として考えることができる。

７−２．治具セット工程
図２２に示す治具セット工程（Ｓ７２）では、図２３に示す基板準備部５１において、切断対象物である配線基板２０をダイシング治具４１上に配置する。図２４は、図２３に示すダイシング治具の上面を示す拡大平面図、図２５は図２４のＧ部の拡大平面図である。また、図２６は図２５に示すダイシング治具上に図２１に示す配線基板を配置した状態を示す拡大断面図である。なお図２６では見易さのため、図２１に示す半導体チップ２およびワイヤ３は図示を省略している。以下、個片化工程を説明する各図において、半導体チップ２およびワイヤ３は図示を省略する。

ダイシング治具４１は、本実施の形態の個片化工程において、図２１に示す配線基板２０がデバイス領域２０ａ毎に個片化され、個片化された組立体（半導体装置１）をそれぞれ個別に搬送するまでの間（図２２に示す治具セット工程Ｓ７２〜個片ピックアップ工程（Ｓ７７）までの間）、配線基板２０をハンドリングするための治具である。したがって、個片化前および個片化後の配線基板２０を搬送する搬送治具としての機能を備えている。また、図２２に示す基板切断工程（Ｓ７４）において、切断処理中の基板をステージ（ダイシングステージ）４２（図２３参照）に固定するための固定治具としての機能を備えている。本実施の形態では、基板切断工程（Ｓ７４）において、配線基板２０をダイシング治具４１上に吸着固定するので、ダイシング治具４１は吸着固定するために必要な構造を備えている。以下、図２４〜図２６を用いてダイシング治具４１の構造例について説明する。

ダイシング治具４１の上面（配線基板２０の配置面）４１ａには、複数の凹部４１ｂが形成されている。複数の凹部４１ｂは、配線基板２０を吸着固定するための窪みであって、各凹部４１ｂ内には、通気孔（吸気孔）４１ｆが形成されている。図２２に示す基板切断工程（Ｓ７４）では、通気口４１ｆから凹部４１ｂ内の気体を吸引することで、配線基板２０を含む構造体の表面１０ａ側（図２６に示す例では、樹脂体４の表面４ｂ）をダイシング治具４１の上面４１ａ側（詳しくは凸部４１ｃの上面４１ｅ）に密着させて固定する。また、ダイシング治具４１は、切断対象物との密着性を向上させるため、切断対象物を配置する面である上面４１ａ側は例えば硬質ゴムなどのゴム部材からなる。また、ステージ（ダイシングステージ、処理台、切断処理台）４２（図２３参照）上に吸着固定する際にダイシング治具４１が過剰に変形することを抑制するため、上面４１ａの反対側の面（下面）は例えばステンレス鋼などの金属部材でゴム部材を覆うことで、ダイシング治具４１の剛性を向上させている。

また、図２２に示す基板切断工程（Ｓ７４）で個片化された後の組立体が周囲に飛散することを防ぐため、切断対象部である配線基板２０（図９参照）のデバイス領域２０ａ（図９参照）の数に対応して、複数の凹部４１ｂが形成されている。本実施の形態では、１１２個のデバイス領域２０ａ（図９参照）を有する配線基板２０（図９参照）を配置する例を示しているので、１１２個の凹部４１ｂが形成されている。また、複数の凹部４１ｂは、それぞれ離間して形成され、隣り合う凹部４１ｂの間には、凸部４１ｃが形成されている。凹部４１ｂは平面視において、デバイス領域２０ａに沿った形状（本実施の形態では四辺形）を成し、凹部４１ｂの周囲は、凸部４１ｃに囲まれている。また、隣り合う凸部４１ｃの間には、基板切断工程でダイシングブレード４０（図２３参照）を挿入する溝部（空間）４１ｄがある。溝部４１ｄは図９に示すダイシング領域２０ｃの配置に対応し、格子形状を成すように配置されている。

治具セット工程（Ｓ７２）では、図２６に示すように配線基板２０の表面１０ａ側が、ダイシング治具４１の上面４１ａと対向するように配線基板２０をダイシング治具４１上に配置する。また、ダイシング領域２０ｃがダイシング治具４１の溝部と重なるように配線基板２０をダイシング治具４１上に配置して樹脂体４の表面（上面）４ｂと凸部４１ｃの上面（押さえ面、支持面）４１ｅを当接させる。言い換えれば、配線基板２０の複数のデバイス領域２０ａとダイシング治具４１の凹部４１ｂがそれぞれ重なるように配線基板２０をダイシング治具４１上に配置して樹脂体４の表面４ｂと凸部４１ｃの上面４１ｅを当接させる。言い換えれば、ダイシング治具４１に固定する配線基板２０のダイシング領域２０ｃと重なる位置には、配線基板２０を切断するダイシングブレード４０（図２３参照）を挿入する溝部４１ｄが形成されている。ダイシング治具４１は、凸部４１ｃの上面４１ｅと樹脂体４の表面４ｂを当接させて配線基板２０を支持（固定）する構造となっている。

本実施の形態のようにＢＧＡ型の半導体装置の製造工程では、個片化工程の前に半田ボール５を形成することで、半田ボール５を効率的に形成することができる。また、本実施の形態に対する変形例として、配線基板２０の裏面１０ｂ側を下に向けて（ダイシング治具４１と対向させて）配置することができる。しかし、半田ボール５が形成された配線基板２０の裏面１０ｂ側をダイシング治具４１と対向させた状態で固定すると、個片化工程において半田ボール５が損傷し、電気的信頼性が低下する原因となる場合がある。したがって、半田ボール５の損傷を抑制する観点からは図２６に示すように表面１０ａ側をダイシング治具４１と対向させた状態で個片化することが好ましい。

本工程において、ダイシング領域２０ｃと凸部４１ｃが重なるように配置した場合、あるいはデバイス領域２０ａと溝部４１ｄが重なるように配置した場合、図２２に示す切断工程で切断不良が発生する原因となる。例えば、基板切断工程で配線基板２０のアライメントマークを基準として切断位置を位置合わせする場合には、ダイシングブレード４０（図２３参照）が凸部４１ｃと衝突して損傷する。また例えば、基板切断工程でダイシング治具のアライメントマークを基準として切断位置を位置合わせする場合、デバイス領域２０ａの一部が切断されてしまう。このような切断不良を防止するため、図２５に示す溝部４１ｄに沿ってダイシング領域２０ｃ（図９参照）が配置されるように配線基板２０とダイシング治具４１の相対的な位置関係を調整する位置合わせを行うことが好ましい。図２５に示す溝部４１ｄに沿ってダイシング領域２０ｃ（図９参照）が配置することができれば、位置合わせの方法は特に限定されないが、例えば、配線基板２０とダイシング治具４１にそれぞれアライメントマークを付し、アライメントマークの認識結果に基づいて位置合わせすることができる。

７−３．基板固定工程
次に、図２２に示す基板固定工程（Ｓ７３）では、図２６に示す配線基板２０を図２３に示す基板準備部５１からダイサー部５０まで搬送し、ダイサー部５０のステージ４２上にダイシング治具４１を介して配置し、ステージ４２に固定する。図２７は図２３に示すダイサー部の詳細を示す平面図、図２８は、図２７のＨ−Ｈ線に沿った断面構造を模式的に示す説明図である。

図２７に示すようにダイサー部５０は、ステージ４２上にダイシング治具４１を介して切断対象物である配線基板２０を固定（吸着固定）する供給部（切断対象物供給部）５０ａを備えている。また、ダイサー部５０は、供給部５０ａの隣に設けられ、配線基板２０に対して切断処理を施すカット部（切断処理部）５０ｂを備えている。また、ダイサー部５０は、供給部５０ａの隣に設けられ、個片化後の配線基板２０に対して乾燥処理（乾燥処理の前に洗浄処理を行う場合もある）を施す乾燥部（後処理部）５０ｃを備えている。また、ダイサー部５０は、個片化後の配線基板２０およびダイシング治具４１をステージ４２上から取り外す排出部（切断対象物排出部）５０ｄを備えている。図２３および図２７では、供給部５０ａと排出部５０ｄを兼用する例を示している。つまり、カット部５０ｂで個片化が完了した配線基板２０は乾燥部５０ｃに搬送され乾燥処理を行った後、再び供給部５０ａに搬送されてステージ４２上から取り外される。供給部５０ａおよび排出部５０ｄは、それぞれ図２３に示す搬送部５３、５４を挿入し、ステージ４２上に固定する、あるいはステージ４２上から取り外す作業をする空間が必要となる。このため、供給部５０ａと排出部５０ｄを兼用化することで、ダイサー部５０の占有面積を小さくすることができる。ただし、供給部５０ａ、排出部５０ｄのレイアウトは図２３および図２７に示す態様に限定されず、例えば、乾燥部５０ｃを排出部５０ｄとして用いる構成、あるいは乾燥部５０ｃの隣に別途排出部５０ｄを設ける構成とすることができる。これらの方法によれば、例えば乾燥処理を行っている間に、次の配線基板の切断処理を行うことができるので、製造効率を向上させることができる。

また、ダイサー部５０は、ダイサー部５０内で切断処理、（洗浄処理）、および乾燥処理を行う処理台であるステージ（ダイシングステージ、処理台、切断処理台）４２を備えている。ステージ４２は、上面側に切断対象物を保持する保持部（チャックステージ）４２ａ（図２８参照）を備え、保持部４２ａでダイシング治具４１を保持することで配線基板２０およびダイシング治具４１をステージ４２上に固定することができる。また、ステージ４２には駆動部４２ｂ（図２８参照）が接続され、ステージ４２は駆動部４２ｂの駆動力によりカット部５０ｂと供給部５０ａ（排出部５０ｄ）の間を図２７および図２８に示すＸ方向に沿って往来できるようになっている。また、ステージ４２は駆動部４２ｂの駆動力により供給部５０ａ（排出部５０ｄ）と乾燥部５０ｃの間を図２７に示すＹ方向に沿って往来できるようになっている。また、ステージ４２は駆動部４２ｂの駆動力により、図２７に示すＸ−Ｙ平面においてθ方向に回転できるようになっている。また、ステージ４２には、エア通路（気体流路、排気経路）４２ｃが形成され、エア通路４２ｃは例えば、真空ポンプなどの吸気装置ＶＰに接続されている。また、ステージ４２上にダイシング治具４１を固定すると、ダイシング治具４１の複数の通気孔４１ｆとエア通路４２ｃが連通し、吸気経路が形成される。したがって、ステージ４２上にダイシング治具４１を固定すると、図２６に示す凹部４１ｂ内の気体を吸気する吸気経路が形成される。このため、複数の通気孔４１ｆから吸気すると、樹脂体４の表面４ｂと凸部４１ｃ（詳しくは凸部４１ｃの上面４１ｅ）が密着し、配線基板２０をダイシング治具４１を介してステージ４２（図２８参照）上に吸着固定する事ができる。また各凹部４１ｂは、それぞれ通気孔４１ｆと接続されている。言い換えれば、通気孔４１ｆは、図２６に示す配線基板２０のデバイス領域２０ａ毎に形成されている。つまり、図２６に示すように、配線基板２０のデバイス領域２０ａ毎に固定することができるので、個片化された後の各デバイス領域２０ａが周囲に飛散することを防止することができる。

基板固定工程（Ｓ７３）では、図２３に示す搬送部５３のハンド（保持部）５３ａで配線基板２０およびダイシング治具４１を保持する。次に配線基板２０およびダイシング治具４１を保持した状態でアーム（支持部）５３ｂを基板準備部５１からダイサー部５０（詳しくはダイサー部５０の供給部５０ａ）まで搬送し、供給部５０ａに配置された（セットされた）ステージ４２上に配線基板２０およびダイシング治具４１を配置する。ハンド５３ａで保持する際には、ダイシング治具４１と配線基板２０の平面的位置関係がずれないように、配線基板２０をハンド５３ａで押さえながら保持することが好ましい。また、図２８に示すように供給部５０ａは、搬送部５３を挿入するための開口部５０ａ１を備え、開口部５０ａ１を塞ぐ扉（シャッタ）５０ａ２を開放することで、搬送部５３を供給部５０ａ内に挿入することができる。供給部５０ａ内において、ステージ４２上にダイシング治具４１および配線基板２０を配置すると、前記したように図２６に示す凹部４１ｂ内の気体を吸気する吸気経路が形成されるため、配線基板２０は、ダイシング治具４１を介してステージ４２上に吸着固定される。

７−４．基板切断工程
次に、図２２に示す基板切断工程（Ｓ７４）では、図２８に示す配線基板２０が配置（吸着固定）されたステージ４２を供給部５０ａからカット部５０ｂに向かって移動させ、ダイシングブレード４０が配線基板２０のダイシング領域２０ｃ（図９参照）内を走行することで、配線基板２０に切削加工を施して切断する。図２９は図２８に示す配線基板をダイシング領域に沿って切断した状態を示す拡大断面図である。また、図３０は図２８に示すダイシングブレード周辺の構造を示す説明図であって、ダイシングブレードを下面側から見た状態を示している。また、図３１は、図２８に示すステージを移動させて配線基板を切断している状態を模式的に示す説明図である。

本工程では、図２９に示すように、表面１０ａ側に複数の樹脂体４が形成された配線基板２０を、ダイシング治具４１上に固定した状態で、配線基板２０をダイシング領域２０ｃに沿って移動させて切削加工する。配線基板２０をダイシング領域２０ｃに沿って切断するためには、ダイシングブレード４０、配線基板２０のいずれか一方、または両方を、ダイシング領域２０ｃに沿って移動させて切削加工すれば良い。したがって、変形例としてはダイシングブレード４０を移動させて切断する実施態様も考えられる。しかし、装置小型化の観点からは、ダイシングブレード４０は移動させず、ステージ４２を移動させることが好ましい。また、ダイシング領域２０ｃに沿って正確にダイシングブレード４０を走行させる観点からは、本実施の形態のように、切断対象物である配線基板２０を移動させ、ダイシングブレード４０は、切削加工中は移動させない方が好ましい。また、ダイシングブレード４０の下端がダイシング治具４１の溝部４１ｄ内に挿入される高さで走行させることにより、配線基板２０および樹脂体４を確実に切断することができる。ダイシングブレード４０は、略円形の外形形状を成す薄板の外周に、ダイヤモンドなどの砥粒を固着させた切削加工治具（回転刃）であって、薄板を回転させることにより、外周に固着した砥粒が切断対象物（本実施の形態では配線基板２０および樹脂体４）の切断領域を切削加工して切断する。

図２７および図２８に示すようにダイサー部５０のカット部５０ｂには、ダイシングブレード４０が取り付けられた切削加工器（ブレードユニット、切削加工装置）４３が配置されている。切削加工器４３はダイシングブレード４０の上部を覆うカバーであるケース（カバー、蓋体）４４を備え、ダイシングブレード４０はケース４４内に配置される。

また、図２８に示すように、切削加工器４３はダイシングブレード４０による切削加工中にダイシングブレード４０の表面（例えば側面）に向かって液体（例えば水）を供給するノズル４５を備えている。ノズル４５は切削加工中のダイシングブレード４０の温度上昇を抑制する冷却用ノズルであって、図３０に示すようにノズル４５の先端（吐出口）は、ダイシングブレード４０の側面４０ｂに向けて配置されている。また、図３０に示すようにノズル４５は、ダイシングブレード４０の二つの側面４０ｂにそれぞれ配置されている。これにより、切削加工中にダイシングブレード４０の二つの側面４０ｂに向かってそれぞれ冷却液（液体、水、冷却水）４５ａを吹き付ける（供給する）ことができる。二つのノズル４５からの冷却液４５ａの供給速度は、例えば、それぞれ毎分１．０〜２．０リットル程度である。ノズル４５の吐出部は、ダイシングブレード４０までの距離を短くするため、ケース４４内に配置されている。また、変形例として、冷却液４５ａの供給圧力を上昇させるためにノズル４５に加圧用の流体（気体、例えば空気）を供給する構成が考えられる。しかし、ノズル４５からの冷却液４５ａの供給圧力が高すぎると、切削屑を巻き上げてケース４４内が汚染する原因となるので、本実施の形態ではノズル４５には加圧用の流体（気体、例えば空気）は供給されていない。

また、図２８に示すように、切削加工器４３はダイシングブレード４０による切削加工中にダイシングブレード４０の端部（端面、円周面）に向かって液体（例えば水）を供給するノズル４６を備えている。ノズル４６は切削加工中に発生する切削屑を取り除く洗浄用ノズルであって、図３０に示すようにノズル４６の先端（吐出口）は、ダイシングブレード４０の端面（２つの側面４０ｂの間に位置する円周面）４０ａと対向する位置に配置され、端面４０ａに向けて配置されている。これにより切削加工中にダイシングブレード４０の端部（端面４０ａ）に向かってそれぞれ洗浄液（液体、水、洗浄水）４６ａを吹き付ける（供給する）ことができる。切削加工中に洗浄液４６ａを供給することで、切削加工で発生する切削屑（多くは図２９に示す樹脂体４や配線基板２０を構成する細かい樹脂屑）が配線基板２０上に滞留することを抑制できる。また、洗浄液４６ａをダイシングブレード４０の主たる切削面である端面４０ａに吹き付けることで、ダイシングブレード４０の表面に露出した複数の砥粒の間の隙間が切削屑で埋まってしまうことを抑制できる。ノズル４６からの洗浄液４６ａの供給速度は、ノズル４５から冷却液４５ａを供給する供給速度よりも小さく、例えば、それぞれ毎分１．０〜２．０リットルである。また、変形例として、洗浄液４６ａの供給圧力を上昇させるためにノズル４６に加圧用の流体（気体、例えば空気）を供給する構成が考えられる。しかし、ノズル４６からの冷却液４６ａの供給圧力が高すぎると、切削屑を巻き上げてケース４４内が汚染する原因となるので、本実施の形態ではノズル４６には加圧用の流体（気体、例えば空気）は供給されていない。

また、ダイサー部５０のカット部５０ｂは、配線基板２０の位置を特定するアライメント部（基板位置認識部）４７を備えている。基板切断工程では、切削加工を開始する前に切断対象物である配線基板２０とダイシングブレード４０の相対的な位置関係を調整（位置合わせ）する必要があるが、アライメント部４７により配線基板２０に形成されたアライメントマークを検出し、配線基板２０の位置を特定することで位置合わせを行うことができる。

また、ダイサー部５０のカット部５０ｂは、ダイシングブレード４０による切削加工の後で切削対象物である配線基板２０に向かって液体（例えば水）を供給するノズル４８を備えている。ノズル４８は切削加工時に配線基板２０の周囲から取り除かれなかった異物を取り除く異物除去用ノズルであって、図３０に示すようにノズル４８の先端（吐出口）は、ケース４４から離間した位置に配置されている。詳しくは、ノズル４８は供給部５０ａとダイシングブレード４０の間、更に詳しくは、供給部５０ａとカット部５０ｂを隔てる隔壁のカット部側に取り付けられている。ノズル４８は、切削加工時に取り除くことができなかった異物を取り除くため、ノズル４５、４６よりも高い圧力で液体（例えば水）を供給する。ノズル４８の更に詳細な構成は後述する。

基板切断工程（Ｓ７４）では、図３１に示すようにダイシング治具４１を介してステージ４２上に配線基板２０を固定（吸着固定）して、例えば、ダイシングブレード４０を矢印Ｄ１で示す回転方向に回転させながら、配線基板２０を固定したステージ４２を矢印Ｄ２で示す方向に向かって（供給部５０ａからカット部５０ｂに向かって）移動させる。したがって、図２９に示すように、配線基板２０のダイシング領域２０ｃと、溝部４１ｄとが、重なるように配線基板２０を固定することで、ダイシングブレード４０を溝部４１ｄ内まで貫通させて、配線基板２０を切断することができる。また、凸部４１ｃは配線基板２０のダイシング領域２０ｃに沿って延びるように配置されるため、ダイシングブレード４０による切削加工時に、ダイシング領域２０ｃの周辺をしっかりと固定することができる。

なお、ダイシングブレード４０の回転方向は、一般に２種類ある。すなわち、１つは、図３１に矢印Ｄ１として示すように、配線基板２０の裏面１０ｂから表面１０ａに向かって回転するダウンカット方式である。ダウンカット方式では、被切削物である配線基板２０を移動させる切削方法の場合において、ダイシングブレード４０が、配線基板２０の切削方向（移動方向）４４に対して前方に切削物を削り出すように回転する。そして、図示は省略するが、もう１つは、配線基板２０の表面１０ａから裏面１０ｂに向かって回転するアッパカット方式である。アッパカット方式では、被切削物である配線基板２０を移動させる切削方法の場合において、ダイシングブレード４０が、配線基板２０の切削方向（移動方向）４４に対して後方に切削物を削り出すように回転する。図３１に示すダウンカット方式は、配線基板２０の切削加工領域をダイシング治具４１に抑えつけるように回転するので、アッパカット方式よりも配線基板２０を固定し易い。このため、本実施の形態では、ダウンカット方式を採用している。

また、図９に示すように配線基板２０には、平面視においてＸ方向に沿って延びる複数の（図９では８本）のダイシング領域（切断領域）２０ｃ１と、Ｘ方向と直交するＹ方向に沿って延びる複数（図９では１７本）のダイシング領域（切断領域）２０ｃ２が設けられている。したがって、本工程で各ダイシング領域２０ｃを切断し、マトリクス状に配置されるデバイス領域２０ａ毎に分割するためには、図９に示すＸ方向およびＹ方向についてそれぞれ複数回ずつダイシングブレード４０（図２９参照）を走行させる必要がある。したがって、図２２に示すＸ方向切断工程（Ｓ７４１）とＹ方向切断工程（Ｓ７４４）はそれぞれ複数回繰り返して行う。例えば図３１を用いて説明すると、供給部５０ａからカット部５０ｂに向かう方向（矢印Ｄ２）にステージ４２を移動させて配線基板２０を一方の端部から反対側の端部まで切断した後、カット部５０ｂから供給部５０ａに向かう方向（矢印Ｄ３）にステージ４２を移動させる。そして、第１回目に切断したダイシング領域２０ｃとは異なるダイシング領域２０内をダイシングブレード４０が走行するように図２７に示すＹ方向に位置合わせを行った後、第２回目の切削加工を行う。すなわち、供給部５０ａからカット部５０ｂに向かう方向（矢印Ｄ２）にステージ４２を移動させて配線基板２０をダイシング領域２０ｃに沿って一方の端部から反対側の端部まで切断する。これをダイシング領域２０ｃの本数に応じて繰り返し行う。また、Ｘ方向切断工程（Ｓ７４１）とＹ方向切断工程（Ｓ７４４）の間には、図２７に示すステージ４２をθ方向に９０°回転させる方向転換工程（Ｓ７４３）を少なくとも１回以上行う。なお、図２２に示す異物洗浄工程（Ｓ７４２、Ｓ７４５）は、Ｘ方向切断工程（Ｓ７４１）やＹ方向切断工程（Ｓ７４４）で発生した異物を図３１に示すノズル４８を用いてステージ４２（図２８参照）上から取り除く工程である。この異物洗浄工程（Ｓ７４２、Ｓ７４５）の詳細は後述する。

７−５．基板乾燥工程
次に、図２２に示す基板乾燥工程（Ｓ７５）では、デバイス領域２０ａ毎に複数に分割された配線基板２０を図２７に示すようにステージ４２上に吸着固定した状態で供給部５０ａ（排出部５０ｄ）から乾燥部５０ｃに移動させ、配線基板２０の周辺に付着した水分を取り除く（配線基板２０の周辺を乾燥させる）。配線基板２０の周囲に水分を取り除くことが出来れば乾燥方法は特に限定されないが、例えば乾燥空気（大気中の水分を取り除いた空気）を配線基板２０に吹き付ける方法、ヒータなどの加熱部（図示は省略）を乾燥部５０ｃ内に配置して、配線基板２０の周囲を加熱する方法、あるいはこれらの組み合わせを用いることができる。ステージ４２、ダイシング治具４１、および配線基板２０に付着した水分を取り除いたらステージ４２を乾燥部５０ｃから排出部５０ｄ（供給部５０ａ）に移動させる。本工程は、配線基板２０はダイシング治具４１を介してステージ４２上に吸着固定した状態で行う。

なお、本実施の形態では、基板切断工程（Ｓ７４）の後、乾燥部５０ｃで配線基板２０の周囲を乾燥させる実施態様について説明したが、変形例としては配線基板２０を乾燥させる前に、他の処理を施すことができる。例えば、配線基板２０の周囲を再洗浄し（再洗浄工程を施し）、その後、配線基板２０を乾燥させる（乾燥工程）ことができる。この再洗浄工程や乾燥工程はデバイス領域２０ａ毎に個片化された配線基板２０に対して処理を施す、後処理工程に含まれる。

７−６．治具搬出工程
次に、図２２に示す治具搬出工程（Ｓ７６）では、図２７に示す排出部５０ｄ（供給部５０ａ）から個片化された配線基板２０およびダイシング治具４１を搬出する。図３２は、図２８に示す排出部において搬送部で配線基板およびダイシング治具を保持した状態を示す拡大断面図である。

図３２に示すように個片化された配線基板２０およびダイシング治具４１を排出部５０ｄから搬出する搬送部５４は、ダイシング治具４１および個片化された配線基板２０（デバイス領域２０ａ）を保持するハンド（保持部）５４ａおよびハンド５４ａを移送するアーム（支持部）５４ｂを備えている。また、搬送部５４のハンド５４ａは、搬送対象物（ダイシング治具４１）に当接して吸着保持する吸着部５４ｃおよびダイシング治具４１を吸着保持する際に配線基板２０（個片化された複数のデバイス領域２０ａ）が動かないようにダイシング治具４１に押さえる押さえ部５４ｄを備えている。搬送部５４はハンド５４ａの吸着部５４ｃによりダイシング治具４１を吸着保持し、押さえ部５４ｄとダイシング治具４１の間で個片化された配線基板２０（デバイス領域２０ａ）をクランプすることで、個片化された配線基板２０（デバイス領域２０ａ）を保持する構造となっている。図２８に示す搬送部５３と、図３２に示す搬送部５４は、同様の構造になっている。このため、本実施の形態に対する変形例として、搬送部５３および搬送部５４を兼用化し、図２７に示す供給部５０ａへの搬入と排出部５０ｄからの搬出を一つの搬送部（搬送部５３または搬送部５４）で行うことができる。ただし、ダイシング装置ＤＭ（図２３参照）は、供給部５０ａへの搬入を行う搬送部５３と、排出部５０ｄからの搬出を行う搬送部５４を別々に備えていることが好ましい。これにより、搬送部５４は、個片化、洗浄、および乾燥が終了した配線基板２０およびダイシング治具４１を専ら搬送することとなるため、搬送部５４を介した個片化後の製品の汚染を防止ないしは抑制できる。

また排出部５０ｄは搬送部５４を挿入するための開口部５０ｄ１を備え、開口部５０ｄ１を塞ぐ扉（シャッタ）５０ｄ２を開放することで、搬送部５４（ハンド５４ａ）を排出部５０ｄ内に挿入することができる。治具搬出工程（Ｓ７６）では、ハンド５４ａを排出部５０ｄ内に挿入し、ステージ４２上に吸着固定されたダイシング治具４１上に配置する。そしてハンド５４ａの複数の吸着部５４ｃをダイシング治具４１に当接させてダイシング治具４１を吸着保持する。また押さえ部５４ｄを個片化された配線基板２０に押し当てて、ダイシング治具４１上に固定する。この状態で、ステージ４２のエア通路４２ｃに接続される吸気装置ＶＰからの吸気を遮断れば、図３２に示すようにダイシング治具４１および個片化された配線基板２０をステージ４２上に持ち上げることができる。次にハンド５４ａにより配線基板２０およびダイシング治具４１を保持した状態でアーム（支持部）５３ｂを動作させて、排出部５０ｄから搬出する。本実施の形態では次工程は、個片ピックアップ工程（Ｓ７７）（図２２参照）となっているので、次にハンド５４ａにより配線基板２０およびダイシング治具４１を保持した状態でアーム（支持部）５３ｂを移動させて排出部５０ｄから図５３に示すピックアップ処理部５２まで搬送する。

７−７．個片ピックアップ工程
次に、図２２に示す個片ピックアップ工程（Ｓ７７）では、図３３に示すようにダイシング治具４１上から個片化された配線基板２０（デバイス領域２０ａ、半導体装置１）をそれぞれ吸着保持して個別に取り出す。図３３は、図３２に示すダイシング治具上から個片化された半導体装置をピックアップする状態を示す拡大断面図である。

個片ピックアップ工程（Ｓ７７）では、例えば、図３３に示すように、ピックアップ治具（個片保持部）５５で個片化された配線基板２０（デバイス領域２０ａ、半導体装置１）をそれぞれ吸着保持する。そして、吸着保持された半導体装置１を持ち上げてダイシング治具４１上から取り出す。本工程でピックアップされた各半導体装置１は、ピックアップ治具５５に保持された状態、あるいは、図示しないトレーに収納された状態で次工程（例えば、検査工程）に搬送する。そして、外観検査など必要な検査、試験を行い、図１に示す半導体装置１が完成する。一方、全ての半導体装置１が取り出されたダイシング治具４１は、基板準備部５１に搬送され、新たな切断対象物である配線基板２０をダイシング治具４１上に配置する。ここで、例えばダイシング治具４１の溝部４１ｄなどに髭状の異物が残留し、その一部が凸部４１ｃ上にはみ出している場合、新たな配線基板２０とダイシング治具４１の間に髭状の異物が挟まって、吸着不良や切断不良の原因となる。しかし、本実施の形態によれば、前記した基板切断工程において髭状の異物を除去することができるので、これを防止ないしは抑制することができる。ただし、図３５に示すようにノズル４８から高圧の液体４８ａを吹き付けても溝部４１ｄ（図２９参照）内に髭状の異物の一部が残留した場合に備え、基板準備部５１に搬送する前にダイシング治具４１を洗浄することが好ましい。つまり、ピックアップ工程の後、ダイシング治具４１を洗浄し、乾燥させた後で、基板準備部５１に搬送することが好ましい。

＜基板切断工程で生じる課題＞
図１〜図４に示す半導体装置１は上記のように製造されるが、本願発明者の検討によれば、個片化工程（Ｓ７）において、ダイシング治具４１上に配線基板２０を固定した状態でダイシングブレード４０を走行させて配線基板２０を切断する方式で個片化する場合、以下の課題が生じることが判った。すなわち、ダイシングブレード４０で配線基板２０を切断する際に、切削屑よりも大きい髭状の異物や切断された配線基板２０の端材が発生し、これらの異物が個片化工程以降の製造工程において不具合の発生原因となることが判った。前記した基板切断工程（Ｓ７４）では、切断対象物の切断領域（ダイシング領域２０ｃ）の部材はダイシングブレード４０により切削加工され大部分が細かい切削屑となって排出されるが、一部が髭状（紐状）の異物として切断対象物の近傍に残留する。本願発明者がこの髭状の異物について調査した所、配線基板２０の絶縁層を構成する材料（絶縁層材料）に由来することが判った。本願発明者がこの髭状の異物について分析した所、紐状の異物は、被切削物の構成材料のうち、配線基板２０の構成材料（例えば、配線基板２０の絶縁層１４）から成る。また、異物の厚さは２０μｍ〜３０μｍ程度、幅はダイシングブレード４０の幅と同程度（例えば約２００μｍ〜３００μｍ程度）の断面形状を有し、紐状（帯状）に長く延在した形状となっていた。また異物の長さは、最も長い物は、切断された配線基板２０の切断方向に沿った長さと同程度の長さとなっていた。また、発生した髭状の異物を取り出して観察すると、円弧状（比較的径の大きいコイル状）に巻かれた外観形状、あるいは棒状の外観形状となっていた。

本願発明者の検討によれば、この髭状の異物は、以下のメカニズムで発生すると考えられる。個片化工程では、図２９に示すようにダイシングブレード４０を押し当てて、配線基板２０の裏面１０ｂ側から表面１０ａ側に向かって順次切削加工を施す。したがって、切削加工時は、配線基板２０に対してダイシングブレード４０からの押圧力が裏面１０ｂから表面１０ａに向って加わることになる。ここで、配線基板２０の裏面１０ｂから樹脂体４の表面４ｂまで順々に切削されて細かい切削屑になれば、上記髭状の異物は発生しないが、切削加工により切断対象物（切削対象物）の厚さが薄くなるとダイシングブレード４０からの押圧力により切断対象物が細かく切削させるよりも先に破断してしまう。ここで、ダイシング治具４１を用いた基板切断工程では、図２９に示すように切断対象物である配線基板２０とダイシング治具４１の間（樹脂体４と溝部４１ｄの底面の間）にダイシングブレード４０を挿入するための空間（溝部）がある。このため切断対象物の一部が破断すると、破断した部分（未切削部分）はダイシングブレード４０からの押圧力を受けて溝部４１ｄ内に押し出される。この結果、溝部４１ｄ内に押し出された未切削部分にはダイシングブレード４０からの押圧力が十分に伝達されず、細長い髭状の異物が形成されたと考える。また、樹脂体４を構成する封止用の樹脂は、配線基板２０の絶縁層（コア層）１４を構成するプリプレグ材よりも脆く細かく砕けやすい。このため、髭状の異物は主として配線基板２０の材料で構成されていると考えられる。また、本実施の形態では、前記したように、ダウンカット方式を採用しているが、ダウンカット方式は、配線基板２０をダイシング治具４１に向かって押しつける方向に回転するので、アッパカット方式よりも破断が発生しやすい。

また、個片化前の配線基板２０は、図１９に示すように枠部２０ｂを備えているが、基板切断工程でデバイス領域２０ａ毎に個片化された後には、この枠部２０ｂが端材として図３１に示すステージ４２上（ダイシング治具４１上を含む）に残ってしまう場合がある。

このような髭状の異物や端材は、個片化工程以降の製造工程において不具合の発生原因となる。例えば、前記した基板搬出工程において図３２に示すハンド５４ａの吸着部５４ｃとダイシング治具４１の間に異物や端材が介在すると、ハンド５４ａで吸着保持できなくなり、吸着不良の原因となる。また、押さえ部５４ｄと配線基板２０の間に髭状の異物が挟まると、図２９に示すように配線基板２０の裏面１０ｂに形成された半田ボール５に髭状の異物が絡まって、半田ボール５が損傷する懸念がある。また、前記した基板搬出工程で吸着保持できた場合でも、次工程に搬送する際に、異物や端材が一緒に搬送されると次工程（例えば個片ピックアップ工程）で同様の不具合が発生する原因となる。また、図３１に示すステージ４２上に上記異物や端材が残留すれば、次の切断対象物（配線基板２０）を切断する際に、ステージ４２とダイシング治具４１の間に異物や端材が挟まって切断対象物が傾いてしまう。

上記のような不具合を解決するため、基板切断工程で発生する髭状の異物や端材を治具搬出工程よりも前（特に好ましくは基板乾燥工程よりも前）に取り除くことが好ましい。そこで、本願発明者は基板切断工程において髭状の異物や端材を取り除く技術について検討を行った。本願発明者はまず、切削加工中の配線基板２０に対して高い圧力で水を吹き付けることで、髭状の異物や端材を取り除く方法について検討した。詳しくは、図３１に示すノズル４６から供給する水の圧力を高くした。また、ノズル４６とは別に、ケース４４内にノズル４６よりも高い圧力で水を供給するノズル（図示は省略）を設け、該ノズルから切削加工中の配線基板２０に対して高い圧力で水を吹き付ける方法についても検討を行った。ところが、以下の課題があることが判った。すなわち、切削加工中に髭状の異物を除去できる程の高い圧力で液体を配線基板２０に吹き付けると、切削屑が巻きあがってケース４４内の各部材が汚染されるため、個片化後の配線基板２０が汚染される原因となる。また、切削加工中に複数のノズルから異なる圧力で水を供給する場合、供給圧力によっては、互いの水の流れを阻害してしまうことが判った。特に、髭状の異物や端材を除去するためには、ノズル４５やノズル４６よりも高い圧力で液体（例えば水）を供給する必要があるので、異物除去用のノズルをノズル４５、４６の近くに配置すると、ノズル４５、４６から供給される液体の流れが阻害され易い。逆に言えば、ノズル４５、４６から供給される液体の流れが阻害されないように、異物除去用のノズルからの液体の供給圧力を低く抑えると、髭状の異物や端材を十分に除去できない。

＜基板切断工程の詳細＞
本願発明者は上記検討結果を踏まえ、本実施の形態の基板切断工程の構成を見出した。図３４は、図２２に示すＸ方向切断工程またはＹ方向切断工程時のダイシング装置内の動作について示す拡大断面図である。また、図３５は、図２２に示す異物洗浄工程時のダイシング装置内の動作について示す拡大断面図である。また図３６は、図３５に示す異物除去用ノズルの構造を示す断面図、図３７は図３５に示す異物除去用ノズルの上面図である。

図２２に示すＸ方向切断工程（Ｓ７４１）では、図３４に示すように、配線基板２０が吸着固定されたステージ４２を供給部５０ａからカット部５０ｂに向かって移動させて、例えば、図９に示すようにＸ方向に沿って延びるダイシング領域２０ｃ１を切断する。この時、図３４に示すダイシングブレード４０は、矢印Ｄ１で示す回転方向（ダウンカット方向）に回転しながらダイシング領域２０ｃ１内を走行する。またこの時、図３４に示すように、ノズル４５、４６からはそれぞれ液体（冷却液４５ａおよび洗浄液４６ａ）を供給しながらダイシングブレード４０により切削加工を施す。またこの時、図３４に示すように、異物除去用ノズルであるノズル４８からは液体を供給しない。すなわち、ノズル４８からの液体（例えば水）の供給を停止した状態で、ステージ４２を移動させる（切削加工を施す）。言い換えれば、ノズル４８は稼働していない状態でステージ４２を移動させる（切削加工を施す）。このように、切削加工時に異物除去用ノズルであるノズル４８からの液体の供給を停止させることにより、ノズル４５、４６から供給される液体（冷却液４５ａおよび洗浄液４６ａ）の流れが阻害されることを防止ないしは抑制できる。言い換えれば、ノズル４５から供給される冷却液４５ａ（例えば水）によりダイシングブレード４０を冷却することができる。また、ノズル４６から供給される洗浄液４６ａ（例えば水）により、切削加工で発生する細かい切削屑を除去することができる。なお、切削加工により上記した髭状の異物が発生するが、この時点では髭状の異物が除去されなくても良い。

次に、図２２に示す異物除去工程（Ｓ７４２）では、図３５に示すように、ノズル４８から液体４８ａを供給しながら配線基板２０が吸着固定されたステージ４２をカット部５０ｂから供給部５０ａに向かって移動させる。前記したように、複数のダイシング領域２０ｃを切断し、マトリクス状に配置されるデバイス領域２０ａ毎に分割するためには、図９に示すＸ方向およびＹ方向についてそれぞれ複数回ずつダイシングブレード４０（図２９参照）を走行させる必要がある。図２２に示すＸ方向切断工程（Ｓ７４１）とＹ方向切断工程（Ｓ７４４）はそれぞれ複数回繰り返して行う。言い換えれば、第１本目のダイシング領域２０ｃを切断した後は、ステージ４２を供給部５０ａに向かって移動させて第２本目のダイシング領域２０ｃを切断する。本実施の形態では、供給部５０ａに向かってステージ４２を移動させる際にノズル４８から配線基板２０に向かって液体（除去）４８ａを吹き付けることで配線基板２０の周辺に残留する髭状の異物や端材をステージ４２上から取り除く。

また本工程は、切削加工中に取り除くことが難しい髭状の異物や端材を取り除く工程なので、ノズル４８から供給される液体４８ａの供給圧力は図３４に示す冷却液４５ａや洗浄液４６ａの供給圧力よりも高く設定することが好ましい。本実施の形態では、ノズル４８からの供給圧力を向上させるため、ノズル４８内で複数の流体を混合して吹き出す方式を採用している。詳しくは図３６に示すように、ノズル４８は、例えば空気などの気体（流体）４８ａ１を供給する経路と、例えば水などの液体（流体）４８ａ２を供給する経路を備えている。また、気体４８ａ１の供給経路と液体４８ａ２の供給経路は、ノズル４８内で一体化し、吐出口４８ｂに接続されている。言い換えれば、吐出口４８ｂは、空気などの気体（流体）４８ａ１を供給する供給口４８ｃ、および水などの液体（流体）４８ａ２を供給する供給口４８ｄと連通している。このように複数の流体を混合して吹き出すことで、容易に液体４８ａの供給圧力を上昇させることができる。例えば本実施の形態では、供給口４８ｃに空気を３００Ｐａ程度の圧力で供給し、供給口４８ｄには水を毎分０．５〜１．５リットル程度の流速（供給速度）で供給している。これにより、ノズル４８からの液体４８ａの供給圧力は、図３４に示すノズル４５やノズル４６のからの供給圧力に対して２倍以上となる。このように複数の流体を混合して供給する方法は供給圧力を調整し易くなる点で好ましい。また、同じ供給圧力で液体を供給する場合、液体のみで供給するよりも液体と気体を混合して供給した方が吹き付け対象物（配線基板２０）に与えるダメージが小さくなる。例えば、気体４８ａ１を供給せずに、ノズル４８からの供給圧力をノズル４６からの供給圧力に対して２倍以上にする場合、ノズルの吐出口の開口径が一緒とすれば、液体の供給速度を２倍以上にする必要がある。このため、液体の重さが増大するので吹き付け対象物に与えるダメージが大きくなる。したがって、変形例として一流体（液体４８ａ２）のみを吹き付ける実施態様も考えられるが、異物を除去する際の配線基板２０のダメージを低減する観点からは本実施の形態のように複数の流体を混合して供給する方がより好ましい。

このように本実施の形態によれば、Ｘ方向切断工程（Ｓ７４１）と異物除去工程（Ｓ７４２）を別々のタイミングで実施するので、ノズル４８から高い圧力で液体４８ａを供給することができる。この結果、髭状の異物や端材を確実に除去することができる。また、Ｘ方向切断工程（Ｓ７４１）ではノズル４８からの液体の供給を停止するので、切削加工時にはノズル４８から供給される液体４８ａの影響を受けない。このため、高圧の液体４８ａを切断対象物に吹き付けることによる切断不良を防止ないしは抑制できる。つまり、基板切断工程で切断不良を発生させることを抑制しつつ、かつ、基板切断工程以降の工程で不具合の原因となる髭状の異物や端材を確実に取り除くことができる。この結果、半導体装置の製造効率を向上させることができる。

また、図３７に示すようにノズル４８は、図３５に示すステージ４２の移動方向（矢印Ｄ３）に対して交差（直交）する方向に並べて配置される複数の吐出口４８ｂを備えていることが好ましい。変形例として１つの吐出口４８ｂを備えるノズル４８を用いることもできるが、吐出口４８ｂが１つの場合、液体４８ａの吹き付け範囲が狭くなる。あるいは吐出口４８ｂが１つの場合、液体４８ａの供給圧力が低下する。一方、図３７に示すように複数の吐出口４８ｂを並べて配置すれば、広範囲に液体４８ａを一括して吹き付けることができるので、髭状の異物や端材を除去し易くなる。また、広範囲に液体４８ａを一括して吹き付けることで、図２２に示す異物除去工程（Ｓ７４２）の繰り返し回数を低減することができる。例えば、ノズル４８から図２７に示すステージ４２の長辺よりも広い範囲に一括して液体４８ａを吹きつけられる場合には、図２２に示すＸ方向切断工程を複数回繰り返した後で、異物除去工程を一回行うような実施態様とすることができる。したがって、ノズル４８の複数の吐出口４８ｂから供給される液体４８ａ（図３５参照）の吹き付け範囲の幅は、ステージ４２の長辺よりも長い方が好ましい。

また、本工程では、ダイシングブレード４０を配線基板２０と接触させる必要はないので、例えば図３５に示すように、ダイシングブレード４０の位置をＸ方向切断工程の時よりも上方に移動させておくことが好ましい。

次に、図２２に示す方向転換工程（Ｓ７４３）では、図２７に示すステージ４２をθ方向に９０°回転させる。これにより供給部５０ａからカット部５０ｂに向かう方向に沿って、図９に示すダイシング領域２０ｃ２が配置される。つまり、本工程の次に行うＹ方向切断工程（Ｓ７４４）では、Ｘ方向切断工程（Ｓ７４１）と同様に供給部５０ａからカット部５０ｂに向かってステージ４２を移動させれば、図９に示すダイシング領域２０ｃ２を切断することができる。

次に図２２に示すＹ方向切断工程（Ｓ７４１）では、Ｘ方向切断工程（Ｓ７４１）と同様な動作で図９に示すダイシング領域２０ｃ２を切断する。つまり、図３４に示すように、配線基板２０が吸着固定されたステージ４２を供給部５０ａからカット部５０ｂに向かって移動させて、図９に示すようにＹ方向に沿って延びるダイシング領域２０ｃ２を切断する。この時、図３４に示すダイシングブレード４０は、矢印Ｄ１で示す回転方向（ダウンカット方向）に回転しながらダイシング領域２０ｃ２内を走行する。またこの時、図３４に示すように、ノズル４５、４６からはそれぞれ液体（冷却液４５ａおよび洗浄液４６ａ）を供給しながらダイシングブレード４０により切削加工を施す。またこの時、図３４に示すように、異物除去用ノズルであるノズル４８からは液体を供給しない。すなわち、ノズル４８からの液体（例えば水）の供給を停止した状態で、ステージ４２を移動させる（切削加工を施す）。言い換えれば、ノズル４８は稼働していない状態でステージ４２を移動させる（切削加工を施す）。

次に図２２に示す異物除去工程（Ｓ７４５）では、異物除去工程（Ｓ７４２）と同様な動作でステージ４２上の髭状の異物および端材を取り除く。つまり、図３５に示すように、ノズル４８から液体４８ａを供給しながら配線基板２０が吸着固定されたステージ４２をカット部５０ｂから供給部５０ａに向かって移動させる。Ｙ方向切断工程（Ｓ７４１）をＸ方向切断工程（Ｓ７４１）の後で行う場合、切断対象物である配線基板２０は図９に示すダイシング領域２０ｃ１に沿って細かく分割されている。このため、Ｙ方向切断工程の際に発生する異物や端材の長さはＸ方向切断工程際に発生する異物や端材の長さよりも短くなる。このように異物や端材の長さが短い場合、除去し易くなるので、例えば、図２２に示す異物除去工程（Ｓ７４５）の繰り返し回数は、異物除去工程（Ｓ７４２）の繰り返し回数よりも少なくすることができる。ただし、より確実に異物や端材を取り除く観点からは、異物除去工程（Ｓ７４２、Ｓ７４５）の繰り返し回数を同数としても良い。

また、本実施の形態では、図９に示すように長方形を成す配線基板２０の長手方向（長辺に沿った方向、Ｘ方向）を先に切断し、その後で短辺に沿った方向（Ｙ方向）を切断する実施態様について説明した。しかし切削加工時に発生する髭状の異物や端材の長さを短くして除去し易くする観点からは、短辺に沿った方向（Ｙ方向）を先に切断し、その後長辺に沿った方向（Ｘ方向）を切断することが好ましい。つまり、図２２に示すＸ方向切断工程とＹ方向切断工程の順序を入れ替えて行うことが好ましい。

また、別の変形例として、複数のデバイス領域２０ａが連結されたブロック毎に島状に分割（切断）し、その後、各ブロックのダイシング領域２０ｃを切断する変形例を適用することができる。つまり、各ダイシング領域２０ｃを端から順次切断するのではなく、例えば１本置き、あるいは複数本置きにダイシング領域２０ｃ２（図９参照）を切断する。そして方向転換工程を行って、１本置き、あるいは複数本置きにダイシング領域２０ｃ１（図９参照）を切断することで、配線基板２０を複数のデバイス領域２０ａが連結されたブロック毎に島状に分割（切断）することができる。その後各ブロックに残されたダイシング領域２０ｃを切断して個片化する。この変形例によれば、予め細かいブロックに分割してから個片化することで、切断工程で発生する異物や端材の長さを短くすることができる。

＜変形例＞
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

例えば、前記実施の形態では、所謂ＭＡＰ（Mold Array Package）方式で製造された半導体装置１を例に取り上げて説明したが、半導体装置の封止方式はＭＡＰ方式には限定されず、種々の変形例を適用することができる。図３８は図４に対する変形例である半導体装置を示す断面図である。また、図３９は、図２９に対する変形例である基板切断工程を示す拡大断面図である。また、図４０は図３９に示す切削加工部周辺を拡大して示す拡大断面図、図４１は図４０のＪ−Ｊ線に沿った断面図である。

図３８に示す半導体装置は、樹脂体４が配線基板１０の表面１０ａ全体を覆うのではなく、配線基板１０の周縁部（言い換えると、配線基板１０の表面１０ａに搭載された半導体チップ２の周囲）が樹脂体４から露出している点で図４に示す半導体装置１と相違する。その他の点は図１〜図４を用いて説明した半導体装置１と同様である。半導体装置６０のように配線基板１０の一部（周縁部）が樹脂体４から露出する半導体装置の封止工程では、デバイス領域毎にキャビティを配置してそれぞれに封止用樹脂を供給して樹脂体４を形成する、所謂、個片モールド方式で製造する。このため、個片モールド方式で封止した場合、例えば図３０に示すように配線基板２０の表面１０ａ側には複数の樹脂体４が形成される。言い換えれば、個片モールド方式で封止した場合、ダイシング領域２０ｃは隣り合う樹脂体４の間に配置される。

また、個片モールド方式で封止する場合、個片化工程（基板切断工程）において、図３９に示すように配線基板２０の表面１０ａをダイシング治具４１の凸部４１ｃの上面４１ｅに当接させて切断する。つまり、配線基板２０の表面１０ａ上に形成された複数の樹脂体４が複数の凹部４１ｂ内に収まるように配置するので、ダイシング領域２０ｃの周辺において配線基板２０とダイシング治具４１の間には樹脂体４が介在しない。この場合、基板切断工程（Ｓ７４）（図２２参照）では配線基板２０のみを切削することになるため、前記したＭＡＰ方式よりもさらに髭状の異物が発生し易くなる。すなわち、図４０および図４１に示すように切断対象物である配線基板２０の上面は樹脂体４（図３９参照）を介さずにダイシングブレード４０を挿入するための空間（溝部４１ｄ）と対向している。このため切削加工中に配線基板２０の一部が破断すると、破断した部分（未切削部分）はダイシングブレード４０からの押圧力を受けて溝部４１ｄ内に押し出され易い。この結果、溝部４１ｄ内に押し出された未切削部分にはダイシングブレード４０からの押圧力が十分に伝達されず、図４１に示すように細長い髭状の異物１００が形成される。

このように個片モールド方式で封止する場合には、基板切断工程で髭状の異物１００が形成され易い。そこで、前記実施の形態で説明した個片化工程を適用することで、この髭状の異物に起因した不具合を抑制することができる。

また、前記実施の形態では基板切断工程において、配線基板２０をステージ４２に固定する方法として、ダイシング治具４１を介して吸着固定する、吸着固定方式を適用した実施態様について説明したが、ステージ４２に固定する方法は、吸着固定方式には限定されず、例えば、粘着テープを用いて固定する、所謂、テープダイシング方式（接着固定方式）を適用することができる。図４２は図２４に示すダイシング治具に対する変形例であるダイシングテープに配線基板を接着固定した状態を示す平面図、図４３は図４２のＫ−Ｋ線に沿った断面図である。また、図４４は図４３に示すテープ材に固定した状態で配線基板を切断する際のダイシング領域周辺を示す拡大断面図である。

接着固定方式を適用する場合、図４２および図４３に示すように切断対象物である配線基板２０をテープ材（ダイシングテープ）ＤＴに接着固定する点で前記実施の形態で説明した吸着固定方式とは異なる。テープ材ＤＴは、一方の面に例えば紫外線硬化性樹脂などを含む接着層（粘着層）ＤＴ１が配置され、接着層ＤＴ１を配線基板２０（詳しくは樹脂体４の表面４ｂ）に貼り付けることで配線基板２０をテープ材ＤＴに接着固定する。また、配線基板２０の周囲には、例えばステンレスなどの金属製のフレーム（枠体）ＲＦが配置され、フレームＲＦの一方の面がテープ材ＤＴの接着層ＤＴ１に接着されている。つまり、切断対象物である配線基板２０は接着層ＤＴ１を有するテープ材ＤＴを介してフレームＲＦに固定されている。そして、接着固定方式を適用した場合の個片化工程では、前記実施の形態で説明したダイシング治具４１をテープ材ＤＴおよびフレームＲＦに置き換えて適用することができる。なお、フレームＲＦおよびテープ材ＤＴをステージ４２（図２８参照）に固定する方法は、例えば前記実施の形態と同様に吸着固定方式を用いることができる。

使い捨てのテープ材ＤＴを用いて切断対象物を接着固定する方式の場合、基板切断工程において、ダイシングブレード４０によりテープ材ＤＴの一部（接着層ＤＴ１が形成された接着面側の一部）を切削することができる。このため、前記実施の形態で説明したＭＡＰ方式の半導体装置の製造方法の場合、基板切断工程において、配線基板２０のダイシング領域２０ｃと治具（テープ材ＤＴ）の間に隙間を生じさせずに切削加工を施すことができる。この結果、切削加工中に破断が生じ難くなるため髭状の被物は発生しない。しかし、図３９に示す個片モールド方式を適用した半導体装置６０の製造方法では、テープ材ＤＴを用いた場合であっても髭状の異物が発生する。すなわち、図４４に示すようにダイシング領域２０ｃは、隣り合う樹脂体４の間に配置されるため、ダイシング領域２０ｃにおいては治具であるテープ材ＤＴと配線基板２０の間にダイシングブレード４０を挿入する空間がある。このため、図４４に示すように髭状の異物１００が発生する。

このように個片モールド方式で封止し、かつテープ材ＤＴを用いた接着固定方式で切断する場合には、基板切断工程で髭状の異物１００が形成され易い。そこで、前記実施の形態で説明した個片化工程を適用することで、この髭状の異物に起因した不具合を抑制することができる。

また、前記実施の形態では図４に示すように、外部電極として半田ボール５が取り付けられたＢＧＡ型の半導体装置１について説明した。ＢＧＡ型の半導体装置１の製造工程においては、半田ボール５を配線基板２０に取り付けた後で個片化工程を行うので、髭状の異物が半田ボール５に絡まって除去し難い。また、半田ボール５に髭状の異物が絡まると半田ボール５が損傷する原因となる。このため、ＢＧＡ型の半導体装置１の製造方法において、前記実施の形態で説明した個片化工程を適用すれば、半田ボール５の損傷による半導体装置１の信頼性低下を抑制することができる。ただし、髭状の異物は、半田ボール５の有無に係わらず発生するので、半田ボール５が形成されていない半導体装置の製造方法に適用することができる。このような半導体装置の例としては、例えば図４５に示す半導体装置６１のように、半田などの接合部材を取り付けるためのランド１３が露出した、ＬＧＡ型の半導体装置６１を例示することができる。また、ＬＧＡ型の半導体装置６１の更なる変形例として、個片モールド方式により封止する方法、あるいは個片モールド方式で封止し、かつ、テープ材ＤＴ（図４３参照）を用いた接着固定方式により配線基板２０を切断する半導体装置の製造方法に適用することができる。

また、図２８〜図３０に示す例では、冷却用ノズルであるノズル４５と、洗浄用ノズルであるノズル４６の２種類のノズルを設けた実施態様について説明したが、ノズル４５の数は図２８〜図３０に示す例には限定されず、例えば図４６および図４７に示すようにさらに増やす事ができる。図４６は、図３０に対する変形例を示す説明図、図４７は、図３１に対する変形例を示す説明図である。図４６および図４７に示す例では、ノズル４５、４６から供給される液体の流れが乱れて、配線基板２０全体に広がることを抑制する観点から、液体の流れ方向調整用のノズル４９が設けられている。ノズル４９はノズル４６の両隣に設けられ、ノズル４９からは、配線基板２０に向かって液体（流れ方向制御液、例えば水）４９ａを供給する。二つのノズル４９からの液体４９ａの供給速度は、例えば、それぞれ毎分０．５〜１．２リットル程度である。ノズル４９の先端（吐出部）は、ノズル４５、４６から供給される液体の拡散範囲を抑制するため、ケース４４内に配置されている。また、変形例としては、液体４９ａの供給圧力を上昇させるためにノズル４９に加圧用の流体（気体、例えば空気）を供給する構成が考えられる。しかし、ノズル４９からの液体４９ａの供給圧力が高すぎると、切削屑を巻き上げてケース４４内が汚染する原因となるので、ノズル４９には加圧用の流体（気体、例えば空気）は供給しないことがより好ましい。このように、切削加工中にノズル４９から液体４９ａを供給することで、ノズル４５、４６から供給される液体が配線基板２０全体に広がることを抑制できる。

また、例えば、切断対象物である配線基板２０に切削屑が滞留することを、より確実に防止する観点から、ダイシングブレード４０による切削加工中にダイシングブレード４０と配線基板２０の接触部周辺に向かって液体（例えば水）を供給するノズル（図示は省略）をさらに追加することができる。言い換えれば、切削加工中に発生する切削屑を取り除く複数の洗浄用ノズルをケース４４内に配置して、複数の洗浄用ノズルのうちの一部は、ダイシングブレード４０の端面（端部）４０ｂに向かって洗浄液を供給させ、他部はダイシングブレード４０と配線基板２０の接触部周辺に向かって洗浄液を供給させることができる。

ただし、切削加工時に多数のノズルから液体を供給すると、液体の供給圧力によっては、互いの水の流れを阻害してしまう場合がある。したがって、互いの水の流れを阻害しないようにする観点からノズルの数は必要最小限とすることが好ましい。

本発明は、半導体チップが搭載された基板をダイシングブレードで切断する半導体装置に利用可能である。

１、６０、６１ 半導体装置
２ 半導体チップ
２ａ 主面（第１主面）
２ｂ 裏面（第２主面）
２ｃ パッド
３ ワイヤ（導電性部材）
４ 樹脂体（封止体）
４ａ 封止用樹脂
４ｂ 表面（上面）
５ 半田ボール（半田材）
６ 接着材
１０ 配線基板（基板）
１０ａ 表面
１０ｂ 裏面
１０ｃ チップ搭載領域
１１ ボンディングリード
１２ 配線
１２ａ 配線（最上層配線）
１２ｂ 配線（最下層配線）
１２ｃ 給電線
１３ ランド（端子、電極）
１４ 絶縁層（コア層）
１４ａ 上面
１４ｂ 下面
１４ｃ 側面
１５ 配線（ビア内配線、層間配線）
１５ａ ビア（孔）
１６、１７ 絶縁膜（ソルダレジスト膜、保護膜）
１６ａ、１７ａ 開口部
１６ｂ、１７ｂ 開口溝
１６ｃ 開口部
２０ 配線基板（基板）
２０ａ デバイス領域
２０ｂ 枠部
２０ｃ、２０ｃ１、２０ｃ２ ダイシング領域（ダイシングライン）
３０ 成形金型
３１ 上金型
３１ａ 下面
３１ｂ キャビティ
３２ 下金型
３２ａ 上面
４０ ダイシングブレード（回転刃）
４０ａ 端面
４０ｂ 側面
４１ ダイシング治具（治具）
４１ａ 上面
４１ｂ 凹部（窪み部、溝部）
４１ｃ 凸部（壁部）
４１ｄ 溝部
４１ｅ 上面（押さえ面、支持面）
４１ｆ 通気孔
４２ａ 保持部
４２ｂ 駆動部
４２ｃ エア通路
４３ 切削加工器
４４ ケース
４５ ノズル（冷却用ノズル）
４５ａ 冷却液（液体）
４６ ノズル（洗浄用ノズル）
４６ａ 洗浄液（液体）
４７ アライメント部
４８ ノズル（異物除去用ノズル）
４８ａ 液体
４８ａ１ 気体
４８ａ２ 液体
４８ｂ 吐出口
４８ｃ、４８ｄ 供給口
４９ ノズル
４９ａ 液体
５０ ダイサー部（個片化処理部、ダイシング装置）
５０ａ 供給部（切断対象物供給部）
５０ａ１ 開口部
５０ｂ カット部（切断処理部）
５０ｃ 乾燥部
５０ｄ 排出部（切断対象物排出部）
５０ｄ１ 開口部
５１ 基板準備部（切断対象物準備部）
５２ ピックアップ処理部（後処理部）
５３、５４ 搬送部
５３ａ、５４ａ ハンド
５４ｃ 吸着部
５４ｄ 押さえ部
５５ ピックアップ治具
１００ 異物
Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３ 矢印
ＤＭ ダイシング装置
ＤＴ テープ材（治具）
ＤＴ１ 接着層
ＲＦ フレーム
ＶＰ 吸気装置

Claims (12)

1. 以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
   （ａ）切断対象物供給部と、前記切断対象物供給部の隣に設けられた切断処理部と、前記切断対象物供給部と前記切断処理部とを往来する可動式の処理台と、前記切断処理部に配置されたケースと、前記ケース内に設けられたダイシングブレードと、前記ケース内に設けられ、かつ、前記ダイシングブレードの表面に向かって液体を供給するための第１ノズルと、前記ケース内に設けられ、かつ、前記ダイシングブレードの端部に向かって液体を供給するための第２ノズルと、前記切断処理部において前記ケースから離間した位置に設けられ、かつ、切断対象物に向かって液体を供給するための第３ノズルと、前記切断対象物を保持して搬送する搬送部と、を備えたダイシング装置を準備する工程；
   （ｂ）表面、前記表面の反対側に位置する裏面を備え、前記表面に半導体チップが搭載された配線基板を、治具を介して前記切断対象物供給部に配置された前記処理台上に配置する工程；
   （ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記配線基板が配置された前記処理台を前記切断処理部に移動させ、前記第１および第２ノズルから前記液体を供給しながら、前記ダイシングブレードを前記配線基板の第１方向に沿って延在する第１切断領域内を走行させ、前記配線基板を切断する工程；
   （ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記第３ノズルから前記液体を供給しながら、前記処理台を前記切断処理部から前記切断対象物供給部に向かって移動させる工程；
   （ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記処理台を前記切断処理部に移動させ、前記第１および第２ノズルから前記液体を供給しながら、前記ダイシングブレードを前記配線基板の前記第１方向とは交差する第２方向に沿って延在する第２切断領域内を走行させ、前記配線基板を切断する工程；
   （ｆ）前記（ｅ）工程の後、前記第３ノズルから前記液体を供給しながら、前記処理台を前記切断処理部から前記切断対象物供給部に向かって移動させる工程；
   （ｇ）前記（ｆ）工程の後、個片化された前記配線基板が配置された前記治具を前記搬送部で保持して搬出する工程；
   ここで、
   前記（ｃ）工程では、前記第１切断領域と前記治具の間に前記ダイシングブレードを挿入する空間があり、
   前記（ｅ）工程では、前記第２切断領域と前記治具の間に前記ダイシングブレードを挿入する空間があり、
   前記（ｃ）工程および前記（ｅ）工程では、前記第３ノズルからの前記液体の供給を停止した状態で前記処理台を移動させる。
2. 請求項１において、
   前記（ｄ）工程および前記（ｆ）工程における前記第３ノズルからの前記液体の供給圧力は、前記（ｃ）工程および前記（ｅ）工程における前記第１および第２ノズルからの前記液体の供給圧力よりも高いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 請求項２において、
   前記第３ノズルは第１の流体を第１供給経路と、第２の流体を供給する第２供給経路と、前記第１および第２供給経路と連通する吐出口と、を備え、
   前記第１および第２供給経路は前記第３ノズル内で一体化されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 請求項３において、
   前記第１の流体は気体であって、前記第２の流体は液体であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 請求項２において、
   前記第３ノズルには、前記（ｄ）工程および前記（ｆ）工程における前記処理台の移動方向に対して交差する方向に並べて配置される複数の吐出口を備え、
   前記（ｄ）工程および前記（ｆ）工程では前記複数の吐出口からそれぞれ前記液体が供給されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 請求項５において、
   前記（ｄ）工程および前記（ｆ）工程で前記第３ノズルの前記複数の吐出口から供給される前記液体の吹き付け範囲の幅は、前記処理台の長辺よりも長いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 請求項２において、
   前記ダイシングブレードは、前記（ｃ）工程および前記（ｅ）工程で、前記切断対象物に対して切削加工を施している間は移動させないことを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 請求項２において、
   前記（ｂ）工程では、前記配線基板の前記表面が前記治具と対向するように配置することを特徴とする半導体装置の製造方法。
9. 請求項２において、
   前記（ｂ）工程で前記処理台上に配置する前記配線基板は、
   複数のデバイス領域と、前記複数のデバイス領域の間に配置される前記第１および第２切断領域を備え、
   前記配線基板の前記表面には、前記複数のデバイス領域のそれぞれに前記半導体チップが搭載され、かつ、前記複数のデバイス領域のそれぞれに前記半導体チップを封止する複数の封止体が形成されており、
   前記第１および第２切断領域は、前記複数の封止体のうち、隣り合う封止体の間に配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
10. 請求項９において、
    前記治具は、一方の面に接着層を備えるテープ材であって、
    前記（ｂ）前記複数の封止体の表面が前記テープ材の表面に接着固定された状態で、前記配線基板が前記処理台上に固定されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
11. 請求項２において、
    前記（ｂ）工程では、前記配線基板は前記治具を介して前記処理台上に吸着固定されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
12. 請求項２において、
    前記（ｂ）工程で前記処理台上に配置する前記配線基板の前記裏面には、複数の半田ボールが予め形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

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