JP6665047B2 - デバイスのパッケージ方法 - Google Patents

Description

本発明は、デバイスのパッケージ方法に関する。

携帯電話、スマートフォン等の通信機器には表面弾性波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）デバイス等の通信用の電子部品が搭載されており、この電子部品が発振する電磁波がノイズとなって他の電子部品、ＩＣ、ＬＥＤ等のデバイスに悪影響を与えるという問題がある。そこで、電磁波をシールドするシールド金属を電子部品の周囲に配設する技術が提案されている（特許文献１及び２参照。）。

特開２００４−７２０５１号公報 特開２００１−４４６８０号公報

しかし、上記特許文献１及び２に開示された技術では、電子部品の周囲にシールド金属を配設するための空間が必要となるため、通信機器の小型化及び軽量化が困難である。

上記事実に鑑みてなされた本発明の課題は、シールド金属を有するデバイスパッケージの小型化及び軽量化が可能なデバイスのパッケージ方法を提供することである。

上記課題を解決するために本発明が提供するのは、以下のデバイスのパッケージ方法である。すなわち、デバイスのパッケージ方法であって、上面に電極が形成され分割予定ラインを有した電極プレートの下面に複数のデバイスが分割予定ラインの間隔をもって配設され封止樹脂で封止されたパッケージ基板を形成するパッケージ基板形成工程と、パッケージ基板の上面に電極を保護する保護膜を形成する保護膜形成工程と、分割予定ラインに対応する領域の保護膜を除去する保護膜除去工程と、保護膜が除去された分割予定ラインに沿って電極プレート及び封止樹脂を切断してパッケージ基板を個々のデバイスパッケージに分割する分割工程と、デバイスパッケージの保護膜に支持部材を配設して、分割されたデバイスパッケージをパッケージ基板の形態を維持して支持する支持部材配設工程と、デバイスパッケージの下面側から各デバイスパッケージにスパッタによって電磁波をシールドするシールド金属を被覆する電磁波シールド工程と、デバイスパッケージの上面から支持部材と保護膜とを除去する支持部材除去工程とを含み、該分割工程において、該保護膜除去工程で保護膜を除去した領域の幅より狭い領域を切断し、該電磁波シールド工程において、各デバイスパッケージの下面、側面及び上面周縁部に電磁波をシールドするシールド金属を被覆するデバイスのパッケージ方法である。

好ましくは、該保護膜除去工程において、レーザー光線の照射によって、又は切削ブレードによって保護膜を除去し、該分割工程において、レーザー光線の照射によって、又は切削ブレードによってパッケージ基板を個々のデバイスパッケージに分割すると共にデバイスパッケージの電極に導通するアース線の端部を露出させ、該電磁波シールド工程において、アース線の端部に電磁波をシールドするシールド金属を接続する。該保護膜除去工程において、レーザー光線の照射が選択され、該分割工程において、レーザー光線の照射が選択された際、該保護膜形成工程において、水溶性樹脂を保護膜として使用できる。

本発明が提供するデバイスのパッケージ方法では、分割工程において、保護膜除去工程で保護膜を除去した領域の幅より狭い領域を切断し、電磁波シールド工程において、各デバイスパッケージの下面、側面及び上面周縁部に電磁波をシールドするシールド金属を被覆するので、シールド金属がデバイスパッケージから剥離することが防止されると共に、シールド金属を有するデバイスパッケージの小型化及び軽量化が可能となる。

パッケージ基板の電極プレート及びデバイスの斜視図（ａ）、デバイスが封止樹脂で封止された状態を示す斜視図（ｂ）及びＡ−Ａ線断面図（ｃ）。 保護膜が形成されたパッケージ基板の斜視図（ａ）及びＢ−Ｂ線断面図（ｂ）。 レーザー加工装置の斜視図。 レーザー加工装置を用いる保護膜除去工程が実施されている状態を示す斜視図（ａ）及びＣ−Ｃ線断面図（ｂ）。 切削装置を用いる保護膜除去工程が実施されている状態を示す斜視図（ａ）及びＤ−Ｄ線断面図（ｂ）。 レーザー加工装置を用いる分割工程が実施されている状態を示す斜視図（ａ）及びＥ−Ｅ線断面図（ｂ）。 切削装置を用いる分割工程が実施されている状態を示す斜視図（ａ）及びＦ−Ｆ線断面図（ｂ）。 支持部材が配設されたデバイスパッケージの斜視図（ａ）及びＧ−Ｇ線断面図（ｂ）。 スパッタ装置の断面図（ａ）及びＨ部拡大図（ｂ）。 支持部材が除去される前のデバイスパッケージの断面図（ａ）及び支持部材が除去された後のデバイスパッケージの断面図（ｂ）。

以下、本発明のデバイスのパッケージ方法の実施形態について図面を参照しつつ説明する。

本発明のデバイスのパッケージ方法では、まず、パッケージ基板形成工程を実施する。図１（ａ）に示す長方形状の電極プレート２の上面は、格子状の分割予定ライン４によって複数の矩形領域に区画され、複数の矩形領域のそれぞれには上方に突出する複数の電極６が付設されている。そして、パッケージ基板形成工程では、電極プレート２の下面に複数のデバイス８を分割予定ライン４の間隔をもって配設し、図１（ｂ）及び図１（ｃ）に示すとおり、封止樹脂１０で複数のデバイス８を封止して、パッケージ基板１２を形成する。図１（ｃ）に示すとおり、電極６には、アース線１４が設けられているものが各矩形領域に存在する。

パッケージ基板形成工程を実施した後に保護膜形成工程を実施する。図２に示すとおり、保護膜形成工程では、パッケージ基板１２の上面（電極プレート２の上面）に電極６を保護する保護膜１６を形成する。保護膜１６の形成は、たとえば、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）等の液状樹脂をパッケージ基板１２の上面に塗布し、乾燥して固化させることによって、行うことができる。

保護膜形成工程を実施した後に、分割予定ライン４の上に被覆された保護膜１６を除去する保護膜除去工程を実施する。保護膜除去工程は、たとえば図３にその一部を示すレーザー加工装置１８を用いて実施することができる。レーザー加工装置１８は、チャックテーブル２０及び集光器２２を備える。矩形状のチャックテーブル２０の上面には、実質上水平に延在する矩形状の吸着チャック２４が配置されている。吸着チャック２４の上面には、電極プレート２の分割予定ライン４に対応する領域に格子状の溝２６が形成されている。吸着チャック２４には、溝２６により区画された複数の矩形領域のそれぞれに吸引孔２８が形成されていて、吸引孔２８は流路によって吸引手段（図示していない。）に接続されている。また、チャックテーブル２０は、回転手段によって上下方向に延びる軸線を中心として回転されると共に、Ｘ方向移動手段によってＸ方向に進退され、Ｙ方向移動手段によってＹ方向に進退される（いずれも図示していない。）。集光器２２は、レーザー加工装置１８のパルスレーザー光線発振器から発振されたパルスレーザー光線を集光して被加工物に照射するための集光レンズ（いずれも図示していない。）を含む。なお、Ｘ方向は図３に矢印Ｘで示す方向であり、Ｙ方向は図３に矢印Ｙで示す方向であってＸ方向に直交する方向である。Ｘ方向及びＹ方向が規定する平面は実質上水平である。

図３と共に図４を参照して説明する。レーザー加工装置１８を用いる保護膜除去工程では、まず、パッケージ基板１２の上面（保護膜１６側）を上に向けてパッケージ基板１２を吸着チャック２４の上面に載せる。次いで、吸引手段を作動させることにより吸着チャック２４の上面に負圧を発生させ、パッケージ基板１２の下面側（封止樹脂１０側）を吸着チャック２４の上面に吸着させる。次いで、Ｘ方向移動手段、Ｙ方向移動手段及び回転手段によってチャックテーブル２０を移動及び回転させ、パッケージ基板１２の長手方向に延びる分割予定ライン４をＸ方向に整合させると共に、パッケージ基板１２の長手方向に延びる一の分割予定ライン４の片端部を集光器２２の直下に位置付ける。次いで、パッケージ基板１２の長手方向に延びる一の分割予定ライン４の片端部に対応する領域の保護膜１６の上面にパルスレーザー光線の集光スポットを位置付ける。次いで、図４（ａ）に示すとおり、チャックテーブル２０を所定の加工送り速度でＸ方向移動手段によってＸ方向に移動させると共に、分割予定ライン４の幅に対応して集光スポットをＹ方向に揺動させながら、集光器２２から保護膜１６にパルスレーザー光線を照射して、分割予定ライン４に対応する領域における所定幅Ｗ１（たとえば１５０μｍ）の保護膜１６をアブレーションにより除去するアブレーション除去加工を行う。そして、パッケージ基板１２の長手方向に延びる一の分割予定ライン４の他端部が集光器２２の直下に達したら、アブレーション除去加工を停止する。アブレーション除去加工では、保護膜１６と共に電極プレート２の上面を若干除去してもよいが、電極プレート２を切断しないことが重要である。アブレーション除去加工は、たとえば以下の加工条件で実施することができる。
レーザー光線の波長 ：３５５ｎｍ
繰り返し周波数 ：１１０ｋＨｚ
平均出力 ：１Ｗ
加工送り速度 ：１００ｍｍ／ｓ
集光スポット径 ：１０μｍ×５０μｍ（楕円形状）

レーザー加工装置１８を用いる保護膜除去工程では、アブレーション除去加工と、Ｙ方向移動手段によってチャックテーブル２０をＹ方向にインデックス送りするインデックス送りとを交互に行うことにより、図４（ｂ）に示すとおり、パッケージ基板１２の長手方向に延びる分割予定ライン４のすべてに対応する領域における所定幅Ｗ１の保護膜１６を除去する。さらに、回転手段によってチャックテーブル２０を回転させ、パッケージ基板１２の短手方向に延びる分割予定ライン４をＸ方向に整合させた上で、アブレーション除去加工とインデックス送りとを交互に行うことにより、パッケージ基板１２の短手方向に延びる分割予定ライン４のすべてに対応する領域における所定幅Ｗ１の保護膜１６を除去する。

また、保護膜除去工程は、図５にその一部を示す切削装置３０を用いても実施することができる。切削装置３０は、チャックテーブル２０及び切削手段３２を備える。切削手段３２は、実質上水平に延びる円筒状のスピンドルハウジング３４と、実質上水平に延びる軸線を中心として回転自在にスピンドルハウジング３４に内蔵された円柱状のスピンドル（図示していない。）とを含む。スピンドルの基端部にはモータ（図示していない。）が連結されている。また、スピンドルの先端部には環状の切削ブレード３６が固定されている。切削ブレード３６の上部はブレードカバー３８で覆われている。なお、切削装置３０のチャックテーブル２０は、レーザー加工装置１８のチャックテーブル２０と実質上同一の構成でよいため、レーザー加工装置１８のチャックテーブル２０と同一の符号を付し、その説明を省略する。

切削装置３０を用いる保護膜除去工程では、まず、パッケージ基板１２の上面（保護膜１６側）を上に向けてパッケージ基板１２を吸着チャック２４の上面に載せる。次いで、吸引手段を作動させることにより吸着チャック２４の上面に負圧を発生させ、パッケージ基板１２の下面側（封止樹脂１０側）を吸着チャック２４の上面に吸着させる。次いで、Ｘ方向移動手段、Ｙ方向移動手段及び回転手段によってチャックテーブル２０を移動及び回転させ、パッケージ基板１２の長手方向に延びる分割予定ライン４をＸ方向に整合させると共に、パッケージ基板１２の長手方向に延びる一の分割予定ライン４の片端部を切削ブレード３６の直下に位置付ける。次いで、図５（ａ）に矢印αで示す方向にスピンドルと共に切削ブレード３６を所定回転数でモータによって回転させる。次いで、保護膜１６の下面ないし電極プレート２の上面に切削ブレード３６の外周縁が達するまで、上下方向移動手段（図示していない。）によってスピンドルハウジング３４を下降させ、分割予定ライン４に対応する領域の保護膜１６に切削ブレード３６の刃先を切り込ませると共に、チャックテーブル２０を所定の加工送り速度でＸ方向移動手段によってＸ方向に移動させ、分割予定ライン４に対応する領域における所定幅Ｗ１（たとえば１５０μｍ）の保護膜１６を切削により除去する切削除去加工を行う。切削除去加工の際は、切削ブレード３６による切削領域に切削水供給手段（図示していない。）から切削水を供給する。そして、パッケージ基板１２の長手方向に延びる一の分割予定ライン４の他端部に切削ブレード３６が達したら、切削除去加工を停止する。切削除去加工では、保護膜１６と共に電極プレート２の上面を若干除去してもよいが、電極プレート２を切断しないことが重要である。切削除去加工は、たとえば以下の加工条件で実施することができる。
切削ブレードの幅 ：１５０μｍ
切削ブレードの直径 ：φ５０ｍｍ
切削ブレードの回転数：２００００ｒｐｍ
加工送り速度 ：５０ｍｍ／ｓ

切削装置３０を用いる保護膜除去工程では、切削除去加工と、Ｙ方向移動手段によってチャックテーブル２０をＹ方向にインデックス送りするインデックス送りとを交互に行うことにより、図５（ｂ）に示すとおり、パッケージ基板１２の長手方向に延びる分割予定ライン４のすべてに対応する領域における所定幅Ｗ１の保護膜１６を除去する。さらに、回転手段によってチャックテーブル２０を回転させ、パッケージ基板１２の短手方向に延びる分割予定ライン４をＸ方向に整合させた上で、切削除去加工とインデックス送りとを交互に行うことにより、パッケージ基板１２の短手方向に延びる分割予定ライン４のすべてに対応する領域における所定幅Ｗ１の保護膜１６を除去する。

図６を参照して説明する。保護膜除去工程を実施した後に、パッケージ基板１２を個々のデバイスパッケージに分割する分割工程を実施する。分割工程は、たとえば、上述のレーザー加工装置１８又は切削装置３０を用いて実施することができる。レーザー加工装置１８を用いる分割工程では、まず、パッケージ基板１２の上面（保護膜１６側）を上に向けてパッケージ基板１２を吸着チャック２４の上面に載せる。次いで、吸引手段を作動させることにより吸着チャック２４の上面に負圧を発生させ、パッケージ基板１２の下面側（封止樹脂１０側）を吸着チャック２４の上面に吸着させる。次いで、Ｘ方向移動手段、Ｙ方向移動手段及び回転手段によってチャックテーブル２０を移動及び回転させ、パッケージ基板１２の長手方向に延びる分割予定ライン４をＸ方向に整合させると共に、パッケージ基板１２の長手方向に延びる一の分割予定ライン４の片端部を集光器２２の直下に位置付ける。次いで、パッケージ基板１２の長手方向に延びる一の分割予定ライン４の片端部において、電極プレート２の上面にパルスレーザー光線の集光スポットを位置付ける。次いで、図６（ａ）に示すとおり、チャックテーブル２０を所定の加工送り速度でＸ方向移動手段によってＸ方向に移動させながら、集光器２２からパッケージ基板１２にパルスレーザー光線を照射して、保護膜１６が除去された分割予定ライン４に沿って電極プレート２及び封止樹脂１０をアブレーションにより切断するアブレーション切断加工を行う。そして、パッケージ基板１２の長手方向に延びる一の分割予定ライン４の他端部が集光器２２の直下に達したら、アブレーション切断加工を停止する。アブレーション切断加工は、たとえば以下の加工条件で実施することができる。
レーザー光線の波長 ：３５５ｎｍ
繰り返し周波数 ：４０ｋＨｚ
平均出力 ：１８Ｗ
加工送り速度 ：４００ｍｍ／ｓ
集光スポット径 ：φ１０μｍ（円形状）

レーザー加工装置１８を用いる分割工程では、アブレーション切断加工とインデックス送りとを交互に行うことにより、図６（ｂ）に示すとおり、パッケージ基板１２の長手方向に延びる分割予定ライン４のすべてにおいて電極プレート２及び封止樹脂１０を切断する。さらに、回転手段によってチャックテーブル２０を回転させ、パッケージ基板１２の短手方向に延びる分割予定ライン４をＸ方向に整合させた上で、アブレーション切断加工とインデックス送りとを交互に行うことにより、パッケージ基板１２の短手方向に延びる分割予定ライン４のすべてにおいて電極プレート２及び封止樹脂１０を切断する。これによって、パッケージ基板１２を個々のデバイスパッケージ４０に分割することができる。

図７を参照して説明する。切削装置３０を用いる分割工程では、まず、吸着チャック２４の溝２６の上方に電極プレート２の分割予定ライン４を位置付け、パッケージ基板１２の上面（保護膜１６側）を上に向けてパッケージ基板１２を吸着チャック２４の上面に載せる。次いで、吸引手段を作動させることにより吸着チャック２４の上面に負圧を発生させ、パッケージ基板１２の下面側（封止樹脂１０側）を吸着チャック２４の上面に吸着させる。次いで、Ｘ方向移動手段、Ｙ方向移動手段及び回転手段によってチャックテーブル２０を移動及び回転させ、パッケージ基板１２の長手方向に延びる分割予定ライン４をＸ方向に整合させると共に、パッケージ基板１２の長手方向に延びる一の分割予定ライン４の片端部を切削ブレード３６の直下に位置付ける。次いで、図７（ａ）に矢印αで示す方向にスピンドルと共に切削ブレード３６を所定回転数でモータによって回転させる。次いで、吸着チャック２４の溝２６に切削ブレード３６の外周縁が達するまで、上下方向移動手段（図示していない。）によってスピンドルハウジング３４を下降させ、分割予定ライン４に沿ってパッケージ基板１２に切削ブレード３６の刃先を切り込ませると共に、チャックテーブル２０を所定の加工送り速度でＸ方向移動手段によってＸ方向に移動させ、保護膜１６が除去された分割予定ライン４に沿って電極プレート２及び封止樹脂１０を切削により切断する切削切断加工を行う。切削切断加工の際は、切削ブレード３６による切削領域に切削水供給手段（図示していない。）から切削水を供給する。そして、パッケージ基板１２の長手方向に延びる一の分割予定ライン４の他端部に切削ブレード３６が達したら、切削切断加工を停止する。切削切断加工は、たとえば以下の加工条件で実施することができる。
切削ブレードの幅 ：５０μｍ
切削ブレードの直径 ：φ５０ｍｍ
切削ブレードの回転数：２００００ｒｐｍ
加工送り速度 ：５０ｍｍ／ｓ

切削装置３０を用いる分割工程では、切削切断加工とインデックス送りとを交互に行うことにより、図７（ｂ）に示すとおり、パッケージ基板１２の長手方向に延びる分割予定ライン４のすべてにおいて電極プレート２及び封止樹脂１０を切断する。さらに、回転手段によってチャックテーブル２０を回転させ、パッケージ基板１２の短手方向に延びる分割予定ライン４をＸ方向に整合させた上で、切削切断加工とインデックス送りとを交互に行うことにより、パッケージ基板１２の短手方向に延びる分割予定ライン４のすべてにおいて電極プレート２及び封止樹脂１０を切断する。これによって、パッケージ基板１２を個々のデバイスパッケージ４０に分割することができる。

分割工程においては、保護膜除去工程で保護膜１６を除去した領域の幅Ｗ１より狭い領域を切断するのが重要である。すなわち、分割工程における電極プレート２及び封止樹脂１０の切断領域の幅Ｗ２は、図６（ｂ）及び図７（ｂ）に示すとおり、保護膜除去工程における保護膜１６の除去領域の幅Ｗ１より狭い（Ｗ２＜Ｗ１）のが重要である。図６（ｂ）及び図７（ｂ）に示すとおり、分割工程における電極プレート２及び封止樹脂１０の切断領域は、保護膜除去工程における保護膜１６の除去領域の中央に位置するのが好ましい。また、分割工程においては、デバイスパッケージ４０の電極６に導通するアース線１４の端部を露出させる。

上述のとおり、保護膜除去工程においては、レーザー光線の照射によって、又は切削ブレードによって保護膜１６を除去することができる。また、分割工程においては、レーザー光線の照射によって、又は切削ブレードによってパッケージ基板１２を個々のデバイスパッケージ４０に分割することができると共にデバイスパッケージ４０の電極６に導通するアース線１４の端部を露出させることができる。このようなところ、保護膜除去工程及び分割工程においてレーザー光線の照射が選択された際は、上述の保護膜形成工程において、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）や水溶性フェノール樹脂、アクリル系水溶性樹脂等の水溶性樹脂を保護膜１６として使用することができる。この理由は、切削領域に切削水を供給しながら切削加工を行う切削装置３０とは異なり、レーザー加工装置１８では、レーザー加工領域に水等の液体を供給せずにレーザー加工を行うからである。

分割工程を実施した後に支持部材配設工程を実施する。支持部材配設工程では、ポリエチレンテレフタレート(ＰＥＴ)等の合成樹脂シートから形成され、かつパッケージ基板１２の面積よりも若干大きい長方形状の支持部材４２をデバイスパッケージ４０の上面（保護膜１６側）に貼り付ける。これによって、図８に示すとおり、分割されたデバイスパッケージ４０を、パッケージ基板１２の形態を維持して支持することができる。

支持部材配設工程を実施した後に、各デバイスパッケージ４０にスパッタによって電磁波をシールドするシールド金属を被覆する電磁波シールド工程を実施する。電磁波シールド工程は、たとえば図９（ａ）にその一部を示すスパッタ装置４４を用いて実施することができる。スパッタ装置４４は、ハウジング４６と、ハウジング４６内に配置され陽極をなす静電吸着式の保持テーブル４８と、保持テーブル４８に対向して配置された陰極５０と、励磁手段５２と、陰極５０に接続された高周波電源５４とを備える。陰極５０には、デバイスパッケージ４０に被覆するためのシールド金属を構成するターゲット５６（たとえば銅）が取り付けられている。また、ハウジング４６には、排気手段（図示していない。）に接続されている排気口５８と、供給手段（図示していない。）に接続されている供給口６０とが形成されている。

電磁波シールド工程では、まず、各デバイスパッケージ４０の下面側（封止樹脂１０側）を上に向けて、各デバイスパッケージ４０の上面側（支持部材４２側）を保持テーブル４８の上面に静電吸着させる。次いで、励磁手段５２を作動させターゲット５６を励磁すると共に、高周波電源５４から陰極５０に高周波電圧を印加する。また、排気手段を作動させ、ハウジング４６内の圧力を所定値まで低下させると共に、供給手段を作動させ、ハウジング４６内にアルゴンガスを供給してプラズマを発生させる。そうすると、プラズマ中のアルゴンガスが陰極５０に取り付けられたターゲット５６に衝突し、この衝突によって飛散した金属粒子が各デバイスパッケージ４０に積層する。これによって、図９（ｂ）に示すとおり、各デバイスパッケージ４０の下面４０ａ、側面４０ｂ及び上面周縁部４０ｃに電磁波をシールドするシールド金属６２をスパッタによって被覆することができる。また、電磁波シールド工程においてアース線１４の端部にシールド金属６２が接続される。なお、電磁波シールド工程では、隣接するデバイスパッケージ４０間に位置する支持部材４２の下面、及び各保護膜１６の側面にもシールド金属６２が被覆される。

電磁波シールド工程を実施した後に、デバイスパッケージ４０の上面から支持部材４２と保護膜１６とを除去する支持部材除去工程を実施する。支持部材除去工程では、図１０に示すとおり、デバイスパッケージ４０の上面から支持部材４２を剥離すると、支持部材４２に保護膜１６が追従するので、支持部材４２と保護膜１６とを除去することができる。デバイスパッケージ４０から支持部材４２を剥離した際にデバイスパッケージ４０に保護膜１６が残存した場合、水溶性樹脂を保護膜１６として使用したときは水によって残存した保護膜１６を除去することができる。一方、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）等の非水溶性樹脂を保護膜１６として使用したときは溶剤によって残存した保護膜１６を除去する。

本発明のデバイス８のパッケージ方法では、分割工程において、保護膜除去工程で保護膜１６を除去した領域の幅Ｗ１より狭い領域を切断し、電磁波シールド工程において、各デバイスパッケージ４０の下面４０ａ、側面４０ｂ及び上面周縁部４０ｃに電磁波をシールドするシールド金属６２を被覆するので、支持部材除去工程において、支持部材４２及び保護膜１６に被覆したシールド金属６２が支持部材４２及び保護膜１６に追従して除去された際に、デバイスパッケージ４０に被覆したシールド金属６２がデバイスパッケージ４０から剥離することが防止されると共に、シールド金属６２を有するデバイスパッケージ４０の小型化及び軽量化が可能となる。

２：電極プレート
４：分割予定ライン
６：電極
８：デバイス
１０：封止樹脂
１２：パッケージ基板
１４：アース線
１６：保護膜
４０：デバイスパッケージ
４０ａ：デバイスパッケージの下面
４０ｂ：デバイスパッケージの側面
４０ｃ：デバイスパッケージの上面周縁部
４２：支持部材
６２：シールド金属

Claims (3)

1. デバイスのパッケージ方法であって、
   上面に電極が形成され分割予定ラインを有した電極プレートの下面に複数のデバイスが分割予定ラインの間隔をもって配設され封止樹脂で封止されたパッケージ基板を形成するパッケージ基板形成工程と、
   パッケージ基板の上面に電極を保護する保護膜を形成する保護膜形成工程と、
   分割予定ラインに対応する領域の保護膜を除去する保護膜除去工程と、
   保護膜が除去された分割予定ラインに沿って電極プレート及び封止樹脂を切断してパッケージ基板を個々のデバイスパッケージに分割する分割工程と、
   デバイスパッケージの保護膜に支持部材を配設して、分割されたデバイスパッケージをパッケージ基板の形態を維持して支持する支持部材配設工程と、
   デバイスパッケージの下面側から各デバイスパッケージにスパッタによって電磁波をシールドするシールド金属を被覆する電磁波シールド工程と、
   デバイスパッケージの上面から支持部材と保護膜とを除去する支持部材除去工程とを含み、
   該分割工程において、該保護膜除去工程で保護膜を除去した領域の幅より狭い領域を切断し、
   該電磁波シールド工程において、各デバイスパッケージの下面、側面及び上面周縁部に電磁波をシールドするシールド金属を被覆するデバイスのパッケージ方法。
2. 該保護膜除去工程において、レーザー光線の照射によって、又は切削ブレードによって保護膜を除去し、
   該分割工程において、レーザー光線の照射によって、又は切削ブレードによってパッケージ基板を個々のデバイスパッケージに分割すると共にデバイスパッケージの電極に導通するアース線の端部を露出させ、
   該電磁波シールド工程において、アース線の端部に電磁波をシールドするシールド金属を接続する請求項１記載のデバイスのパッケージ方法。
3. 該保護膜除去工程において、レーザー光線の照射が選択され、
   該分割工程において、レーザー光線の照射が選択された際、
   該保護膜形成工程において、水溶性樹脂を保護膜として使用できる請求項２記載のデバイスのパッケージ方法。