JP7350438B2 - チャックテーブル及びチャックテーブルの製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、加工装置で用いられるチャックテーブル及び当該チャックテーブルの製造方法に関する。
板状の被加工物を加工する加工装置では、被加工物を吸引して保持するためのチャックテーブルが用いられる（例えば、特許文献１参照）。チャックテーブルは、通常、ステンレス鋼等の金属で形成された概略円盤状の枠体を有する。枠体の上面側には、円盤状の空間から成る凹部が形成されている。
この凹部には、ポーラスセラミックス等の多孔質部材で形成された円盤状のポーラス板が、接着材等を用いて固定される。枠体の凹部の底面側には、複数の環状吸引路が同心円状に設けられている。各環状吸引路は、凹部の底面側に形成された直線状の溝等により互いに連通されている。
枠体の下面側には、円柱状の凸部が形成されている。この凸部には円筒状の吸引路が形成されており、円筒状の吸引路は、凸部を貫通して各環状吸引路に連通している。また、枠体の下方には、移動基台（即ち、支持ベース）が設けられる。
支持ベースは、上面側に円柱状の凹部を有している。支持ベースの凹部には、枠体の凸部が嵌合する様に配置される。支持ベースの凹部には、吸引孔が設けられている。吸引孔は、その上方において枠体の凸部を貫通する吸引路と連通しており、その下方においてエジェクタ等の吸引源に連通している。吸引源を動作させると、枠体の環状吸引路等を通じて、ポーラス板の上面には負圧が発生する。それゆえ、ポーラス板の上面は、被加工物等を吸引して保持する保持面として機能する。
通常、ポーラス板の上面と、ポーラス板の外周部に位置する枠体の環状の上面とは、面一となる様に、研磨装置等を用いて機械加工される。しかし、ポーラス板の上面と枠体の上面とが面一となる様にポーラス板及び枠体を研磨するために、研磨砥石及び研磨条件を適切に選定することは難しい場合がある。研磨条件が適切でなかった場合、ポーラス板に残留応力が発生してポーラス板が枠体から外れたり、ポーラス板の上面が凸形状を有する様に変形したりする。
また、大径のウェーハを保持するために比較的大きなチャックテーブルを形成する場合、ポーラス板に加えて枠体も大きくする必要があるので、チャックテーブルの重量が増大してしまう。特に、チャックテーブルを高速で移動させる場合、チャックテーブルを移動させる移動ユニットの駆動力をより強力にする必要があるので、装置が大型化し、コストが増大する等の問題がある。
これに対して、枠体を有さずポーラス板のみを有するチャックテーブルが知られている（例えば、特許文献２参照）。しかし、ポーラス板の内部には、環状吸引路や円筒状の吸引路に対応する流路を形成する必要がある（例えば、特許文献３参照）。
特開２０１８－９８３６３号公報 特開平１１－２５４２５９号公報 特開２０１１－９４２３号公報
本発明は係る問題点に鑑みてなされたものであり、枠体を有さずポーラス板を有し、ポーラス板の内部に環状吸引路や円筒状の吸引路に対応する流路が形成されていないチャックテーブルを提供することを目的とする。
本発明の一態様によれば、板状の被加工物を保持面で吸引して保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を加工する加工ユニットと、該チャックテーブルを支持する支持ベースを加工送り方向に移動させる移動ユニットと、を備える加工装置で用いられるチャックテーブルであって、該チャックテーブルは、気孔を有するポーラス部材で形成されており、該ポーラス部材の外周側面は、露出しており、該保持面と、該保持面と反対側に位置し、該支持ベースの上面側に装着される被装着部と、を有し、該支持ベース側に生じる負圧を該保持面に作用させるための該チャックテーブル内の流路が、該ポーラス部材の該気孔のみで形成されているチャックテーブルが提供される。
好ましくは、該チャックテーブルに連通された吸引源を動作させた状態において、該被加工物が該保持面で保持されていないときに該被装着部側に生じるゲージ圧の大きさは、該被加工物が該保持面で保持されたときに該被装着部側に生じるゲージ圧の大きさの６０％以上８０％以下である。
また、好ましくは、該チャックテーブルは、該保持面側に位置する第１の領域と、該被装着部側に位置し、該第１の領域の気孔よりも大きい気孔を有する第２の領域と、を有する。
また、好ましくは、該チャックテーブルは導電性を有する材料を含み、導電性を有する該材料により該保持面から該被装着部まで導電性経路が形成されている。
また、好ましくは、該ポーラス部材は、ポーラスセラミックス又はポーラスガラスである。
また、好ましくは、該ポーラス部材は、ポーラスガラスであり、該加工ユニットは、レーザービーム照射ユニットである。
本発明の他の態様によれば、板状の被加工物を保持面で吸引して保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を加工する加工ユニットと、該チャックテーブルを支持する支持ベースを加工送り方向に移動させる移動ユニットと、を備える加工装置で用いられる、ポーラス部材で形成された該チャックテーブルの製造方法であって、粒状又は粉状のガラスを成形して成形体を形成する成形ステップと、成形ステップ後、粒状又は粉状のガラス間の隙間が気孔として残存するように、該成形体を焼成して焼成体を形成する焼成ステップと、を備え、該焼成ステップの後において、該支持ベース側に生じる負圧を該保持面に作用させるための該チャックテーブル内の流路が、該ポーラス部材として機能する該焼成体の該気孔のみで形成されており、該ポーラス部材の外周側面は、露出しているチャックテーブルの製造方法が提供される。
本発明の一態様に係るチャックテーブルは、気孔を有するポーラス部材で形成されている。この様に、金属等による枠体を有さず、ポーラス部材だけでチャックテーブルを構成することにより、枠体を有する従来のチャックテーブルに比べて非常に軽量となるので、チャックテーブルを大型化したとしても移動ユニットに掛る負荷を低減できる。更に、枠体及びポーラス板を研磨する場合に比べて、ポーラス板の研磨が容易になる。
加えて、当該チャックテーブルでは、支持ベース側に生じる負圧を保持面に作用させるためのチャックテーブル内の流路が、ポーラス部材の気孔のみで形成されている。それゆえ、チャックテーブルの内部に、環状吸引路や円筒状の吸引路を形成する必要がない。
第１の実施形態に係るレーザー加工装置の斜視図である。 図２（Ａ）は支持ベースとポーラス板との一部断面側面図であり、図２（Ｂ）はレーザービーム照射ユニットで被加工物を加工する様子を示すポーラス板等の一部断面側面図である。 成形ステップを示す図である。 焼成ステップを示す図である。 研磨ステップを示す図である。 研削ステップを示す図である。 図７（Ａ）は成形ステップ後のガラス粒等の断面図であり、図７（Ｂ）は焼成ステップ後のガラス粒等の断面図であり、図７（Ｃ）は研磨ステップ後の焼成体の断面図であり、図７（Ｄ）は研削ステップ後の焼成体の断面図である。 ポーラス板の製造方法を示すフロー図である。 第２の実施形態に係るポーラス板等の一部断面側面図である。 第３の実施形態に係るポーラス板等の一部断面側面図である。 第４の実施形態に係るポーラス板等の一部断面側面図である。
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。図１は、第１の実施形態に係るレーザー加工装置２の斜視図である。レーザー加工装置（加工装置）２は、各構造を支持する基台４を備えている。基台４は、直方体状の基部４ａと、基部４ａの後端において上方に伸びる壁部４ｂとを含む。
基部４ａの上面には、移動ユニット６が設けられている。移動ユニット６は、Ｙ軸移動ユニット８を含む。Ｙ軸移動ユニット８は、基部４ａの上面に固定されＹ軸方向（割り出し送り方向）に平行な一対のＹ軸ガイドレール１０を備える。
Ｙ軸ガイドレール１０には、Ｙ軸移動テーブル１２がスライド可能に設置されている。Ｙ軸移動テーブル１２の裏面側（下面側）には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｙ軸ガイドレール１０と平行なＹ軸ボールネジ１４が回転可能な態様で結合されている。
Ｙ軸ボールネジ１４の一端部には、Ｙ軸パルスモータ１６が連結されている。Ｙ軸パルスモータ１６でＹ軸ボールネジ１４を回転させれば、Ｙ軸移動テーブル１２は、Ｙ軸ガイドレール１０に沿ってＹ軸方向に移動する。
Ｙ軸移動テーブル１２の表面側（上面側）には、Ｘ軸移動ユニット１８が設けられている。Ｘ軸移動ユニット１８は、Ｙ軸移動テーブル１２の上面に固定されＸ軸方向（加工送り方向）に平行な一対のＸ軸ガイドレール２０を備える。
Ｘ軸ガイドレール２０には、Ｘ軸移動テーブル２２がスライド可能に設置されている。Ｘ軸移動テーブル２２の裏面側（下面側）には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｘ軸ガイドレール２０と平行なＸ軸ボールネジ２４が回転可能な態様で結合されている。
Ｘ軸ボールネジ２４の一端部には、Ｘ軸パルスモータ２６が連結されている。Ｘ軸パルスモータ２６でＸ軸ボールネジ２４を回転させれば、Ｘ軸移動テーブル２２は、Ｘ軸ガイドレール２０に沿ってＸ軸方向に移動する。
Ｘ軸移動テーブル２２の表面側（上面側）には、支持台２８が固定されている。支持台２８には回転駆動源（不図示）が連結されている。支持台２８は、回転駆動源によりＺ軸の周りに回転可能である。
支持台２８の上部には、支持ベース３０（図２（Ａ）等参照）が固定されている。この支持ベース３０の上面側には、支持ベース３０よりも大径の円盤形状を有するポーラス板（チャックテーブル）４０が設けられている。
ここで、図２（Ａ）を参照して、支持ベース３０及びポーラス板４０の構造についてより詳細に説明する。図２（Ａ）は、支持ベース３０とポーラス板４０との一部断面側面図である。支持ベース３０は、ステンレス鋼等の材料を用いて例えば直径２００ｍｍの円柱状に形成されている。
支持ベース３０の上面３０ａ側には、上面３０ａの中心を囲み且つ上面３０ａよりも下方に窪む態様で、環状凹部３２が形成されている。環状凹部３２の底面の一部（例えば、１箇所又は複数箇所）には、環状凹部３２の底面よりも窪んだ柱状の空間であるピン用凹部３２ａが形成されている。ピン用凹部３２ａには、金属等で形成された１又は複数の位置決めピン３４が設けられている。
環状凹部３２よりも内側に位置する上面３０ａの略中心には、上面３０ａよりも下方に窪む態様で、円柱状の空間である中央凹部３６が形成されている。中央凹部３６には、樹脂で形成された円筒形状のシールリング３８が設けられている。
シールリング３８の円筒の長さ（即ち、高さ）は、中央凹部３６の深さよりも長い。それゆえ、シールリング３８が中央凹部３６に配置されると、シールリング３８は上面３０ａよりも上方に突出する。
なお、中央凹部３６の底部には、貫通孔３６ａが形成されている。貫通孔３６ａは、シールリング３８の内側に位置する円柱状の空間に連通している。また、貫通孔３６ａは、第１電磁弁Ａを介してエジェクタ等の吸引源Ｃに連通している（図２（Ｂ）参照）。
また、中央凹部３６と環状凹部３２との間には、一端が上面３０ａに露出する貫通孔３６ｂが形成されている。貫通孔３６ｂは、第２電磁弁Ｂを介して吸引源Ｃに連通している（図２（Ｂ）参照）。
ポーラス板４０は、気孔を有するポーラス部材で形成されている。詳しくは後述するが、ポーラス板４０は、例えば、ガラス製の粒子、ガラスの粉体、又は、アルミナ製の骨材等を焼成する工程を経て形成される。
ポーラス板４０は、略円盤状であり、円形の上面（保持面）４０ａと、上面４０ａとは反対側に位置する円形の下面４０ｂと、上面４０ａ及び下面４０ｂの各外周縁を接続する外周側面４０ｃとを含む。
下面４０ｂ側には、下面４０ｂの中心を囲み且つ上面４０ａ側に窪む態様で、環状凹部４２が形成されている。環状凹部４２は、支持ベース３０の環状凹部３２と略同じ内径及び外径を有する。
環状凹部４２の底面には、環状凹部４２の底面よりも上面４０ａ側に窪んだ態様で、柱状の空間であるピン用凹部４２ａが形成されている。ピン用凹部４２ａは、ピン用凹部３２ａに対応する様に、環状凹部４２の底面の１箇所又は複数箇所に形成されている。
なお、ピン用凹部４２ａの底部から下面４０ｂまでの長さと、ピン用凹部３２ａの底部から上面３０ａまでの長さとの和は、位置決めピン３４の長さ（即ち、高さ）となる様に、ピン用凹部４２ａ、３２ａ及び位置決めピン３４の各寸法は設計されている。
環状凹部４２よりも内側に位置する下面４０ｂの略中心には、上面４０ａ側に窪む態様で、円柱状の空間である中央凹部４６が形成されている。中央凹部４６は、支持ベース３０の中央凹部３６と略同じ直径を有する。
なお、中央凹部４６の底部から下面４０ｂまでの長さと、中央凹部３６の底部から上面３０ａまでの長さとの和は、シールリング３８の高さとなる様に、中央凹部４６、３６及びシールリング３８の各寸法は設計されている。
本実施形態の位置決めピン３４及びシールリング３８は、支持ベース３０とは別体の構成要素である。但し、位置決めピン３４及びシールリング３８は、支持ベース３０に固定されて支持ベース３０と一体的に構成されてもよい。
ポーラス板４０のピン用凹部４２ａに位置決めピン３４を嵌入させ、ポーラス板４０の中央凹部４６にシールリング３８を嵌入させると、ポーラス板４０の下面４０ｂが支持ベース３０の上面３０ａに接する態様で、ポーラス板４０は支持ベース３０に装着されて支持される。
この様に、中央凹部４６、ピン用凹部４２ａ、環状凹部４２及び下面４０ｂは、支持ベース３０の上面３０ａ側に装着される被装着部４４を構成する。特に、中央凹部４６及びピン用凹部４２ａは、位置決めピン３４及びシールリング３８（即ち、嵌合部材）に嵌合する嵌合部として機能する。
ポーラス板４０が支持ベース３０に装着された状態で、吸引源Ｃを動作させ且つ第２電磁弁Ｂを開状態にすると、支持ベース３０の貫通孔３６ｂを介してポーラス板４０の下面４０ｂ側に負圧が作用する。これにより、ポーラス板４０は支持ベース３０の上面３０ａ側に吸引される。
この様に、本実施形態のポーラス板（即ち、チャックテーブル）４０は、金属等による枠体を有さず、ポーラス部材だけで構成されているので、枠体を有する従来のチャックテーブルに比べて非常に軽量にできる。
更に、ポーラス板４０が上面３０ａ側に吸引された状態で、第１電磁弁Ａを開状態にすると、支持ベース３０の貫通孔３６ａを介してポーラス板４０の上面４０ａには負圧が作用する。これにより、上面４０ａは、上面４０ａに載置された板状の被加工物１１を吸引して保持する保持面として機能する。
本実施形態では、支持ベース３０側に生じる負圧をポーラス板４０の上面４０ａに作用させるためのポーラス板４０内の流路が、ポーラス板４０に形成されている気孔のみで形成されている。それゆえ、本実施形態では、上面４０ａに負圧を生じさせるための流路を形成するために、ポーラス板４０の内部に複数の同心円状の流路等を形成する必要がない。
ポーラス板４０の気孔の大きさは、従来のポーラス部材に形成されている気孔の大きさと比べて、概略小さい。つまり、ポーラス部材を構成する粒が従来のポーラス部材に比べてより密に配置されている。
気孔の大きさの違いは、例えば、吸引源Ｃを動作させた状態で被加工物１１を保持面で吸引保持した場合のゲージ圧と、吸引源Ｃを動作させた状態で被加工物１１を保持面で吸引保持しない場合のゲージ圧との違いに表れる。
例えば、従来のポーラス部材を有するチャックテーブルを用いた場合、吸引源Ｃを動作させた状態において、被加工物１１を保持面で吸引保持した場合のポーラス部材の下面側に生じるゲージ圧Ｐ１は－８０ｋＰａである。
また、従来のポーラス部材を有するチャックテーブルを用いた場合、吸引源Ｃを動作させた状態において、被加工物１１を保持面で吸引保持しない場合のポーラス部材の下面側に生じるゲージ圧Ｐ２は－２０ｋＰａ程度である。
つまり、Ｐ２／Ｐ１は、２５％程度である。この様に、従来のポーラス部材では、気孔の大きさに起因して、被加工物１１を保持するときと保持しないときとで、ゲージ圧の比（Ｐ２／Ｐ１）が比較的小さい。
これに対して、本実施形態のポーラス板４０を用いた場合、吸引源Ｃを動作させた状態において、ゲージ圧Ｐ１の大きさと、ゲージ圧Ｐ２の大きさとの比（Ｐ２／Ｐ１）は、６０％以上８０％以下と比較的大きい。
ここで、ゲージ圧Ｐ１は、被加工物１１を上面４０ａで吸引保持した場合の被装着部４４側（具体的には、貫通孔３６ａ内）に生じるゲージ圧である。本実施形態のポーラス板４０を用いた場合のゲージ圧Ｐ１は、従来と同じであり、例えば、－８０ｋＰａである。
しかしながら、被加工物１１を上面４０ａで吸引保持しない場合の被装着部４４側（例えば、具体的には、貫通孔３６ａ内）に生じるゲージ圧Ｐ２の大きさは、従来のポーラス部材を用いた場合のゲージ圧Ｐ２の大きさよりも大きくなる。
本実施形態のゲージ圧Ｐ２は、例えば、－４８ｋＰａ以上－６４ｋＰａとなる。なお、本実施形態のポーラス板４０を用いた場合のゲージ圧Ｐ１及びＰ２は、ポーラス板４０の下面４０ｂ及び外周側面４０ｃ等をシール剤等で覆わない場合の値である。
本実施形態のポーラス板４０を用いれば、上面４０ａが完全に覆われていなくても、被加工物１１等を吸引保持できる。例えば、上面４０ａの直径よりも小さい被加工物１１が上面４０ａに接触した態様で、被加工物１１を吸引保持できる。それゆえ、１つの径のポーラス板４０を、多種多様なサイズの被加工物１１の吸引保持に使用できるという利点がある。
ところで、貫通孔３６ｂを介してポーラス板４０の下面４０ｂに作用するゲージ圧を増加させるために、ポーラス板４０の下面４０ｂ側にバキューム用のシール剤やフィルム（共に不図示）が設けられてもよい。これにより、ポーラス板４０の下面４０ｂと、支持ベース３０の上面３０ａとの固定をより確実にできる。
例えば、シール剤やフィルムは、中央凹部４６の縁部から、環状凹部４２の側部及び底部を経て、支持ベース３０の上面３０ａの外周縁部に対応する下面４０ｂの領域まで、円環状に設けられる。特に、シール剤やフィルムが、貫通孔３６ｂに対応する下面４０ｂ側の所定の領域に設けられれば、ポーラス板４０は支持ベース３０に確実に吸引されて固定される。
なお、シール剤やフィルムに代えて、クランプ、ネジ等の固定部材を用いて、支持ベース３０とポーラス板４０とを機械的に固定してもよい。また、シール剤やフィルムに代えて、ポーラス板４０が支持ベース３０に嵌合した場合に上面３０ａの外周部に配置される複数の突起部（不図示）をポーラス板４０の下面４０ｂ側に設けてもよい。複数の突起部を支持ベース３０の側部に機械的に固定することにより、ポーラス板４０を上面３０ａに固定できる。
ところで、ポーラス板４０が支持ベース３０に嵌合した状態において、環状凹部３２，４２は環状の空洞部を構成する。環状凹部３２，４２を設けることにより、環状凹部３２，４２を設けない場合に比べて、表面粗さを所定値以下とする範囲を低減できる。それゆえ、上面３０ａ及び下面４０ｂの加工が容易になるという利点がある。
ここで、図１に戻り、レーザー加工装置２の他の構成について説明する。壁部４ｂの上部前面には、前方に向かって伸びる支持アーム５０が設けられている。支持アーム５０の先端部には、レーザービーム照射ユニット（加工ユニット）５２が設けられている。
レーザービーム照射ユニット５２は、ポーラス板４０の上面４０ａで保持された被加工物１１に向けて略垂直にレーザービームを照射できる。レーザービームの波長は、例えば、シリコンウェーハに吸収される波長（一例において、３５５ｎｍ）であるが、シリコンウェーハを透過する波長（一例において、１３４２ｎｍ）であってもよい。
レーザービーム照射ユニット５２に隣接する位置には、撮像ユニット５４が設けられている。撮像ユニット５４は、例えば、カメラであり、上面４０ａで保持された被加工物１１に向けて可視光を照射する光源部と、被加工物１１からの反射光を受光する撮像素子とを含む。撮像ユニット５４によって撮像される画像は、例えば、被加工物１１とレーザービーム照射ユニット５２との位置合わせに利用される。
被加工物１１は、例えばシリコン等の材料を用いて円盤状に形成されている。被加工物１１の表面側は、互いに交差するように格子状に配置された複数の分割予定ライン（不図示）によって複数の領域に区画されており、各領域には、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等で成るデバイス（不図示）が形成されている。
被加工物１１を分割予定ラインに沿って分割すると、デバイスをそれぞれ備える複数のデバイスチップが得られる。なお、被加工物１１の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。例えば被加工物１１は、シリコン以外の半導体（ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ、ＳｉＣ等）、サファイア、ガラス等の材料で形成されていてもよい。また、デバイスの種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はない。
次に、レーザー加工装置２を用いて、被加工物１１にレーザービームを照射することにより被加工物１１を加工する方法について説明する。図２（Ｂ）は、レーザービーム照射ユニット５２で被加工物１１を加工する様子を示すポーラス板４０等の一部断面側面図である。
まず、ポーラス板４０が支持ベース３０の上面３０ａ側に吸引された状態で、第１電磁弁Ａを開状態にして、ポーラス板４０の上面４０ａに負圧を発生させる。次に、上面４０ａに被加工物１１を載置すると、被加工物１１は上面４０ａで保持される（保持ステップ）。
その後、撮像ユニット５４等を用いて被加工物１１の分割予定ラインを検出する（アライメントステップ）。次に、回転駆動源を動作させることによりポーラス板４０（即ち、チャックテーブル）を回転させて、被加工物１１の分割予定ラインをレーザー加工装置２のＸ軸方向と平行に位置付ける。
そして、レーザービーム照射ユニット５２からレーザービームＬを照射した状態で、移動ユニット６を用いてポーラス板４０とレーザービーム照射ユニット５２とをＸ軸方向に沿って相対的に移動させる。これにより、被加工物１１を加工する（加工ステップ）。
本実施形態のチャックテーブル（即ち、ポーラス板４０）は、金属等による枠体を有さず、ポーラス部材だけで形成されているので、枠体を有する従来のチャックテーブルに比べて非常に軽量となる。
それゆえ、チャックテーブルを大型化したとしても移動ユニット６に掛る負荷を低減できる。例えば、従来と同じ移動ユニット６を用いたとしても、１ｍ／ｓ程度の高速でポーラス板４０を移動させることができる。
また、ポーラス板４０がポーラスガラスで形成されている場合には、被加工物１１を透過したレーザービームＬはポーラス板４０を透過するので、ポーラス板４０の損傷を低減できるという利点もある。なお、ポーラス板４０は、ポーラスガラスに代えて、ポーラスセラミックスで形成されていてもよい。
ところで、ポーラス板４０は、シリコン、炭素等の導電性を有する材料を含んでいてもよい。導電性を有する材料は、上面４０ａから被装着部４４（例えば、下面４０ｂ）まで、即ち、ポーラス板４０の厚さ方向に渡って、導電性経路を形成する。
ポーラス板４０が導電性を有する場合には、環状且つ導電性の切り刃を有する切削ブレードを含む切削ユニット（加工ユニット）備えるダイシング装置（不図示）のチャックテーブルとして、当該ポーラス板４０を用いてもよい。ポーラス板４０と切削ブレードとを電気的に導通させることにより、切削ブレードの基準高さを検出するセットアップ作業を行うことができる。
次に、図３から図８を用いてポーラス板４０の製造方法を説明する。図８は、ポーラス板４０の製造方法を示すフロー図である。まず、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス等の各種ガラスで形成されたガラス粒を用いてポーラス板４０を製造する場合を説明する。
本例では、型枠６２を用いて、ガラス粒（粒状のガラス）６１の粒子群を成形して、成形体６３を形成する（成形ステップ（Ｓ１０））。図３は、成形ステップ（Ｓ１０）を示す図である。
各ガラス粒６１は、略球状であり、略同じ粒径を有する。ガラス粒６１は、気泡を有していない緻密な粒であることが好ましい。このようなガラス粒６１は、例えば、スプレードライ（噴霧乾燥）により製造できる。
スプレードライヤー（噴霧乾燥装置）は、ガラスの原液を微粒化するノズル等を有する。表面張力等によって球状に微粒化されたガラスの原液を乾燥室内に供給される熱風に曝すことで、微粒化された原液は固化して、球状且つ粒径のそろったガラス粒６１となる。
本実施形態では、３μｍ以上４ｍｍ以下の中から予め定められた範囲で選択された粒径のガラス粒６１を用いる。ガラス粒６１の粒径は、より望ましくは５μｍ以上３００μｍ以下の中から選択され、更に望ましくは３０μｍ以上２００μｍ以下の中から選択される。
ガラス粒６１の粒径は、ガウス分布に従って所定のバラつきを有するが、例えば、ガラス粒６１の粒径が１００μｍ以下の所定の値の場合、標準偏差が５μｍ以下のガラス粒６１の粒子群を用いる。また、ガラス粒６１の粒径が１０１μｍ以上３００μｍ以下の所定の値の場合、標準偏差が１０μｍ以下のガラス粒６１の粒子群を用いる。
型枠６２は、例えば、金属又はセラミックスで形成された円柱形状の容器である。型枠６２は、ポーラス板４０の形状に対応する円盤状の凹部６２ｂを有する。この凹部６２ｂは、型枠６２の表面６２ａから所定の深さ位置まで設けられている。
成形ステップ（Ｓ１０）では、型枠６２の円環状の表面６２ａからはみ出す程度に、型枠６２の凹部６２ｂにガラス粒６１を供給する。次に、型枠６２の表面６２ａからはみ出したガラス粒６１を、ゴム製又は金属製の板部材であるスキージー（squeegee）（不図示）により除去する。
その後、加圧成形装置５６を用いて、凹部６２ｂ内のガラス粒６１の粒子群を押圧する。加圧成形装置５６は、凹部６２ｂの空間に対応する円盤形状の板状押圧部材５８ａと、板状押圧部材５８ａを下方に押圧する押圧軸５８ｂとを有する。
加圧成形装置５６を用いて、凹部６２ｂ内のガラス粒６１の粒子群を押圧して圧縮成形することにより、ガラス粒６１の粒子群がポーラス板４０の形状に成形された成形体６３を形成する。
成形ステップ（Ｓ１０）の後、成形体６３を焼成炉７０で焼成して、焼成体６５を形成する（焼成ステップ（Ｓ２０））。図４は、焼成ステップ（Ｓ２０）を示す図である。焼成ステップ（Ｓ２０）では、成形体６３を型枠６２から取り出し、１３００℃以上の高温での焼成に耐えうる金属又はセラミックスで形成された円柱形状の容器６４の凹部６４ｂに成形体６３を入れる。
その後、容器６４と同じ金属又はセラミックスで形成された円盤状の蓋板６６を容器６４上に配置して、成形体６３を容器６４及び蓋板６６で閉じ込める。次に、成形体６３、容器６４及び蓋板６６を、焼成炉７０の開閉扉７２から焼成炉７０内に入れた後、成形体６３を焼成する。
焼成温度は、例えば６００℃以上１３００℃以下の所定の温度とする。本例では、ガラス粒６１の軟化点を超える温度である７００℃以上８００℃以下の所定の温度とする。これにより、ガラス粒６１同士の隙間を気孔として残存し、且つ、互いに隣接する球状のガラス粒６１が部分的に接続された、焼成体６５を形成する。
なお、石英ガラスの軟化点は、約１６５０℃であるので、ガラス粒６１の材料が石英ガラスで形成されている場合、焼成温度は、１６００℃以上１７００℃以下の所定の温度とする。
焼成時間は、例えば、３０分以上３時間以下とする。焼成時間が長いほど、ガラス粒６１を構成するガラス材料が軟化して流動的になっている時間が長くなるので、ガラス粒６１同士の接触面積が増加し、焼成体６５の気孔率（即ち、焼成体６５の体積における気孔の体積の割合）は低くなる。例えば、焼成時間が３時間の場合の焼成体６５の気孔率は、焼成時間が３０分の場合の焼成体６５の気孔率よりも低い。
焼成ステップ（Ｓ２０）の後、焼成体６５の外周側面を研磨（又は研削）して、焼成体６５の形状を修正する（研磨ステップ（Ｓ３０））。図５は、研磨ステップ（Ｓ３０）を示す図である。研磨ステップ（Ｓ３０）では、円筒研磨装置７４を用いて、焼成体６５の外周側面６５ｃを研磨する。
円筒研磨装置７４は、円筒形状の円筒砥石７６を有する。円筒砥石７６の側面には、金属、セラミックス、樹脂等のボンド材（結合材）に、ダイヤモンド、ｃＢＮ（cubic boron nitride）等の砥粒を混合して形成された砥石が設けられている。円筒砥石７６の円筒の中心軸の一端側は、モータ等の駆動装置に接続されている。円筒砥石７６は、円筒の中心軸を回転軸として自転する。
円筒研磨装置７４では、円筒砥石７６に隣接して一対の回転挟持部７８ａ及び７８ｂが配置される。一対の回転挟持部７８ａ及び７８ｂは、各々の軸心が一致するように配置されており、焼成体６５は、この一対の回転挟持部７８ａ及び７８ｂに挟持される。
回転挟持部７８ａは、焼成体６５の円形の一面６５ａよりも径の小さな円盤状であり、焼成体６５の一面６５ａに接触する押圧部７８ｃを有する。押圧部７８ｃの焼成体６５と接触する面とは反対側には、円筒砥石７６の回転軸と平行な軸心を有する円柱状の回転部７８ｅが接続している。
同様に、回転挟持部７８ｂは、焼成体６５の他面６５ｂよりも径の小さな円盤状であり、焼成体６５の他面６５ｂに接触する押圧部７８ｄを有する。また、押圧部７８ｄの焼成体６５の他面６５ｂと接触する面とは反対側には、円筒砥石７６の回転軸と平行な軸心を有する円柱状の回転部７８ｆが接続している。
焼成体６５の両面を挟持するように押圧部７８ｃ及び７８ｄを互いに近づく向きに押し込み、各々の軸心を中心に回転部７８ｅ及び７８ｆを回転させることで、焼成体６５を回転させることができる。回転している焼成体６５の外周側面６５ｃに、自転する円筒砥石７６の砥石を接触させることで、外周側面６５ｃは研磨（又は研削）される。
研磨ステップ（Ｓ３０）の後、研削装置８０を用いて、焼成体６５の一面６５ａ及び他面６５ｂを順次研削する（研削ステップ（Ｓ４０））。図６は、研削ステップ（Ｓ４０）を示す図である。
研削装置８０は、チャックテーブル８２を有する。チャックテーブル８２は、枠体と、枠体の凹部に設けられた多孔質構造のポーラス板（不図示）とを有する、従来型のチャックテーブルである。
チャックテーブル８２の枠体には、ポーラス板に連通する流路が設けられており、この流路は、電磁弁８４を介してエジェクタ等の吸引源８６に連通している。電磁弁８４を開状態にすると、ポーラス板の上面には負圧が生じ、ポーラス板の上面は保持面８２ａとして機能する。
チャックテーブル８２の下方には、回転駆動源（不図示）が設けられており、この回転駆動源は、チャックテーブル８２に連結されている。回転駆動源を動作させれば、チャックテーブル８２は、Ｚ軸方向に平行な所定の直線を回転軸として自転する。
チャックテーブル８２の上方には研削ユニット８８が配置されている。研削ユニット８８は、スピンドルハウジング（不図示）を備える。スピンドルハウジングには、スピンドルハウジングをＺ軸方向に沿って昇降させる昇降機構（不図示）が固定されている。
スピンドルハウジングには、Ｚ軸方向に概ね平行な回転軸となるスピンドル９０の一部が、回転可能な態様で収容されている。スピンドル９０の下端には、ステンレス鋼等で形成された円盤状のホイールマウント９２が固定されている。
ホイールマウント９２の下面側には、ホイールマウント９２と略同径の研削ホイール９４が装着されている。研削ホイール９４は、ステンレス鋼等で形成された環状のホイール基台９６を備えている。
ホイール基台９６の上面側が、ホイールマウント９２に固定されることで、ホイール基台９６はスピンドル９０に連結される。また、ホイール基台９６の上面とは反対側に位置する環状の下面には、複数の研削砥石９８が装着されている。
研削ステップ（Ｓ４０）において焼成体６５の一面６５ａを研削する場合、まず、焼成体６５の他面６５ｂに、焼成体６５と略同径の円形であり樹脂で形成された保護シート１００を貼り付ける。そして、焼成体６５の他面６５ｂ側を保持面８２ａに載置し、吸引源８６を動作させ、電磁弁８４を開状態として、保持面８２ａで焼成体６５を保持する。
次に、チャックテーブル８２とスピンドル９０とを、それぞれ同じ方向に回転させつつ、昇降機構を動作させて研削ホイール９４を降下させる。焼成体６５に研削砥石９８を押し当てることにより、一面６５ａは研削されて平坦化される。
次に、チャックテーブル８２の回転を停止し、電磁弁８４を閉状態にして、焼成体６５を保持面８２ａから取り外す。そして、焼成体６５の他面６５ｂから保護シート１００を除去し、新たな保護シート１００を焼成体６５の一面６５ａに貼り付ける。
そして、電磁弁８４を開状態にして、焼成体６５の一面６５ａ側を保持面８２ａで吸引保持し、焼成体６５の他面６５ｂ側を研削ユニット８８で研削する。これにより、焼成体６５の両面が平坦化される。
研削ステップ（Ｓ４０）の後、焼成体６５の一面６５ａ側又は他面６５ｂ側をドリル等で切削加工する。これにより、一面６５ａ側又は他面６５ｂ側に、上述の環状凹部４２と、嵌合部（ピン用凹部４２ａ及び中央凹部４６）とを形成する（嵌合部形成ステップ（Ｓ５０））。これにより、上述のポーラス板４０（即ち、チャックテーブル）が製造される。
本例のポーラス板４０は、枠体に固定されることなく、支持ベース３０の上面３０ａに装着されるチャックテーブルとして使用される。それゆえ、枠体にポーラス板４０を固定した上で、枠体及びポーラス板を研磨する必要がない。従って、枠体を用いる従来のチャックテーブルに比べて、ポーラス板の研磨が容易になる。
次に、成形ステップ（Ｓ１０）から研削ステップ（Ｓ４０）までにおけるガラス粒６１の粒子群の変化について説明する。図７（Ａ）は、成形ステップ（Ｓ１０）後のガラス粒６１等の断面図である。図７（Ａ）では、複数のガラス粒６１のいくつかを模式的に丸で示している。
図７（Ｂ）は、焼成ステップ（Ｓ２０）後のガラス粒６１等の断面図である。上述のように、焼成ステップ（Ｓ２０）では、７００℃以上８００℃以下の所定の温度で約３０分以上約３時間以下の所定の時間、成形体６３を焼成する。
焼成ステップ（Ｓ２０）では、ガラス粒６１同士の隙間が残る状態で焼成を終了する。この様にして、隣接するガラス粒６１同士が互いに接続され、ガラス粒６１間の間隙は、気孔６８となる。複数の気孔６８は、互いに空間的に連結されており、焼成体６５の一面６５ａから他面６５ｂに至る気体の流路を形成する。
図７（Ｃ）は、研磨ステップ（Ｓ３０）後の焼成体６５の断面図である。研磨ステップ（Ｓ３０）では、焼成体６５の外周側面６５ｃが研磨（又は研削）される。図７（Ｄ）は、研削ステップ（Ｓ４０）後の焼成体６５の断面図である。研削ステップ（Ｓ４０）では、焼成体６５の一面６５ａ及び他面６５ｂが研削される。この様にして、第１の実施形態に係るポーラス板４０が完成する。
ポーラス板４０は、支持ベース３０側に生じる負圧を上面４０ａに作用させるためのポーラス板４０内の流路が、ポーラス部材の気孔６８のみで形成されている。それゆえ、ポーラス板４０の内部に、環状吸引路や円筒状の吸引路を形成する必要がない。
（第１の変形例）次に、成形ステップ（Ｓ１０）のいくつかの変形例を、第１の変形例として説明する。成形ステップ（Ｓ１０）では、ガラス粒６１の粒子群に加えて、ガラス粒６１と同じガラス材料で形成され、ガラス粒６１よりも小径のガラスの粉末であるフリット（不図示）を混入させてもよい。
フリットは、ガラス粒６１と異なるガラス材料であってもよい。但し、フリットは、ガラス粒６１と同じ又はガラス粒６１よりも低い融点を有することが望ましい。フリットを用いることで、焼成温度及び焼成時間を同じとした上でフリットを用いない場合に比べて、気孔率を低減させることができる。
また、成形ステップ（Ｓ１０）では、有機材料の粒子である気孔形成材（不図示）を有する成形体６３を形成してもよい。気孔形成材は、例えば、１００μｍ以上１５０μｍ以下の平均粒子径を有する。気孔形成材は、焼成ステップ（Ｓ２０）で気化し、ポーラス板４０中の気孔６８となる。気孔形成材を用いることで、焼成温度及び焼成時間を同じとした上で気孔形成材を用いない場合に比べて、気孔率を増加させることができる。
更に、成形ステップ（Ｓ１０）では、有機溶媒等を含む分散剤を有する成形体６３を形成してもよい。分散剤は、例えば、ガラス粒６１、フリット、気孔形成材等が成形体６３中で一様に分散するために利用される。
また、成形ステップ（Ｓ１０）では、５ｖｏｌ％以上２０ｖｏｌ％以下の導電性を有する材料を含む成形体６３を形成してもよい。導電性を有する材料は、シリコン、炭素等の微粒子、粉体等である。導電性を有する材料は、焼成ステップ（Ｓ２０）後においても、ガラス粒６１又は後述する骨材に比べて低い電気抵抗を有する。
（第２の変形例）次に、ポーラス板４０の材料の他の例について説明する。第１の実施形態では、ガラス粒６１を用いてポーラス板４０を形成する場合を説明したが、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス等で形成された粉状（例えば、代表長さが１００μｍ未満）のガラスを用いてポーラス板４０を製造してもよい。
また、アルミナ、シリコンカーバイド、ジルコニア等の骨材を用いてセラミックスで形成されたポーラス板４０を製造してもよい。ポーラス板４０をセラミックスで形成することにより、ガラス粒６１でポーラス板４０を形成する場合に比べて、ポーラス板４０を更に軽量化できる。
これらの骨材の粒子群は、例えば、目の開きが３５５μｍである金属製のメッシュを用いて、所定の範囲の径を有するセラミックス製の粒子群をふるいにかけることで得られる。
成形ステップ（Ｓ１０）では、この骨材の粒子群と、ボンド材と、気孔形成材とを混合及び成形して成形体６３を作成する。なお、骨材と、ボンド材と、気孔形成材との混合割合は、製造するポーラス板４０の性能に応じて適宜決定される。
その後、成形体６３を焼成する（焼成ステップ（Ｓ２０））。焼成ステップ（Ｓ２０）での焼成温度は、例えば８００℃以上１０００℃以下とし、焼成時間は、例えば１０時間とする。なお、焼成温度及び焼成時間は、セラミックスの材料、気孔率等に応じて適宜調節してよい。その後、研磨ステップ（Ｓ３０）、研削ステップ（Ｓ４０）及び嵌合部形成ステップ（Ｓ５０）を経てセラミックス製のポーラス板４０が形成される。
（第３の変形例）次に、研削ステップ（Ｓ４０）の変形例について説明する。研削ステップ（Ｓ４０）では、横軸研削装置（不図示）で焼成体６５を研削してもよい。横軸研削装置は、研削対象物を支持する支持台（不図示）と、支持台に載せられた研削対象物を研削する円環状の研削砥石（不図示）と、を備える。
円環状の研削砥石の中央部にはスピンドル（不図示）が突き通される貫通孔（不図示）が形成されており、この貫通孔には、円柱状のスピンドルの一端側が固定されている。また、スピンドルの他端側には、モータ等の駆動装置（不図示）が設けられている。
横軸研削装置を用いる場合、研削ステップ（Ｓ４０）では、まず、樹脂製の保護シート（不図示）を焼成体６５の一面６５ａに貼り付けて、一面６５ａ側を支持台上に載せる。そして、駆動装置を駆動させて研削砥石を回転させながら、研削砥石の側面を焼成体６５の他面６５ｂに接触させる。このとき、他面６５ｂの全域において研削が行われる様に、研削砥石を回転させながら、研削砥石と支持台とを所定の方向に移動させる。
（第４の変形例）次に、嵌合部形成ステップ（Ｓ５０）の変形例について説明する。ポーラス板４０の製造方法では、嵌合部形成ステップ（Ｓ５０）を省略し、成形ステップ（Ｓ１０）において環状凹部４２及び中央凹部４６を有する嵌合部を形成してもよい。
具体的には、型枠６２の底部に、環状凹部４２に対応する様に形成された環状突起部（不図示）と、ピン用凹部４２ａに対応する様に形成された第１の柱状突起部（不図示）と、中央凹部４６に対応する様に形成された第２の柱状突起部（不図示）とを設ける。そして、型枠６２の凹部６２ｂに充填したガラス粒６１等を板状押圧部材５８ａで押圧する。その後、焼成ステップ（Ｓ２０）を経て、環状凹部４２、ピン用凹部４２ａ及び中央凹部４６が形成される。
次に、第２の実施形態のポーラス板４０について説明する。図９は、第２の実施形態に係るポーラス板４０等の一部断面側面図である。第２の実施形態のポーラス板４０では、外周側面４０ｃと、下面４０ｂの外周部とが、シール剤４８で覆われている。なお、下面４０ｂの外周部とは、例えば、下面４０ｂのうち環状凹部４２よりも外側に位置する領域である。
外周側面４０ｃ及び下面４０ｂの外周部をシール剤４８で覆うことにより、当該領域をシール剤４８で覆わない場合に比べて、ゲージ圧Ｐ２の大きさを大きくできる。但し、当該領域をシール剤４８で覆わなくでも、ポーラス板４０は、上面４０ａで負圧を発生させるチャックテーブルとして十分に機能する。
次に、第３の実施形態について説明する。第３の実施形態のポーラス板４０は、上面４０ａ側に位置する第１の領域４１Ａと、被装着部４４側に位置する第２の領域４１Ｂとを有する。図１０は、第３の実施形態に係るポーラス板４０等の一部断面側面図である。
第１の領域４１Ａは、所定の大きさのガラス粒６１（又は骨材の粒子群等）で形成されており、第２の領域４１Ｂは、第１の領域４１Ａに比べて大きい粒径のガラス粒６１（又は骨材の粒子群等）で形成されている。それゆえ、第２の領域４１Ｂは、第１の領域４１Ａの気孔６８よりも大きい気孔６８を有する。
第３の実施形態に係るポーラス板４０では、比較的小さい気孔６８を有する第１の領域４１Ａの上面４０ａが被加工物１１と接触する。それゆえ、比較的大きい気孔６８を有する第２の領域４１Ｂを上面４０ａ側に設ける場合に比べて、上面４０ａに露出する気孔６８（即ち、開口）の大きさを小さくできる。
これにより、例えば、ポーラス板４０を切削装置のチャックテーブルに用いて、ポーラス板４０で被加工物１１を吸引保持した状態で被加工物１１を切削する場合に、被加工物１１に生じるチッピング（即ち、欠け）の大きさを低減できる。
なお、第３の実施形態に係るポーラス板４０を形成するためには、成形ステップ（Ｓ１０）において、まず、第２の領域４１Ｂを構成する粒子群を型枠６２の所定深さまで充填した後、第１の領域４１Ａを構成する粒子群を型枠６２に充填すればよい。
第１から第３の実施形態に係るポーラス板４０は、例えば、ポーラス板４０の上面４０ａに被加工物１１の一面を接触させた状態で、被加工物１１を吸引保持するチャックテーブルとして使用される。
但し、被加工物１１は、樹脂製の保護テープを介して上面４０ａで吸引保持されてもよい。この場合、上面４０ａには、被加工物１１、保護テープ１３、及び、環状のフレーム１５で構成される被加工物ユニットが載置される（図１１参照）。
保護テープ１３は、被加工物１１よりも大きな径を有する。保護テープ１３は、例えば、樹脂製の基材層と、樹脂製の粘着層との積層構造で形成されており、粘着層側が被加工物１１に貼り付けられる。また、保護テープ１３の外周部には、金属で形成され、被加工物１１の外径よりも大きな直径の開口を有する環状のフレーム１５が貼り付けられる。
この様な、被加工物ユニットのフレーム１５を固定するために、ポーラス板４０の側方には、複数のクランプ機構が設けられる。図１１は、第４の実施形態に係るポーラス板４０等の一部断面側面図である。支持ベース３０の下方に位置する支持台２８の上面には、金属で形成されておりそれぞれ棒状の一対のアーム１０２が固定されている。
一対のアーム１０２は、ポーラス板４０を上面視した場合に、０時、３時、６時及び９時の位置にそれぞれ設けられている。図１１では、３時及び９時の位置にあるアーム１０２が示されている。
一対のアーム１０２の先端部には、クランプ機構１０４が設けられている。クランプ機構１０４は、被加工物ユニットのフレーム１５の一部を挟むことにより、フレーム１５を固定する。
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。例えば、成形ステップ（Ｓ１０）で使用される型枠６２と、焼成ステップ（Ｓ２０）で使用される容器６４とは、同一の物（即ち、同じ容器）であってもよい。また、第２から第４の実施形態に、第１から第４の変形例を適用してもよい。
２ レーザー加工装置（加工装置）
４ 基台
４ａ 基部
４ｂ 壁部
６ 移動ユニット
８ Ｙ軸移動ユニット
１１ 被加工物
１０ Ｙ軸ガイドレール
１２ Ｙ軸移動テーブル
１３ 保護テープ
１４ Ｙ軸ボールネジ
１５ フレーム
１６ Ｙ軸パルスモータ
１８ Ｘ軸移動ユニット
２０ Ｘ軸ガイドレール
２２ Ｘ軸移動テーブル
２４ Ｘ軸ボールネジ
２６ Ｘ軸パルスモータ
２８ 支持台
３０ 支持ベース
３０ａ 上面
３２ 環状凹部
３２ａ ピン用凹部
３４ 位置決めピン
３６ 中央凹部
３６ａ，３６ｂ 貫通孔
３８ シールリング
４０ ポーラス板（チャックテーブル）
４０ａ 上面（保持面）
４０ｂ 下面
４０ｃ 外周側面
４１Ａ 第１の領域
４１Ｂ 第２の領域
４２ 環状凹部
４２ａ ピン用凹部（嵌合部）
４４ 被装着部
４６ 中央凹部（嵌合部）
４８ シール剤
５０ 支持アーム
５２ レーザービーム照射ユニット（加工ユニット）
５４ 撮像ユニット
５６ 加圧成形装置
５８ａ 板状押圧部材
５８ｂ 押圧軸
６１ ガラス粒（粒状のガラス）
６２ 型枠
６２ａ 表面
６２ｂ 凹部
６３ 成形体
６４ 容器
６４ｂ 凹部
６５ 焼成体
６５ａ 一面
６５ｂ 他面
６５ｃ 外周側面
６６ 蓋板
６８ 気孔
７０ 焼成炉
７２ 開閉扉
７４ 円筒研磨装置
７６ 円筒砥石
７８ａ，７８ｂ 回転挟持部
７８ｃ，７８ｄ 押圧部
７８ｅ，７８ｆ 回転部
８０ 研削装置
８２ チャックテーブル
８２ａ 保持面
８４ 電磁弁
８６ 吸引源
８８ 研削ユニット
９０ スピンドル
９２ ホイールマウント
９４ 研削ホイール
９６ ホイール基台
９８ 研削砥石
１００ 保護シート
１０２ アーム
１０４ クランプ機構
Ａ 第１電磁弁
Ｂ 第２電磁弁
Ｃ 吸引源
Ｌ レーザービーム

Claims (7)

  1. 板状の被加工物を保持面で吸引して保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を加工する加工ユニットと、該チャックテーブルを支持する支持ベースを加工送り方向に移動させる移動ユニットと、を備える加工装置で用いられるチャックテーブルであって、
    該チャックテーブルは、気孔を有するポーラス部材で形成されており、
    該ポーラス部材の外周側面は、露出しており、
    該保持面と、
    該保持面と反対側に位置し、該支持ベースの上面側に装着される被装着部と、を有し、
    該支持ベース側に生じる負圧を該保持面に作用させるための該チャックテーブル内の流路が、該ポーラス部材の該気孔のみで形成されていることを特徴とするチャックテーブル。
  2. 該チャックテーブルに連通された吸引源を動作させた状態において、該被加工物が該保持面で保持されていないときに該被装着部側に生じるゲージ圧の大きさは、該被加工物が該保持面で保持されたときに該被装着部側に生じるゲージ圧の大きさの６０％以上８０％以下であることを特徴とする請求項１記載のチャックテーブル。
  3. 該チャックテーブルは、
    該保持面側に位置する第１の領域と、
    該被装着部側に位置し、該第１の領域の気孔よりも大きい気孔を有する第２の領域と、を有することを特徴とする請求項１又は２に記載のチャックテーブル。
  4. 該チャックテーブルは導電性を有する材料を含み、導電性を有する該材料により該保持面から該被装着部まで導電性経路が形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のチャックテーブル。
  5. 該ポーラス部材は、ポーラスセラミックス又はポーラスガラスであることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のチャックテーブル。
  6. 該ポーラス部材は、ポーラスガラスであり、
    該加工ユニットは、レーザービーム照射ユニットであることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のチャックテーブル。
  7. 板状の被加工物を保持面で吸引して保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を加工する加工ユニットと、該チャックテーブルを支持する支持ベースを加工送り方向に移動させる移動ユニットと、を備える加工装置で用いられる、ポーラス部材で形成された該チャックテーブルの製造方法であって、
    粒状又は粉状のガラスを成形して成形体を形成する成形ステップと、
    成形ステップ後、粒状又は粉状のガラス間の隙間が気孔として残存するように、該成形体を焼成して焼成体を形成する焼成ステップと、
    を備え、
    該焼成ステップの後において、該支持ベース側に生じる負圧を該保持面に作用させるための該チャックテーブル内の流路が、該ポーラス部材として機能する該焼成体の該気孔のみで形成されており、
    該ポーラス部材の外周側面は、露出していることを特徴とするチャックテーブルの製造方法。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11955363B2 (en) * 2021-05-12 2024-04-09 Rockley Photonics Limited Bonding fixture
US11794314B2 (en) * 2021-08-30 2023-10-24 Kla Corporation Quick swap chuck with vacuum holding interchangeable top plate
CN115157135B (zh) * 2022-06-08 2024-06-04 季华实验室 一种快速装夹装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004502139A (ja) 2000-06-23 2004-01-22 ハネウエル・インターナシヨナル・インコーポレーテツド 一体化された電気的検査ポイントを有する真空チャック
JP2011009423A (ja) 2009-06-25 2011-01-13 Disco Abrasive Syst Ltd 保持テーブルアセンブリ及び保持テーブルの製造方法
JP2011258846A (ja) 2010-06-11 2011-12-22 Sintokogio Ltd 吸着部材及びその製造方法
WO2017154085A1 (ja) 2016-03-08 2017-09-14 株式会社ナノテム 搬送用パッドおよびそれを用いる搬送装置、搬送方法
JP2018041799A (ja) 2016-09-06 2018-03-15 株式会社ディスコ チャックテーブル、チャックテーブルを構成するポーラスセラミックスの生成方法、及び吸引保持システム
JP2019009418A (ja) 2017-06-26 2019-01-17 日本特殊陶業株式会社 基板保持部材
JP2019012795A (ja) 2017-06-30 2019-01-24 株式会社ディスコ レーザー加工装置及びレーザー加工方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63210148A (ja) * 1987-02-26 1988-08-31 Nikko Rika Kk 真空チヤツク用プラスチツクス焼結体
JPH11254259A (ja) * 1998-03-13 1999-09-21 Disco Abrasive Syst Ltd チャックテーブル
JP3894562B2 (ja) * 2003-10-01 2007-03-22 キヤノン株式会社 基板吸着装置、露光装置およびデバイス製造方法
WO2005092564A1 (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Ibiden Co., Ltd. 真空チャックおよび吸着板
US8469342B2 (en) * 2007-07-23 2013-06-25 Creative Technology Corporation Substrate suction apparatus and method for manufacturing the same
JP2010278052A (ja) * 2009-05-26 2010-12-09 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置のチャックテーブル
JP5340841B2 (ja) * 2009-07-21 2013-11-13 株式会社ディスコ 切削装置
US9460950B2 (en) * 2013-12-06 2016-10-04 Applied Materials, Inc. Wafer carrier for smaller wafers and wafer pieces
JP6767253B2 (ja) 2016-12-13 2020-10-14 株式会社ディスコ レーザー加工装置
KR102206687B1 (ko) * 2017-06-26 2021-01-22 니뽄 도쿠슈 도교 가부시키가이샤 기판 유지 부재

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004502139A (ja) 2000-06-23 2004-01-22 ハネウエル・インターナシヨナル・インコーポレーテツド 一体化された電気的検査ポイントを有する真空チャック
JP2011009423A (ja) 2009-06-25 2011-01-13 Disco Abrasive Syst Ltd 保持テーブルアセンブリ及び保持テーブルの製造方法
JP2011258846A (ja) 2010-06-11 2011-12-22 Sintokogio Ltd 吸着部材及びその製造方法
WO2017154085A1 (ja) 2016-03-08 2017-09-14 株式会社ナノテム 搬送用パッドおよびそれを用いる搬送装置、搬送方法
JP2018041799A (ja) 2016-09-06 2018-03-15 株式会社ディスコ チャックテーブル、チャックテーブルを構成するポーラスセラミックスの生成方法、及び吸引保持システム
JP2019009418A (ja) 2017-06-26 2019-01-17 日本特殊陶業株式会社 基板保持部材
JP2019012795A (ja) 2017-06-30 2019-01-24 株式会社ディスコ レーザー加工装置及びレーザー加工方法

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