JP2020078832A - ポーラスチャックテーブル及びポーラスチャックテーブルの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】チャックテーブルの保持面で被加工物を直接吸引保持する場合に、ポーラスプレートの外周領域の気孔が切削屑等で詰まることを低減する。【解決手段】液体を供給しつつ切削ブレードで被加工物を切削する切削装置に設けられる、被加工物を吸引保持するためのポーラスチャックテーブルであって、被加工物が載置される保持面と、保持面とは反対側に位置する裏面と、保持面と裏面とを接続する側面とを有するポーラスプレートと、ポーラスプレートの側面を囲み、裏面を覆う枠体と、枠体に設けられ、吸引源に接続し該ポーラスプレートに負圧を作用させるための吸引路と、を備え、ポーラスプレートは、側面側に位置する粗ポーラス部と、粗ポーラス部によって側方を囲まれた密ポーラス部と、を有し、ポーラスプレートの保持面において、粗ポーラス部の気孔の大きさの平均は、密ポーラス部の気孔の大きさの平均よりも大きいポーラスチャックテーブルを提供する。【選択図】図２

Description

本発明は、被加工物を切削する切削装置に設けられるチャックテーブルであって、被加工物に接して被加工物を吸引保持するためのポーラスチャックテーブルに関する。

切削ブレードで半導体ウェーハ等の被加工物を表面から裏面まで切削する（即ち、フルカットする）ことにより、被加工物を複数のチップに分割する方法が知られている。しかし、切削ブレードで被加工物をフルカットすると、特に被加工物の裏面側にチッピングと呼ばれる欠けが生じやすい。

このチッピングを抑制するために、いわゆる先ダイシング（ＤＢＧ：Dicing Before Grinding）という加工方法が開発された。先ダイシングでは、まず、切削ブレードで被加工物の表面側を切削して、裏面に至らない所定の深さを有する溝を形成する（即ち、被加工物をハーフカットする）。次に、研削した面に溝が露出するまで裏面側を研削することで、被加工物は複数のチップに分割される（例えば、特許文献１参照）。

被加工物は、ハーフカットされた時点では複数のチップに分割されない。それゆえ、フルカットの様に、ダイシングテープが無くとも被加工物をハンドリングできる。従って、被加工物は、ハーフカット時には、ダイシングテープを用いることなくその裏面がチャックテーブルの表面に接した状態で、チャックテーブルで吸引されて保持される。

チャックテーブルは、通常、上面側に凹部を有する金属製の枠体と、セラミックス等の多孔質材料で形成されたポーラスプレートとを有しており、ポーラスプレートは接着剤で枠体の凹部に固定されている。ポーラスプレートは、枠体の凹部に接続された流路を介して吸引源に接続されている。ポーラスプレートの表面は、被加工物の裏面側を吸引保持する保持面であり、保持面には吸引源から負圧が作用する。

特開２００６−３５１７９０号公報

被加工物の裏面側を直接吸引して保持する場合には、通常、被加工物の径よりも小さい径の保持面を有するチャックテーブルが使用される。被加工物がチャックテーブルに載置された後、保持面に作用する負圧により、被加工物の裏面側は保持面に密着する。これに対して、被加工物の裏面側の外周部分は、被加工物を吸引しない枠体の表面に接しているので、枠体の表面に完全には密着しない。それゆえ、被加工物の裏面と枠体の表面との間に隙間が生じやすい。

被加工物をハーフカットする段階では、純水等の切削液を供給しながら被加工物を切削するので、切削屑を含む切削液が、被加工物の裏面と枠体の表面との隙間から、負圧が作用しているポーラスプレートの外周領域に吸い込まれる場合がある。これにより、ポーラスプレートの気孔が切削屑で詰まり、チャックテーブルの吸引力が弱くなるという問題がある。

本発明は係る問題点に鑑みてなされたものであり、チャックテーブルの保持面で被加工物を直接吸引保持する場合に、ポーラスプレートの外周領域の気孔が切削屑等で詰まることを低減するポーラスチャックテーブルを提供することを目的とする。

本発明の一態様によれば、被加工物に液体を供給しつつ切削ブレードで該被加工物を切削する切削装置に設けられる、該被加工物を吸引保持するためのポーラスチャックテーブルであって、該被加工物が載置される保持面と、該保持面とは反対側に位置する裏面と、該保持面と該裏面とを接続する側面とを有するポーラスプレートと、該ポーラスプレートの該側面を囲み、該ポーラスプレートの該裏面を覆う枠体と、該枠体に設けられ、吸引源に接続し該ポーラスプレートに負圧を作用させるための吸引路と、を備え、該ポーラスプレートは、該側面側に位置する粗ポーラス部と、該粗ポーラス部によって側方を囲まれた密ポーラス部と、を有し、該ポーラスプレートの該保持面において、該粗ポーラス部の気孔の大きさの平均は、該密ポーラス部の気孔の大きさの平均よりも大きいことを特徴とするポーラスチャックテーブルが提供される。

好ましくは、該密ポーラス部は、該ポーラスプレートの該保持面側の中央領域の凹部に設けられており、該ポーラスプレートの該裏面には達していない。

本発明の他の態様によれば、被加工物に液体を供給しつつ切削ブレードで該被加工物を切削する切削装置に設けられる、該被加工物を吸引保持するためのポーラスチャックテーブルの製造方法であって、第１の粒径の粒状物質と、第２の粒径の気孔形成材と、結合材とを圧縮成形して、円盤状の第１の成形体を形成する段階と、該第１の成形体と、第３の粒径の粒状物質と、該第２の粒径よりも大きい径を有する第４の粒径の気孔形成材と、該結合材とを圧縮成形して、該第１の成形体よりも大きな径を有する円盤状の第２の成形体を形成する段階と、該第２の成形体を焼成してポーラスプレートを形成する焼成段階と、該焼成段階後の該ポーラスプレートの両面及び側面を研削する第１の研削段階と、金属で形成された枠体の凹部に該第１の研削段階後の該ポーラスプレートを接着させて固定する接着段階と、該接着段階後に、該枠体の上面から突出している該ポーラスプレートの表面を研削して、該ポーラスプレートを薄くする第２の研削段階と、を備えるポーラスチャックテーブルの製造方法が提供される。

本発明の一態様に係るポーラスチャックテーブルのポーラスプレートは、枠体の側面側（即ち、外周領域）に位置する粗ポーラス部と、外周領域よりも内側に位置する中央領域に設けられた密ポーラス部とを有する。粗ポーラス部の気孔の平均の大きさは、密ポーラス部の気孔の平均の大きさに比べて大きい。それゆえ、被加工物の裏面と枠体の表面との隙間から切削屑を含む切削液が吸引されたとしても、外周領域及び中央領域の両方を密ポーラス部で形成する場合に比べて、切削屑により気孔が詰まりにくくなる。

更に、中央領域では、気孔の平均の大きさが粗ポーラス部に比べて小さい密ポーラス部で被加工物を安定して吸引保持できるので、外周領域及び中央領域の両方を粗ポーラス部とする場合に比べて、安定して被加工物を切削加工できる。

また、一般的に、ポーラスプレートは、気孔の大きさが小さい方が衝撃によって破損しにいくい。それゆえ、一部に密ポーラス部を用いることにより、粗ポーラス部のみでポーラスプレートを構成する場合に比べて、チャックテーブルの使用中にポーラスプレートが破損するリスクを低減できる。

切削装置の構成例を示す斜視図である。 図２（Ａ）は、保持面とウェーハとの関係を示す図であり、図２（Ｂ）は、保持面にウェーハを載置した状態を示す図である。 図３（Ａ）は、チャックテーブル及び切削ユニットの一部断面側面図であり、図３（Ｂ）は、ウェーハをハーフカットする様子を示す図である。 図４（Ａ）は、第１の成形体の上面図であり、図４（Ｂ）は、図４（Ａ）の矢印における断面図であり、図４（Ｃ）は、第２の成形体の上面図であり、図４（Ｄ）は、図４（Ｃ）の矢印における断面図である。 焼成段階を示す断面図である。 ポーラスプレートの裏面側を研削する様子を示す図である。 ポーラスプレートの側面を研削する様子を示す図である。 図８（Ａ）は、接着段階を示す図であり、図８（Ｂ）は、接着段階後のチャックテーブルを示す図である。 第２の研削段階後のチャックテーブルの断面図である。 チャックテーブルの製造方法のフロー図である。 図１１（Ａ）は、第１のポーラスプレートの保持面の写真であり、図１１（Ｂ）は、密ポーラス部の一部の拡大写真であり、図１１（Ｃ）は、粗ポーラス部の一部の拡大写真である。 第２の実施形態に係るチャックテーブルの断面図である。

添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。図１は、切削装置２の構成例を示す斜視図である。なお、以下の説明において、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向は、互いに垂直である。図１に示すように、切削装置２は、各構造を支持する基台４を備えている。

基台４の前方の角部には、矩形状の開口４ａが設けられており、この開口４ａ内には、カセット載置台６が昇降可能に設置されている。カセット載置台６の上面には、複数のウェーハ（被加工物）１１を収容する直方体状のカセット８が載置される。なお、図１では、説明の便宜上、カセット８の概要を輪郭で示している。

開口４ａの近傍には、ウェーハ１１を搬出入する搬送装置１６が設けられている。搬送装置１６は、例えばウェーハ１１の裏面１１ｂ側を吸引して、ウェーハ１１をカセット８から取り出し、後述する第１の搬送ユニット２４の直下まで搬出する。

ウェーハ１１は、例えば、シリコン等の材料で成り、平面視で略円形の板状基板である。ウェーハ１１は、表面１１ａ側（図１では上面側）に、中央のデバイス領域と、デバイス領域を囲む外周余剰領域とを有する。

デバイス領域は、格子状に配列された分割予定ライン（ストリート）により複数の領域に区画されており、各領域にはＩＣ等のデバイス１５が形成されている。また、ウェーハ１１の外周縁には、結晶方位を示す切り欠き部１７が形成されている。

なお、ウェーハ１１の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。例えば、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）等から成る半導体基板、樹脂基板等をウェーハ１１として用いることもできる。同様に、デバイス１５の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はない。

カセット載置台６の側方には、Ｘ軸方向（加工送り方向）に長い矩形状の開口４ｂが設けられている。この開口４ｂには、Ｘ軸移動テーブル１０が設けられている。また、Ｘ軸移動テーブル１０の下方には、Ｘ軸移動テーブル１０をＸ軸方向に移動させる不図示のＸ軸移動機構が設けられている。

開口４ｂのＸ軸移動テーブル１０を除いた領域には、Ｘ軸移動機構の上方を覆うように蛇腹状の防塵防滴カバー１２が設けられている。Ｘ軸移動テーブル１０の上方には、ウェーハ１１を吸引保持するチャックテーブル１４が設けられている。

チャックテーブル１４は、上述のＸ軸移動機構によりＸ軸移動テーブル１０と共にＸ軸方向に加工送りされる。チャックテーブル１４は、モーター等の回転駆動源（不図示）と連結されており、Ｚ軸方向（鉛直方向）に平行な回転軸の周りに回転可能に構成されている。

チャックテーブル１４は、いわゆるポーラスチャックテーブルであり、上面側に円盤状の凹部を有する金属製の枠体１４ｂと、枠体１４ｂの凹部に接着剤で固定された円盤状のポーラスプレート１４ｃとを有する。ポーラスプレート１４ｃは、セラミックス等の多孔質材料で形成されている。なお、チャックテーブル１４の詳細については後述する。

基台４の上方には、門型の第１の支持構造１８が開口４ｂを跨ぐように配置されている。第１の支持構造１８の前面には、Ｙ軸方向（割り出し送り方向）に平行な第１のレール２０が固定されており、この第１のレール２０には第１の昇降ユニット２２の一端が連結されている。第１の昇降ユニット２２は、第１のレール２０をＹ軸方向に沿って移動可能である。

第１の昇降ユニット２２の他端には、第１の搬送ユニット２４が連結されている。第１の搬送ユニット２４は、下面側に、吸引パッド（いわゆるベルヌーイチャック）を有している。吸引パッドは、ウェーハ１１の表面１１ａ側を非接触で吸着するために用いられる。

第１の搬送ユニット２４の吸引パッドは、第１の昇降ユニット２２によりＺ軸方向に沿って上下に移動させられる。第１の搬送ユニット２４は、搬送装置１６からウェーハ１１を受け取り、このウェーハ１１をチャックテーブル１４の保持面１４ａ上に載置する。

第１の支持構造１８の後方には、門型の第２の支持構造３２が配置されている。第２の支持構造３２の前面には、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に移動可能な２つの移動ユニット３４が設けられている。各移動ユニット３４には、切削ユニット３６が設けられており、切削ユニット３６は、移動ユニット３４によってＹ軸方向及びＺ軸方向に移動させられる。

切削ユニット３６は、スピンドル（不図示）を有し、スピンドルの一端には円環状の切削ブレード３８ａが装着されている。また、スピンドルの他端には、モーター部（不図示）が連結されている。

モーター部を駆動することにより、切削ブレード３８ａは高速で回転する。チャックテーブル１４で吸引保持されたウェーハ１１に対して、純水等の液体（切削液）を供給しつつ切削ブレード３８ａを切り込ませることで、ウェーハ１１は切削加工される。

第１の支持構造１８の前面には、第１のレール２０の上方においてＹ軸方向に沿って第２のレール２６が固定されており、この第２のレール２６には、第２の昇降ユニット２８の一端が連結されている。第２の昇降ユニット２８は、第２のレール２６をＹ軸方向に沿って移動可能である。

第２の昇降ユニット２８の他端には、第２の搬送ユニット３０が連結されている。第２の搬送ユニット３０は、第１の搬送ユニット２４と同様に、下面側に吸引パッドを有する。また、第２の搬送ユニット３０の吸引パッドは、第２の昇降ユニット２８によりＺ軸方向に沿って上下に移動させられる。

開口４ｂに対して開口４ａと反対側の位置には、円形状の開口４ｃが設けられている。開口４ｃ内には、切削加工後のウェーハ１１を洗浄する洗浄ユニット４０が配置されている。切削ブレード３８ａで切削加工されたウェーハ１１は、第２の搬送ユニット３０により洗浄ユニット４０へ搬送されて、洗浄ユニット４０で洗浄される。

次に、図２（Ａ）、図２（Ｂ）、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）を用いて、第１の実施形態に係るチャックテーブル１４の構造の詳細と、ウェーハ１１及びチャックテーブル１４の配置関係とについて説明する。図２（Ａ）は、保持面１４ａとウェーハ１１との関係を示す図であり、図２（Ｂ）は、保持面１４ａにウェーハ１１を載置した状態を示す図である。

また、図３（Ａ）は、チャックテーブル１４及び切削ユニット３６の一部断面側面図であり、図３（Ｂ）は、ウェーハ１１をハーフカットする様子を示す図である。なお、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）では、第２の吸引路１４ｅの一部、電磁バルブ１４ｇ及び吸引源１４ｈを線や記号で簡略化して示す。

図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示す様に、枠体１４ｂは、保持面１４ａとは反対側に位置するポーラスプレート１４ｃの裏面を覆い、且つ、ポーラスプレート１４ｃの裏面の端部と保持面１４ａの端部とを接続しているポーラスプレート１４ｃの側面を囲んでいる。

枠体１４ｂは、円盤状の底部と、環状の環状部とから成る。環状部は、底部上に位置し、その外周側面が底部の外周側面と面一に形成されている。即ち、枠体１４ｂの底部及び環状部により、枠体１４ｂの凹部が規定される。枠体１４ｂの凹部には、上述のポーラスプレート１４ｃが設けられ、枠体１４ｂの底部の上面と環状部の内周面とは、接着剤によりポーラスプレート１４ｃに固定される。

ポーラスプレート１４ｃは、１ｍｍ以上１０ｍｍ未満（例えば、２ｍｍから３ｍｍ）の厚さを有し、且つ、保持面１４ａの中心Ｏを通る直径Ｄ_３を有する円盤状の部材である。ポーラスプレート１４ｃは、ポーラスプレート１４ｃの側面側に位置する粗ポーラス部１４ｃ_２を有する。

図２（Ａ）、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示す様に、粗ポーラス部１４ｃ_２は、円環状の環状部と円盤状の底部とで構成されている。粗ポーラス部１４ｃ_２の環状部は、保持面１４ａ側に位置しており、直径Ｄ_１の内径と、この内径よりも大きい直径Ｄ_３の外径とを有し、径方向の幅がＷ_２（Ｗ_２＝Ｄ_３−Ｄ_１）である。

これに対して、粗ポーラス部１４ｃ_２の底部は、保持面１４ａとは反対側に位置している。また、粗ポーラス部１４ｃ_２の底部の外周側面は、粗ポーラス部１４ｃ_２の環状部の外周側面と面一に形成されている。

即ち、粗ポーラス部１４ｃ_２の環状部及び底部により、ポーラスプレート１４ｃの保持面１４ａ側の中央領域には、凹部が形成されている。この凹部の底面は、保持面１４ａから所定深さに位置しており、ポーラスプレート１４ｃの裏面には達していない。

粗ポーラス部１４ｃ_２の凹部には、密ポーラス部１４ｃ_１が設けられている。密ポーラス部１４ｃ_１の側方は、粗ポーラス部１４ｃ_２によって囲まれており、密ポーラス部１４ｃ_１の底部は、粗ポーラス部１４ｃ_２の底部により支持されている。

粗ポーラス部１４ｃ_２は、保持面１４ａにおいて、密ポーラス部１４ｃ_１と略同じ気孔率（即ち、保持面１４ａの面積に対する気孔の面積の割合）を有しているが、粗ポーラス部１４ｃ_２の気孔の大きさの平均は、密ポーラス部１４ｃ_１の気孔の大きさの平均よりも大きい。

例えば、粗ポーラス部１４ｃ_２の気孔の大きさの平均は、密ポーラス部１４ｃ_１の気孔の大きさの平均の１．２倍以上３倍以下であり、また例えば、１．３倍以上２．５倍以下である。

図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示す様に、枠体１４ｂの底部には、この底部を貫通する第１の吸引路１４ｄが設けられており、第１の吸引路１４ｄは、粗ポーラス部１４ｃ_２の底部に接続している。

チャックテーブル１４の下方にはテーブル基台１４ｆが位置しており、チャックテーブル１４はテーブル基台１４ｆに対して着脱可能に固定されている。テーブル基台１４ｆには、第２の吸引路１４ｅが設けられている。第２の吸引路１４ｅの一端は、第１の吸引路１４ｄに接続されており、第２の吸引路１４ｅの他端は、電磁バルブ１４ｇを介してエジェクタ等の吸引源１４ｈに接続されている。

ウェーハ１１の裏面１１ｂ側をポーラスプレート１４ｃ上に載置した状態で吸引源１４ｈを作動させると、第１の吸引路１４ｄ及び第２の吸引路１４ｅを介してウェーハ１１に負圧が作用する。ポーラスプレート１４ｃの上面はウェーハ１１の保持面１４ａとなり、ウェーハ１１はチャックテーブル１４により吸引保持される。

次に、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）を用いて、ウェーハ１１をハーフカットする加工方法について説明する。図３（Ａ）に示す様に、本実施形態では、上述の切削ユニット３６を用いてウェーハ１１をハーフカットする。

切削ユニット３６は、例えば円環状に構成された切削ブレード３８ａを有する。また、切削ブレード３８ａの両面を挟む様に、一対の切削液供給部３８ｂが設けられている。切削液供給部３８ｂは、Ｙ軸方向に沿う略円筒状の部材であり、切削ブレード３８ａに対向する側の側部に切削液を噴射する複数のノズル（不図示）を有する。

ウェーハ１１をハーフカットするときには、まず、保持面１４ａの中心Ｏとウェーハ１１の中心とが合う様に、ウェーハ１１を保持面１４ａに配置する。次に、吸引源１４ｈを作動させた状態で電磁バルブ１４ｇを開状態とすることにより、ポーラスプレート１４ｃに負圧を作用させる。これにより、ウェーハ１１は保持面１４ａに吸引保持される。

次に、図３（Ｂ）に示す様に、ノズルから切削ブレード３８ａやウェーハ１１の表面１１ａ側に純水等の切削液３８ｃを供給しながら、高速で回転する切削ブレード３８ａをウェーハ１１の表面１１ａ側の分割予定ラインに沿って切り込ませる。これにより、ウェーハ１１の裏面１１ｂに至らない切削溝１１ｃを形成する。

なお、切削液３８ｃは、例えば、切削により生じた切削屑をウェーハ１１から除去する機能を有する。ウェーハ１１の表面１１ａ側に供給された切削液３８ｃは、その後、切削屑を含む使用済切削液３８ｄとなり、この使用済切削液３８ｄは、開口４ｂの下方に設けられている不図示の排水受け部に落下し、排水受け部に設けられている排水口から切削装置２の外部へ排出される。

上述の様に、ポーラスプレート１４ｃでウェーハ１１を吸引すると、ウェーハ１１の裏面１１ｂは密ポーラス部１４ｃ_１及び粗ポーラス部１４ｃ_２に密着するが、枠体１４ｂの表面はウェーハ１１の裏面１１ｂの外周に密着しにくく、隙間Ａが形成されてしまう。

それゆえ、ウェーハ１１をハーフカットするときに、ウェーハ１１の裏面１１ｂと枠体１４ｂの表面との隙間Ａから使用済切削液３８ｄが、ポーラスプレート１４ｃの外周領域に入り込む場合がある。

しかしながら、本実施形態では、密ポーラス部１４ｃ_１に比べて大きい気孔を有する粗ポーラス部１４ｃ_２が、ポーラスプレート１４ｃの外周領域に設けられている。それゆえ、ある程度の大きさの切削屑は粗ポーラス部１４ｃ_２の気孔を通り抜けることができる。

従って、仮に、隙間Ａから使用済切削液３８ｄが吸引されても、ポーラスプレート１４ｃ全体が密ポーラス部１４ｃ_１と同等の気孔の大きさを有する場合に比べて、切削屑により気孔が詰まりにくくなる。即ち、ポーラスプレート１４ｃの目詰まりを低減できる。

加えて、気孔の大きさが小さい方が衝撃によって破損しにいくいので、粗ポーラス部１４ｃ_２のみでポーラスプレート１４ｃを構成する場合に比べて、チャックテーブル１４の使用中にポーラスプレート１４ｃが破損するリスクを低減できる。

なお、粗ポーラス部１４ｃ_２の径方向の幅Ｗ_２は、密ポーラス部１４ｃ_１の直径Ｄ_１よりも小さくすることが望ましい。例えば、粗ポーラス部１４ｃ_２の幅Ｗ_２は、密ポーラス部１４ｃ_１の直径Ｄ_１の２０％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましい。

粗ポーラス部１４ｃ_２の幅Ｗ_２を密ポーラス部１４ｃ_１の直径Ｄ_１よりも小さくすることにより、保持面１４ａの中央領域では、局所的に大きな負圧が作用してウェーハ１１が変形することを防ぐことができる。それゆえ、外周領域及び中央領域の両方を粗ポーラス部１４ｃ_２とする場合に比べて、密ポーラス部１４ｃ_１でウェーハ１１を安定して吸引保持でき、安定してウェーハ１１を切削加工できる。

ウェーハ１１の全ての分割予定ラインに沿って切削溝１１ｃを形成した後、ウェーハ１１をハーフカットする切削工程を終了する。次に、電磁バルブ１４ｇを閉状態にし、第２の搬送ユニット３０等を用いてウェーハ１１を保持面１４ａから剥離して洗浄ユニット４０へ搬送する。

洗浄後のウェーハ１１は、第２の搬送ユニット３０により洗浄ユニット４０から搬出され、その後、第２の搬送ユニット３０から搬送装置１６に受け渡されたウェーハ１１は、カセット８に搬入される。

次に、図４（Ａ）、図４（Ｂ）、図４（Ｃ）、図４（Ｄ）、図５、図６、図７、図８（Ａ）、図８（Ｂ）、図９及び図１０を用いて、チャックテーブル１４の製造方法について説明する。チャックテーブル１４の製造方法では、まず、第１の成形体５２を形成する（Ｓ１０）。

第１の成形体５２を形成する段階（Ｓ１０）では、まず、第１の砥粒（第１の粒状物質）５２ａ等から成る第１の混合物を形成する。第１の砥粒５２ａは、４０μｍ以上８０μｍ以下の平均粒子径（第１の粒径）を有する炭化ケイ素の砥粒であるが、平均粒子径が１００μｍよりも小さい炭化ケイ素、アルミナ、シリカ等の粒子であってもよい。

なお、平均粒子径は、例えば、１つの粒子の大きさを所定の粒子径（即ち、長さ）で表す場合に、この粒子径を用いて表した粒子群の度数分布に基づいて特定される。粒子径の表し方には、幾何学的径、相当径等の既知の手法がある。

幾何学的径には、フェレー（Feret）径、定方向最大径（即ち、Krummbein径）、Martin径、ふるい径等があり、相当径には、投影面積円相当径（即ち、Heywood径）、等表面積球相当径、等体積球相当径、ストークス径、光散乱径等がある。そして、粒子群について、横軸を粒子径（μｍ）とし、縦軸を頻度とした度数分布を作成した場合に、例えば、重量基準分布又は体積基準分布の平均径が平均粒子径となる。

第１の混合物には、第１の砥粒５２ａに加えて、１００μｍ以上１５０μｍ以下の平均粒子径（第２の粒径）を有する気孔形成材５２ｂ、ガラス粉末等の結合材５２ｃ及びスラリーが分散されている。気孔形成材５２ｂは、後述する焼結段階（Ｓ３０）において燃焼してポーラスプレート１４ｃの気孔となる有機材料の粒子である。

第１の混合物を形成した後、円盤状の第１の空間を有する金型（不図示）に第１の混合物を入れて、第１の混合物を一軸加圧成形により圧縮成形する。成形後に、金型から円盤状に成形された第１の成形体５２を取り出す。図４（Ａ）は、第１の成形体５２の上面図であり、図４（Ｂ）は、図４（Ａ）の矢印５２ｄにおける断面図である。

第１の成形体５２を形成する段階（Ｓ１０）の後、第２の砥粒（第２の粒状物質）５４ａ等から成る第２の成形体５４を形成する（Ｓ２０）。第２の成形体５４を形成する段階（Ｓ２０）では、まず、第２の砥粒５４ａ等から成る第２の混合物を形成する。

第２の砥粒５４ａは、１２０μｍ以上２００μｍ以下の平均粒子径（第３の粒径）を有する炭化ケイ素の砥粒であるが、１２０μｍ以上２００μｍ以下の炭化ケイ素、アルミナ、シリカ等の粒子であってもよい。本実施形態の第２の砥粒５４ａの平均粒子径は、第１の砥粒５２ａの平均粒子径よりも大きいが、第１の砥粒５２ａの平均粒子径より小さくてもよい。

第２の混合物には、第２の砥粒５４ａに加えて、第２の粒径（気孔形成材５２ｂの平均粒子径）よりも大きい２００μｍ以上２５０μｍ以下の平均粒子径（第４の粒径）を有する気孔形成材５４ｂ、上述の結合材５２ｃ及びスラリーが分散されている。

第２の混合物を形成した後、第１の空間よりも大きな径と第１の空間よりも深い深さとを有する円盤状の第２の空間が設けられた金型（不図示）に、第２の混合物入れる。次いで、第２の空間の中心軸と円盤状の第１の成形体５２の中心軸とが略一致する様に、第２の混合物上に第１の成形体５２を配置する。

そして、第２の混合物と第１の成形体５２とを一軸加圧成形により圧縮成形して、第２の成形体５４を形成する。第２の成形体５４は、第１の成形体５２よりも大きな径と、第１の成形体５２よりも厚い厚さとを有する円盤状の成形体である。成形後に、円盤状に成形された第２の成形体５４は金型から取り出される。

図４（Ｃ）は、第２の成形体５４の上面図であり、図４（Ｄ）は、図４（Ｃ）の矢印５４ｃにおける断面図である。第２の成形体５４は、第１の成形体５２と、ベース部５４ｄとから成る。このベース部５４ｄは、上述の第２の砥粒５４ａ、気孔形成材５４ｂ及び結合材５２ｃ等から形成されている。

図４（Ｃ）に示す様に、ベース部５４ｄの上半分に位置する環状部は、第１の成形体５２と略同心円状に形成されており、第１の成形体５２の側部を囲む。なお、図４（Ｄ）に示す様に、ベース部５４ｄの環状部の上面と、第１の成形体５２の上面とは、面一となっている。

ベース部５４ｄの下半分に位置する円盤状の底部は、第１の成形体５２の裏面を覆う。また、第２の成形体５４は、第２の成形体５４の厚さが上述の枠体１４ｂの凹部の深さよりも大きくなる様に、形成されている。

第２の成形体５４を形成する段階（Ｓ２０）の後、第２の成形体５４を焼成して、ポーラスプレート１４ｃを形成する（焼成段階（Ｓ３０））。図５は、焼成段階を示す断面図である。

焼成段階（Ｓ３０）では、まず、１３００℃以上の高温での焼成に耐えうる金属又はセラミックスで形成された容器６２ａの凹部に第２の成形体５４を入れる。そして、容器６２ａと同様の材料で形成された蓋部６２ｂにより、容器６２ａの凹部内に第２の成形体５４を閉じ込める。

次に、容器６２ａ及び蓋部６２ｂで閉じ込められた第２の成形体５４を電気炉６０に入れて、第２の成形体５４を焼成する。焼成温度は、例えば８００℃以上１０００℃以下の所定の温度とする。これにより、円盤状のポーラスプレート１４ｃを形成する。

焼結の過程で、気孔形成材５２ｂ及び５４ｂは燃焼して気化し、大気に放出されるので、密ポーラス部１４ｃ_１及び粗ポーラス部１４ｃ_２には、気孔形成材５２ｂ及び５４ｂの大きさに対応した気孔が形成される。

焼結段階（Ｓ３０）後の気孔の大きさは、気孔形成材５２ｂ及び５４ｂ自体の大きさよりも若干縮小するが、密ポーラス部１４ｃ_１の気孔の大きさに対する粗ポーラス部１４ｃ_２の気孔の大きさ比率は、焼成前の気孔形成材５２ｂに対する気孔形成材５４ｂの大きさの比率がほぼそのまま反映される。

本実施形態では、第１の混合物中の気孔形成材５２ｂが１００μｍ以上１５０μｍ以下の平均粒子径を有し、第２の混合物中の気孔形成材５４ｂが２００μｍ以上２５０μｍ以下の平均粒子径を有する。それゆえ、焼結後、粗ポーラス部１４ｃ_２の気孔の大きさの平均は、密ポーラス部１４ｃ_１の気孔の大きさの平均の１．３倍以上２．５倍以下となる。

焼成段階（Ｓ３０）の後、容器６２ａからポーラスプレート１４ｃを取り出す。そして、ポーラスプレート１４ｃの両面（表面１４ｉ及び裏面１４ｊ）及び側面１４ｋを研削して、ポーラスプレート１４ｃの形状を修正する（第１の研削段階（Ｓ４０））。

第１の研削段階（Ｓ４０）では、まず、ポーラスプレート１４ｃの表面１４ｉ及び裏面１４ｊを研削する。例えば、まず、ポーラスプレート１４ｃの表面１４ｉに、ポーラスプレート１４ｃと略同径の円形の樹脂製の保護テープ８４を貼り付ける。次いで、裏面１４ｊが上になる様に、ポーラスプレート１４ｃをチャックテーブル８０上に配置する。

チャックテーブル８０は、保護テープ８４よりも小さな径を有し、多孔質材料から成るポーラスプレートの表面（即ち、保持面８０ａ）を有する。保持面８０ａは、流路８２を介して電磁バルブ８６に接続されており、電磁バルブ８６はエジェクタ等の吸引手段８８に接続されている。電磁バルブ８６を開状態にすると、吸引手段８８が発生する負圧により、表面１４ｉ側が保護テープ８４を介して保持面８０ａに吸引保持される。

チャックテーブル８０は、不図示のモーターにより、保持面８０ａの中心を軸として回転可能に構成されている。また、チャックテーブル８０の上方には研削ユニット７０が配置されている。

研削ユニット７０は、Ｚ軸方向に概ね平行な回転軸となるスピンドル７２を備えている。スピンドル７２は、昇降機構（不図示）で昇降される。スピンドル７２の下端側には、ステンレス鋼等の金属材料で形成された円盤状のホイールマウント７４が固定されている。

ホイールマウント７４の下面には、ホイールマウント７４と略同径の研削ホイール７６が装着されている。研削ホイール７６は、ステンレス鋼等の金属材料で形成された環状のホイール基台７８ａを備えている。

ホイール基台７８ａの上面側が、ホイールマウント７４に固定されることで、ホイール基台７８ａはスピンドル７２に接続される。また、ホイールマウント７４とは反対側に位置するホイール基台７８ａの環状の下面には複数の研削砥石７８ｂが装着される。

研削砥石７８ｂは、略直方体形状を有しており、ホイール基台７８ａの環状の下面の全周において、隣り合う研削砥石７８ｂ同士の間に間隙が設けられる態様で環状に配列されている。

研削砥石７８ｂは、例えば、金属、セラミックス、樹脂等の結合材に、ダイヤモンド、ｃＢＮ（cubic boron nitride）等の砥粒を混合して形成される。ただし、結合材や砥粒に制限はなく、研削砥石７８ｂの仕様に応じて適宜選択される。

チャックテーブル８０とスピンドル７２とを、それぞれ同じ方向に回転させつつ、スピンドル７２を降下させ、ポーラスプレート１４ｃに研削砥石７８ｂを押し当てることにより、ポーラスプレート１４ｃの裏面１４ｊ側を研削する。これにより、裏面１４ｊ側が平坦化される。図６は、ポーラスプレート１４ｃの裏面１４ｊ側を研削する様子を示す図である。

なお、ポーラスプレート１４ｃの裏面１４ｊ側が突出するように、ポーラスプレート１４ｃの表面１４ｉ及び側面１４ｋを覆う金属製の型枠をポーラスプレート１４ｃに取り付けた上で、裏面１４ｊ側を研削ユニット７０で研削してもよい。この場合、チャックテーブル８０には、磁力により金属製の型枠を固定する電磁チャックが用いられる。

次に、チャックテーブル８０の回転を停止し、電磁バルブ８６を閉状態にして、ポーラスプレート１４ｃを保持面８０ａから取り外す。そして、ポーラスプレート１４ｃの裏面１４ｊに保護テープ８４を貼り付け、表面１４ｉが上になる様に、ポーラスプレート１４ｃをチャックテーブル８０上に配置する。そして、再び、電磁バルブ８６を開状態にして、裏面１４ｊ側を保持面８０ａで吸引保持する。

その後、チャックテーブル８０とスピンドル７２とを、再び同じ方向に回転させつつ、スピンドル７２を降下させ、ポーラスプレート１４ｃに研削砥石７８ｂを押し当てることにより、表面１４ｉ側を研削する。これにより、表面１４ｉ側が平坦化される。なお、表面１４ｉ側を平坦化した後に、裏面１４ｊ側を平坦化してもよいのは勿論である。また、表面１４ｉ側の研削に、電磁チャックが用いられてもよい。

ポーラスプレート１４ｃの両面を研削した後、円筒研磨装置９０を用いてポーラスプレート１４ｃの側面１４ｋ（即ち、粗ポーラス部１４ｃ_２の外周側面）を研削（研磨）する。円筒研磨装置９０は、円筒形状を有し円筒の長さ方向に回転可能に構成された円筒砥石９２を有する。

円筒砥石９２の側面には、金属、セラミックス、樹脂等のボンド材（結合材）に、ダイヤモンド、ｃＢＮ等の砥粒を混合して形成された砥石が設けられている。円筒砥石９２の円筒の中心軸の一端側は、モーター等の駆動装置に接続されており、円筒砥石９２は、円筒の中心軸を回転軸として回転する。

円筒研磨装置９０では、円筒砥石９２に隣接して一対の回転挟持部９４ａ及び９４ｂが配置される。一対の回転挟持部９４ａ及び９４ｂは、各々の軸心が一致するように配置されており、ポーラスプレート１４ｃの表面１４ｉ及び裏面１４ｊは、一対の回転挟持部９４ａ及び９４ｂにより挟持される。

回転挟持部９４ａは、円盤状の押圧部９６ａを有する。押圧部９６ａは、ポーラスプレート１４ｃよりも径の小さな円盤形状であり、ポーラスプレート１４ｃの一方の面（例えば、裏面１４ｊ）に接する。押圧部９６ａのポーラスプレート１４ｃと接する面とは反対側には、円筒砥石９２の回転軸と平行な軸心を有する円柱状の回転部９８ａが接続している。

同様に、回転挟持部９４ｂは、円盤状の押圧部９６ｂを有する。押圧部９６ｂは、ポーラスプレート１４ｃよりも径の小さな円盤形状であり、ポーラスプレート１４ｃの他方の面（例えば、裏面１４ｊ）に接する。また、押圧部９６ｂのポーラスプレート１４ｃと接する面とは反対側には、円筒砥石９２の回転軸と平行な軸心を有する円柱状の回転部９８ｂが接続している。

ポーラスプレート１４ｃを挟持するように押圧部９６ａ及び９６ｂを互いに近づく向きに押し込む。このとき、回転部９８ａ及び９８ｂの軸心と、表面１４ｉ及び裏面１４ｊの各中心とは、一直線上に配置される。そして、各々の軸心を中心に回転部９８ａ及び９８ｂを回転させることで、ポーラスプレート１４ｃを回転させることができる。

そして、ポーラスプレート１４ｃの側面１４ｋに、回転する円筒砥石９２の側面を接触させることで、ポーラスプレート１４ｃの側面１４ｋは研削される。図７は、ポーラスプレート１４ｃの側面１４ｋを研削する様子を示す図である。

側面１４ｋを研削した後に、他の切削装置（不図示）を用いて、粗ポーラス部１４ｃ_２の一部に、ポーラスプレート１４ｃとウェーハ１１との中心位置合わせに利用されるオリエンテーションフラット（Orientation Flat）（以下、ＯＦと略記する）を形成してもよい。

例えば、粗ポーラス部１４ｃ_２の外周を横切り、且つ、密ポーラス部１４ｃ_１を横切らないように、ポーラスプレート１４ｃの表面１４ｉから裏面１４ｊまで粗ポーラス部１４ｃ_２を切削することにより、ＯＦは形成される。

第１の研削段階（Ｓ４０）の後、金属で形成された枠体１４ｂの凹部１４ｂ_１に、ポーラスプレート１４ｃを接着させて固定する（接着段階（Ｓ５０））。図８（Ａ）は、接着段階を示す図であり、枠体１４ｂ及びポーラスプレート１４ｃの断面を示す。

上述の様に、枠体１４ｂは、円盤状の底部１４ｂ_２と、底部１４ｂ_２上に設けられた環状部１４ｂ_３とから成る。底部１４ｂ_２及び環状部１４ｂ_３により規定される円盤状の空間（即ち、凹部１４ｂ_１）には、ポーラスプレート１４ｃが樹脂等の接着剤により固定される。なお、ポーラスプレート１４ｃがＯＦを有する場合には、環状部１４ｂ_３の内径にはＯＦに対応する直線部が形成される。

図８（Ｂ）は、接着段階（Ｓ５０）後のチャックテーブル１４を示す図である。図８（Ｂ）に示す様に、接着段階（Ｓ５０）後のポーラスプレート１４ｃの表面１４ｉは、枠体１４ｂの環状部１４ｂ_３の上面１４ｂ_４よりも突出している。

そこで、接着段階（Ｓ５０）後、ポーラスプレート１４ｃのいわゆる面精度出しを行う。具体的には、ポーラスプレート１４ｃの表面１４ｉ側を研削することによりポーラスプレート１４ｃを薄くして、表面１４ｉと環状部１４ｂ_３の上面１４ｂ_４とを面一にする（第２の研削段階（Ｓ６０））。

第２の研削段階（Ｓ６０）は、上述の研削ユニット７０及びチャックテーブル８０を用いて行われる。第２の研削段階（Ｓ６０）では、底部１４ｂ_２の下側に保護テープ８４を貼り付けて、底部１４ｂ_２の下側を保持面８０ａに接するように配置する。

そして、保持面８０ａで吸引保持されたポーラスプレート１４ｃの表面１４ｉ側を研削砥石７８ｂで研削する。これにより、ポーラスプレート１４ｃの表面１４ｉは、環状部１４ｂ_３の上面１４ｂ_４と面一である保持面１４ａとなる。図９は、第２の研削段階（Ｓ６０）後のチャックテーブル１４の断面図である。

図９に示す様に、ポーラスプレート１４ｃの裏面１４ｊは、枠体１４ｂの底部１４ｂ_２により覆われ、ポーラスプレート１４ｃの側面１４ｋは、枠体１４ｂの環状部１４ｂ_３により囲まれる。このようにして、チャックテーブル１４は製造される。なお、図１０は、ポーラスチャックテーブルの製造方法のフロー図である。

次に、上述の製造方法で作成したポーラスプレート１４ｃの例を説明する。図１１（Ａ）は、ポーラスプレート１４ｃの保持面１４ａの写真である。図１１（Ａ）から明らかなように、気孔の大きさの違いに起因して、密ポーラス部１４ｃ_１と粗ポーラス部１４ｃ_２との間には、略円形の境界１４ｌが確認される。

また、図１１（Ｂ）は、密ポーラス部１４ｃ_１の一部の拡大写真であり、図１１（Ｃ）は、粗ポーラス部１４ｃ_２の一部の拡大写真である。同一スケールで撮像された図１１（Ｂ）及び図１１（Ｃ）において、気孔１４ｍは黒で示されており、気孔１４ｍ以外は白又は灰色で示されている。なお、白又は灰色の部分は、第１の砥粒５２ａ、第２の砥粒５４ａ、結合材５２ｃで構成されている。

気孔１４ｍの大きさにはある程度のばらつきがあるものの、図１１（Ｂ）及び図１１（Ｃ）から明らかな様に、密ポーラス部１４ｃ_１の気孔１４ｍは、概して、粗ポーラス部１４ｃ_２の気孔１４ｍよりも大きい。これは、上述の気孔形成材５２ｂ及び５４ｂの違いが反映されている。

なお、ポーラスプレート１４ｃの製造方法を鑑みれば、ポーラスプレート１４ｃの所定の深さ位置における保持面１４ａと平行な断面においても、ポーラスプレート１４ｃは保持面１４ａと同様の構造を有すると考えられる。

ところで、各気孔１４ｍの正確な大きさは測定されてはいないが、必要であれば、上述の幾何学的径又は相当径を用いて平均粒子径を算出することにより、粗ポーラス部１４ｃ_２の気孔１４ｍの大きさの平均が、密ポーラス部１４ｃ_１の気孔１４ｍの大きさの平均よりも大きいことは確認可能である。

次に、第２の実施形態に係るチャックテーブル１４について説明する。図１２は、第２の実施形態に係るチャックテーブル１４の断面図である。第２の実施形態に係るポーラスプレート１４ｃの密ポーラス部１４ｃ_１は、円盤部１４ｃ_１Ａを有する。円盤部１４ｃ_１Ａは、保持面１４ａに露出しており、ポーラスプレート１４ｃの保持面１４ａ側の中央領域の凹部に形成された密ポーラス部１４ｃ_１の一部である。

但し、第２実施形態のポーラスプレート１４ｃの密ポーラス部１４ｃ_１は、円盤部１４ｃ_１Ａに加えて、円柱部１４ｃ_１Ｂを更に有する。円柱部１４ｃ_１Ｂは、円盤部１４ｃ_１Ａの下方において、円盤部１４ｃ_１Ａと同軸上に配置されている。円柱部１４ｃ_１Ｂは、円盤部１４ｃ_１Ａよりも小さい径を有し、ポーラスプレート１４ｃの裏面１４ｊに露出している。

即ち、粗ポーラス部１４ｃ_２の底部には、円柱部に相当する貫通開口が形成されており、この貫通開口に密ポーラス部１４ｃ_１の円柱部１４ｃ_１Ｂが形成されている。係る点において、第２実施形態のポーラスプレート１４ｃは、第１の実施形態と異なる。

第２の実施形態でも、仮に、ウェーハ１１の裏面１１ｂと枠体１４ｂの上面１４ｂ_４との隙間Ａから使用済切削液３８ｄが吸引されても、ポーラスプレート１４ｃ全体が密ポーラス部１４ｃ_１と同等の気孔１４ｍの大きさを有する場合に比べて、切削屑により気孔１４ｍがつまりにくくなる。

加えて、密ポーラス部１４ｃ_１を用いることにより、粗ポーラス部１４ｃ_２のみでポーラスプレート１４ｃを構成する場合に比べて、チャックテーブル１４の使用中にポーラスプレート１４ｃが破損するリスクを低減できる。

更に、保持面１４ａの中央領域では、密ポーラス部１４ｃ_１によりウェーハ１１を吸引保持できるので、外周領域及び中央領域の両方を粗ポーラス部１４ｃ_２とする場合に比べて、より安定してウェーハ１１を切削加工できる。

その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。

２ 切削装置
４ 基台
４ａ，４ｂ，４ｃ 開口
６ カセット載置台
８ カセット
１０ Ｘ軸移動テーブル
１１ ウェーハ（被加工物）
１１ａ 表面
１１ｂ 裏面
１１ｃ 切削溝
１２ 防塵防滴カバー
１４ チャックテーブル
１４ａ 保持面
１４ｂ 枠体
１４ｂ_１ 凹部
１４ｂ_２ 底部
１４ｂ_３ 環状部
１４ｂ_４ 上面
１４ｃ ポーラスプレート
１４ｃ_１ 密ポーラス部
１４ｃ_１Ａ 円盤部
１４ｃ_１Ｂ 円柱部
１４ｃ_２ 粗ポーラス部
１４ｄ 第１の吸引路
１４ｅ 第２の吸引路
１４ｆ テーブル基台
１４ｇ 電磁バルブ
１４ｈ 吸引源
１４ｉ 表面
１４ｊ 裏面
１４ｋ 側面
１４ｌ 境界
１４ｍ 気孔
Ａ 隙間
Ｏ 中心
Ｄ_１、Ｄ_３ 直径
Ｗ_２ 幅
１５ デバイス
１６ 搬送装置
１７ 切り欠き部
１８ 第１の支持構造
２０ 第１のレール
２２ 第１の昇降ユニット
２４ 第１の搬送ユニット
２６ 第２のレール
２８ 第２の昇降ユニット
３０ 第２の搬送ユニット
３２ 第２の支持構造
３４ 移動ユニット
３６ 切削ユニット
３８ａ 切削ブレード
３８ｂ 切削液供給部
３８ｃ 切削液
３８ｄ 使用済切削液
４０ 洗浄ユニット
５２ 第１の成形体
５２ａ 第１の砥粒（第１の粒状物質）
５２ｂ 気孔形成材
５２ｃ 結合材
５２ｄ 矢印
５４ 第２の成形体
５４ａ 第２の砥粒（第２の粒状物質）
５４ｂ 気孔形成材
５４ｃ 矢印
５４ｄ ベース部
６０ 電気炉
６２ａ 容器
６２ｂ 蓋部
７０ 研削ユニット
７２ スピンドル
７４ ホイールマウント
７６ 研削ホイール
７８ａ ホイール基台
７８ｂ 研削砥石
８０ チャックテーブル
８０ａ 保持面
８２ 流路
８４ 保護テープ
８６ 電磁バルブ
８８ 吸引手段
９０ 円筒研磨装置
９２ 円筒砥石
９４ａ、９４ｂ 回転挟持部
９６ａ、９６ｂ 押圧部
９８ａ、９８ｂ 回転部

Claims (3)

1. 被加工物に液体を供給しつつ切削ブレードで該被加工物を切削する切削装置に設けられる、該被加工物を吸引保持するためのポーラスチャックテーブルであって、
   該被加工物が載置される保持面と、該保持面とは反対側に位置する裏面と、該保持面と該裏面とを接続する側面とを有するポーラスプレートと、
   該ポーラスプレートの該側面を囲み、該ポーラスプレートの該裏面を覆う枠体と、
   該枠体に設けられ、吸引源に接続し該ポーラスプレートに負圧を作用させるための吸引路と、を備え、
   該ポーラスプレートは、
   該側面側に位置する粗ポーラス部と、
   該粗ポーラス部によって側方を囲まれた密ポーラス部と、
   を有し、
   該ポーラスプレートの該保持面において、該粗ポーラス部の気孔の大きさの平均は、該密ポーラス部の気孔の大きさの平均よりも大きいことを特徴とするポーラスチャックテーブル。
2. 該密ポーラス部は、該ポーラスプレートの該保持面側の中央領域の凹部に設けられており、該ポーラスプレートの該裏面には達していないことを特徴とする請求項１記載のポーラスチャックテーブル。
3. 被加工物に液体を供給しつつ切削ブレードで該被加工物を切削する切削装置に設けられる、該被加工物を吸引保持するためのポーラスチャックテーブルの製造方法であって、
   第１の粒径の粒状物質と、第２の粒径の気孔形成材と、結合材とを圧縮成形して、円盤状の第１の成形体を形成する段階と、
   該第１の成形体と、第３の粒径の粒状物質と、該第２の粒径よりも大きい径を有する第４の粒径の気孔形成材と、該結合材とを圧縮成形して、該第１の成形体よりも大きな径を有する円盤状の第２の成形体を形成する段階と、
   該第２の成形体を焼成してポーラスプレートを形成する焼成段階と、
   該焼成段階後の該ポーラスプレートの両面及び側面を研削する第１の研削段階と、
   金属で形成された枠体の凹部に該第１の研削段階後の該ポーラスプレートを接着させて固定する接着段階と、
   該接着段階後に、該枠体の上面から突出している該ポーラスプレートの表面を研削して、該ポーラスプレートを薄くする第２の研削段階と、
   を備えることを特徴とするポーラスチャックテーブルの製造方法。