JP2011009424A - 保持テーブルアセンブリ及び保持テーブルの製造方法 - Google Patents

保持テーブルアセンブリ及び保持テーブルの製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】重量が比較的軽く、ポーラスシリコン板が枠体から浮き上がることのない保持テーブルアセンブリを提供する。
【解決手段】負圧吸引源に連通する第1吸引路を有する支持基台と、支持基台に着脱可能に固定され、支持基台の該第1吸引路に連通する第2吸引路を有する保持テーブルとを具備し、保持テーブルは、保持すべきウエーハの直径より大きい直径の保持面を有する保持部と、保持面の反対側で第2吸引路が形成された底部と、保持部と底部を連結する環状側壁部が一体的に形成されたポーラスシリコン板と、ポーラスシリコン板の保持面に載置されるウエーハの保持領域を除く全外周を被覆するコーティング部材とからなり、保持テーブルは、それぞれ一端が第2吸引路に連通する複数の放射状吸引路と、第2吸引路と同心円状に且つ各放射状吸引路と交差するように形成された複数の円形吸引路とを保持部と底部とに挟まれた中間領域に有する。
【選択図】図6

Description

本発明は、ウエーハ等の被加工物を吸引保持する保持テーブルアセンブリ及び保持テーブルの製造方法に関する。
IC、LSI等の数多くのデバイスが表面に形成され、且つ個々のデバイスが分割予定ライン(ストリート)によって区画された半導体ウエーハは、研削装置によって裏面が研削されて所定の厚みに形成された後、切削装置(ダイシング装置)によって分割予定ラインを切削して個々のデバイスに分割され、分割されたデバイスは携帯電話、パソコン等の各種電子機器に広く利用されている。
ウエーハを研削する研削装置は、ウエーハを保持する保持テーブルと、保持テーブルに保持されたウエーハを研削する回転可能な研削ホイールを有する研削手段とを少なくとも備えていて、ウエーハを高精度に所望の厚みに仕上げることができる。
また、ウエーハを切削する切削装置は、ウエーハを保持する保持テーブルと、該保持テーブルに保持されたウエーハを切削する切削ブレードを有する切削手段と、ウエーハの分割予定ラインを検出し分割予定ラインに切削ブレードを位置づけるアライメント手段とを少なくとも備えていて、ウエーハを高精度に切削することができる。
切削ブレードとしてはダイアモンド砥粒をニッケルメッキで固めた電鋳ブレードが一般的に使用され、ブレードが導電性を有することから、保持テーブルのポーラスセラミック板を囲繞する金属で形成された枠体の上面に切削ブレードを接触させ、電気的導通により切削ブレードの切り込み深さの原点出しをしている(特開2005−142202号公報参照)。
また、研削装置の保持テーブルも切削装置と概略同様に、ポーラスセラミック板と、ポーラスセラミック板を囲繞するセラミックスで形成された枠体とがボンド剤により接合されて構成されている(例えば、特開平3−32537号公報参照)。
特開2005−142202号公報 特開平3−32537号公報
しかし、切削装置の保持テーブルはポーラスセラミックス板と、ポーラスセラミックス板を囲繞しポーラスセラミックス板の全面に吸引力を伝達する複数の吸引溝を有する金属で形成された枠体とがボンド剤で接合されて構成されているため、経時的に枠体からポーラスセラミックス板が浮き上がり、切削ブレードの切り込み深さの原点を正確に検出することができず、ウエーハの切り込み深さを高精度に制御できないという問題がある。
研削装置の保持テーブルも、ポーラスセラミックス板と、ポーラスセラミックス板を囲繞しポーラスセラミックス板の全面に吸引力を伝達する複数の溝を有するセラミックスで形成された枠体とがボンド剤で接合されて構成されているため、経時的に枠体からポーラスセラミックス板が浮き上がり、ウエーハを所望の厚みに仕上げることができないという問題がある。
また、研削装置の保持テーブルでは、保持テーブル表面と研削砥石との平行度を出すために、工場出荷前にメタルボンドの研削砥石を用いて保持テーブル表面を研削した後、研削ホイールを通常の研削作業で使用するビトリファイドボンド又は樹脂ボンドの研削ホイールに変更して工場出荷をしているため、手間が掛かるという問題がある。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、軽量で且つウエーハ保持面が枠体から浮き上がることのない保持テーブルアセンブリ及び保持テーブルの製造方法を提供することである。
本発明の第1の側面によると、加工装置の保持テーブルアセンブリであって、負圧吸引源に連通する第1吸引路を有する支持基台と、該支持基台に着脱可能に固定され、該支持基台の該第1吸引路に連通する第2吸引路を有する保持テーブルとを具備し、該保持テーブルは、保持すべきウエーハの直径より大きい直径の保持面を有する保持部と、該保持面の反対側で該第2吸引路が形成された底部と、該保持部と該底部を連結する環状側壁部が一体的に形成されたポーラスシリコン板と、該ポーラスシリコン板の該保持面に載置されるウエーハの保持領域を除く該保持面の外周領域を含む該ポーラスシリコン板の全外周を被覆するコーティング部材とから構成され、前記保持テーブルは、それぞれ一端が該第2吸引路に連通し半径方向に伸長する複数の放射状吸引路と、該第2吸引路と同心円状に且つ該各放射状吸引路と交差するように形成された複数の円形吸引路とを該保持部と該底部とに挟まれた中間領域に有していることを特徴とする保持テーブルアセンブリが提供される。
好ましくは、該保持テーブルの前記保持面の該外周領域はウエーハを保持する該保持領域よりも低く形成され、該保持面の該外周領域に被覆された前記コーティング部材の上面とウエーハの前記保持領域とが研削砥石によって同一平面に研削されている。
本発明の第2の側面によると、保持テーブルの製造方法であって、所定の粒径のシリコン粒子と、二酸化珪素を主成分とするフリットと、ポーラスを形成する有機接着剤とを適宜の体積比で混錬した第1の混錬物を用意し、該シリコン粒子と同質のシリコン粒子と、蛋白質を主成分とする熱消失性部材とを適宜の体積比で混錬した第2の混錬物を用意し、該第2の混錬物を金型中に注入し、該金型を第1の所定温度に加熱することにより中子を成形し、該中子を該第1の混錬物中に埋め込み、プレス装置を用いて保持テーブル形状に成形して成形体を形成し、該成形体を第2の所定温度で焼成することによりポーラス焼結体を製造し、該中子を洗い流すことにより該ポーラス焼結体内に複数の放射状吸引路及び該放射状吸引路に交差する複数の同心状円形吸引路を形成し、該ポーラス焼結体のウエーハ保持面以外の外周部にコーティング部材を被膜する、各工程を具備したことを特徴とする保持テーブルの製造方法が提供される。
好ましくは、前記第1の所定温度は130℃〜180℃であり、前記第2の所定温度は1050℃〜1150℃である。好ましくは、該第1の混錬物は、粒径30〜60μmのシリコン粒子を70体積%と、粒径5μm以下の前記フリットを15体積%と、前記有機接着剤を15体積%含み、該第2の混錬物は、粒径30〜60μmのシリコン粒子を95〜97体積%と、該熱消失性部材を3〜2体積%と、水を2〜1体積%を含む。
本発明の保持テーブルアセンブリによると、保持テーブルをオールシリコンから形成したため保持面を常に同一高さに保つことができ、切削装置においては切削ブレードの切り込み深さの原点を正確に検出することができるとともに、重量が非常に軽いため切削送り速度を高めることができる。
研削装置に本発明の保持テーブルを用いた場合には、保持テーブルがシリコンから形成されているため通常の研削作業に用いるビトリファイドボンド又は樹脂ボンドの研削砥石で保持テーブル表面を研削して、保持テーブル表面と研削砥石との間の平行度を出すことができるため、従来のようにセルフグラインド用にメタルボンドの特別な研削砥石を使用する必要がなく、砥石交換に伴う煩雑さを回避することができる。
本発明の保持テーブルの製造方法によると、シリコン粒子と、蛋白質を成分とする熱焼失性部材とを混錬した混錬物から中子を成形し、この中子を他の混錬物中に埋め込んで保持テーブル形状に成形してから焼成することによりポーラス焼結体を製造し、中子を洗い流すことによりポーラス焼結体内に複数の放射状吸引路及び複数の同心状円形吸引路を形成することができるので、ポーラス吸引部と枠体とが一体となった保持テーブルを容易に製造することができる。
本発明の保持テーブルを装着した切削装置の外観斜視図である。 ダイシングテープを介して環状フレームに支持されたウエーハの表面側斜視図である。 本発明実施形態に係る保持テーブルアセンブリの分解斜視図である。 保持テーブルアセンブリの斜視図である。 保持テーブルアセンブリの側面図である。 保持テーブルの縦断面図である。 保持テーブルの製造方法を説明するための保持テーブルの一部破断斜視図である。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1は本発明実施形態の保持テーブル(チャックテーブル)を搭載するのに適した半導体ウエーハをダイシングして個々のチップ(デバイス)に分割することのできる切削装置2の外観を示している。
切削装置2の前面側には、オペレータが加工条件等の装置に対する指示を入力するための操作手段4が設けられている。装置上部には、オペレータに対する案内画面や後述する撮像手段によって撮像された画像が表示されるCRT等の表示手段6が設けられている。
図2に示すように、ダイシング対象のウエーハWの表面においては、第1のストリートS1と第2ストリートS2とが直交して形成されており、第1のストリートS1と第2のストリートS2とによって区画されて多数のデバイスDがウエーハW上に形成されている。
ウエーハWは粘着テープであるダイシングテープTに貼着され、ダイシングテープTの外周縁部は環状フレームFに貼着されている。これにより、ウエーハWはダイシングテープTを介してフレームFに支持された状態となり、図1に示したウエーハカセット8中にウエーハが複数枚(例えば25枚)収容される。ウエーハカセット8は上下動可能なカセットエレベータ9上に載置される。
ウエーハカセット8の後方には、ウエーハカセット8から切削前のウエーハWを搬出するとともに、切削後のウエーハをウエーハカセット8に搬入する搬出入手段10が配設されている。ウエーハカセット8と搬出入手段10との間には、搬出入対象のウエーハが一時的に載置される領域である仮置き領域12が設けられており、仮置き領域12には、ウエーハWを一定の位置に位置合わせする位置合わせ手段14が配設されている。
仮置き領域12の近傍には、ウエーハWと一体となったフレームFを吸着して搬送する旋回アームを有する搬送手段16が配設されており、仮置き領域12に搬出されたウエーハWは、搬送手段16により吸着されて保持テーブル18上に搬送され、この保持テーブル18に吸引されるとともに、複数のクランプ38によりフレームFが固定されることで保持テーブル18上に保持される。
保持テーブル18は、回転可能且つX軸方向に往復動可能に構成されており、保持テーブル18のX軸方向の移動経路の上方には、ウエーハWの切削すべきストリートを検出するアライメント手段20が配設されている。
アライメント手段20は、ウエーハWの表面を撮像する撮像手段22を備えており、撮像により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の処理によって切削すべきストリートを検出することができる。撮像手段22によって取得された画像は、表示手段6に表示される。
アライメント手段20の左側には、保持テーブル18に保持されたウエーハWに対して切削加工を施す切削手段24が配設されている。切削手段24はアライメント手段20と一体的に構成されており、両者が連動してY軸方向及びZ軸方向に移動する。
切削手段24は、回転可能なスピンドル26の先端に切削ブレード(ハブブレード)28が装着されて構成され、Y軸方向及びZ軸方向に移動可能となっている。切削ブレード28は撮像手段22のX軸方向の延長線上に位置している。
このように構成された切削装置2において、ウエーハカセット8に収容されたウエーハWは、搬出入手段10によってフレームFが挟持され、搬出入手段10が装置後方(Y軸方向)に移動し、仮置き領域12においてその挟持が解除されることにより、仮置き領域12に載置される。そして、位置合わせ手段14が互いに接近する方向に移動することにより、ウエーハWが一定の位置に位置づけられる。
次いで、搬送手段16によってフレームFは吸着され、搬送手段16が旋回することによりフレームFと一体となったウエーハWが保持テーブル18に搬送されて保持テーブル18により保持される。そして、保持テーブル18がX軸方向に移動してウエーハWはアライメント手段20の直下に位置づけられる。
アライメント手段20が切削すべきストリートを検出するアライメントの際のパターンマッチングに用いる画像は、切削前に予め取得しておく必要がある。そこで、ウエーハWがアライメント手段20の直下に位置づけられると、撮像手段22がウエーハWの表面を撮像し、撮像した画像を表示手段6に表示させる。
切削装置2のオペレータは、操作手段4を操作することにより、撮像手段22をゆっくりと移動させながら、必要に応じて保持テーブル18も移動させて、パターンマッチングのターゲットとなるパターンを探索する。
オペレータがキーパターンを決定すると、そのキーパターンを含む画像が切削装置2のコントローラに備えたメモリに記憶される。また、そのキーパターンとストリートS1,S2の中心線との距離を座標値等によって求め、その値もメモリに記憶させておく。
更に、撮像手段22を移動させることにより、隣り合うストリートとストリートとの間隔(ストリートピッチ)を座標値等によって求め、ストリートピッチの値についてもコントローラのメモリに記憶させておく。
ウエーハWのストリートに沿った切断の際には、記憶させたキーパターンの画像と実際に撮像手段22により撮像されて取得した画像とのパターンマッチングをアライメント手段20にて行う。
そして、パターンがマッチングしたときは、キーパターンとストリートの中心線との距離分だけ切削手段24をY軸方向に移動させることにより、切削しようとするストリートと切削ブレード28との位置合わせを行う。
切削しようとするストリートと切削ブレード28との位置合わせが行われた状態で、保持テーブル18をX軸方向に移動させるとともに、切削ブレード28を高速回転させながら切削手段24を下降させると、位置合わせされたストリートが切削される。
メモリに記憶されたストリートピッチずつ切削手段24をY軸方向にインデックス送りにしながら切削を行うことにより、同方向のストリートS1が全て切削される。更に、保持テーブル18を90°回転させてから、上記と同様の切削を行うと、ストリートS2も全て切削され、個々のデバイスDに分割される。
切削が終了したウエーハWは保持テーブル18をX軸方向に移動してから、Y軸方向に移動可能な搬送手段25により把持されて洗浄装置27まで搬送される。洗浄装置27では、洗浄ノズルから水を噴射しながらウエーハWを低速回転(例えば300rpm)させることによりウエーハを洗浄する。
洗浄後、ウエーハWを高速回転(例えば3000rpm)させながら、エアノズルからエアを噴出させてウエーハWを乾燥させた後、搬送手段16によりウエーハWを吸着して仮置き領域12に戻し、更に搬出入手段10によりウエーハカセット8の元の収納場所にウエーハWが戻される。
以下、図3乃至図7を参照して、本発明実施形態に係る保持テーブルアセンブリ及び保持テーブルの製造方法について詳細に説明する。図3を参照すると、本発明実施形態に係る保持テーブルアセンブリ30の分解斜視図が示されている。図4は保持テーブルアセンブリ30の斜視図である。
保持テーブルアセンブリ30の支持基台32はその上面に環状搭載部34を有している。支持基台32の中心部分には鉛直方向に伸長して図示しない負圧吸引源(真空吸引源)に接続される中心吸引路36が形成されている。
支持基台32には円周方向に180度離間して2個のクランプ38が取り付けられている。各クランプ38は、支持基台32にその一端が固定された互いに平行な一対のガイドレール40と、これらのガイドレール40に沿って移動可能に取り付けられた受け部材42と、受け部材に固定されたエアアクチュエータ44と、エアアクチュエータ44により90度回転される回転軸45と、回転軸45に固定されたL形状のクランプ爪46を含んでいる。
受け部材42のガイドレール40に沿った取り付け位置を調整することにより、ウエーハを保持する環状フレームFの異なるサイズに対応することができる。エアアクチュエータにより回転軸45を回転することにより、クランプ爪46は図5に想像線で示す解放位置と実線で示すクランプ位置との間で回動される。
保持テーブル18は図5(A)に示すように円筒状底部52を有しており、円筒状底部52を支持基台32の環状支持部34が画成する凹部35内に嵌合することにより、支持基台30に取り付けられる。
図6に最も良く示されるように、保持テーブル18は、保持すべきウエーハの直径より大きい直径の保持面49を有する保持部48と、保持面49の反対側に形成された円筒状底部52と、保持部48と円筒状底部52を連結する環状壁部54が一体的に形成されたポーラスシリコン板50と、ポーラスシリコン板50の保持面49に載置されるウエーハの保持領域49aを除く保持面49の外周領域49bを含むポーラスシリコン板50の全外周を被覆するコーティング部材51とから構成されている。
コーティング部材51はポーラスシリコン板50を真空吸引するときのリーク防止用として作用し、本実施形態ではシリコンの溶射によって形成される。このようにコーティング部材51をシリコンの溶射によって形成したため、十分な導電性を確保することができる。
円筒状底部52には保持テーブル18が支持基台32上に搭載されたとき、支持基台32の中心吸引路36に連通する中心吸引路56が形成されている。保持テーブル18の保持部48と円筒状底部52に挟まれた中間領域には、それぞれ一端が中心吸引路56に連通し半径方向に伸長する複数の放射状吸引路58と、中心吸引路56と同心円状に且つ各放射状吸引路58と交差するように形成された複数の円形吸引路60(図7参照)が形成されている。
保持テーブル18の保持面49の外周領域49bはウエーハを保持する保持領域49aよりも低く形成されており、保持面49の外周領域49bに被覆されたコーティング部材51の上面とウエーハの保持領域49aとが研削砥石によって同一平面に研削されている。
これにより、切削ブレード28の切り込み深さの原点の検出を行うときに、保持面49の外周領域49bに被覆されたシリコンから成るコーティング部材51の上面をセットアップ面として利用することができ、切削ブレード28をコーティング部材51に接触させて電気的導通をとることにより、切削ブレード28の切り込み方向の原点出しを行うことができる。
以下、本発明実施形態に係る保持テーブル18の製造方法について詳細に説明する。まず、所定の粒径のシリコン粒子と、二酸化珪素を主成分とするフリットと、ポーラスを形成する有機接着剤とを適宜の体積比で混錬した第1の混錬物を用意する。
好ましくは、第1の混錬物は、粒径30〜60μmのシリコン粒子を70体積%と、粒径5μm以下のフリットを15体積%と、デキストリン等の有機接着剤を15体積%含んでいる。
更に、第1の混錬物に含有されたシリコン粒子と同質のシリコン粒子と、蛋白質を主成分とする熱焼失性部材とを適宜の体積比で混錬した第2の混錬物を用意する。好ましくは、第2の混錬物は、粒径30〜60μmのシリコン粒子を95〜97体積%と、熱消失性部材を3〜2体積%と、水を2〜1体積%とを含んでいる。熱焼失性部材としては、Hormel Foods Corporation製の登録商標「GMBOND」を使用することができる。
第2の混錬物を金型中に注入し、該金型を第1の所定温度に加熱することにより図7に示す中子62を成形した。好ましくは、第1の所定温度は130℃〜180℃であり、より好ましくは約150℃である。
このようにして成形した中子62を第1の混錬物中に埋め込み、プレス装置を用いて第1の混錬物を保持テーブル形状に成形して焼成前の成形体を形成した。次いで、この成形体を加熱炉中で第2の所定温度で焼成することによりポーラス焼結体を製造した。好ましくは、第2の所定温度は1050℃〜1150℃であり、より好ましくは約1100℃である。
中子62の粘結剤である蛋白質を主成分とする熱焼失性部材は500℃以上の加熱により機械的強度を焼失するため、高圧洗浄水で洗浄することによりポーラス焼結体から中子62を容易に除去することができ、中子が除去された後に中心吸引路56、それぞれ一端が中心吸引路56に連通し、半径方向に伸長する複数の放射状吸引路58及び中心吸引路56と同心円状に且つ各放射状吸引路58と交差するように複数の円形吸引路60を形成することができた。
このようにして得られた内部に中心吸引路56、放射状吸引路58及び円形吸引路60を有するポーラス焼結体の外形を必要形状に研削加工により成形した後、保持面49のウエーハ保持領域49a以外のポーラス焼結体の全外周にシリコンを溶射してコーティング材51の成膜を行うことにより、セットアップ面の成形及びポーラス焼結体のリーク防止用の封止とした。
上述した実施形態の保持テーブル18は、切削装置2の保持テーブルとして使用するのに好適であるが、研削装置等の他の加工装置の保持テーブルにも同様に使用可能である。切削装置に使用した場合には、切削ブレード28の切り込み深さの原点を正確に検出することができるとともに、シリコン製であるため重量が非常に軽く切削送り速度を速めることができる。
また、研削装置用の保持テーブルとして使用した場合には、保持テーブルがシリコンから形成されているため、通常の研削作業に使用する研削砥石で保持テーブル表面をセルフグラインドして保持テーブル表面と研削砥石との間の平行出しを行うことができるため、従来のようにセルフグラインド用に特別な研削砥石を使用する必要がない。
18 保持テーブル
28 切削ブレード
30 保持テーブルアセンブリ
32 支持基台
34 環状支持部
36 中心吸引路
38 クランプ
48 保持部
49 保持面
49a ウエーハ保持領域
49b 外周領域
50 ポーラスシリコン板
51 コーティング部材
52 円筒状底部
56 中心吸引路
58 放射状吸引路
60 同心状円形吸引路
62 中子

Claims (7)

  1. 加工装置の保持テーブルアセンブリであって、
    負圧吸引源に連通する第1吸引路を有する支持基台と、
    該支持基台に着脱可能に固定され、該支持基台の該第1吸引路に連通する第2吸引路を有する保持テーブルとを具備し、
    該保持テーブルは、保持すべきウエーハの直径より大きい直径の保持面を有する保持部と、該保持面の反対側で該第2吸引路が形成された底部と、該保持部と該底部を連結する環状側壁部が一体的に形成されたポーラスシリコン板と、
    該ポーラスシリコン板の該保持面に載置されるウエーハの保持領域を除く該保持面の外周領域を含む該ポーラスシリコン板の全外周を被覆するコーティング部材とから構成され、
    前記保持テーブルは、それぞれ一端が該第2吸引路に連通し半径方向に伸長する複数の放射状吸引路と、該第2吸引路と同心円状に且つ該各放射状吸引路と交差するように形成された複数の円形吸引路とを該保持部と該底部とに挟まれた中間領域に有していることを特徴とする保持テーブルアセンブリ。
  2. 該保持テーブルの前記保持面の該外周領域はウエーハを保持する該保持領域よりも低く形成され、該保持面の該外周領域に被覆された前記コーティング部材の上面とウエーハの前記保持領域とが研削砥石によって同一平面に研削されている請求項1記載の保持テーブルアセンブリ。
  3. 該ポーラスシリコン板は、所定の粒径のシリコン粒子と、二酸化珪素を主成分とするフリットと、ポーラスを形成する有機接着剤とを適宜の体積比で混錬した第1の混錬物で構成され、
    前記放射状吸引路及び前記同心状円形吸引路は、シリコン粒子と、熱消失性部材とを適宜の体積比で混錬した第2の混錬物から構成される中子を該中間領域から取り去ることにより形成される請求項1又は2記載の保持テーブルアセンブリ。
  4. 該コーティング部材はシリコンの溶射によって形成される請求項1〜3の何れかに記載の保持テーブルアセンブリ。
  5. 保持テーブルの製造方法であって、
    所定の粒径のシリコン粒子と、二酸化珪素を主成分とするフリットと、ポーラスを形成する有機接着剤とを適宜の体積比で混錬した第1の混錬物を用意し、
    該シリコン粒子と同質のシリコン粒子と、蛋白質を主成分とする熱消失性部材とを適宜の体積比で混錬した第2の混錬物を用意し、
    該第2の混錬物を金型中に注入し、該金型を第1の所定温度に加熱することにより中子を成形し、
    該中子を該第1の混錬物中に埋め込み、プレス装置を用いて保持テーブル形状に成形して成形体を形成し、
    該成形体を第2の所定温度で焼成することによりポーラス焼結体を製造し、
    該中子を洗い流すことにより該ポーラス焼結体内に複数の放射状吸引路及び該放射状吸引路に交差する複数の同心状円形吸引路を形成し、
    該ポーラス焼結体のウエーハ保持面以外の外周部にコーティング部材を被膜する、
    各工程を具備したことを特徴とする保持テーブルの製造方法。
  6. 前記第1の所定温度は130℃〜180℃であり、前記第2の所定温度は1050℃〜1150℃である請求項5記載の保持テーブルの製造方法。
  7. 該第1の混錬物は、粒径30〜60μmのシリコン粒子を70体積%と、粒径5μm以下の前記フリットを15体積%と、前記有機接着剤を15体積%含み、
    該第2の混錬物は、粒径30〜60μmのシリコン粒子を95〜97体積%と、該熱消失性部材を3〜2体積%と、水を2〜1体積%を含む請求項5又は6記載の保持テーブルの製造方法。
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