KR20190003346A

KR20190003346A - 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법

Info

Publication number: KR20190003346A
Application number: KR1020180069186A
Authority: KR
Inventors: 세츠오 야마모토
Original assignee: 가부시기가이샤 디스코
Priority date: 2017-06-30
Filing date: 2018-06-15
Publication date: 2019-01-09
Also published as: JP2019012795A; US20190001433A1; KR102518005B1; CN109202308B; CN109202308A; JP6994852B2; US11633804B2; TWI761544B; TW201904702A

Abstract

(과제) 레이저 빔에 의해 척 테이블이 파손되는 것을 억제할 수 있는 것.
(해결 수단) 레이저 가공 장치 (1) 는, 단결정 SiC 잉곳 (600) 을 유지면 (11) 에서 유지하는 척 테이블 (10) 과, 척 테이블 (10) 에 유지된 단결정 SiC 잉곳 (600) 에 레이저 빔을 조사하는 레이저 빔 조사 유닛과, 척 테이블 (10) 에 유지된 단결정 SiC 잉곳 (600) 을 촬영하는 카메라 유닛 (30) 을 포함한다. 척 테이블 (10) 은, 유지면 (11) 을 구성하는 다공질 유리 플레이트 (12) 와, 다공질 유리 플레이트 (12) 가 끼워 맞춰지는 오목부 (14) 와, 끼워 맞춰진 다공질 유리 플레이트 (12) 에 부압을 전달하는 부압 전달로 (15) 를 가지고 비다공질 유리로 형성된 유리 프레임부 (13) 를 포함한다.

Description

레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법{LASER MACHINING APPARATUS AND LASER MACHINING METHOD}

본 발명은, 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법에 관한 것이다.

실리콘 웨이퍼 등에 디바이스가 형성된 SiC 웨이퍼를 분할 예정 라인 (스트리트) 을 따라 레이저 빔을 조사하여, 디바이스를 형성하는 기능층을 부분적으로 제거하거나, SiC 웨이퍼 내부에 파단 기점이 되는 개질층을 형성하여 개개의 디바이스 칩으로 분할하거나 하는 가공 방법이 알려져 있다 (예를 들어, 특허문헌 1, 특허문헌 2 및 특허문헌 3 참조).

그 밖에도, SiC (탄화규소) 로 이루어지는 단결정 SiC 잉곳으로부터 SiC 로 이루어지는 SiC 웨이퍼를 잘라낼 때에, SiC 에 대해 투과성이 있는 파장의 레이저 빔을 조사하고, 박리 기점이 되는 개질층을 형성하여 단결정 SiC 잉곳으로부터 SiC 웨이퍼를 박리하는 가공 방법도 개발되어 있다 (예를 들어, 특허문헌 4 참조).

일본 특허공보 제3408805호 일본 공개특허공보 2006-190779호 일본 공개특허공보 2006-281434호 일본 공개특허공보 2017-041482호

특허문헌 1, 특허문헌 2 및 특허문헌 3 에 기재된 가공 방법은, SiC 웨이퍼의 외주 가장자리까지 레이저 가공하는 것이 중요해지는 경우가 있다. 특허문헌 1, 특허문헌 2 및 특허문헌 3 에 기재된 가공 방법은, SiC 웨이퍼의 외주 가장자리까지 레이저 가공하는 경우, SiC 웨이퍼의 외주 가장자리를 오버런한 레이저 빔이나, SiC 웨이퍼를 투과한 레이저 빔의 투과광에 의해, 척 테이블이 파손될 우려가 있다.

또, 특허문헌 4 에 나타내는 가공 방법은, 특허문헌 1 등과 마찬가지로 척 테이블이 파손될 우려가 생기는 것에 더하여, 단결정 SiC 잉곳의 결정 방위를 나타내는 오리엔테이션 플랫을 기준으로 하여 각도를 규정하고 레이저 빔을 조사한다. 특허문헌 4 에 나타내는 가공 방법은, 오리엔테이션 플랫을 카메라 유닛으로 검출할 때에, 척 테이블의 금속 (예를 들어, 스테인리스강) 으로 이루어지는 프레임부의 표면 상에 오리엔테이션 플랫이 중첩되면, 프레임부의 표면에서 조명광이 반사되어, 오리엔테이션 플랫의 에지와 프레임부의 콘트라스트가 불선명해져, 오리엔테이션 플랫을 검출할 수 없다는 과제도 있다.

따라서, 본 발명의 목적은, 레이저 빔에 의해 척 테이블이 파손되는 것을 억제할 수 있는 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 일 측면에 의하면, 레이저 가공 장치로서, 피가공물을 유지면에서 유지하는 척 테이블과, 그 척 테이블에 유지된 피가공물에 레이저 빔을 조사하는 레이저 빔 조사 유닛과, 그 척 테이블에 유지된 그 피가공물을 촬영하는 카메라 유닛을 구비하고, 그 척 테이블은, 그 유지면을 구성하는 다공질재와, 그 다공질재가 끼워 맞춰지는 오목부와, 끼워 맞춰진 그 다공질재에 부압을 전달하는 부압 전달로를 가지고 비다공질 유리로 형성된 유리 프레임부를 포함하는 레이저 가공 장치가 제공된다.

바람직하게는, 그 다공질재는, 다공질 유리 플레이트로 구성된다.

바람직하게는, 그 척 테이블은, 그 레이저 빔 조사 유닛에 대해 자유롭게 이동할 수 있도록 형성된 테이블 베이스에 그 유리 프레임부가 재치 (載置) 되어 장착된다.

바람직하게는, 그 레이저 빔 조사 유닛은, 레이저 발진기로부터 발진한 그 레이저 빔을 집광하는 집광 렌즈를 그 척 테이블의 그 유지면과 대면시켜 구비한다.

바람직하게는, 그 척 테이블에 유지되는 피가공물은, 그 다공질 유리 플레이트를 덮어 외주 가장자리가 그 유리 프레임부에 지지되고, 그 유리 프레임부는 그 카메라 유닛이 출사하는 조명광을 투과한다.

바람직하게는, 그 레이저 빔의 파장은, 그 피가공물에 대해 투과성을 갖는 파장이다.

혹은, 그 레이저 빔의 파장은, 그 피가공물에 대해 흡수성을 갖는 파장이다.

본 발명의 다른 측면에 의하면, 유지면을 구성하는 다공질재와, 그 다공질재가 끼워 맞춰지는 오목부와, 끼워 맞춰진 그 다공질재에 부압을 전달하는 부압 전달로를 가지고 비다공질 유리로 형성된 유리 프레임부를 구비하는 척 테이블의 그 유지면에 유지된 피가공물의 외측 가장자리부 및 그 유리 프레임부에 조명광을 조사하면서 카메라 유닛으로 촬상하여 얼라이먼트를 실시하는 얼라이먼트 스텝과, 그 얼라이먼트 스텝 후에, 그 피가공물에 대해 투과성 또는 흡수성을 갖는 파장의 레이저 빔을 조사하여, 그 피가공물을 레이저 가공하는 레이저 가공 스텝을 구비하는 레이저 가공 방법이 제공된다.

본원 발명의 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법은, 레이저 빔에 의해 척 테이블이 파손되는 것을 억제할 수 있다는 효과를 발휘한다.

도 1 은, 제 1 실시형태에 관련된 레이저 가공 장치의 구성예를 나타내는 사시도이다.
도 2 는, 도 1 에 나타낸 레이저 가공 장치의 가공 대상의 단결정 SiC 잉곳을 나타내는 사시도이다.
도 3 은, 도 2 에 나타낸 단결정 SiC 잉곳의 측면도이다.
도 4 는, 도 1 에 나타낸 레이저 가공 장치의 척 테이블의 단면도이다.
도 5 는, 도 4 에 나타낸 단결정 SiC 잉곳과 척 테이블을 나타내는 평면도이다.
도 6 은, 제 1 실시형태에 관련된 레이저 가공 방법을 나타내는 플로 차트이다.
도 7 은, 도 6 에 나타낸 레이저 가공 방법의 유지 스텝을 나타내는 평면도이다.
도 8 은, 도 6 에 나타낸 레이저 가공 방법의 얼라이먼트 스텝에 있어서, 카메라 유닛이 단결정 SiC 잉곳의 외측 가장자리부를 촬상하는 상태를 일부 단면으로 나타내는 측면도이다.
도 9 는, 도 8 에 나타낸 카메라 유닛이 촬상하여 얻은 화상의 일례를 나타내는 도면이다.
도 10 은, 도 6 에 나타낸 레이저 가공 방법의 얼라이먼트 스텝 후의 단결정 SiC 잉곳과 척 테이블을 나타내는 평면도이다.
도 11 은, 도 6 에 나타낸 레이저 가공 방법의 레이저 가공 스텝을 일부 단면으로 나타내는 측면도이다.
도 12 는, 도 6 에 나타낸 레이저 가공 방법의 레이저 가공 스텝에 있어서 단결정 SiC 단결정 SiC 잉곳의 내부에 형성되는 개질층 및 크랙을 나타내는 평면도이다.
도 13 은, 제 2 실시형태에 관련된 레이저 가공 장치의 구성예를 나타내는 사시도이다.
도 14 는, 제 2 실시형태에 관련된 레이저 가공 방법의 레이저 가공 스텝을 일부 단면으로 나타내는 측면도이다.
도 15 는, 제 2 실시형태의 변형예에 관련된 레이저 가공 장치가 레이저 가공 스텝을 실시하는 상태를 일부 단면으로 나타내는 측면도이다.
도 16 은, 제 1 실시형태에 관련된 레이저 가공 장치의 단결정 SiC 잉곳을 유지한 척 테이블을 촬상하여 얻은 화상이다.
도 17 은, 단결정 SiC 잉곳을 유지한 종래의 척 테이블을 촬상하여 얻은 화상이다.

본 발명을 실시하기 위한 형태 (실시형태) 에 대해, 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 이하의 실시형태에 기재한 내용에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 또, 이하에 기재한 구성 요소에는, 당업자가 용이하게 상정할 수 있는 것, 실질적으로 동일한 것이 포함된다. 또한, 이하에 기재한 구성은 적절히 조합하는 것이 가능하다. 또, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성의 다양한 생략, 치환 또는 변경을 실시할 수 있다.

〔제 1 실시형태〕

본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법을 도면에 기초하여 설명한다. 도 1 은, 제 1 실시형태에 관련된 레이저 가공 장치의 구성예를 나타내는 사시도이다. 도 2 는, 도 1 에 나타낸 레이저 가공 장치의 가공 대상의 단결정 SiC 잉곳을 나타내는 사시도이다. 도 3 은, 도 2 에 나타낸 단결정 SiC 잉곳의 측면도이다. 도 4 는, 도 1 에 나타낸 레이저 가공 장치의 척 테이블의 단면도이다. 도 5 는, 도 2 에 나타낸 단결정 SiC 잉곳과 척 테이블을 나타내는 평면도이다.

제 1 실시형태에 관련된 레이저 가공 장치 (1) 는, 피가공물인 단결정 SiC 잉곳 (600) 을 레이저 가공하는 장치이다. 레이저 가공 장치 (1) 는, 단결정 SiC 잉곳 (600) 을 슬라이스하여, 단결정 SiC 잉곳 (600) 으로부터 SiC 웨이퍼를 잘라내는 장치이다.

제 1 실시형태에 관련된 레이저 가공 장치 (1) 의 가공 대상인 잉곳 (600) 은, SiC (탄화규소) 로 이루어지고, 도 2 및 도 3 에 나타내는 바와 같이, 제 1 면 (상면) (601) 과 제 1 면 (601) 과 반대측의 제 2 면 (이면) (602) 을 가지고 있다. 단결정 SiC 잉곳 (600) 의 상면 (601) 은, 레이저 빔 (300) (도 11 에 나타낸다) 의 조사면이 되기 때문에 경면으로 연마되어 있다. 또, 단결정 SiC 잉곳 (600) 은, 제 1 오리엔테이션 플랫 (603) 과, 제 1 오리엔테이션 플랫 (603) 에 직교하는 제 2 오리엔테이션 플랫 (604) 을 가지고 있다. 제 1 오리엔테이션 플랫 (603) 의 길이는 제 2 오리엔테이션 플랫 (604) 의 길이보다 길게 형성되어 있다.

단결정 SiC 잉곳 (600) 은, 상면 (601) 의 수선 (605) 에 대해 제 2 오리엔테이션 플랫 (604) 방향으로 오프각 (α) 경사진 c 축 (606) 과 c 축 (606) 에 직교하는 c 면 (607) 을 가지고 있다. c 면 (607) 은, 단결정 SiC 잉곳 (600) 의 상면 (601) 에 대해 오프각 (α) 경사져 있다. 일반적으로, 육방정 단결정 단결정 SiC 잉곳 (600) 에서는, 짧은 제 2 오리엔테이션 플랫 (604) 의 신장 방향과 직교하는 방향이 c 축 (606) 의 경사 방향이다. c 면 (607) 은, 단결정 SiC 잉곳 (600) 중에 단결정 SiC 잉곳 (600) 의 분자 레벨에서 무수하게 설정된다. 제 1 실시형태에서는, 오프각 (α) 은 4 °로 설정되어 있다. 그러나, 오프각 (α) 은 4 °에 한정되는 것이 아니고, 본 발명에서는, 오프각 (α) 을 예를 들어 1 °∼ 6 °의 범위에서 자유롭게 설정하여 단결정 SiC 잉곳 (600) 을 제조할 수 있다.

레이저 가공 장치 (1) 는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 단결정 SiC 잉곳 (600) 을 유지면 (11) 에서 유지하는 척 테이블 (10) 과, 척 테이블 (10) 에 유지된 단결정 SiC 잉곳 (600) 에 레이저 빔 (300) 을 조사하는 레이저 빔 조사 유닛 (20) 과, 척 테이블 (10) 에 유지된 단결정 SiC 잉곳 (600) 을 촬영하는 카메라 유닛 (30) 을 구비한다. 또, 레이저 가공 장치 (1) 는, 척 테이블 (10) 과 레이저 빔 조사 유닛 (20) 을 X 축 방향으로 상대 이동시키는 X 축 이동 유닛 (40) 과, 척 테이블 (10) 과 레이저 빔 조사 유닛 (20) 을 Y 축 방향으로 상대 이동시키는 Y 축 이동 유닛 (50) 과, 척 테이블 (10) 을 Z 축 방향과 평행한 중심 축선 둘레로 회전시키는 회전 유닛 (60) 과, 각 구성 요소를 제어하는 제어 유닛 (100) 을 구비한다.

척 테이블 (10) 은 원반 형상이며, 도 4 및 도 5 에 나타내는 바와 같이, 단결정 SiC 잉곳 (600) 을 유지하는 유지면 (11) 을 구성하는 다공질재인 다공질 유리 플레이트 (12) 와, 다공질 유리 플레이트 (12) 를 감싸고 또한 비다공질 유리로 형성된 유리 프레임부 (13) 를 구비한다. 다공질 유리 플레이트 (12) 를 구성하는 다공질 유리는, 전술한 레이저 빔 (300) 등의 광을 투과한다. 다공질 유리 플레이트 (12) 는, 원판상으로 형성되고, 또한 다공질 유리로 형성됨으로써 유체를 흡인 가능한 구멍이 형성되어 있다. 척 테이블 (10) 은, 다공질 유리 플레이트 (12) 가 유지면 (11) 상에 유지된 단결정 SiC 잉곳 (600) 에 의해 덮이는 크기로 형성되어 있다. 또한, 제 1 실시형태에 있어서, 유지면 (11) 을 구성하는 다공질재는, 다공질 유리에 의해 형성된 다공질 유리 플레이트 (12) 이지만, 본 발명에서는, 포러스 세라믹 등의 다른 종류의 다공질재에 의해 형성되어도 된다.

유리 프레임부 (13) 는, 전술한 레이저 빔 (300) 등의 광을 투과하고 또한 기밀성을 갖는 유리에 의해 구성되며, 또한 다공질 유리 플레이트 (12) 가 끼워 맞춰지는 오목부 (14) 와, 끼워 맞춰진 다공질 유리 플레이트 (12) 에 부압을 전달하는 부압 전달로 (15) 를 갖는다. 부압 전달로 (15) 는, 유리 프레임부 (13) 내에 형성된 공간 (16) 과, 공간 (16) 내에 개구되고 또한 도시되지 않은 진공 흡인원에 연결된 전달공 (17) 을 구비한다. 공간 (16) 은, 유리 프레임부 (13) 및 다공질 유리 플레이트 (12) 에 의해 밀폐되어 있다. 전달공 (17) 은, 공간 (16) 에 개구되고, 또한 유리 프레임부 (13) 를 관통한 구멍이다. 척 테이블 (10) 은, 진공 흡인원에 의해 흡인됨으로써, 유지면 (11) 상에 단결정 SiC 잉곳 (600) 을 흡인, 유지한다.

또, 척 테이블 (10) 은, X 축 이동 유닛 (40) 에 의해 레이저 빔 조사 유닛 (20) 에 대해 X 축 방향으로 자유롭게 이동할 수 있도록 형성된 테이블 베이스 (19) 상에 유리 프레임부 (13) 가 회전 유닛 (60) 을 개재하여 재치되어 장착되어 있다.

X 축 이동 유닛 (40) 은, 척 테이블 (10) 을 X 축 방향으로 이동시킴으로써, 척 테이블 (10) 을 X 축 방향으로 가공 이송하는 가공 이송 수단이다. X 축 이동 유닛 (40) 은, 테이블 베이스 (19) 를 X 축 방향으로 이동시킨다. Y 축 이동 유닛 (50) 은, 척 테이블 (10) 을 Y 축 방향으로 이동시킴으로써, 척 테이블 (10) 을 산출 이송하는 산출 이송 수단이다. X 축 이동 유닛 (40) 및 Y 축 이동 유닛 (50) 은, 축심 둘레로 자유롭게 회전할 수 있도록 형성된 볼 나사 (41, 51) 와, 볼 나사 (41, 51) 를 축심 둘레로 회전시키는 펄스 모터 (42, 52) 와, 척 테이블 (10) 을 X 축 방향 및 Y 축 방향으로 자유롭게 이동할 수 있도록 지지하는 가이드 레일 (43, 53) 을 구비한다. 회전 유닛 (60) 은, 테이블 베이스 (19) 상에 설치되고, 또한 척 테이블 (10) 을 중심 축선 둘레로 자유롭게 회전할 수 있도록 지지하고 있다.

레이저 빔 조사 유닛 (20) 은, 척 테이블 (10) 에 유지된 SiC 웨이퍼 (200) 에 레이저 가공을 실시한다. 레이저 빔 조사 유닛 (20) 은, 척 테이블 (10) 에 유지된 단결정 SiC 잉곳 (600) 에, 단결정 SiC 잉곳 (600) 에 대해 투과성을 갖는 파장 (예를 들어 1064 ㎚ 등) 의 레이저 빔 (300) 을 조사하여 단결정 SiC 잉곳 (600) 의 내부에 개질층 (301) (도 11 에 나타낸다) 을 형성한다. 또한, 개질층 (301) 이란, 밀도, 굴절률, 기계적 강도나 그 밖의 물리적 특성이 주위의 그것과는 상이한 상태가 된 영역을 의미하고, 용융 처리 영역, 크랙 영역, 절연 파괴 영역, 굴절률 변화 영역, 및 이들 영역이 혼재된 영역 등을 예시할 수 있다.

레이저 빔 조사 유닛 (20) 은, 레이저 빔 (300) 을 발진하는 레이저 발진기 (21) 와, 레이저 발진기 (21) 로부터 발진한 레이저 빔 (300) 을 단결정 SiC 잉곳 (600) 의 원하는 위치에 집광하는 집광 렌즈 (22) 와, 레이저 발진기 (21) 로부터 발진한 레이저 빔 (300) 을 집광 렌즈 (22) 를 향하여 반사하는 미러 (23) 등을 구비한다. 레이저 빔 조사 유닛 (20) 은, 집광 렌즈 (22) 를 척 테이블 (10) 의 유지면 (11) 과 대면시켜 구비한다. 레이저 빔 조사 유닛 (20) 은, 레이저 가공 장치 (1) 의 장치 본체 (2) 로부터 세워 형성한 벽부 (3) 에 연속된 지지 기둥 (4) 의 선단에 장착되어 있다.

카메라 유닛 (30) 은, 레이저 빔 조사 유닛 (20) 과 X 축 방향으로 병렬하는 위치에 배치 형성되어 있다. 제 1 실시형태에서는, 카메라 유닛 (30) 은, 지지 기둥 (4) 의 선단에 장착되어 있다. 카메라 유닛 (30) 은, 척 테이블 (10) 에 유지된 단결정 SiC 잉곳 (600) 에 Z 축 방향으로 조명광 (400) (도 8 에 나타낸다) 을 조사하면서 단결정 SiC 잉곳 (600) 을 촬상하는 CCD (Charge Coupled Device) 카메라를 구비한다.

제어 유닛 (100) 은, 상기 서술한 각 구성 요소를 각각 제어하여, 단결정 SiC 잉곳 (600) 에 대한 레이저 가공 동작을 레이저 가공 장치 (1) 에 실시시키는 것이다. 제어 유닛 (100) 은, 컴퓨터 시스템을 포함한다. 제어 유닛 (100) 은, CPU (central processing unit) 와 같은 마이크로 프로세서를 갖는 연산 처리 장치와, ROM (read only memory) 또는 RAM (random access memory) 과 같은 메모리를 갖는 기억 장치와, 입출력 인터페이스 장치를 갖는다.

제어 유닛 (100) 의 연산 처리 장치는, 기억 장치에 기억되어 있는 컴퓨터 프로그램에 따라 연산 처리를 실시하여, 레이저 가공 장치 (1) 를 제어하기 위한 제어 신호를, 입출력 인터페이스 장치를 개재하여 레이저 가공 장치 (1) 의 상기 서술한 구성 요소에 출력한다. 또, 제어 유닛 (100) 은, 가공 동작 상태나 화상 등을 표시하는 액정 표시 장치 등에 의해 구성되는 도시되지 않은 표시 유닛이나, 오퍼레이터가 가공 내용 정보 등을 등록할 때에 사용하는 도시되지 않은 입력 유닛과 접속되어 있다. 입력 유닛은, 표시 유닛에 형성된 터치 패널과 키보드 등 중 적어도 하나에 의해 구성된다.

다음으로, 제 1 실시형태에 관련된 레이저 가공 방법을 설명한다. 도 6 은, 제 1 실시형태에 관련된 레이저 가공 방법을 나타내는 플로 차트이다.

레이저 가공 방법은, 도 6 에 나타낸 바와 같이, 유지 스텝 (ST1) 과, 얼라이먼트 스텝 (ST2) 과, 레이저 가공 스텝 (ST3) 을 구비한다. 레이저 가공 방법은, 오퍼레이터가 입력 유닛을 조작하여 가공 내용 정보를 제어 유닛 (100) 에 등록하고, 오퍼레이터가 레이저 가공 전의 단결정 SiC 잉곳 (600) 의 하면 (602) 이 다공질 유리 플레이트 (12) 를 덮는 상태에서 유지면 (11) 에 재치하고, 오퍼레이터로부터 가공 동작의 개시 지시가 있었던 경우에 실시된다.

(유지 스텝)

도 7 은, 도 6 에 나타낸 레이저 가공 방법의 유지 스텝을 나타내는 평면도이다.

유지 스텝 (ST1) 은, 단결정 SiC 잉곳 (600) 을 척 테이블 (10) 의 유지면 (11) 에서 유지하는 스텝이다. 유지 스텝 (ST1) 에서는, 제어 유닛 (100) 은, 진공 흡인원을 구동시켜 척 테이블 (10) 에 단결정 SiC 잉곳 (600) 을 흡인 유지한다. 제 1 실시형태에 있어서, 유지 스텝 (ST1) 에서는, 제어 유닛 (100) 이 단결정 SiC 잉곳 (600) 을 척 테이블 (10) 에 흡인, 유지하면, 도 7 에 나타내는 바와 같이, 척 테이블 (10) 에 유지되는 단결정 SiC 잉곳 (600) 은, 다공질 유리 플레이트 (12) 를 덮어 외주 가장자리가 유리 프레임부 (13) 에 지지된다. 가공 방법은, 유지 스텝 (ST1) 후, 얼라이먼트 스텝 (ST2) 으로 진행된다.

(얼라이먼트 스텝)

도 8 은, 도 6 에 나타낸 레이저 가공 방법의 얼라이먼트 스텝에 있어서, 카메라 유닛이 단결정 SiC 잉곳의 외측 가장자리부를 촬상하는 상태를 일부 단면으로 나타내는 측면도이다. 도 9 는, 도 8 에 나타낸 카메라 유닛이 촬상하여 얻은 화상의 일례를 나타내는 도면이다. 도 10 은, 도 6 에 나타낸 레이저 가공 방법의 얼라이먼트 스텝 후의 단결정 SiC 잉곳과 척 테이블을 나타내는 평면도이다.

얼라이먼트 스텝 (ST2) 은, 척 테이블 (10) 의 유지면 (11) 에 유지된 단결정 SiC 잉곳 (600) 의 외측 가장자리부 및 유리 프레임부 (13) 에 조명광 (400) 을 조사하면서 카메라 유닛 (30) 으로 촬상하여 단결정 SiC 잉곳 (600) 의 레이저 가공해야 할 가공 영역을 검출하는 얼라이먼트를 실시하는 스텝이다. 얼라이먼트 스텝 (ST2) 에서는, 제어 유닛 (100) 은, 도 8 에 나타내는 바와 같이, 카메라 유닛 (30) 에 SiC 웨이퍼 (200) 의 외측 가장자리부 중 제 2 오리엔테이션 플랫 (604) 및 유리 프레임부 (13) 에 조명광 (400) 을 조사하면서 카메라 유닛 (30) 으로 촬상하여 얼라이먼트를 실시한다. 제 1 실시형태에 있어서, 얼라이먼트 스텝 (ST2) 에서는, 제어 유닛 (100) 은, 예를 들어, 도 7 에 동그라미로 나타내는 바와 같이, 제 2 오리엔테이션 플랫 (604) 의 2 개 지점을 촬상한다. 얼라이먼트 스텝 (ST2) 에서는, 제어 유닛 (100) 은, 카메라 유닛 (30) 이 촬상하여 얻은 도 9 에 일례를 나타내는 화상 (500) 으로부터 제 2 오리엔테이션 플랫 (604) 과 평행한 방향을 검출한다.

또한, 도 9 에 나타내는 화상 (500) 은, 카메라 유닛 (30) 이 Z 축 방향을 따라 조명광 (400) 을 조사하고, 단결정 SiC 잉곳 (600) 의 상면 (601) 이 조명광 (400) 을 반사하기 때문에, SiC 웨이퍼 (200) 가 도 9 중에 흰 바탕으로 나타내는 바와 같이 밝아지고, 유리 프레임부 (13) 가 조명광 (400) 을 투과하기 때문에, 척 테이블 (10) 의 유리 프레임부 (13) 가 도 9 중에 평행 사선으로 나타내는 바와 같이 어두워진다. 얼라이먼트 스텝 (ST2) 에서는, 제어 유닛 (100) 은, 도 10 에 나타내는 바와 같이, 회전 유닛 (60) 에 의해 제 2 오리엔테이션 플랫 (604) 이 X 축 방향과 평행해지는 위치에 단결정 SiC 잉곳 (600) 을 위치 결정한다. 가공 방법은, 얼라이먼트 스텝 (ST2) 후, 레이저 가공 스텝 (ST3) 으로 진행된다.

(레이저 가공 스텝)

도 11 은, 도 6 에 나타낸 레이저 가공 방법의 레이저 가공 스텝을 일부 단면으로 나타내는 측면도이다. 도 12 는, 도 6 에 나타낸 레이저 가공 방법의 레이저 가공 스텝에 있어서 단결정 SiC 잉곳의 내부에 형성되는 개질층 및 크랙을 나타내는 평면도이다.

레이저 가공 스텝 (ST3) 은, 얼라이먼트 스텝 (ST2) 후에, 단결정 SiC 잉곳 (600) 에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔 (300) 을 조사하여, 단결정 SiC 잉곳 (600) 을 레이저 가공하는 스텝이다. 레이저 가공 스텝 (ST3) 에서는, 제어 유닛 (100) 은, 레이저 빔 조사 유닛 (20) 으로부터 단결정 SiC 잉곳 (600) 에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔 (300) 의 집광점 (302) 을 상면 (601) 으로부터 단결정 SiC 잉곳 (600) 에서 잘라내는 SiC 웨이퍼의 두께에 대응하는 깊이에 설정한다. 제어 유닛 (100) 은, X 축 이동 유닛 (40) 에 척 테이블 (10) 을 X 축 방향으로 이동시키면서 레이저 빔 (300) 을 조사하는 개질층 형성 스텝과, 레이저 빔 (300) 을 조사하지 않고 척 테이블 (10) 을 Y 축 방향으로 소정량 이동시키는 인덱스 스텝을 교대로 반복한다.

개질층 형성 스텝에서는, 제어 유닛 (100) 은, 예를 들어, 도 11 에 점선으로 나타내는 위치에서 실선으로 나타내는 위치로 레이저 빔 조사 유닛 (20) 이, 척 테이블 (10) 에 대해 상대적으로 이동하도록, 척 테이블 (10) 을 도 11 중의 화살표를 따라 이동시키면서 레이저 빔 (300) 을 조사한다. 그리고, 개질층 형성 스텝에서는, 제어 유닛 (100) 은, 도 12 에 나타내는 바와 같이, 단결정 SiC 잉곳 (600) 의 내부에 X 축 방향과 평행한 개질층 (301) 과, 개질층 (301) 으로부터 c 면 (607) 을 따라 전파되는 크랙 (310) 을 형성한다. 제어 유닛 (100) 은, 단결정 SiC 잉곳 (600) 내부의 전체면에 걸쳐 개질층 (301) 과 크랙 (310) 을 형성하면, 레이저 가공 방법을 종료한다. 또한, 단결정 SiC 잉곳 (600) 은, 개질층 (301) 및 크랙 (310) 을 사이에 두고 서로 반대측의 부분이 축심 둘레로 상대적으로 역방향으로 회전되거나, 단결정 SiC 잉곳 (600) 에 초음파 진동을 주거나 함으로써, 단결정 SiC 잉곳 (600) 으로부터 SiC 웨이퍼가 잘라내어진다.

이상 설명한 바와 같이, 제 1 실시형태에 관련된 레이저 가공 장치 (1) 및 레이저 가공 방법은, 척 테이블 (10) 의 다공질 유리 플레이트 (12) 가 다공질 유리에 의해 구성되고, 또한 유리 프레임부 (13) 가 유리에 의해 구성되어 있으므로, 레이저 빔 (300) 이 척 테이블 (10) 을 투과하게 된다. 또, 레이저 빔 (300) 의 집광점 (302) 이 SiC 웨이퍼 (200) 의 내부에 설정되어 있으므로, 척 테이블 (10) 을 투과하는 레이저 빔 (300) 은, 발산하게 된다. 그 결과, 레이저 가공 장치 (1) 는, 레이저 빔 (300) 의 조사에 의해 척 테이블 (10) 이 파손되는 것을 억제할 수 있다.

또, 제 1 실시형태에 관련된 레이저 가공 장치 (1) 및 레이저 가공 방법은, 레이저 빔 (300) 이 척 테이블 (10) 을 투과하여, 레이저 빔 (300) 의 척 테이블 (10) 로부터의 반사를 억제할 수 있다. 그 결과, 레이저 가공 장치 (1) 는, 레이저 빔 조사 유닛 (20) 의 집광 렌즈 (22) 등의 파손을 억제할 수 있다.

또, 제 1 실시형태에 관련된 레이저 가공 장치 (1) 및 레이저 가공 방법은, 척 테이블 (10) 의 유리 프레임부 (13) 가 유리에 의해 구성되어 있으므로, 카메라 유닛 (30) 의 조명광 (400) 이 척 테이블 (10) 을 투과하게 된다. 또, 카메라 유닛 (30) 의 조명광 (400) 은, 단결정 SiC 잉곳 (600) 에 의해 반사된다. 이 때문에, 카메라 유닛 (30) 이 촬상한 화상 (500) 은, 단결정 SiC 잉곳 (600) 과 척 테이블 (10) 의 밝기의 콘트라스트가 커져, 단결정 SiC 잉곳 (600) 의 제 2 오리엔테이션 플랫 (604) 을 정확하게 산출할 수 있다. 그 결과, 레이저 가공 장치 (1) 는, 얼라이먼트의 오차를 억제할 수 있다.

또, 제 1 실시형태에 관련된 레이저 가공 장치 (1) 및 레이저 가공 방법은, 척 테이블 (10) 의 다공질 유리 플레이트 (12) 가 다공질 유리에 의해 구성되고, 또한 유리 프레임부 (13) 가 비중 2.5 (g/㎤) 정도의 유리에 의해 구성되어, 예를 들어 비중이 약 8 (g/㎤) 정도인 스테인리스강 등의 금속을 사용하지 않고 유리로 척 테이블 (10) 을 형성하고 있다. 이 때문에, 레이저 가공 장치 (1) 및 레이저 가공 방법은, 척 테이블 (10) 의 경량화를 도모할 수 있고, 특히, 500 ㎜/s 이상이라는 고속으로 척 테이블 (10) 을 이동시키는 레이저 가공 장치 (1) 에 있어서, X 축 이동 유닛 (40) 이나 Y 축 이동 유닛 (50) 에 대한 부하를 경감시킬 수 있다.

〔제 2 실시형태〕

본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법을 도면에 기초하여 설명한다. 도 13 은, 제 2 실시형태에 관련된 레이저 가공 장치의 구성예를 나타내는 사시도이다. 도 14 는, 제 2 실시형태에 관련된 레이저 가공 방법의 레이저 가공 스텝을 일부 단면으로 나타내는 측면도이다. 도 13 및 도 14 는, 제 1 실시형태와 동일 부분에 동일 부호를 부여하여 설명을 생략한다.

제 2 실시형태에 관련된 도 13 에 나타내는 레이저 가공 장치 (1-2) 는, 피가공물인 SiC 웨이퍼 (200) 를 레이저 가공하는 장치이다. 제 2 실시형태에 관련된 레이저 가공 장치 (1-2) 의 가공 대상인 SiC 웨이퍼 (200) 는, 제 2 실시형태에서는, 실리콘, 사파이어, 갈륨비소 등을 기판으로 하는 원판상의 반도체 SiC 웨이퍼나 광 디바이스 SiC 웨이퍼이다. SiC 웨이퍼 (200) 는, 도 13 에 나타내는 바와 같이, 표면 (201) 이 교차 (제 1 실시형태에서는, 직교) 하는 복수의 분할 예정 라인 (202) 에 의해 구획된 복수의 영역에 각각 디바이스 (203) 가 형성되어 있다. SiC 웨이퍼 (200) 는, 이면 (204) 에 보호 부재인 점착 테이프 (210) 가 첩착 (貼着) 되어 있다. 점착 테이프 (210) 는, 외주에 환상 프레임 (211) 이 장착되어 있다.

또, 제 2 실시형태에 관련된 레이저 가공 장치 (1-2) 는, 척 테이블 (10-2) 의 유지면 (11) 을 구성하는 다공질재가 다공질 유리에 의해 구성된 다공질 유리 플레이트 (12-2) 이고, SiC 웨이퍼 (200) 의 외경보다 대경인 원판상으로 형성되어 있다. 이와 같이, 본 발명에 있어서, 척 테이블 (10-2) 의 유지면 (11) 을 구성하는 다공질재는, 피가공물보다 대경인 경우에는, 다공질 유리에 의해 형성된 다공질 유리 플레이트 (12-2) 가 사용된다. 또, 레이저 가공 장치 (1-2) 는, 환상 프레임 (211) 에 의해 지지된 복수의 SiC 웨이퍼 (200) 를 수용하는 카세트 (70) 를 지지하는 카세트 지지대 (71) 와, 카세트 지지대 (71) 에 지지된 카세트 (70) 와 척 테이블 (10) 사이에서 SiC 웨이퍼 (200) 를 반송하는 도시되지 않은 반송 유닛을 구비하고, 척 테이블 (10) 의 주위에는, 환상 프레임 (211) 을 클램프하는 클램프부 (18) 가 복수 형성되어 있다.

제 2 실시형태에 관련된 레이저 가공 방법은, 제 1 실시형태와 마찬가지로, 유지 스텝 (ST1) 과, 얼라이먼트 스텝 (ST2) 과, 레이저 가공 스텝 (ST3) 을 구비하고, 오퍼레이터가 입력 유닛을 조작하여 가공 내용 정보를 제어 유닛 (100) 에 등록하고, 오퍼레이터가 레이저 가공 전의 SiC 웨이퍼 (200) 를 복수 장 수용한 카세트 (70) 를 카세트 지지대 (71) 에 설치하고, 오퍼레이터로부터 가공 동작의 개시 지시가 있었던 경우에 실시된다.

제 2 실시형태에 관련된 레이저 가공 방법의 유지 스텝 (ST1) 에서는, 제어 유닛 (100) 은, 반송 유닛에 카세트 (70) 로부터 레이저 가공 전의 SiC 웨이퍼 (200) 을 1 장 취출시켜 척 테이블 (10) 의 유지면 (11) 에 점착 테이프 (210) 를 개재하여 재치시킨다. 유지 스텝 (ST1) 에서는, 제어 유닛 (100) 은, 진공 흡인원을 구동시켜 척 테이블 (10) 에 SiC 웨이퍼 (200) 를 흡인 유지하고, 클램프부 (18) 에 환상 프레임 (211) 을 클램프시킨다. 제 2 실시형태에 있어서, 유지 스텝 (ST1) 에서는, SiC 웨이퍼 (200) 에 첩착된 점착 테이프 (210) 가 다공질 유리 플레이트 (12) 및 유리 프레임부 (13) 를 덮는다.

제 2 실시형태에 관련된 레이저 가공 방법의 얼라이먼트 스텝 (ST2) 에서는, 제어 유닛 (100) 은, SiC 웨이퍼 (200) 의 가공 영역을 카메라 유닛 (30) 의 바로 아래에 위치 결정하고, 카메라 유닛 (30) 이 촬상하여 얻은 화상에 SiC 웨이퍼 (200) 의 분할 예정 라인 (202) 과 레이저 빔 조사 유닛 (20) 의 위치 맞춤을 실시하기 위한 패턴 매칭 등의 화상 처리를 실행하여, 얼라이먼트를 수행한다.

제 2 실시형태에 관련된 레이저 가공 방법의 레이저 가공 스텝 (ST3) 은, SiC 웨이퍼 (200) 에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔 (300) 을 각 분할 예정 라인 (202) 을 따라 조사하여, 레이저 빔 (300) 으로 SiC 웨이퍼 (200) 의 내부에 파단 기점이 되는 개질층 (301) 을 형성하는 스텝이다.

제 2 실시형태에 관련된 레이저 가공 방법의 레이저 가공 스텝 (ST3) 에서는, 제어 유닛 (100) 은, 얼라이먼트 스텝 (ST2) 의 얼라이먼트 결과에 기초하여, X 축 이동 유닛 (40) 및 Y 축 이동 유닛 (50) 에 각 분할 예정 라인 (202) 을 따라 레이저 빔 조사 유닛 (20) 과 척 테이블 (10) 을 상대적으로 이동시키면서 레이저 빔 (300) 의 집광점 (302) 을 SiC 웨이퍼 (200) 의 내부에 설정하여, 레이저 빔 조사 유닛 (20) 으로부터 레이저 빔 (300) 을 조사시킨다.

제 2 실시형태에 관련된 레이저 가공 방법의 레이저 가공 스텝 (ST3) 에서는, 제어 유닛 (100) 은, 예를 들어, 도 14 에 점선으로 나타내는 위치에서 실선으로 나타내는 위치로 레이저 빔 조사 유닛 (20) 이, 척 테이블 (10) 에 대해 상대적으로 이동하도록, 척 테이블 (10) 을 도 14 중의 화살표를 따라 이동시키면서 레이저 빔 (300) 을 조사한다. 레이저 가공 스텝 (ST3) 에서는, 제어 유닛 (100) 은, SiC 웨이퍼 (200) 의 내부에 분할 예정 라인 (202) 을 따른 개질층 (301) 을 형성한다. 제어 유닛 (100) 은, 모든 분할 예정 라인 (202) 을 따라 개질층 (301) 을 형성하면, 모든 분할 예정 라인 (202) 을 따라 개질층 (301) 이 형성된 SiC 웨이퍼 (200) 를 카세트 (70) 내에 수용하여, 가공 방법을 종료한다.

제 2 실시형태에 관련된 레이저 가공 장치 (1-2) 및 레이저 가공 방법은, 제 1 실시형태와 마찬가지로, 척 테이블 (10-2) 의 다공질 유리 플레이트 (12-2) 가 다공질 유리에 의해 구성되고, 또한 유리 프레임부 (13) 가 유리에 의해 구성되어 있으므로, 레이저 빔 (300) 이 척 테이블 (10-2) 을 투과한다. 그 결과, 레이저 가공 장치 (1-2) 및 레이저 가공 방법은, 제 1 실시형태와 마찬가지로, 레이저 빔 (300) 의 조사에 의해 척 테이블 (10-2) 이 파손되는 것을 억제할 수 있고, 레이저 빔 조사 유닛 (20) 의 집광 렌즈 (22) 등의 파손을 억제할 수 있다.

또, 제 2 실시형태에 관련된 레이저 가공 장치 (1-2) 및 레이저 가공 방법은, 제 1 실시형태와 마찬가지로, 유리로 척 테이블 (10-2) 을 형성하고 있기 때문에, 척 테이블 (10-2) 의 경량화를 도모할 수 있고, 특히, 500 ㎜/s 이상이라는 고속으로 척 테이블 (10-2) 을 이동시키는 레이저 가공 장치 (1-2) 에 있어서, X 축 이동 유닛 (40) 이나 Y 축 이동 유닛 (50) 에 대한 부하를 경감시킬 수 있다.

〔변형예〕

본 발명의 제 2 실시형태의 변형예에 관련된 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법을 도면에 기초하여 설명한다. 도 15 는, 제 2 실시형태의 변형예에 관련된 레이저 가공 장치가 레이저 가공 스텝을 실시하는 상태를 일부 단면으로 나타내는 측면도이다. 도 15 는, 제 1 실시형태 및 제 2 실시형태와 동일 부분에 동일 부호를 부여하여 설명을 생략한다.

제 2 실시형태의 변형예에 관련된 레이저 가공 장치 (1-3) 는, 레이저 빔 조사 유닛 (20-3) 이 SiC 웨이퍼 (200) 에 대해 흡수성을 갖는 파장 (예를 들어, 355 ㎚) 의 레이저 빔 (300-3) 을 조사하는 것 이외에, 제 2 실시형태에 관련된 레이저 가공 장치 (1-2) 와 구성이 동등하다. 제 2 실시형태의 변형예에 관련된 레이저 가공 방법은, 레이저 가공 스텝 (ST3) 에 있어서, 도 15 에 나타내는 바와 같이, 레이저 빔 (300-3) 을 SiC 웨이퍼 (200) 의 각 분할 예정 라인 (202) 에 조사하고, 어블레이션 가공을 실시하여, 각 분할 예정 라인 (202) 에 레이저 가공 홈 (303) 을 형성하는 것 이외에, 제 2 실시형태에 관련된 레이저 가공 방법과 동일하다. 또한, 제 2 실시형태의 변형예에서는, 레이저 가공 홈 (303) 은, SiC 웨이퍼 (200) 를 하프 컷하는 것이지만, 본 발명에서는, 풀 컷하는 것이어도 된다.

제 2 실시형태의 변형예에 관련된 레이저 가공 장치 (1) 및 레이저 가공 방법은, 제 2 실시형태와 마찬가지로, 척 테이블 (10) 의 다공질 유리 플레이트 (12) 가 다공질 유리에 의해 구성되고, 또한 유리 프레임부 (13) 가 유리에 의해 구성되어 있으므로, 레이저 빔 (300-3) 및 조명광 (400) 이 척 테이블 (10) 을 투과한다. 그 결과, 레이저 가공 장치 (1) 및 레이저 가공 방법은, 제 2 실시형태와 마찬가지로, 레이저 빔 (300-3) 의 조사에 의해 척 테이블 (10) 이 파손되는 것을 억제할 수 있고, 레이저 빔 조사 유닛 (20-3) 의 집광 렌즈 (22) 등의 파손을 억제할 수 있다.

다음으로, 본 발명의 발명자는, 제 1 실시형태에 관련된 레이저 가공 장치 (1) 의 척 테이블 (10) 과, 다공질재를 감싸는 프레임부가 금속에 의해 구성된 종래의 척 테이블을 단결정 SiC 잉곳 (600) 을 유지한 상태에서 카메라 유닛 (30) 으로 촬상하였다. 도 16 은, 제 1 실시형태에 관련된 레이저 가공 장치의 단결정 SiC 잉곳을 유지한 척 테이블을 촬상하여 얻은 화상이다. 도 17 은, 단결정 SiC 잉곳을 유지한 종래의 척 테이블을 촬상하여 얻은 화상이다. 도 16 및 도 17 은, 모두 도 7 중의 동그라미로 둘러싸는 부분을 촬상하여 얻은 화상이다. 도 16 및 도 17 에 의하면, 종래의 척 테이블보다 제 1 실시형태에 관련된 레이저 가공 장치 (1) 의 척 테이블 (10) 쪽이 단결정 SiC 잉곳 (600) 과 유리 프레임부 (13) 의 밝기의 콘트라스트가 커지는 것이 분명해졌다. 따라서, 도 16 및 도 17 에 의하면, 척 테이블 (10) 이 유리에 의해 구성된 유리 프레임부 (13) 를 구비함으로써, 얼라이먼트의 오차를 억제할 수 있는 것이 분명해졌다.

또한, 본 발명은, 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 즉, 본 발명의 골자를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변형하여 실시할 수 있다.

1, 1-2, 1-3 : 레이저 가공 장치
10, 10-2 : 척 테이블
11 : 유지면
12, 12-2 : 다공질 유리 플레이트 (다공질재)
13 : 유리 프레임부
14 : 오목부
15 : 부압 전달로
19 : 테이블 베이스
20, 20-3 : 레이저 빔 조사 유닛
21 : 레이저 발진기
22 : 집광 렌즈
30 : 카메라 유닛
200 : SiC 웨이퍼 (피가공물)
300, 300-3 : 레이저 빔
400 : 조명광
600 : 단결정 SiC 잉곳 (피가공물)
ST2 : 얼라이먼트 스텝
ST3 : 레이저 가공 스텝

Claims

레이저 가공 장치로서,
피가공물을 유지면에서 유지하는 척 테이블과,
상기 척 테이블에 유지된 피가공물에 레이저 빔을 조사하는 레이저 빔 조사 유닛과,
상기 척 테이블에 유지된 상기 피가공물을 촬영하는 카메라 유닛을 구비하고,
상기 척 테이블은,
상기 유지면을 구성하는 다공질재와,
상기 다공질재가 끼워 맞춰지는 오목부와, 끼워 맞춰진 상기 다공질재에 부압을 전달하는 부압 전달로를 가지고 비다공질 유리로 형성된 유리 프레임부를 포함하는, 레이저 가공 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 다공질재는 다공질 유리 플레이트인, 레이저 가공 장치.
제 2 항에 있어서,
상기 척 테이블은, 상기 레이저 빔 조사 유닛에 대해 자유롭게 이동할 수 있도록 형성된 테이블 베이스에 상기 유리 프레임부가 재치되어 장착되는, 레이저 가공 장치.
제 2 항에 있어서,
상기 레이저 빔 조사 유닛은, 레이저 발진기로부터 발진한 상기 레이저 빔을 집광하는 집광 렌즈를 상기 척 테이블의 상기 유지면과 대면시켜 구비하는, 레이저 가공 장치.
제 2 항에 있어서,
상기 척 테이블에 유지되는 피가공물은, 상기 다공질 유리 플레이트를 덮어 외주 가장자리가 상기 유리 프레임부에 지지되고, 상기 유리 프레임부는 상기 카메라 유닛이 출사하는 조명광을 투과하는, 레이저 가공 장치.
제 2 항에 있어서,
상기 레이저 빔의 파장은 상기 피가공물에 대해 투과성을 갖는 파장인, 레이저 가공 장치.
제 2 항에 있어서,
상기 레이저 빔의 파장은 상기 피가공물에 대해 흡수성을 갖는 파장인, 레이저 가공 장치.
유지면을 구성하는 다공질재와, 상기 다공질재가 끼워 맞춰지는 오목부와, 끼워 맞춰진 상기 다공질재에 부압을 전달하는 부압 전달로를 가지고 비다공질 유리로 형성된 유리 프레임부를 구비하는 척 테이블의 상기 유지면에 유지된 피가공물의 외측 가장자리부 및 상기 유리 프레임부에 조명광을 조사하면서 카메라 유닛으로 촬상하여 얼라이먼트를 실시하는 얼라이먼트 스텝과,
상기 얼라이먼트 스텝 후에, 상기 피가공물에 대해 투과성 또는 흡수성을 갖는 파장의 레이저 빔을 조사하여, 상기 피가공물을 레이저 가공하는 레이저 가공 스텝을 구비하는, 레이저 가공 방법.