JPH083768A - 平面ｔｅｍ試料作成方法 - Google Patents
平面ｔｅｍ試料作成方法Info
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- JPH083768A JPH083768A JP14171094A JP14171094A JPH083768A JP H083768 A JPH083768 A JP H083768A JP 14171094 A JP14171094 A JP 14171094A JP 14171094 A JP14171094 A JP 14171094A JP H083768 A JPH083768 A JP H083768A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 平面ＴＥＭ観察において特定部位の観察を可
能にする。 【構成】 まず、試料５１の表面に観察対象部位１を表
示するマーキング２、３を施す。つぎに、観察対象部位
１の付近が最も薄く（１０μｍ以下に）なるように試料
５１の裏面をディンプル状に研磨する。つぎに、試料５
１にダイシング加工を施すことにより、観察対象部位１
からの距離Ｘが１０μｍ〜２０μｍ程度となるような縁
面５４を形成する。最後に、ＦＩＢ（集束イオンビー
ム）を縁面５４側から試料５１の表面に沿って選択的に
入射することによって、観察対象部位１の近傍を最終的
に（０．１μｍ〜０．２μｍ程度に）薄膜化する。 【効果】 あらかじめ特定された部位の平面ＴＥＭ観察
が可能である。
能にする。 【構成】 まず、試料５１の表面に観察対象部位１を表
示するマーキング２、３を施す。つぎに、観察対象部位
１の付近が最も薄く（１０μｍ以下に）なるように試料
５１の裏面をディンプル状に研磨する。つぎに、試料５
１にダイシング加工を施すことにより、観察対象部位１
からの距離Ｘが１０μｍ〜２０μｍ程度となるような縁
面５４を形成する。最後に、ＦＩＢ（集束イオンビー
ム）を縁面５４側から試料５１の表面に沿って選択的に
入射することによって、観察対象部位１の近傍を最終的
に（０．１μｍ〜０．２μｍ程度に）薄膜化する。 【効果】 あらかじめ特定された部位の平面ＴＥＭ観察
が可能である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば半導体基板な
どに好適な平面ＴＥＭ試料作成方法に関し、特に、特定
部位の観察を可能にするための改良に関する。
どに好適な平面ＴＥＭ試料作成方法に関し、特に、特定
部位の観察を可能にするための改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板に作り込まれるＬＳＩ（大規
模集積回路）では、半導体基板中の欠陥の存在によっ
て、その機能あるいは特性が大きく影響される。透過型
電子顕微鏡（以下、「ＴＥＭ」と略称する）を用いた観
察では、観察対象部位における結晶性（例えば欠陥の状
態など）の評価が可能であるために、ＬＳＩの開発の過
程などにおいては、ＴＥＭを用いた半導体基板の評価が
広く行われている。
模集積回路）では、半導体基板中の欠陥の存在によっ
て、その機能あるいは特性が大きく影響される。透過型
電子顕微鏡（以下、「ＴＥＭ」と略称する）を用いた観
察では、観察対象部位における結晶性（例えば欠陥の状
態など）の評価が可能であるために、ＬＳＩの開発の過
程などにおいては、ＴＥＭを用いた半導体基板の評価が
広く行われている。
【０００３】ＴＥＭを用いて、半導体基板のような平板
状の試料の表面あるいは内部を観察する方法として、電
子ビームを主面の法線方向に入射して観察を行う平面Ｔ
ＥＭ観察と、主面に沿った方向に入射して観察を行う断
面ＴＥＭ観察の２種類の観察法が知られている。それぞ
れに長所があって、半導体基板の評価を行う際には、目
的に応じていずれかの観察法が選択して用いられる。
状の試料の表面あるいは内部を観察する方法として、電
子ビームを主面の法線方向に入射して観察を行う平面Ｔ
ＥＭ観察と、主面に沿った方向に入射して観察を行う断
面ＴＥＭ観察の２種類の観察法が知られている。それぞ
れに長所があって、半導体基板の評価を行う際には、目
的に応じていずれかの観察法が選択して用いられる。
【０００４】ところで、ＴＥＭ観察を行うためには、試
料の観察対象部位を薄膜化する必要がある。図６は、半
導体基板の平面ＴＥＭ観察用試料を作成するために、最
も広く行われている従来の方法を示す工程図である。従
来の方法では、まず図６（ａ）の斜視図および図６
（ｂ）の正面断面図に示すように、半導体基板の試料１
１を直径が３ｍｍφ、厚さＴ1が１００μｍ程度のディ
スク状に切り出す。切出しには超音波ディスクカッタが
用いられる。
料の観察対象部位を薄膜化する必要がある。図６は、半
導体基板の平面ＴＥＭ観察用試料を作成するために、最
も広く行われている従来の方法を示す工程図である。従
来の方法では、まず図６（ａ）の斜視図および図６
（ｂ）の正面断面図に示すように、半導体基板の試料１
１を直径が３ｍｍφ、厚さＴ1が１００μｍ程度のディ
スク状に切り出す。切出しには超音波ディスクカッタが
用いられる。
【０００５】つぎに、図６（ｃ）に示すように、ディン
プルグラインダを用いて、ディスク状の試料１１の一方
主面をディンプル状に研磨する。形成されたディンプル
面１２の最深部における試料１１の厚さ、すなわち、試
料１１の最も薄い部分における厚さＴ2は、約１０μｍ
となる。
プルグラインダを用いて、ディスク状の試料１１の一方
主面をディンプル状に研磨する。形成されたディンプル
面１２の最深部における試料１１の厚さ、すなわち、試
料１１の最も薄い部分における厚さＴ2は、約１０μｍ
となる。
【０００６】つぎに、図６（ｄ）に示すように、ディン
プル面１２に、数ｋｅＶに加速されたＡｒイオンを照射
することによって、イオンエッチングを行う。イオンエ
ッチングは、試料１１の中央部が開口するまで実行され
る。その結果、図６（ｅ）の平面図および図６（ｆ）の
正面断面図に示すように、試料１１の中央部に貫通孔１
３が形成される。環状となった試料１１は、周辺部から
中央部の貫通孔１３へと向かって、その厚さが減少して
おり、貫通孔１３の端縁は薄膜状態となっている。この
薄膜部が平面ＴＥＭによる観察対象部位として選択され
る。
プル面１２に、数ｋｅＶに加速されたＡｒイオンを照射
することによって、イオンエッチングを行う。イオンエ
ッチングは、試料１１の中央部が開口するまで実行され
る。その結果、図６（ｅ）の平面図および図６（ｆ）の
正面断面図に示すように、試料１１の中央部に貫通孔１
３が形成される。環状となった試料１１は、周辺部から
中央部の貫通孔１３へと向かって、その厚さが減少して
おり、貫通孔１３の端縁は薄膜状態となっている。この
薄膜部が平面ＴＥＭによる観察対象部位として選択され
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
平面ＴＥＭ試料作成方法では、ディンプルグラインダに
よる研磨とイオンエッチングとを組み合わせて薄膜化が
行われる。このため、観察に適する薄膜部の位置をあら
かじめ精密に設定することは困難であるという問題点が
あった。このため上述したように、適切に薄膜化が行わ
れた部位を選んで観察に供するという、不特定部位の評
価が行われていた。
平面ＴＥＭ試料作成方法では、ディンプルグラインダに
よる研磨とイオンエッチングとを組み合わせて薄膜化が
行われる。このため、観察に適する薄膜部の位置をあら
かじめ精密に設定することは困難であるという問題点が
あった。このため上述したように、適切に薄膜化が行わ
れた部位を選んで観察に供するという、不特定部位の評
価が行われていた。
【０００８】ＬＳＩが作り込まれた半導体基板では、そ
の中に各種の半導体層が微細に形成されており、しかも
上述したように各半導体層における欠陥の状態がＬＳＩ
の動作、特性に大きく影響するので、半導体基板におけ
る特定部位のＴＥＭ観察の必要性は高い。
の中に各種の半導体層が微細に形成されており、しかも
上述したように各半導体層における欠陥の状態がＬＳＩ
の動作、特性に大きく影響するので、半導体基板におけ
る特定部位のＴＥＭ観察の必要性は高い。
【０００９】この発明は、従来の方法における上記のよ
うな問題点を解消するためになされたもので、平面ＴＥ
Ｍ観察において特定部位の観察を可能にする平面ＴＥＭ
試料作成方法を提供することを目的とする。
うな問題点を解消するためになされたもので、平面ＴＥ
Ｍ観察において特定部位の観察を可能にする平面ＴＥＭ
試料作成方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる請求項
１に記載の平面ＴＥＭ試料作成方法は、(a) 平板状の試
料に切断加工を施すことによって、前記試料における主
面の輪郭の一部をなす縁面を、観察対象部位に近接して
形成する工程と、(b) 当該縁面側から前記試料の主面に
沿って集束イオンビームを選択的に入射することによっ
て、当該試料を選択的にエッチングし、その結果、前記
観察対象部位を含む前記試料中の領域を薄膜化する工程
と、を備えることを特徴とする。
１に記載の平面ＴＥＭ試料作成方法は、(a) 平板状の試
料に切断加工を施すことによって、前記試料における主
面の輪郭の一部をなす縁面を、観察対象部位に近接して
形成する工程と、(b) 当該縁面側から前記試料の主面に
沿って集束イオンビームを選択的に入射することによっ
て、当該試料を選択的にエッチングし、その結果、前記
観察対象部位を含む前記試料中の領域を薄膜化する工程
と、を備えることを特徴とする。
【００１１】この発明にかかる請求項２に記載の平面Ｔ
ＥＭ試料作成方法は、請求項１に記載の方法において、
前記工程(a)における前記切断加工が、充填剤を用いて
前記試料を埋め込むとともに試料台へ固着させた上で実
行されることを特徴とする。
ＥＭ試料作成方法は、請求項１に記載の方法において、
前記工程(a)における前記切断加工が、充填剤を用いて
前記試料を埋め込むとともに試料台へ固着させた上で実
行されることを特徴とする。
【００１２】この発明にかかる請求項３に記載の平面Ｔ
ＥＭ試料作成方法は、請求項１に記載の方法において、
前記観察対象部位が前記試料の一方主面上に特定されて
おり、(c) 前記工程(a)に先だって、前記観察対象部位
において略最深となるように、前記試料における前記観
察対象部位とは反対側の主面をディンプル状に研磨する
工程、をさらに備えることを特徴とする。
ＥＭ試料作成方法は、請求項１に記載の方法において、
前記観察対象部位が前記試料の一方主面上に特定されて
おり、(c) 前記工程(a)に先だって、前記観察対象部位
において略最深となるように、前記試料における前記観
察対象部位とは反対側の主面をディンプル状に研磨する
工程、をさらに備えることを特徴とする。
【００１３】この発明にかかる請求項４に記載の平面Ｔ
ＥＭ試料作成方法は、請求項１に記載の方法において、
(d) 前記工程(b)に先だって、前記試料の少なくとも一
方主面を前記縁面に沿って帯状に切除することによっ
て、前記観察対象部位を含む帯状の領域を予備的に薄膜
化する工程、をさらに備えることを特徴とする。
ＥＭ試料作成方法は、請求項１に記載の方法において、
(d) 前記工程(b)に先だって、前記試料の少なくとも一
方主面を前記縁面に沿って帯状に切除することによっ
て、前記観察対象部位を含む帯状の領域を予備的に薄膜
化する工程、をさらに備えることを特徴とする。
【００１４】この発明にかかる請求項５に記載の平面Ｔ
ＥＭ試料作成方法は、請求項１に記載の方法において、
(e) 前記工程(a)に先だって、前記試料の少なくとも一
方主面に前記観察対象部位を表示するマーキングを施す
工程、をさらに備えることを特徴とする。
ＥＭ試料作成方法は、請求項１に記載の方法において、
(e) 前記工程(a)に先だって、前記試料の少なくとも一
方主面に前記観察対象部位を表示するマーキングを施す
工程、をさらに備えることを特徴とする。
【００１５】この発明にかかる請求項６に記載の平面Ｔ
ＥＭ試料作成方法は、請求項１に記載の方法において、
前記観察対象部位が前記試料の主面から一定深さの地点
に特定されており、(f) 前記工程(a)の後でしかも前記
工程(b)の前に、前記縁面上に前記観察対象部位を表示
するマーキングを施す工程、をさらに備えることを特徴
とする。
ＥＭ試料作成方法は、請求項１に記載の方法において、
前記観察対象部位が前記試料の主面から一定深さの地点
に特定されており、(f) 前記工程(a)の後でしかも前記
工程(b)の前に、前記縁面上に前記観察対象部位を表示
するマーキングを施す工程、をさらに備えることを特徴
とする。
【００１６】この発明にかかる請求項７に記載の平面Ｔ
ＥＭ試料作成方法は、請求項６に記載の方法において、
前記工程(f)が、(f-1) 端縁に沿って平坦な表面上に配
列するパターンが形成されたスケール用基板を準備する
工程と、(f-2) 前記スケール用基板と前記試料とを近接
ないし隣接させることによって、前記平坦な表面と前記
縁面とを並列配置させた状態で、前記パターンを用いて
前記縁面に沿った距離を計測することによって、前記マ
ーキングを施すべき地点を同定する工程と、を備えるこ
とを特徴とする。
ＥＭ試料作成方法は、請求項６に記載の方法において、
前記工程(f)が、(f-1) 端縁に沿って平坦な表面上に配
列するパターンが形成されたスケール用基板を準備する
工程と、(f-2) 前記スケール用基板と前記試料とを近接
ないし隣接させることによって、前記平坦な表面と前記
縁面とを並列配置させた状態で、前記パターンを用いて
前記縁面に沿った距離を計測することによって、前記マ
ーキングを施すべき地点を同定する工程と、を備えるこ
とを特徴とする。
【００１７】
＜請求項１に記載の発明の作用＞この発明の方法では、
あらかじめ形成された縁面から集束イオンビームを選択
的に入射することによって、観察対象部位を含む領域を
選択的に薄膜化する。すなわち、試料中のあらかじめ特
定された部位を平面ＴＥＭ観察に適するように薄膜化す
る。
あらかじめ形成された縁面から集束イオンビームを選択
的に入射することによって、観察対象部位を含む領域を
選択的に薄膜化する。すなわち、試料中のあらかじめ特
定された部位を平面ＴＥＭ観察に適するように薄膜化す
る。
【００１８】＜請求項２に記載の発明の作用＞この発明
の方法では、充填剤を用いて前記試料を埋め込むととも
に試料台へ固着させた上で切断加工が実行されるので、
切断加工にともなう観察対象部位の損傷が防止される。
の方法では、充填剤を用いて前記試料を埋め込むととも
に試料台へ固着させた上で切断加工が実行されるので、
切断加工にともなう観察対象部位の損傷が防止される。
【００１９】＜請求項３に記載の発明の作用＞この発明
の方法では、観察対象部位において略最深となるよう
に、観察対象部位とは反対側の主面をディンプル状にあ
らかじめ研磨するので、集束イオンビームを用いたエッ
チングに先だって、観察対象部位の近傍が予備的に薄膜
化される。このため、集束イオンビームを用いたエッチ
ングが効率よく行われる。
の方法では、観察対象部位において略最深となるよう
に、観察対象部位とは反対側の主面をディンプル状にあ
らかじめ研磨するので、集束イオンビームを用いたエッ
チングに先だって、観察対象部位の近傍が予備的に薄膜
化される。このため、集束イオンビームを用いたエッチ
ングが効率よく行われる。
【００２０】＜請求項４に記載の発明の作用＞この発明
の方法では、観察対象部位を含む帯状の領域が予備的に
薄膜化される。このため、集束イオンビームを用いたエ
ッチングが効率よく行われる。
の方法では、観察対象部位を含む帯状の領域が予備的に
薄膜化される。このため、集束イオンビームを用いたエ
ッチングが効率よく行われる。
【００２１】＜請求項５に記載の発明の作用＞この発明
の方法では、観察対象部位を表示するマーキングが試料
の一方主面に施されるので、後続する縁面を形成する工
程、あるいはＦＩＢによる選択的エッチングを施す工程
において、それらの工程を実行すべき位置の同定が容易
に行われる。
の方法では、観察対象部位を表示するマーキングが試料
の一方主面に施されるので、後続する縁面を形成する工
程、あるいはＦＩＢによる選択的エッチングを施す工程
において、それらの工程を実行すべき位置の同定が容易
に行われる。
【００２２】＜請求項６に記載の発明の作用＞この発明
の方法では、観察対象部位を表示するマーキングが縁面
上に施されるので、後続するＦＩＢによる選択的エッチ
ングを施す工程において、選択的エッチングを施すべき
位置の同定が容易に行われる。
の方法では、観察対象部位を表示するマーキングが縁面
上に施されるので、後続するＦＩＢによる選択的エッチ
ングを施す工程において、選択的エッチングを施すべき
位置の同定が容易に行われる。
【００２３】＜請求項７に記載の発明の作用＞この発明
の方法では、スケール用基板に形成されたパターンを、
あたかも物差しの目盛りとして使用することによって、
マーキングを施すべき縁面上の位置が同定されるので、
マーキングが正確かつ容易に施される。
の方法では、スケール用基板に形成されたパターンを、
あたかも物差しの目盛りとして使用することによって、
マーキングを施すべき縁面上の位置が同定されるので、
マーキングが正確かつ容易に施される。
【００２４】
＜第１実施例＞はじめに、第１実施例の方法について説
明する。図１は、この実施例の平面ＴＥＭ試料作成方法
を示す工程図である。図１において、５１は評価対象と
される半導体基板である試料、１は観察対象部位、２，
３はこの観察対象部位を明示するために施されたマーキ
ングである。
明する。図１は、この実施例の平面ＴＥＭ試料作成方法
を示す工程図である。図１において、５１は評価対象と
される半導体基板である試料、１は観察対象部位、２，
３はこの観察対象部位を明示するために施されたマーキ
ングである。
【００２５】この方法では、まず、図１（ａ）の平面図
に示すように、試料５１の表面にマーキング２、３を施
す。マーキング２、３は、例えば、ＦＩＢ（集束イオン
ビーム装置）を用いて金属膜をデポジションすることに
よって施される。ＦＩＢは、マスクを用いることなく微
細なパターン状に金属膜をデポジションすることを可能
にする。
に示すように、試料５１の表面にマーキング２、３を施
す。マーキング２、３は、例えば、ＦＩＢ（集束イオン
ビーム装置）を用いて金属膜をデポジションすることに
よって施される。ＦＩＢは、マスクを用いることなく微
細なパターン状に金属膜をデポジションすることを可能
にする。
【００２６】試料５１の厚さ（図１の紙面に垂直方向の
幅）が大きい場合には、さらに試料５１の裏面に機械的
な研磨を施すことによって、後続する工程に都合の良い
適度な試料厚さ（例えば１００μｍ程度）となるように
薄膜化を行う。
幅）が大きい場合には、さらに試料５１の裏面に機械的
な研磨を施すことによって、後続する工程に都合の良い
適度な試料厚さ（例えば１００μｍ程度）となるように
薄膜化を行う。
【００２７】つぎに、図１（ｂ）の平面図に示すよう
に、ＴＥＭ観察用の試料ホルダに収納可能とするため
に、直径３ｍｍの円形のディスク状に試料を切出し加工
する。この加工には、好ましくは、超音波ディスクカッ
タが用いられる。
に、ＴＥＭ観察用の試料ホルダに収納可能とするため
に、直径３ｍｍの円形のディスク状に試料を切出し加工
する。この加工には、好ましくは、超音波ディスクカッ
タが用いられる。
【００２８】つぎに、図１（ｃ）の断面図に示すよう
に、ディンプルグラインダを用いてディスク状の試料５
１の裏面をディンプル状に研磨することによって、観察
対象部位１の付近をさらに薄膜化する。ディンプルグラ
インダを用いた研磨では、試料５１に損傷を与えること
なく、最も薄い部位において１０μｍ以下の厚さにまで
試料５１の薄膜化を行うことが可能である。
に、ディンプルグラインダを用いてディスク状の試料５
１の裏面をディンプル状に研磨することによって、観察
対象部位１の付近をさらに薄膜化する。ディンプルグラ
インダを用いた研磨では、試料５１に損傷を与えること
なく、最も薄い部位において１０μｍ以下の厚さにまで
試料５１の薄膜化を行うことが可能である。
【００２９】観察対象部位１の付近、すなわち試料５１
の最も薄い部分における厚さＷは、約２０μｍとなるよ
うに研磨が行われる。なお、図１（ｂ）に示した切出し
加工と、図１（ｃ）に示した研磨加工とは、互いに順序
が入れ替わってもよい。
の最も薄い部分における厚さＷは、約２０μｍとなるよ
うに研磨が行われる。なお、図１（ｂ）に示した切出し
加工と、図１（ｃ）に示した研磨加工とは、互いに順序
が入れ替わってもよい。
【００３０】つぎに、図１（ｄ）の平面図および図１
（ｅ）の斜視図に示すように、試料５１の切出し加工を
再び行う。この切出し加工では、縁面５４の観察対象部
位１からの距離Ｘが１０μｍ〜２０μｍ程度となるよう
に平面状に切出しが行われる。切出すべき縁面５４の位
置は、マーキング２、３を目印とすることによって容易
に同定される。また、この切出し加工には、好ましくは
半導体ウェハ用のダイシング装置が用いられる。
（ｅ）の斜視図に示すように、試料５１の切出し加工を
再び行う。この切出し加工では、縁面５４の観察対象部
位１からの距離Ｘが１０μｍ〜２０μｍ程度となるよう
に平面状に切出しが行われる。切出すべき縁面５４の位
置は、マーキング２、３を目印とすることによって容易
に同定される。また、この切出し加工には、好ましくは
半導体ウェハ用のダイシング装置が用いられる。
【００３１】さらに好ましくは、図２の正面断面図に示
すように、試料５１をワックス（充填剤）４１で埋め込
むとともに、試料５１をこのワックス４１で試料台５２
に固着させた状態でダイシング装置を用いた切出しが行
われる。切出し加工をこのように行うことによって、切
出し加工による観察対象部位１への損傷を低減すること
ができる。ワックス４１は透明ないし半透明であるの
で、ワックス４１を透かしてマーキング２、３を目視す
ることが可能である。なお、図１（ｅ）では、試料５１
の裏面（マーキング２、３の反対面）が現れている。
すように、試料５１をワックス（充填剤）４１で埋め込
むとともに、試料５１をこのワックス４１で試料台５２
に固着させた状態でダイシング装置を用いた切出しが行
われる。切出し加工をこのように行うことによって、切
出し加工による観察対象部位１への損傷を低減すること
ができる。ワックス４１は透明ないし半透明であるの
で、ワックス４１を透かしてマーキング２、３を目視す
ることが可能である。なお、図１（ｅ）では、試料５１
の裏面（マーキング２、３の反対面）が現れている。
【００３２】つぎに、図１（ｆ）の斜視図に示すよう
に、ＦＩＢを用いて最終段階の薄膜化を行う。すなわ
ち、試料５１をＦＩＢ加工用の治具（図示を略する）に
取り付けて、ＦＩＢによるエッチング加工を行う。ＦＩ
Ｂは、試料５１の表面に沿った方向で、しかも縁面５４
に垂直な方向から入射される。このように、ＦＩＢによ
る選択的なエッチング加工を施すことによって、観察対
象部位１を含む領域を局所的に薄膜化する。その厚さＹ
は、ＴＥＭ観察に必要とされる０．１μｍ〜０．２μｍ
程度である。
に、ＦＩＢを用いて最終段階の薄膜化を行う。すなわ
ち、試料５１をＦＩＢ加工用の治具（図示を略する）に
取り付けて、ＦＩＢによるエッチング加工を行う。ＦＩ
Ｂは、試料５１の表面に沿った方向で、しかも縁面５４
に垂直な方向から入射される。このように、ＦＩＢによ
る選択的なエッチング加工を施すことによって、観察対
象部位１を含む領域を局所的に薄膜化する。その厚さＹ
は、ＴＥＭ観察に必要とされる０．１μｍ〜０．２μｍ
程度である。
【００３３】ＦＩＢは、マスクを用いることなく、微細
なパターン状にイオンを高精度で選択的に入射すること
が可能な技術である。このためＦＩＢは、図１（ｆ）に
示すように、試料５１の縁面５４を選択的にイオンエッ
チングするのに最適である。
なパターン状にイオンを高精度で選択的に入射すること
が可能な技術である。このためＦＩＢは、図１（ｆ）に
示すように、試料５１の縁面５４を選択的にイオンエッ
チングするのに最適である。
【００３４】ＦＩＢによるエッチング加工に先立って、
ディンプル状の研磨加工によって観察対象部位１の近傍
が予備的に薄膜化されているので、ＦＩＢによるエッチ
ング加工が短時間で効率よく行われる。また、ＦＩＢに
よるエッチング加工を施すべき位置の同定は、マーキン
グ２、３を目印とすることによって容易に行われる。さ
らに、選択的なエッチングにＦＩＢが用いられるので、
あらかじめ設定された観察対象部位１を目標とした薄膜
化が、高い位置精度をもってしかも容易に行われる。
ディンプル状の研磨加工によって観察対象部位１の近傍
が予備的に薄膜化されているので、ＦＩＢによるエッチ
ング加工が短時間で効率よく行われる。また、ＦＩＢに
よるエッチング加工を施すべき位置の同定は、マーキン
グ２、３を目印とすることによって容易に行われる。さ
らに、選択的なエッチングにＦＩＢが用いられるので、
あらかじめ設定された観察対象部位１を目標とした薄膜
化が、高い位置精度をもってしかも容易に行われる。
【００３５】以上の工程によって、試料５１の表面上に
あらかじめ特定された観察対象部位１の平面ＴＥＭ観察
が可能となる。なお、マーキング２、３は、金属膜をデ
ポジションする方法だけでなく、例えばＦＩＢを用いた
エッチング、あるいはレーザーを用いた溝形成などによ
って、試料５１の表面に溝状に形成してもよい。
あらかじめ特定された観察対象部位１の平面ＴＥＭ観察
が可能となる。なお、マーキング２、３は、金属膜をデ
ポジションする方法だけでなく、例えばＦＩＢを用いた
エッチング、あるいはレーザーを用いた溝形成などによ
って、試料５１の表面に溝状に形成してもよい。
【００３６】＜第２実施例＞つぎに、第２実施例の方法
について説明する。図３は、この実施例の平面ＴＥＭ試
料作成方法を示す工程図である。図３において、６１は
評価対象とされる半導体基板の試料である。
について説明する。図３は、この実施例の平面ＴＥＭ試
料作成方法を示す工程図である。図３において、６１は
評価対象とされる半導体基板の試料である。
【００３７】この方法では、まず、図３（ａ）の平面図
に示すように、試料６１の表面に、第１実施例の方法と
同要領でマーキング２、３を施す。また、試料６１の厚
さ（図３の紙面に垂直方向の幅）が大きい場合には、さ
らに試料６１の裏面に機械的な研磨を施すことによっ
て、後続する工程に都合の良い適度な試料厚さ（例えば
１００μｍ程度）となるように薄膜化を行う。
に示すように、試料６１の表面に、第１実施例の方法と
同要領でマーキング２、３を施す。また、試料６１の厚
さ（図３の紙面に垂直方向の幅）が大きい場合には、さ
らに試料６１の裏面に機械的な研磨を施すことによっ
て、後続する工程に都合の良い適度な試料厚さ（例えば
１００μｍ程度）となるように薄膜化を行う。
【００３８】つぎに、図３（ｂ）の平面図および図３
（ｃ）の斜視図に示すように、試料６１を、一辺Ａ、他
辺Ｂがそれぞれ３ｍｍ、０．５ｍｍ程度である矩形形状
に切出す。この切出し加工では、縁面６４の観察対象部
位１からの距離Ｘが１０μｍ〜２０μｍ程度となるよう
に平面状に切出しが行われる。
（ｃ）の斜視図に示すように、試料６１を、一辺Ａ、他
辺Ｂがそれぞれ３ｍｍ、０．５ｍｍ程度である矩形形状
に切出す。この切出し加工では、縁面６４の観察対象部
位１からの距離Ｘが１０μｍ〜２０μｍ程度となるよう
に平面状に切出しが行われる。
【００３９】切出すべき縁面６４の位置は、マーキング
２、３を目印とすることによって容易に同定される。ま
た、この切出し加工には、好ましくは半導体ウェハ用の
ダイシング装置が用いられる。さらに、図２に示した方
法と同様に、ワックスによる埋め込み状態で切出し加工
を行ってもよい。なお、図３（ｃ）では、試料６１の裏
面（マーキング２、３の反対面）が現れている。
２、３を目印とすることによって容易に同定される。ま
た、この切出し加工には、好ましくは半導体ウェハ用の
ダイシング装置が用いられる。さらに、図２に示した方
法と同様に、ワックスによる埋め込み状態で切出し加工
を行ってもよい。なお、図３（ｃ）では、試料６１の裏
面（マーキング２、３の反対面）が現れている。
【００４０】つぎに、図３（ｄ）の斜視図に示すよう
に、試料６１の裏面を縁面６４に沿って帯状に切除する
ことによって、観察対象部位１を含む帯状の薄膜領域６
５を形成する。この切除加工には、好ましくは半導体ウ
ェハ用のダイシング装置が用いられる。この工程によっ
て形成される薄膜領域６５の厚さＺは、約２０μｍ程度
である。
に、試料６１の裏面を縁面６４に沿って帯状に切除する
ことによって、観察対象部位１を含む帯状の薄膜領域６
５を形成する。この切除加工には、好ましくは半導体ウ
ェハ用のダイシング装置が用いられる。この工程によっ
て形成される薄膜領域６５の厚さＺは、約２０μｍ程度
である。
【００４１】つぎに、図３（ｅ）の斜視図に示すよう
に、ＦＩＢを用いて最終段階の薄膜化を行う。すなわ
ち、試料６１をＦＩＢ加工用の治具（図示を略する）に
取り付けて、ＦＩＢによるエッチング加工を行う。ＦＩ
Ｂは、試料６１の表面に沿った方向で、しかも縁面６４
に垂直な方向から入射される。このように、ＦＩＢによ
る選択的なエッチング加工を施すことによって、観察対
象部位１を含む領域を局所的に薄膜化する。その厚さＹ
は、ＴＥＭ観察に必要とされる０．１μｍ〜０．２μｍ
程度である。
に、ＦＩＢを用いて最終段階の薄膜化を行う。すなわ
ち、試料６１をＦＩＢ加工用の治具（図示を略する）に
取り付けて、ＦＩＢによるエッチング加工を行う。ＦＩ
Ｂは、試料６１の表面に沿った方向で、しかも縁面６４
に垂直な方向から入射される。このように、ＦＩＢによ
る選択的なエッチング加工を施すことによって、観察対
象部位１を含む領域を局所的に薄膜化する。その厚さＹ
は、ＴＥＭ観察に必要とされる０．１μｍ〜０．２μｍ
程度である。
【００４２】ＦＩＢによるエッチング加工に先立って薄
膜領域６５が予備的に形成されているので、ＦＩＢによ
るエッチング加工が短時間で効率よく行われる。また、
ＦＩＢによるエッチング加工を施すべき位置の同定は、
マーキング２、３を目印とすることによって容易に行わ
れる。さらに、選択的なエッチングにＦＩＢが用いられ
るので、高い位置精度での薄膜化が容易に行われる。
膜領域６５が予備的に形成されているので、ＦＩＢによ
るエッチング加工が短時間で効率よく行われる。また、
ＦＩＢによるエッチング加工を施すべき位置の同定は、
マーキング２、３を目印とすることによって容易に行わ
れる。さらに、選択的なエッチングにＦＩＢが用いられ
るので、高い位置精度での薄膜化が容易に行われる。
【００４３】以上の工程によって、試料５１の表面上に
あらかじめ特定された観察対象部位１の平面ＴＥＭ観察
が可能となる。
あらかじめ特定された観察対象部位１の平面ＴＥＭ観察
が可能となる。
【００４４】＜第３実施例＞つぎに、第３実施例の方法
について説明する。図４は、この実施例の平面ＴＥＭ試
料作成方法を示す工程図である。図４において、７１は
評価対象とされる半導体基板の試料である。この実施例
の方法では、試料作成の対象とされる試料７１の観察対
象部位が、試料７１の表面から一定の深さを有する深部
に特定されている点が、第１および第２実施例の方法と
は特徴的に異なっている。
について説明する。図４は、この実施例の平面ＴＥＭ試
料作成方法を示す工程図である。図４において、７１は
評価対象とされる半導体基板の試料である。この実施例
の方法では、試料作成の対象とされる試料７１の観察対
象部位が、試料７１の表面から一定の深さを有する深部
に特定されている点が、第１および第２実施例の方法と
は特徴的に異なっている。
【００４５】この方法では、まず、図４（ａ）の斜視図
に示すように、試料７１に切出し加工を施すことによっ
て観察対象部位の近傍に縁面７４を形成する。この切出
し加工には、好ましくは半導体ウェハ用のダイシング装
置が用いられる。さらに、図２に示した方法と同様に、
ワックスによる埋め込み状態で切出し加工を行ってもよ
い。
に示すように、試料７１に切出し加工を施すことによっ
て観察対象部位の近傍に縁面７４を形成する。この切出
し加工には、好ましくは半導体ウェハ用のダイシング装
置が用いられる。さらに、図２に示した方法と同様に、
ワックスによる埋め込み状態で切出し加工を行ってもよ
い。
【００４６】そして切り出された縁面７４に、マーキン
グ４を施す。マーキング４は、観察対象部位の深さＤを
明示する。マーキング４を形成するには、ＦＩＢ装置を
用いて、試料７１の形状観察が可能な二次電子像を観察
しつつ、試料７１の厚さを基準とすることによって、表
面から所定の深さＤの地点にマーキング４を施すとよ
い。
グ４を施す。マーキング４は、観察対象部位の深さＤを
明示する。マーキング４を形成するには、ＦＩＢ装置を
用いて、試料７１の形状観察が可能な二次電子像を観察
しつつ、試料７１の厚さを基準とすることによって、表
面から所定の深さＤの地点にマーキング４を施すとよ
い。
【００４７】さらに、好ましくは、図５の平面図に示す
ように、互いの間隔が既知であるパターン８２が平坦な
表面上の端縁近傍に配設されたスケール用基板８１を試
料７１に近接させ、そのパターン８２をスケールとして
用いることによって、マーキング４を施すべき地点すな
わち試料７１の表面７３からの深さＤの地点を同定して
もよい。そうすることによって、マーキング４を施すべ
き位置の同定を容易にしかも精度よく行うことができ
る。
ように、互いの間隔が既知であるパターン８２が平坦な
表面上の端縁近傍に配設されたスケール用基板８１を試
料７１に近接させ、そのパターン８２をスケールとして
用いることによって、マーキング４を施すべき地点すな
わち試料７１の表面７３からの深さＤの地点を同定して
もよい。そうすることによって、マーキング４を施すべ
き位置の同定を容易にしかも精度よく行うことができ
る。
【００４８】スケール用基板８１は、例えば試料７１と
同様の半導体基板であり、パターン８２は、例えばアル
ミニウムあるいはポリシリコンで形成される。パターン
８２は、好ましくは、等ピッチＰで配設されている。こ
のピッチＰは、例えば、１０μｍ程度に選ばれる。
同様の半導体基板であり、パターン８２は、例えばアル
ミニウムあるいはポリシリコンで形成される。パターン
８２は、好ましくは、等ピッチＰで配設されている。こ
のピッチＰは、例えば、１０μｍ程度に選ばれる。
【００４９】また、試料７１の厚さが大きい場合には、
さらに試料７１の表面もしくは裏面、またはそれらの双
方に機械的な研磨を施すことによって、後続する工程に
都合の良い適度な試料厚さ（例えば１００μｍ程度）と
なるように薄膜化を行う。研磨は、薄膜化後の試料７１
にもマーキング４が残るように行われる。
さらに試料７１の表面もしくは裏面、またはそれらの双
方に機械的な研磨を施すことによって、後続する工程に
都合の良い適度な試料厚さ（例えば１００μｍ程度）と
なるように薄膜化を行う。研磨は、薄膜化後の試料７１
にもマーキング４が残るように行われる。
【００５０】つぎに、図４（ｂ）の斜視図に示すよう
に、試料７１を、一辺Ａ、他辺Ｂがそれぞれ３ｍｍ、
０．５ｍｍ程度である矩形形状に切出す。この切出し加
工は、マーキング４が表示される縁面７４をそのまま残
すように行われる。また、この切出し加工には、好まし
くは半導体ウェハ用のダイシング装置が用いられる。
に、試料７１を、一辺Ａ、他辺Ｂがそれぞれ３ｍｍ、
０．５ｍｍ程度である矩形形状に切出す。この切出し加
工は、マーキング４が表示される縁面７４をそのまま残
すように行われる。また、この切出し加工には、好まし
くは半導体ウェハ用のダイシング装置が用いられる。
【００５１】つぎに、図４（ｃ）の斜視図に示すよう
に、試料７１の表面および裏面を縁面７４に沿って帯状
に切除することによって、マーキング４で表示される深
さＤの地点を含む帯状の薄膜領域７５を形成する。この
切除加工には、好ましくは半導体ウェハ用のダイシング
装置が用いられる。この工程によって形成される薄膜領
域７５の厚さＺは、約２０μｍ程度である。
に、試料７１の表面および裏面を縁面７４に沿って帯状
に切除することによって、マーキング４で表示される深
さＤの地点を含む帯状の薄膜領域７５を形成する。この
切除加工には、好ましくは半導体ウェハ用のダイシング
装置が用いられる。この工程によって形成される薄膜領
域７５の厚さＺは、約２０μｍ程度である。
【００５２】つぎに、図４（ｄ）の斜視図に示すよう
に、ＦＩＢを用いて最終段階の薄膜化を行う。すなわ
ち、試料７１をＦＩＢ加工用の治具（図示を略する）に
取り付けて、ＦＩＢによるエッチング加工を行う。ＦＩ
Ｂは、試料７１の表面に沿った方向であって、しかも縁
面７４に垂直な方向から入射される。このような、ＦＩ
Ｂによる選択的なエッチング加工を施すことによって、
観察対象部位を含む領域を局所的に薄膜化する。その厚
さＹは、ＴＥＭ観察に必要とされる０．１μｍ〜０．２
μｍ程度である。
に、ＦＩＢを用いて最終段階の薄膜化を行う。すなわ
ち、試料７１をＦＩＢ加工用の治具（図示を略する）に
取り付けて、ＦＩＢによるエッチング加工を行う。ＦＩ
Ｂは、試料７１の表面に沿った方向であって、しかも縁
面７４に垂直な方向から入射される。このような、ＦＩ
Ｂによる選択的なエッチング加工を施すことによって、
観察対象部位を含む領域を局所的に薄膜化する。その厚
さＹは、ＴＥＭ観察に必要とされる０．１μｍ〜０．２
μｍ程度である。
【００５３】ＦＩＢによるエッチング加工に先立って薄
膜領域７５が予備的に形成されているので、ＦＩＢによ
るエッチング加工が短時間で効率よく行われる。また、
ＦＩＢによるエッチング加工を施すべき深さ方向の位置
の同定は、マーキング４を目印とすることによって容易
に行われる。さらに、選択的なエッチングにＦＩＢが用
いられるので、高い位置精度での薄膜化が容易に行われ
る。
膜領域７５が予備的に形成されているので、ＦＩＢによ
るエッチング加工が短時間で効率よく行われる。また、
ＦＩＢによるエッチング加工を施すべき深さ方向の位置
の同定は、マーキング４を目印とすることによって容易
に行われる。さらに、選択的なエッチングにＦＩＢが用
いられるので、高い位置精度での薄膜化が容易に行われ
る。
【００５４】以上の工程によって、試料５１の表面から
所定の深さＤの地点にあらかじめ特定された観察対象部
位の平面ＴＥＭ観察が可能となる。
所定の深さＤの地点にあらかじめ特定された観察対象部
位の平面ＴＥＭ観察が可能となる。
【００５５】
＜請求項１に記載の発明の効果＞この発明の方法では、
あらかじめ形成された縁面から集束イオンビームを選択
的に入射することによって、観察対象部位を含む領域を
選択的に薄膜化する。すなわち、試料中のあらかじめ特
定された部位を平面ＴＥＭ観察に適するように薄膜化す
る。このため、この方法を用いて作成された試料では、
あらかじめ特定された部位について平面ＴＥＭ観察を行
うことが可能である。
あらかじめ形成された縁面から集束イオンビームを選択
的に入射することによって、観察対象部位を含む領域を
選択的に薄膜化する。すなわち、試料中のあらかじめ特
定された部位を平面ＴＥＭ観察に適するように薄膜化す
る。このため、この方法を用いて作成された試料では、
あらかじめ特定された部位について平面ＴＥＭ観察を行
うことが可能である。
【００５６】＜請求項２に記載の発明の効果＞この発明
の方法では、充填剤を用いて前記試料を埋め込むととも
に試料台へ固着させた上で切断加工が実行されるので、
切断加工にともなって観察対象部位へ損傷が付与される
ことを防止することができる。
の方法では、充填剤を用いて前記試料を埋め込むととも
に試料台へ固着させた上で切断加工が実行されるので、
切断加工にともなって観察対象部位へ損傷が付与される
ことを防止することができる。
【００５７】＜請求項３に記載の発明の効果＞この発明
の方法では、観察対象部位において略最深となるよう
に、観察対象部位とは反対側の主面をディンプル状にあ
らかじめ研磨するので、集束イオンビームを用いたエッ
チングに先だって、観察対象部位の近傍が予備的に薄膜
化される。このため、後続して実行される集束イオンビ
ームを用いたエッチングを短時間で容易に行い得る。
の方法では、観察対象部位において略最深となるよう
に、観察対象部位とは反対側の主面をディンプル状にあ
らかじめ研磨するので、集束イオンビームを用いたエッ
チングに先だって、観察対象部位の近傍が予備的に薄膜
化される。このため、後続して実行される集束イオンビ
ームを用いたエッチングを短時間で容易に行い得る。
【００５８】＜請求項４に記載の発明の効果＞この発明
の方法では、観察対象部位を含む帯状の領域が予備的に
薄膜化されるので、後続して実行される集束イオンビー
ムを用いたエッチングを短時間で容易に行い得る。
の方法では、観察対象部位を含む帯状の領域が予備的に
薄膜化されるので、後続して実行される集束イオンビー
ムを用いたエッチングを短時間で容易に行い得る。
【００５９】＜請求項５に記載の発明の効果＞この発明
の方法では、観察対象部位を表示するマーキングが試料
の一方主面に施されるので、後続する縁面を形成する工
程、あるいはＦＩＢによる選択的エッチングを施す工程
において、それらの工程を実行すべき位置の同定が容易
に行われる。
の方法では、観察対象部位を表示するマーキングが試料
の一方主面に施されるので、後続する縁面を形成する工
程、あるいはＦＩＢによる選択的エッチングを施す工程
において、それらの工程を実行すべき位置の同定が容易
に行われる。
【００６０】＜請求項６に記載の発明の効果＞この発明
の方法では、観察対象部位を表示するマーキングが縁面
上に施されるので、後続するＦＩＢによる選択的エッチ
ングを施す工程において、選択的エッチングを施すべき
位置の同定が容易に行われる。
の方法では、観察対象部位を表示するマーキングが縁面
上に施されるので、後続するＦＩＢによる選択的エッチ
ングを施す工程において、選択的エッチングを施すべき
位置の同定が容易に行われる。
【００６１】＜請求項７に記載の発明の効果＞この発明
の方法では、スケール用基板に形成されたパターンを物
差しの目盛りとして使用することによって、マーキング
を施すべき縁面上の位置が同定されるので、マーキング
を正確かつ容易に施すことができる。
の方法では、スケール用基板に形成されたパターンを物
差しの目盛りとして使用することによって、マーキング
を施すべき縁面上の位置が同定されるので、マーキング
を正確かつ容易に施すことができる。
【図１】 第１実施例の方法を示す工程図である。
【図２】 第１実施例の方法を示す工程図である。
【図３】 第２実施例の方法を示す工程図である。
【図４】 第３実施例の方法を示す工程図である。
【図５】 第３実施例の方法を示す工程図である。
【図６】 従来の方法を示す工程図である。
１ 観察対象部位、２，３，４ マーキング、４１ ワ
ックス（充填剤）、５１，６１，７１ 試料、５４，６
４，７４ 縁面、５２ 試料台、６５，７５薄膜領域、
７４ 表面（主面）、８１ スケール用基板、８２ パ
ターン。
ックス（充填剤）、５１，６１，７１ 試料、５４，６
４，７４ 縁面、５２ 試料台、６５，７５薄膜領域、
７４ 表面（主面）、８１ スケール用基板、８２ パ
ターン。
Claims (7)
- 【請求項１】 (a) 平板状の試料に切断加工を施すこと
によって、前記試料における主面の輪郭の一部をなす縁
面を、観察対象部位に近接して形成する工程と、 (b) 当該縁面側から前記試料の主面に沿って集束イオン
ビームを選択的に入射することによって、当該試料を選
択的にエッチングし、その結果、前記観察対象部位を含
む前記試料中の領域を薄膜化する工程と、 を備えることを特徴とする平面ＴＥＭ試料作成方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の方法において、 前記工程(a)における前記切断加工が、充填剤を用いて
前記試料を埋め込むとともに試料台へ固着させた上で実
行されることを特徴とする平面ＴＥＭ試料作成方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載の方法において、前記観
察対象部位が前記試料の一方主面上に特定されており、 (c) 前記工程(a)に先だって、前記観察対象部位におい
て略最深となるように、前記試料における前記観察対象
部位とは反対側の主面をディンプル状に研磨する工程、 をさらに備えることを特徴とする平面ＴＥＭ試料作成方
法。 - 【請求項４】 請求項１に記載の方法において、 (d) 前記工程(b)に先だって、前記試料の少なくとも一
方主面を前記縁面に沿って帯状に切除することによっ
て、前記観察対象部位を含む帯状の領域を予備的に薄膜
化する工程、 をさらに備えることを特徴とする平面ＴＥＭ試料作成方
法。 - 【請求項５】 請求項１に記載の方法において、 (e) 前記工程(a)に先だって、前記試料の少なくとも一
方主面に前記観察対象部位を表示するマーキングを施す
工程、 をさらに備えることを特徴とする平面ＴＥＭ試料作成方
法。 - 【請求項６】 請求項１に記載の方法において、前記観
察対象部位が前記試料の主面から一定深さの地点に特定
されており、 (f) 前記工程(a)の後でしかも前記工程(b)の前に、前記
縁面上に前記観察対象部位を表示するマーキングを施す
工程、 をさらに備えることを特徴とする平面ＴＥＭ試料作成方
法。 - 【請求項７】 請求項６に記載の方法において、 前記工程(f)が、 (f-1) 端縁に沿って平坦な表面上に配列するパターンが
形成されたスケール用基板を準備する工程と、 (f-2) 前記スケール用基板と前記試料とを近接ないし隣
接させることによって、前記平坦な表面と前記縁面とを
並列配置させた状態で、前記パターンを用いて前記縁面
に沿った距離を計測することによって、前記マーキング
を施すべき地点を同定する工程と、 を備えることを特徴とする平面ＴＥＭ試料作成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14171094A JPH083768A (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | 平面ｔｅｍ試料作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14171094A JPH083768A (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | 平面ｔｅｍ試料作成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH083768A true JPH083768A (ja) | 1996-01-09 |
Family
ID=15298406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14171094A Pending JPH083768A (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | 平面ｔｅｍ試料作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH083768A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999005506A1 (en) * | 1997-07-22 | 1999-02-04 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for preparing samples |
| US6570170B2 (en) * | 2001-03-01 | 2003-05-27 | Omniprobe, Inc. | Total release method for sample extraction from a charged-particle instrument |
| US7071475B2 (en) | 1997-07-22 | 2006-07-04 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for specimen fabrication |
| JP2009194332A (ja) * | 2008-02-18 | 2009-08-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法および断面観察方法 |
| CN104713767A (zh) * | 2013-12-17 | 2015-06-17 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种tem 的样品制备方法 |
| CN112444435A (zh) * | 2020-11-20 | 2021-03-05 | 国标（北京）检验认证有限公司 | 一种块体材料平面透射电镜样品的制备方法 |
| CN114279784A (zh) * | 2021-12-22 | 2022-04-05 | 上海季丰电子股份有限公司 | 一种透射电镜样品的制备方法 |
-
1994
- 1994-06-23 JP JP14171094A patent/JPH083768A/ja active Pending
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| US8405053B2 (en) | 1997-07-22 | 2013-03-26 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for specimen fabrication |
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