KR960006173A - 복합파장 가시광 레이저다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents
복합파장 가시광 레이저다이오드 및 그 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 복합파장 가시광 레이저다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, GaAs기판의 일정상부는 예정된 파장을 발진하는 제1레이저다이오드를 구비하고, 그 측면에 또다른 파장을 발진하는 제2레이저 다이오드를 구비하여 두 파장을 동시에 또는 선택적으로 발진할 수 있도록 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제8도는 본 발명에 의해 복합파장 가시광 레이저다이오드를 제조하는 단계를 도시한 단면도.
Claims (7)
- 레이저다이오드에 있어서, 단일 칩의 GaAs기판의 일정상부는 예정된 파장을 발진하는 제1레이저 다이오드가 구비되고, 그 측면에 또다른 파장을 발진하는 제2레이저 다이오드가 구비된 것을 특징으로 하는 복합파장 가시광 레이저 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 제1레이저다이오드는 제1클래드층으로 N-AlGaInP0.7가 구비되고, 활성층으로 U-InGaP가 구비되고, 제2클래드층으로 P-AlGaInP0.7이 구비되는 것을 특징으로 하는 복합파장 가시광 레이저 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 제2레이저 다이오드는 제1클래드층으로 N-AlGaInP0.7가 구비되고, 활성층으로 U-InGaP0.5하부가 구비되고, 제2클래드층으로 P-AlGaInP0.7이 구비되는 것을 특징으로 하는 복합파장 가시광 레이저 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 제1레이저다이오드의 활성층으로 사용되는 U-InGaP의 하부와 상부에는 완충층으로 사용되는 N-AlGaInP0.5와 완충층으로 사용되는 P-AlGa-InP0.5가 약 0.05㎛두께로 구비된 것을 특징으로 하는 복합파장 가시광 레이저 다이오드.
- 레이저다이오드 제조방법에 있어서, GaAs기판상부에 제1클래드층으로 사용되는 N-AlGaInP0.7완충층으로 사용되는 N-AlGaInP0.5활성층으로 사용되는 U-InGaP 완충층으로 사용되는 P-AlGaInP0.5를 순차적으로 적층하는 단계와, 상기 P-AlGaInP0.5상부에 산화막(11)을 증착하고, 마스크를 이용한 식각공정으로 상기 산화막, P-Al-GaInP0.5, U-InGaP, N-AlGaInP0.5의 B지경을 순차적으로 식각하여 N-AlGaInP0.7을 노출시키는 단계와, 상기 N-AlGaInP0.7상부에 선택적으로 활성층으로 사용되는 U-AlGa-InPO.1을 형성하는 단계와, 남아있는 상기 산화막을 식각한후, 전체적으로 제2클래드층으로 사용되는 P-AlGaInP0.7를 형성하고 그 상부에 P-InGaP를 형성시키는 단계와, 전체적으로 산화막을 증착한 다음, 마스크를 이용한 식각공정으로 상기 산화막, P-aInGaP과 P-AlGaInP0.7일부까지 일정 부분을 식각하여 A,B지역에 각각 돌출부를 형성하는 단계와, 전류 제한층으로 사용되는 N-GaAs의 상부면에 p-GaAs, A,B지역의 레이저다이오드를 분리하기 위하여 중앙부의 일정부분의 P-GaAs을 식각하는 단계를 포함하는 복합파장 가시광 레이저 다이오드 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 제1클래드층으로 사용되는 N-AlGaInP0.7완충층응으로 사용되는 N-AlGaInP0.5활성층으로 사용되는 U-InGaP 완충층으로 사용되는 P-AlGaInP0.5를 순차적으로 1㎛, 0.05㎛, 0.1㎛, 0.05㎛ 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 복합파장 가시광 레이저 다이오드 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 활성층으로 사용되는 U-AlGaInPO.1는 약 0.1㎛의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 복합파장 가시광 레이저 다이오드 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940017972A KR960006173A (ko) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | 복합파장 가시광 레이저다이오드 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940017972A KR960006173A (ko) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | 복합파장 가시광 레이저다이오드 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960006173A true KR960006173A (ko) | 1996-02-23 |
Family
ID=66689089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940017972A KR960006173A (ko) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | 복합파장 가시광 레이저다이오드 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960006173A (ko) |
-
1994
- 1994-07-25 KR KR1019940017972A patent/KR960006173A/ko not_active Application Discontinuation
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